CN103022148A - 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过形成包括纵向TFT在内的阵列基板图形，且所述纵向TFT包括形成于衬底基板之上的像素电极；形成于所述像素电极之上的漏电极；形成于所述漏电极之上的半导体复合层；形成于所述半导体复合层之上的源电极；所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。具有像素的开口率大、工艺简单、可降低阵列基板制作成本的特点。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，具体可以涉及一种阵列基板及其制作方法，以及一种显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
TFT LCD的制造工艺与传统的IC电路相兼容，显示品质优异，其主要应用领域有笔记本电脑、台式计算机监视器、工作站、工业监视器、全球卫星定位系统、便携式VCD、DVD及其它一些便携装置。
目前现有的薄膜晶体管的制备方法，就是先在玻璃基板上利用等离子体增强化学沉淀（PECVD）和磁控溅射（Sputter）沉积上金属膜层及各种非金属膜层，然后涂上光刻胶，利用各种掩模板进行曝光工艺，从而得到我们所需要的薄膜晶体管结构。
现有底栅型且源漏电极在一个平面的TFT结构的俯视图如图1所示，包括栅极8a、数据线3b、漏电极3a、源电极5a、沟道20及像素电极2a，其中漏电极3a与源电极5a平行排列，中间是由半导体层构成的沟道20，漏电极3a上有过孔（如附图1像素电极2a中的圆圈所示），像素电极2a通过过孔与漏电极3a相连。当栅极8a施加适当的电压以后，即可在半导体层形成电子通道，使漏电极3a与源电极5a之间形成导通状态，从而达到开关的作用，此时像素电极2a就可以被充电。
由图1可见，漏电极3a与源电极5a是形成在半导体层的顶面，而这样的结构具有一定的局限性，因为快速充电能力及高开口率是一般TFT液晶显示器对像素单元的设计需求，对于现有TFT结构而言，一般通过减少沟道20的宽度或者增大漏电极3a与源电极5a之间的沟道20范围来提高像素单元的充电能力。
然而，减少沟道20宽度通常需要辅以特殊的掩膜技术及光阻剂的配合，设计制作相当困难。而且增大沟道20范围则会造成开口率的损失，使TFT液晶显示器的光穿透率下降。
而且现有技术中，为了有效地降低TFT LCD的价格和提高其成品率，薄膜晶体管（TFT）矩阵的制造工艺逐步得到简化，由开始的七次或六次光刻到现在普遍采用的五次光刻。近来，基于灰色调掩模板光刻“Gray Tone Mask”技术的四次光刻工艺开始涉足TFT LCD的制造领域并逐步得到应用，其核心工艺就是用源漏电极（S/DT）Gray Tone Mask代替传统五次光刻工艺中的有源层光刻（Active Mask）和源漏电极光刻（S/D Mask）。
但是，随着生产技术的提高及科技进步，4次掩膜板光刻技术也已经不能满足生产要求，因此，急需一种更为简单、有效的TFT制作工艺来提高阵列基板的生产效率，降低生产成本。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，通过三次曝光工艺，从而形成包括纵向TFT在内的阵列基板图形，具有工艺简单、可降低阵列基板制作成本的特点。
本发明提供方案如下：
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括TFT区域，所述TFT区域包括：
形成于衬底基板之上的像素电极；
形成于所述像素电极之上的漏电极；
形成于所述漏电极之上的半导体复合层；
形成于所述半导体复合层之上的源电极；
所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。
优选的，所述TFT区域还包括：
形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层施加电压的栅电极。
优选的，所述TFT区域还包括：
绝缘层；
所述绝缘层覆盖所述衬底基板上的所述栅电极和所述TFT沟道之间的区域，且还形成在所述栅电极与衬底基板之间。
优选的，所述TFT区域还包括：
导通金属层；
所述源电极通过所述导通金属层，与阵列基板中的数据线连接。
优选的，所述绝缘层还形成在所述TFT沟道的上方，且所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设有过孔；
所述源电极通过所述TFT沟道上方的过孔和所述导通金属层与所述阵列基板中的数据线连接。
优选的，所述TFT区域还包括：
形成于所述导通金属层之上和所述栅电极之上的钝化层。
优选的，所述半导体复合层包括：
第一掺杂半导体层；
形成于所述第一掺杂半导体层之上的半导体层；
形成于所述半导体层之上的第二掺杂半导体层。
本发明实施例还提供了一种阵列基板制作方法，所述方法包括形成薄膜晶体管TFT区域的步骤，该步骤包括：
在衬底基板上，依次形成透明导电层薄膜、漏电极金属层薄膜、半导体复合层薄膜以及源电极金属层薄膜；
通过构图工艺，将所述透明导电层薄膜形成为像素电极对应的图形，将所述漏电极金属层薄膜形成为漏电极对应的图形，将所述半导体复合层薄膜形成为半导体复合层对应的图形，以及将所述源电极金属层薄膜形成为源电极对应的图形；
其中所述漏电极、半导体复合层以及源电极形成TFT沟道。
优选的，所述通过构图工艺形成所述像素电极、漏电极、半导体复合层以及源电极对应的图形的步骤包括：
在所述源电极金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
