CN103021904A - 晶片洗涤器和晶片洗涤方法 - Google Patents

晶片洗涤器和晶片洗涤方法 Download PDF

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Abstract

一种晶片洗涤器和晶片洗涤方法，该晶片洗涤器包括：一腔室；一支托盘，连接至一承轴，且位于腔室中，其中支托盘支撑一晶片；及一吹气管，设置于腔室的侧壁的顶部，其中吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着腔室的侧壁吹气，使来自晶片的水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。本发明可以通过气流控制水的流动，避免溅回的水对晶片造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题，提高了晶片的良率。

Description

晶片洗涤器和晶片洗涤方法
技术领域
本发明涉及一种晶片洗涤器，特别涉及一种高速旋转从晶片表面移除水的洗涤器和晶片洗涤方法。
背景技术
具有微结构的半导体元件制造需要高精密的技术。在工艺中，半导体元件的电路上的微粒子会降低半导体元件成品的可靠度。即使制造过程中的微粒污染不会影响半导体元件电路的功能，其仍然会导致在制造上遇到困难。因此，半导体元件需要在无尘的环境中制造，且半导体元件的表面需要进行清洗，以移除制造过程中所产生的微细颗粒。
请参照图1，一传统的晶片洗涤器包括一支撑晶片102的支托盘(holder)110和承轴(spindle)106。晶片102是在前一工艺阶段以去离子水108润湿，在此阶段中，晶片102和支托盘110以高速旋转，以从晶片102表面移除水108。然而，在此步骤会造成水108以相当高的速度离开晶片102表面，当晶片和腔室的侧壁相当近时，高速的水撞击腔室侧壁104会溅回至晶片，而溅回的水108会对晶片102造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题。
发明内容
根据上述，为解决现有技术的问题，本发明提供一种晶片洗涤器，包括：一腔室；一支托盘，连接至一承轴，且位于腔室中，其中支托盘支撑晶片；及一吹气管，设置于腔室的侧壁的顶部，其中吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着腔室的侧壁吹气，使来自晶片的水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。
本发明提供一种晶片洗涤方法，包括：提供一晶片洗涤器，包括一腔室，一连接至一承轴且位于腔室中的一支托盘，其中支托盘支撑晶片，及一设置于腔室的侧壁顶部的吹气管；及旋转晶片，以移除其上的水，其中吹气管沿着腔室的侧壁吹气，使水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。
本发明可以通过气流控制水的流动，避免溅回的水对晶片造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题，提高了晶片的良率。
为让本发明的特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1显示传统晶片洗涤器的剖面图。
图2揭示减少晶片上水溅回的一种方法。
图3A显示本发明一实施例晶片洗涤器的剖面图。
图3B显示本发明一实施例晶片洗涤器的立体图。
图4A显示本发明另一实施例晶片洗涤器的剖面图。
图4B显示本发明另一实施例晶片洗涤器的立体图。
【主要附图标记说明】
102～晶片；      104～腔室侧壁；
106～承轴；      108～水；
110～支托盘；    202～内杯；
204～水；        206～晶片；
302～支托盘；    304～承轴；
306～晶片；      308～吹气管；
309～排气管；    310～腔室；
311～气流；      312～腔室侧壁；
314～气体注射孔；316～水；
402～承轴；      404～支托盘；
406～腔室；      408～水；
409～气流；      410～腔室侧壁；
411～气流；      412～晶片；
414～夹钳；      416～吹气管；
417～排气管；      418～气体注射孔；
420～气体注射孔。
具体实施方式
以下详细讨论实施本发明的实施例。可以理解的是，实施例提供许多可应用的发明概念，其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来揭示使用实施例的特定方法，而不用来限定揭示的范畴。
以下内文中的“一实施例”是指与本发明至少一实施例相关的特定图样、结构或特征。因此，以下“在一实施例中”的叙述并不是指同一实施例。另外，在一或多个实施例中的特定图样、结构或特征可以适当的方式结合。值得注意的是，本说明书的附图并未按照比例示出，其仅用来揭示本发明。
图2显示减少晶片上水溅回的一种方法。请参照图2，由于内杯202(innercup)内部的亲水性表面可减少水溅回的问题。因此，此方法改变内杯侧壁的材料，使其具有亲水表面，以避免水204溅回至晶片206，而产生微粒或晶粒破损的问题。然而，此方法不能完全解决水204溅回的问题。因此，需要一新颖的晶片洗涤器和相关方法以解决水溅回的问题。
图3A显示本发明一实施例晶片洗涤器的剖面图。图3B显示本发明一实施例晶片洗涤器的立体图。请参照图3A和图3B，在一腔室310(chamber)中，一晶片支托盘302(holder)连接一承轴304(spindle)。一晶片306位于晶片支托盘302上。晶片306是在前一工艺阶段以去离子水316润湿，在此阶段中，晶片306和支托盘302以高速旋转，以从晶片306表面移除水316。在本发明一实施例中，晶片306的旋转速度可以为1500rpm～4500rpm。更甚者，晶片306与腔室的侧壁312相隔30mm～150mm的距离。在本发明一实施例中，支托盘302以电力或夹钳的方式固定住晶片306。在本发明一实施例中，腔室侧壁312是由亲水材料形成。
