CN101276756A - 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备 - Google Patents

晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101276756A
CN101276756A CNA2008100900438A CN200810090043A CN101276756A CN 101276756 A CN101276756 A CN 101276756A CN A2008100900438 A CNA2008100900438 A CN A2008100900438A CN 200810090043 A CN200810090043 A CN 200810090043A CN 101276756 A CN101276756 A CN 101276756A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
etchant
inflatable body
gap
edge surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100900438A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100576457C (zh
Inventor
加藤健夫
桥井友裕
村山克彦
古屋田荣
高石和成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Publication of CN101276756A publication Critical patent/CN101276756A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100576457C publication Critical patent/CN100576457C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Abstract

本发明提供一种晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备，该设备在旋转晶片的同时把蚀刻剂供给晶片的上表面，从而蚀刻晶片的上表面。此外，晶片升降装置上下移动晶片；下表面吹气机构以不与晶片一起旋转的方式固定和设置，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉。此外，间隙调整装置根据来自间隙检测装置的检测输出来控制晶片升降装置从而调整间隙，间隙检测装置用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙。根据本发明的设备能均匀地蚀刻边缘部分而不损毁晶片的边缘部分的倒角形状，并防止在晶片的边缘表面上产生闪光物。

Description

晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
技术领域
本发明涉及一种在水平保持状态下旋转晶片时逐一蚀刻晶片的方法及其蚀刻设备。
背景技术
通常，半导体晶片制造过程包括下述步骤：倒角，机械抛光(研磨)，蚀刻，镜面抛光(磨光)，和清理通过切割和分割单晶锭获得的晶片；从而生产出具有高精度的平面度的晶片。已经通过机械加工过程，例如块切割、外径磨削、分割或研磨的晶片具有受损的层，即，晶片的上表面上的机械损坏的层。机械损坏的层导致晶体缺陷，即，器件制造过程中的滑移位错，减小了晶体的机械强度，而且不利地影响电特性，因此这个层必须被完全去除。实施蚀刻处理以去除该机械损坏的层。进行浸没蚀刻或单片式蚀刻作为蚀刻处理。
由于单片式蚀刻能够控制大直径晶片的表面粗糙度和结构尺寸，经研究将其作为优选的蚀刻方法。单片式蚀刻是这样一种方法：将蚀刻剂滴落在单个扁平的晶片的上表面上并水平地旋转(自旋)晶片以扩散滴落的蚀刻剂，从而产生蚀刻。供应给晶片上表面的蚀刻剂从供给蚀刻剂的位置借助于水平旋转晶片引起的离心力而扩散到整个晶片上表面上，因此晶片上表面和晶片边缘表面被同时蚀刻。所供给的蚀刻剂的大部分由离心力从晶片边缘表面排出，并收集在例如杯子中，所述杯子设置在蚀刻设备中。然而，蚀刻剂的一部分从晶片边缘表面流到晶片下表面。因此，在蚀刻晶片的每个单独表面以便能够蚀刻晶片的两个表面时，就会产生不便：边缘表面的一部分被蚀刻两次且边缘表面不能被均匀地蚀刻。
为了消除这个不便，披露了一种半导体衬底处理设备，其具有一种结构，在该结构中，半导体衬底固定装置的桌体部分将盘状半导体衬底的中心部分吸成真空并保持该中心部分，旋转驱动/升降装置使半导体衬底与半导体衬底固定装置一起旋转和上/下移动，而且蚀刻剂供给装置的喷嘴将蚀刻剂供给到由半导体衬底固定装置保持的半导体衬底的表面(参见例如专利文献1)。在这个半导体衬底处理设备中，将具有环状狭缝和引导部分的环式吹气喷嘴与半导体衬底固定装置完全独立地设置在桌体部分。环状狭缝被设置在桌体部分的外部位置且在安装在桌体部分上的半导体衬底的后表面侧的下方，而且构造成沿斜上方向朝安装在桌体上的半导体衬底的后表面外周边部分的径向外侧均匀地喷出气体。此外，引导部分被构造成沿安装在桌体部分上的半导体衬底的后表面把放出的气体引导至半导体衬底的厚度方向中心位置的外端部分。