利用多色调掩模版对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，所述TFT沟道对应的区域上形成光刻胶完全保留区域，像素电极区域为光刻胶部分保留区域，而使所述TFT区域所在的像素显示区域中除所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域以外的区域为光刻胶完全去除区域；
其中，所述光刻胶部分保留区域在显影之后有部分层厚的光刻胶被去除；所述像素电极区域是指像素电极所对应的区域中除TFT区域以外的区域；
经过第一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的所有薄膜；进行光刻胶的灰化，去除掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
经过第二次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶部分保留区域中的源电极金属层薄膜、半导体复合层薄膜以及漏电极金属层薄膜；
从而形成像素电极、漏电极、半导体复合层、源电极对应的图形。
优选的，在形成像素电极、漏电极、半导体复合层、源电极对应的图形后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
形成绝缘层薄膜；
通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形；
其中，所述绝缘层对应的图形为：所述绝缘层覆盖在所述TFT沟道对应的区域上方，且覆盖所述阵列基板上所述TFT沟道一旁侧的区域；
形成栅金属层薄膜；
通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜形成为栅电极对应的图形；其中，所述TFT栅电极形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层施加电压。
优选的，所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形的步骤，包括：在所述绝缘层薄膜上，涂覆一层光刻胶；
利用掩膜板对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，像素电极区域为第二光刻胶完全去除区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第二光刻胶完全保留区域；
通过第三次刻蚀工艺，刻蚀掉第二光刻胶完全去除区域中的绝缘层薄膜；
去除剩余的光刻胶，形成绝缘层对应的图形。
优选的，所述通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜形成为栅电极对应的图形的步骤，包括：在所述栅金属层薄膜上，涂覆一层光刻胶；
利用掩膜板对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，栅电极对应的区域为第三光刻胶完全保留区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第三光刻胶完全去除区域；
通过第四次刻蚀工艺，刻蚀掉第三光刻胶完全去除区域中的栅金属层薄膜；
去除剩余的光刻胶，形成栅电极对应的图形。
优选的，所述绝缘层对应的图形还包括过孔；
所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形的步骤还包括：在所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设所述过孔；
在所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设过孔的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
形成导通金属层；所述源电极通过所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设的过孔和所述导通金属层，与所述阵列基板的数据线连接。
优选的，在所述形成导通金属层的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
在所述导通金属层上方形成钝化层。
优选的，所述方法还包括：
在形成所述源电极对应的图形的同时，或在形成所述漏电极对应的图形的同时，形成数据线以及数据线外引线对应的图形。
优选的，所述方法还包括：
在形成所述栅电极对应的图形的同时，形成栅线和栅线外引线对应的图形。
本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述本发明实施例提供的阵列基板。
从以上所述可以看出，本发明提供的阵列基板及其制作方法、显示装置，通过形成包括纵向TFT在内的阵列基板图形，且所述纵向TFT包括形成于衬底基板之上的像素电极；形成于所述像素电极之上的漏电极；形成于所述漏电极之上的半导体复合层；形成于所述半导体复合层之上的源电极；所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。具有像素的开口率大、工艺简单、可降低阵列基板制作成本的特点。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图一；
图3为本发明实施例提供的阵列基板中复合半导体层结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图二；