本发明一重要技术特征为：一包括多个气体注射孔314的吹气管308位于腔室侧壁312的顶部，且一排气管309位于腔室310的底部。更详细地说明如下：吹气管308和排气管309皆为环状，吹气管308围绕腔室侧壁312的顶部，且吹气管308包括多个面向下且沿着腔室侧壁312方向的气体注射孔314。根据上述，吹气管308可沿着腔室侧壁312吹气，使来自晶片306的水316更平顺地和迅速地沿着腔室侧壁312流动(附图中的箭头311是指气流)。因此，腔室侧壁312(可由亲水性材料组成)可干的更快，且腔室侧壁312可捕获更多的水316，以防止水溅回至晶片306。在本发明一实施例中，排放的气体包括氮气或氩气。
图4A显示本发明另一实施例晶片洗涤器的剖面图。图4B显示本发明另一实施例晶片洗涤器的立体图。请参照图4A和图4B，在一腔室406(chamber)中，一晶片支托盘404(holder)连接一承轴402(spindle)。一晶片412位于晶片支托盘404上。晶片412是在前一工艺阶段以去离子水408润湿，在此阶段中，晶片412和支托盘404以高速旋转，以从晶片412表面移除水408。在本发明一实施例中，晶片412的旋转速度可以为1500rpm～4500rpm。更甚者，晶片412与腔室的侧壁410相隔30mm～150mm的距离。在本发明一实施例中，支托盘404以电力或使用夹钳414的方式固定住晶片412。在本发明一实施例中，腔室侧壁410是由亲水材料形成。
在本实施例中，一包括多个气体注射孔420的吹气管416包围腔室侧壁410的顶部，且一排气管417位于腔室406的底部，其中吹气管416和排气管417皆为环状，且吹气管416包括多个面向下且沿着腔室侧壁410方向的气体注射孔420(附图中的箭头409是指气流)。因此，吹气管416可沿着腔室侧壁410吹气，使来自晶片412的水408更平顺地和迅速地沿着腔室侧壁410流动。本实施例一重要技术特征为：晶片支托盘404包括多个气体注射孔418，将气体排放至晶片412的背面，以避免洗涤用的水408流至晶片412的背面(，附图中的箭头411是指气流)。由于于腔室侧壁410上设置吹气管416，且于晶片支托盘404上设置多个气体注射孔418，本实施例可以通过气流控制水408的流动，避免水408溅回至晶片412。因此，可解决水408溅回的问题。
虽然本发明已以优选实施例发明如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种晶片洗涤器，包括：
一腔室；
一支托盘，连接至一承轴，且位于该腔室中，其中该支托盘支撑一晶片；及
一吹气管，设置于该腔室的侧壁的顶部，其中该吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着该腔室的侧壁吹气，使来自该晶片的水更平顺地和迅速地沿着该腔室的侧壁流动，以避免水溅回至该晶片。
2.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该支托盘包括多个气体注射孔，吹气至该晶片的背部，以避免水流至该晶片的背部。
3.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该腔室的侧壁是以亲水性材料形成。
4.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该支托盘是以电力或夹钳的方式固定住该晶片。
5.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该晶片与该腔室的侧壁相隔的距离大体上为30mm～150mm。
6.如权利要求3所述的晶片洗涤器，其中通过该吹气管的吹气，该亲水性材料形成的腔室的侧壁干的更快，且增加该腔室的侧壁撷取的水量，以避免水溅回至该晶片。
7.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该吹气管包围该腔室的侧壁的顶部。
8.如权利要求1所述的晶片洗涤器，其中该水是去离子水。
9.一种晶片洗涤方法，包括：
提供一晶片洗涤器，包括一腔室，一连接至一承轴且位于该腔室中的一支托盘，其中该支托盘支撑一晶片，及一设置于该腔室的侧壁顶部的吹气管；及
旋转该晶片，以移除其上的水，其中该吹气管沿着该腔室的侧壁吹气，使水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至该晶片。
10.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，更包括吹气至该晶片的背面，以避免水流至该晶片的背面。
11.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，其中该腔室的侧壁是由以亲水性材料形成。
12.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，其中该支托盘是以电力或夹钳的方式固定住该晶片。
13.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，其中该晶片与该腔室的侧壁相隔的距离大体上为30mm～150mm。
14.如权利要求11所述的晶片洗涤方法，其中通过该吹气管的吹气，该亲水性材料形成的腔室的侧壁干的更快，且增加该腔室的侧壁撷取的水量，以避免水溅回至该晶片。
15.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，其中该吹气管包围该腔室的侧壁的顶部。
16.如权利要求9所述的晶片洗涤方法，其中该水是去离子水。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6181438B2 (ja) * 2013-06-24 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および基板洗浄装置
KR20170093366A (ko) * 2016-02-05 2017-08-16 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 세정 장치
FR3085603B1 (fr) * 2018-09-11 2020-08-14 Soitec Silicon On Insulator Procede pour le traitement d'un susbtrat soi dans un equipement de nettoyage monoplaque