已经披露的是，在这样构造的半导体衬底处理设备中，由于从环状狭缝均匀喷出到半导体衬底的后表面外周边部分的气体被引导至半导体衬底的厚度方向中心位置的外端部分，于是能够防止蚀刻剂从该外端部分流到下表面一侧，在半导体衬底的厚度方向中心位置能够避免蚀刻，而且在蚀刻半导体衬底的两个表面时能够均匀地蚀刻边缘表面。
专利文献1
日本未审专利申请公开No.2006-237502(权利要求1，[0009]段)
然而，根据现有技术在专利文献1中披露的半导体处理设备中，由于引导部分将气体引导至半导体衬底的厚度方向中心位置的外端部分，所以引导部分把从环状狭缝喷出的气体从流向半导体衬底的径向外侧的气流转变成向上流动的气流。因此，从环状狭缝喷出的气体所吹掉的蚀刻剂会再次附着到半导体衬底的表面，从而降低半导体衬底表面的形状的质量。
另一方面，从本发明人进行的实验显示：当通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流动的蚀刻剂吹掉的下表面吹气机构时，通过调整例如吹气机构的气体喷射端口的安装位置、气体喷射角或气体喷射量，能抑制蚀刻剂向边缘部分的流动，而不必使用如根据现有技术在专利文献1中说明的上述引导部分，从而均匀地蚀刻边缘部分而不损毁边缘部分的倒角形状。
然而，当晶片后表面和下表面吹气机构之间的间隙不合适时，本发明人经常发现到的情况是：边缘部分未被均匀地蚀刻，而且边缘部分的倒角形状严重地损毁，即使例如来自下表面吹气机构的气流量被调整以增大。此外显示出，在晶片的边缘表面上产生小的不规则部分(在下文中将称为闪光物(gritter))。在边缘表面上产生的闪光物不仅会导致晶片的外表不良的问题，而且在操作晶片时还会成为粒子产生源。当具有这种在边缘表面上产生的闪光物的晶片接受外延生长处理时，在边缘表面上不利地形成鳞状的外延膜。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶片的单片式蚀刻方法，其能够均匀地蚀刻边缘部分而不损毁晶片的边缘部分的倒角形状，并能够防止在晶片的边缘表面上产生闪光物；以及提供一种晶片的蚀刻设备。
深入研究上述问题的结果是，本发明人发现，将朝晶片的径向外侧吹掉蚀刻剂的下表面吹气机构和晶片后表面之间的间隙调整到很有限的预定范围，能够均匀地蚀刻边缘部分而不损毁晶片的边缘部分的倒角形状，而且也能够确实地防止在边缘表面上产生闪光物，从而使本发明得以实现。
根据本发明的第一方面，如图1所示，提供了晶片的单片式蚀刻方法，所述方法根据晶片11的表面形状控制蚀刻剂14对晶片11的应用，以使晶片11的上表面平滑，其中，在晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP被调整成落入到0.1至1mm的范围之内的状态下，将晶片11的上表面平滑化，下表面吹气机构17通过气体的喷射朝晶片11的径向外侧把在晶片11的边缘表面11b上向下流的蚀刻剂14吹掉。
在根据第一方面的晶片的单片式蚀刻方法中，首先晶片11被旋转，而且下表面吹气机构17在晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP内形成气流。当蚀刻剂14在该状态下被供给到晶片11的上表面11a时，蚀刻剂14逐渐地从供给蚀刻剂14的位置向晶片11的边缘表面11b一侧移动，同时借助晶片11在平面内的旋转产生的晶片11的离心力，蚀刻晶片11的上表面11a，从而蚀刻晶片11的边缘表面11b。然后，晶片11上的蚀刻剂14通过晶片11的旋转所伴随的离心力朝晶片11的外侧分散。另一方面，欲从晶片11的边缘表面11b流到晶片11的下表面11c的蚀刻剂14的一部分被通过间隙GP流动的气流朝晶片11的径向外侧吹掉，因此该蚀刻剂14朝晶片11的外侧分散。通过保持间隙GP处于0.1至1mm的范围内，能够均匀地蚀刻边缘部分而不损毁晶片11的倒角形状，而且也能够防止在晶片11的边缘表面11b上产生闪光物。尽管间隙GP很强地影响闪光物的产生的原因是未知的，但是可以认为是，由于晶片11正在旋转，所以通过间隙GP流动的气体在间隙GP宽的时候变成紊流，从而即使是少量，蚀刻剂14也会流向晶片11的后表面一侧的边缘表面，导致微观的蚀刻不均。而且，还能推定，通过使间隙GP变窄，能整流通过间隙GP流动的气体以防止蚀刻剂14流向晶片11的后表面一侧的边缘表面，从而抑制蚀刻不均。
另外，本发明的第二方面在于，在根据第一方面的发明中，G/B为50至1000，其中G公升/分钟是来自下表面吹气机构17的喷射端口17a的气体的流量，Bmm是喷射端口17a的宽度。
如图1所示，本发明的第三方面是晶片的单片式蚀刻设备10的改进，其在旋转晶片11时向晶片11的上表面11a供给蚀刻剂14以蚀刻晶片11的上表面11a和边缘表面11b。