图5为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图三；
图6为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图四；
图7为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图五；
图8为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图六；
图9为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图七；
图10为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图八；
图11为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图九；
图12为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图十；
图13为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图十一；
图14为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图十二；
图15为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图十三。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括TFT区域，如附图2所示，所述TFT区域包括：
形成于衬底基板1之上的像素电极2a；
形成于所述像素电极2a之上的漏电极3a；
形成于所述漏电极3a之上的半导体复合层4a；
形成于所述半导体复合层4a之上的源电极5a；
所述漏电极3a、半导体复合层4a以及源电极4a，形成TFT沟道。
在本发明一可选实施例中，如附图2所示，TFT区域具体还可以包括：
形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层施加电压的栅电极8a。
本实施例中，纵向结构的TFT结构，缩小了TFT在阵列基板上所在的面积，从而可大大增加像素的开口率，提高了液晶显示器的亮度。
在本发明一可选实施例中，如附图2所示，TFT区域具体还可以包括：
绝缘层7a；
所述绝缘层7a覆盖所述衬底基板1上的所述栅电极8a和所述TFT沟道之间的区域，且还形成在所述栅电极8a与衬底基板1之间。
在本发明一可选实施例中，如附图2所示，TFT区域具体还可以包括：
导通金属层8d；
所述源电极5a通过所述导通金属层8d，与阵列基板中的数据线3b连接。
优选的，所述绝缘层7a还形成在所述TFT沟道的上方，且所述TFT沟道的上方的绝缘层7a上开设有过孔7b；
所述源电极5a通过所述TFT沟道上方的过孔7b和所述导通金属层8d与所述阵列基板中的数据线3b连接。
在本发明一可选实施例中，如附图2所示，TFT区域具体还可以包括：
形成于所述导通金属层8d之上和所述栅电极8a之上的钝化层9a。
本发明一可选实施例中，如附图3所示，半导体复合层4a内具体可以包括：
第一掺杂半导体层4b；
形成于所述第一掺杂半导体层4b之上的半导体层4c；
形成于所述半导体层4c之上的第二掺杂半导体层8b。
上述本发明实施例提供的阵列基板中所包括的TFT，其实质可为一纵向的TFT结构，该纵向TFT结构，缩小了TFT在阵列基板上所在的面积，从而可大大增加像素的开口率，提高了液晶显示器的亮度。
而本发明实施例所提供的阵列基板中，不但包括上述纵向的TFT，还可以包括其他阵列基板所具有的图层和区域，例如数据线3b、数据线外引线3d、栅线8b、栅线的外引线3c，以及数据线3b与源电极5a连接区域，栅线8b与栅线的外引线3c连接区域，等等。
在本发明一可选实施例中，数据线3b与源电极5a连接区域内的阵列基板结构示意图可如附图4所示。
从附图4可以看出，数据线3b与源电极5a通过金属导通层8d实现导通连接。且数据线3b以及源电极5a顶部一区域（具体可为过孔7b所在位置）的绝缘层7a被刻蚀掉，从而使该区域的数据线3b与源电极5a，分别与金属导通层8d接触，实现两者之间的电导通。
而在本发明另一可选实施例中，栅线8b与栅极的外引线3c连接区域内的阵列基板结构，具体可如附图5所示。
上述本发明实施例所提供的阵列基板中的各个图层所对应的图形，即可采用每一图形单独制作的方法形成，也可采用四或五次光刻工艺即多个图层公共制作的方法形成。
而在一具体实施例中，本发明实施例还提供了一种阵列基板制作方法，所述方法包括形成薄膜晶体管TFT区域的步骤，如附图6，该步骤具体可以包括：
在衬底基板1上，依次形成透明导电层薄膜2、漏电极金属层薄膜3、半导体复合层薄膜4以及源电极金属层薄膜5；
通过构图工艺，将所述透明导电层薄膜2形成为像素电极2a对应的图形，将所述漏电极金属层薄膜3形成为漏电极3a对应的图形，将所述半导体复合层薄膜形4成为半导体复合层4a对应的图形，以及将所述源电极金属层薄膜5形成为源电极5a对应的图形；
其中所述漏电极3a、半导体复合层4a以及源电极5a形成TFT沟道。
本发明实施例所提供的阵列基板制作方法，可使阵列基板的制作工艺更为简单、从而可缩短阵列基板的生成周期，提高生产效率，降低生产成本。
在本发明一可选实施例中，所述通过构图工艺形成像素电极2a、漏电极3a、半导体复合层4a以及源电极5a对应的图形的步骤具体可以包括：
在所述源电极金属薄膜3上涂覆一层光刻胶6；