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010018028A (ko) * 1999-08-17 2001-03-05 윤종용 커버에 분사 노즐이 구비된 웨이퍼 세척 장치
US20060102069A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate rotation type treatment apparatus
JP2008205360A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN101276756A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 胜高股份有限公司 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
US20100293806A1 (en) * 2006-01-18 2010-11-25 Liu Zhi Lewis Systems and methods for drying a rotating substrate
CN102339729A (zh) * 2010-07-22 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗甩干机

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW243420B (en) * 1993-08-05 1995-03-21 Jiin-Kuen Chen Process of membrane casting aluminum-zinc base alloy by low pressure chilling
US6070600A (en) * 1997-07-01 2000-06-06 Motorola, Inc. Point of use dilution tool and method
TW434668B (en) * 2000-01-27 2001-05-16 Ind Tech Res Inst Wafer rinse apparatus and rinse method of the same
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP4046486B2 (ja) * 2001-06-13 2008-02-13 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄水及びウエハの洗浄方法
US20030070695A1 (en) * 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
US6807972B2 (en) * 2002-03-29 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
WO2006012174A2 (en) * 2004-06-28 2006-02-02 Lam Research Corporation System and method of cleaning and etching a substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010018028A (ko) * 1999-08-17 2001-03-05 윤종용 커버에 분사 노즐이 구비된 웨이퍼 세척 장치
US20060102069A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate rotation type treatment apparatus
US20100293806A1 (en) * 2006-01-18 2010-11-25 Liu Zhi Lewis Systems and methods for drying a rotating substrate
JP2008205360A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN101276756A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 胜高股份有限公司 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
CN102339729A (zh) * 2010-07-22 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗甩干机

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US20130068264A1 (en) 2013-03-21

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