利用多色调掩模版对光刻胶6进行曝光处理，显影后使阵列基板中，所述TFT沟道对应的区域上形成光刻胶完全保留区域，像素电极区域为光刻胶部分保留区域，而使所述TFT区域所在的像素显示区域中除所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域以外的区域为光刻胶完全去除区域；
其中，所述光刻胶部分保留区域在显影之后有部分层厚的光刻胶被去除（即形成光刻胶半保留区域）；所述像素电极区域是指像素电极所对应的区域中除TFT区域以外的区域；
经过第一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的所有薄膜；进行光刻胶的灰化，去除掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
经过第二次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶部分保留区域中的源电极金属层薄膜3、半导体复合层薄膜4以及漏电极金属层薄膜5；
从而形成像素电极2a、漏电极3a、半导体复合层4a、源电极5a对应的图形。
在本发明一可选实施例中，在形成像素电极2a、漏电极3a、半导体复合层4a、源电极5a对应的图形后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还可以包括：
形成绝缘层薄膜7；
通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜7形成为绝缘层7a对应的图形；
其中，所述绝缘层7a对应的图形为：绝缘层7a覆盖在TFT沟道对应的区域上方，且覆盖阵列基板上TFT沟道一旁侧的区域；
形成栅金属层薄膜8；
通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜8形成为栅电极8a对应的图形；其中，TFT栅电极8a形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层4施a加电压。
在本发明一可选实施例中，所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜7形成为绝缘层7a对应的图形的步骤，具体可以包括：
在所述绝缘层薄膜上7，涂覆一层光刻胶6；
利用掩膜板对光刻胶6进行曝光处理，显影后使阵列基板中，像素电极区域为第二光刻胶完全去除区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第二光刻胶完全保留区域；
通过第三次刻蚀工艺，刻蚀掉第二光刻胶完全去除区域中的绝缘层薄膜7；
去除剩余的光刻胶，形成绝缘层7a对应的图形。
在本发明一可选实施例中，所述通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜8形成为栅电极8a对应的图形的步骤，具体可以包括：
在所述栅金属层薄膜8上，涂覆一层光刻胶6；
利用掩膜板对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，栅电极8a对应的区域为第三光刻胶完全保留区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第三光刻胶完全去除区域；
通过第四次刻蚀工艺，刻蚀掉第三光刻胶完全去除区域中的栅金属层薄膜8；
去除剩余的光刻胶，形成栅电极8a对应的图形。
在本发明一可选实施例中，所述绝缘层对应的图形还包括过孔7b；
所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜7形成为绝缘层7a对应的图形的步骤具体还可以包括：
在所述TFT沟道的上方的绝缘层7a上开设所述过孔7b；
在本发明一可选实施例中，在所述TFT沟道的上方的绝缘层7a上开设过孔7b的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还可以包括：
形成导通金属层8d；
所述源电极5a通过所述TFT沟道的上方的绝缘层7a上开设的过孔7b和所述导通金属层8d，阵列基板的数据线3b连接。
在本发明一可选实施例中，在形成导通金属层8d的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还可以包括：
在所述导通金属层8d上方形成钝化层9a。
在本发明一可选实施例中，所述方法还可以包括：
在形成所述源电极5a对应的图形的同时，或在形成所述漏电极3a对应的图形的同时，形成数据线3b以及数据线外引线3d对应的图形。
在本发明一可选实施例中，所述方法还包括：
在形成所述栅电极8a对应的图形的同时，形成栅线8b和栅线外引线3c对应的图形。
基于上述本发明实施例提供的阵列基板制作方法，只需用3次掩模板光刻工艺就可完成阵列基板所有图形的制作，其中，纵向TFT结构可大大增加了像素的开口率，提高了显示器亮度，而3次光刻技术，不但制作工艺简单，还可缩短阵列基板生产周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
为了便于对本发明实施例提供的阵列基板的结构以及阵列基板制作方法具体实现过程的理解，下面对本发明的一个实施例中的具体工艺步骤进行详细描述。
该实施例中具体可以包括
步骤1，在基板上，形成像素电极2a、漏电极3a、半导体复合层4a、源电极5a、数据线3b、数据线外引线3d、栅线8b和栅线的外引线3c对应的图形。
该步骤具体可以包括：
附图7所示，在经过清洗的基板1上，依次沉积一层透明导电薄膜2、漏电极金属薄膜3、半导体复合层薄膜4、源电极金属薄膜5。
所述半导体复合层薄膜4中，具体可以包括一层半导体层4c薄膜以及两层掺杂半导体4b、4d薄膜，其中，半导体薄膜4c位于两层掺杂半导体薄膜4b、4d之间.
如附图8所示，上述薄膜沉积后可以看到，透明导电薄膜2在最下面，而漏电极金属薄膜3和源电极金属薄膜则包裹住半导体复合层薄膜4。
本发明实施例中，透明导电薄膜2、漏电极金属薄膜3和源电极金属薄膜5，具体可通过热蒸发或磁控溅射等方式沉积。
其中，透明导电薄膜2的成分具体可以包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）或氧化铝锌等材料，而透明导电层薄膜2的厚度具体可为
而漏电极金属薄膜3和源电极金属薄膜5的成分可以相同，具体可以包括钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）、钨（W）等金属，或者是几种金属的复合膜层，且漏电极金属薄膜3和源电极金属薄膜5的厚度具体可为
本发明实施例中，半导体复合层薄膜4（包括半导体薄膜4c及掺杂半导体薄膜4b、4d）具体可通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等方式进行薄膜沉积。
其中，半导体4c对应的薄膜的厚度具体可为对应的反应气体具体可以包括硅烷（SiH4）、氢气（H2）的混合气体或者二氯二氢硅（SiH2Cl2）、H2的混合气体。而掺杂半导体薄膜4b、4d的厚度具体可为 
对应的反应气体具体可以包括：SiH4、磷化氢（PH3）、H2的混合气体或者SiH2Cl2、PH3、H2的混合气体。
本发明实施例中，可采用对应的设备来实现薄膜的沉积。例如磁控溅射设备（Sputter）、热蒸发设备以及PECVD设备等。
在沉积完上述膜层的基板1上涂覆一层光刻胶6，然后使用带狭缝的半色调或灰色条掩模板（Three Tone mask）进行曝光，显影后使阵列基板的表面，形成如附图6所示的光刻胶完全去除区域（A）、光刻胶完全保留区域（B）、光刻胶部分保留区域（C）以及附图7所示的光刻胶半保留区域（D）。
其中，光刻胶完全保留区域（B）对应于阵列基板中TFT沟道区域，光刻胶部分保留区域（C）对应于像素电极2a区域，光刻胶半保留区域（D）对应于数据线3b，和阵列基板边缘PAT区域内的数据线的外引线3d及栅线的外引线3c区域，而光刻胶完全去除区域（A）则对应于阵列基板中的其他区域。
后续可经过刻蚀工艺，形成像素电极2a、漏电极3a、半导体层沟道以及源电极5a对应的图形。
刻蚀工艺的具体实现过程可以包括：
步骤11、经过第一次刻蚀，去除掉光刻胶完全去除区域（A）中的所有膜层，在阵列基板中形成TFT的矩阵排列结构；
步骤12、然后可进行一步光刻胶的灰化处理，去除掉光刻胶部分保留区域（C）的光刻胶，然后可对光刻胶部分保留区域（C）进行刻蚀，去除掉光刻胶部分保留区域（C）内的漏电极金属薄膜3、半导体复合层薄膜4以及源电极金属薄膜5，露出底端的透明导电薄膜2，形成像素电极2a；
步骤13，然后可再进行一步光刻胶的灰化，去除掉光刻胶半保留区域（D）内的光刻胶，进行刻蚀后，去除掉光刻胶半保留区域（D）最上面的源电极金属薄膜5，半导体复合层薄膜4，露出底端的漏电极金属薄膜3，形成数据线3b、数据线的外引线3d及栅线的外引线3c部分，其中数据线3b与TFT的源漏电极3a不相连.
步骤14，最后可进行光刻胶的剥离，从而形成TFT沟道图形。
进过步骤1之后的部分阵列基板图形具体可如附图9、10所示，其中，附图9对应于附图7所示的部分阵列基板，附图10对应于附图8所示的部分阵列基板。
步骤2，形成绝缘层7a对应的图形。
该步骤具体可以包括：
用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等方式，在阵列基板已有图形上，沉积一层绝缘层薄膜7。
该绝缘层薄膜7的厚度具体可为
而绝缘层薄膜7的成分具体可以包括SiNx、SiOx，或者是其复合物等，对应的反应气体可以包括SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体等等。
然后涂覆一层光刻胶6，利用普通的（半色调或灰色调）掩模板进行曝光处理，显影后使阵列基板表面形成光刻胶完全去除区域和光刻胶完全保留区域。
其中光刻胶完全去除区域对应像素电极2a区域，数据线3b与源电极5a的交接区域，以及栅线的外引线3c区域，而光刻胶完全保留区域对应于阵列基板的其他区域。
进行一次干刻后，去除掉像素电极2a上方的绝缘层薄膜7，去除掉数据线3b与源电极5a上过孔7b所在位置处的绝缘层薄膜7（后续步骤中形成的导体金属层8d在过孔7b的位置处于数据线3b和源电极5a相连接），以及去除掉栅线的外引线3c区域中过孔7b所在位置处的绝缘层薄膜7（后续步骤中形成的栅线8b在该过孔处与栅线的外引线3c相连接）。
最后进行光刻胶的剥离，形成绝缘层7a对应的图形。
经过步骤2所形成的部分阵列基板俯视图可如附图11所示。
且沿附图10A-A’线的部分阵列基板剖视图可如附图12所示。
步骤3，形成钝化层9以及栅金属层对应的图形。
该步骤具体可以包括：
采用磁控溅射等方法，沉积一层栅金属膜8，厚度具体可为
本发明实施例中，栅金属层薄膜的成分具体可以包括Mo、Al、Cu、W等金属，或者是几种金属的复合膜层。
接着可采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等方式沉积一层钝化层薄膜9，且钝化层薄膜9的厚度具体可为成分具体可以包括：SiNx、SiOx，或者是其复合物等，对应的反应气体可以包括SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2Cl2、NH3、N2的混合气体。
沉积完上述膜层后，涂覆一层光刻胶6，并可采用普通的掩模板（半色调或灰色调掩模板）进行曝光处理，显影后使阵列基板的表面形成光刻胶完全去除区及光刻胶完全保留区。
其中，光刻胶完全保留区对应TFT的栅电极8a，以及栅线8b、数据线3b与源电极5a的接口区域、以及栅极8a与栅线的外引线3c的接口区域，而光刻胶完全去除区域则对应于阵列基板的其他区域。
然后进行一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的钝化层薄膜9和栅金属薄膜8。
剥离掉剩余的光刻胶后，形成TFT栅电极8a、栅线8b对应的图形，并使数据线3b与源电极5a相连、栅极8a与栅线的外引线相连。
经过步骤3之后部分阵列基板俯视图可如附图13所示。
而沿附图13中的A-A’的部分阵列基板剖视图可如附图14所示；沿附图13中B-B’的部分阵列基板剖视图可如附图15所示。
经过上述制作步骤，即可形成本发明实施例所提供的阵列基板包括纵向TFT结构在内的所有图层。
基于以上本发明实施例提供的阵列基板，本发明实施例还可以提供一种显示装置，该显示装置具体可以包括本发明实施例提供的阵列基板或显示面板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED（有机发光二极管）面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
从以上所述可以看出，本发明提供的阵列基板及其制作方法、显示装置，通过形成包括纵向TFT在内的阵列基板图形，且所述纵向TFT包括形成于衬底基板之上的像素电极；形成于所述像素电极之上的漏电极；形成于所述漏电极之上的半导体复合层；形成于所述半导体复合层之上的源电极；所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。具有像素的开口率大、工艺简单、可降低阵列基板制作成本的特点。
以上所述仅是本发明的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (17)
1.一种阵列基板，包括TFT区域，其特征在于，所述TFT区域包括：
形成于衬底基板之上的像素电极；
形成于所述像素电极之上的漏电极；
形成于所述漏电极之上的半导体复合层；
形成于所述半导体复合层之上的源电极；
所述漏电极、半导体复合层以及源电极，形成TFT沟道。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括：
形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层施加电压的栅电极。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括：
绝缘层；
所述绝缘层覆盖所述衬底基板上的所述栅电极和所述TFT沟道之间的区域，且还形成在所述栅电极与衬底基板之间。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括：
导通金属层；
所述源电极通过所述导通金属层，与阵列基板中的数据线连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，
所述绝缘层还形成在所述TFT沟道的上方，且所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设有过孔；
所述源电极通过所述TFT沟道上方的过孔和所述导通金属层与所述阵列基板中的数据线连接。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT区域还包括：
形成于所述导通金属层之上和所述栅电极之上的钝化层。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体复合层包括：
第一掺杂半导体层；
形成于所述第一掺杂半导体层之上的半导体层；
形成于所述半导体层之上的第二掺杂半导体层。
8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括形成薄膜晶体管TFT区域的步骤，该步骤包括：
在衬底基板上，依次形成透明导电层薄膜、漏电极金属层薄膜、半导体复合层薄膜以及源电极金属层薄膜；
通过构图工艺，将所述透明导电层薄膜形成为像素电极对应的图形，将所述漏电极金属层薄膜形成为漏电极对应的图形，将所述半导体复合层薄膜形成为半导体复合层对应的图形，以及将所述源电极金属层薄膜形成为源电极对应的图形；
其中所述漏电极、半导体复合层以及源电极形成TFT沟道。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成像素电极、漏电极、半导体复合层以及源电极对应的图形的步骤，包括：
在所述源电极金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
利用多色调掩模版对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，所述TFT沟道对应的区域上形成光刻胶完全保留区域，像素电极区域为光刻胶部分保留区域，而使所述TFT区域所在的像素显示区域中除所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域以外的区域为光刻胶完全去除区域；
其中，所述光刻胶部分保留区域在显影之后有部分层厚的光刻胶被去除；所述像素电极区域是指像素电极所对应的区域中除TFT区域以外的区域；
经过第一次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶完全去除区域中的所有薄膜；
进行光刻胶的灰化，去除掉光刻胶部分保留区域的光刻胶；
经过第二次刻蚀工艺，刻蚀掉光刻胶部分保留区域中的源电极金属层薄膜、半导体复合层薄膜以及漏电极金属层薄膜；
从而形成像素电极、漏电极、半导体复合层、源电极对应的图形。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成像素电极、漏电极、半导体复合层、源电极对应的图形后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
形成绝缘层薄膜；
通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形；
其中，所述绝缘层对应的图形为：所述绝缘层覆盖在所述TFT沟道对应的区域上方，且覆盖所述阵列基板上所述TFT沟道一旁侧的区域；
形成栅金属层薄膜；
通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜形成为栅电极对应的图形；
其中，所述TFT栅电极形成于所述TFT沟道一旁侧、用于对所述半导体复合层施加电压。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形的步骤，包括：在所述绝缘层薄膜上，涂覆一层光刻胶；
利用掩膜板对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，像素电极区域为第二光刻胶完全去除区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第二光刻胶完全保留区域；
通过第三次刻蚀工艺，刻蚀掉第二光刻胶完全去除区域中的绝缘层薄膜；
去除剩余的光刻胶，形成绝缘层对应的图形。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺，将所述栅金属层薄膜形成为栅电极对应的图形的步骤，包括：在所述栅金属层薄膜上，涂覆一层光刻胶；
利用掩膜板对光刻胶进行曝光处理，显影后使阵列基板中，栅电极对应的区域为第三光刻胶完全保留区域，而所述TFT区域所在的像素显示区域中除第二光刻胶完全去除区域以外的区域为第三光刻胶完全去除区域；
通过第四次刻蚀工艺，刻蚀掉第三光刻胶完全去除区域中的栅金属层薄膜；
去除剩余的光刻胶，形成栅电极对应的图形。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述绝缘层对应的图形还包括过孔；
所述通过构图工艺，将所述绝缘层薄膜形成为绝缘层对应的图形的步骤还包括：在所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设所述过孔；
在所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设过孔的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
形成导通金属层；所述源电极通过所述TFT沟道的上方的绝缘层上开设的过孔和所述导通金属层，与所述阵列基板的数据线连接。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，
在所述形成导通金属层的步骤之后，所述形成薄膜晶体管TFT区域的步骤还包括：
在所述导通金属层上方形成钝化层。
15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述源电极对应的图形的同时，或在形成所述漏电极对应的图形的同时，形成数据线以及数据线外引线对应的图形。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述栅电极对应的图形的同时，形成栅线和栅线外引线对应的图形。
17.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求1-16任一项所述的阵列基板。
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