该设备的特征结构包括：晶片升降装置16，用于上下移动晶片11；下表面吹气机构17，其以不与晶片11一起旋转的方式固定和设置，并通过气体的喷射朝晶片11的径向外侧把在晶片11的边缘表面11b上向下流的蚀刻剂14吹掉；间隙检测装置19，用于检测晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP；以及间隙调整装置20，用于根据间隙检测装置19检测到的检测输出来控制晶片升降装置16以调整间隙GP。
在根据本发明的第三方面的晶片的单片式蚀刻设备中，首先晶片11被旋转，而且下表面吹气机构17在晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP内形成气流。当蚀刻剂14在该状态下被供给到晶片11的上表面11a时，蚀刻剂14逐渐地从供给蚀刻剂14的位置向晶片11的边缘表面11b一侧移动，同时借助晶片11在平面内的旋转产生的晶片11的离心力蚀刻上表面11a，从而蚀刻晶片11的边缘表面11b。然后，晶片11上的蚀刻剂14通过晶片11的旋转所伴随的离心力朝晶片11的外侧分散。另一方面，欲从晶片11的边缘表面11b流到晶片的下表面11c的蚀刻剂14的一部分被通过间隙GP流动的气流朝晶片11的径向外侧吹掉，因此该蚀刻剂14朝晶片11的外侧分散。在这时，晶片11旋转而下表面吹气机构17被固定而不是被旋转，故晶片位置相对于下表面吹气位置变化。因此，能够极好地保持晶片11的对中精度，边缘表面11b能够在整个圆周上被均匀地蚀刻而不损毁晶片11的边缘表面11b的倒角形状。特别地，由于间隙检测装置19检测到的间隙GP被反馈回间隙调整装置20，间隙调整装置20能够精确地调整间隙GP，从而防止在晶片11的边缘表面11b上产生闪光物。
根据本发明的第四方面，提供了一种晶片的单片式蚀刻设备，包括：晶片升降装置，用于上下移动晶片；下表面吹气机构，其被设置成相对于晶片相对地旋转，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉；间隙检测装置，用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙；以及间隙调整装置，用于根据间隙检测装置检测到的检测输出来控制晶片升降装置以调整间隙。
在根据第四方面的晶片的单片式蚀刻设备中，首先晶片被旋转，而且下表面吹气机构在晶片和下表面吹气机构之间的间隙内形成气流。当蚀刻剂在该状态下被供给到晶片的上表面时，蚀刻剂逐渐地从供给蚀刻剂的位置向晶片的边缘表面一侧移动，同时借助晶片在平面内的旋转引起的晶片11的离心力蚀刻晶片上表面，从而蚀刻晶片的边缘表面。然后，晶片上的蚀刻剂由于晶片的旋转所伴随的离心力而朝晶片的外侧分散。另一方面，欲从晶片的边缘表面流到晶片的下表面的蚀刻剂的一部分被通过间隙流动的气流朝晶片的径向外侧吹掉，因此该蚀刻剂朝晶片的外侧分散。在这时，下表面吹气机构相对于晶片相对地旋转，从而晶片位置相对于下表面吹气位置变化。因此，能够极好地保持晶片的对中精度，而且晶片上表面一侧的边缘表面能够在整个圆周上被均匀地蚀刻而不损毁晶片的边缘表面的倒角形状。特别地，由于间隙检测装置检测到的间隙被反馈回间隙调整装置，间隙调整装置能够准确地调整间隙，从而防止在晶片的边缘表面上产生闪光物。此外，即使通过晶片和下表面吹气机构之间的间隙流动的气流具有不均匀的性质，该不均匀的性质也会随着时间转变成均匀的，从而提供气流朝晶片后表面的均匀的吹气效果。
根据本发明的第五方面，在根据第三或第四方面限定的本发明中，如图1所示，多个间隙检测装置19沿晶片11的圆周方向布置。
在根据第五方面的晶片的单片式蚀刻设备中，即使晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP根据测量位置波动，由于多个间隙检测装置19会准确地检测到这种波动，所以也能将准确检测到的间隙GP反馈回间隙调整装置20，故而间隙GP在晶片11的整个圆周方向上能够被准确地调整。因此，下表面吹气机构17能够形成在晶片11的整个圆周范围内被整流了的气流，并在晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙内具有均匀的流速。从而，由于欲从晶片11的边缘表面11b流到晶片11的下表面的蚀刻剂14的一部分被该气流朝晶片11的径向外侧均匀地吹掉，所以该蚀刻剂14会朝晶片的外侧分散。因此，晶片11的边缘表面11b能够被均匀地蚀刻而不损毁晶片11的边缘部分的倒角形状，而且能够防止在边缘表面11b上产生闪光物。
根据本发明的第六方面，在根据第三至第五方面中任一方面限定的本发明中，间隙调整装置20除控制晶片升降装置16外还控制用于上下移动下表面吹气机构17的下表面吹气机构升降装置，以调整晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP。
在根据第六方面的晶片的单片式蚀刻设备中，间隙调整装置20既控制晶片升降装置16又控制下表面吹气机构升降装置以调整晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP，从而更准确地调整间隙GP。
根据本发明的第七方面，如图1所示，在根据第三至第六方面中任一方面限定的本发明中，进一步包括：第一喷嘴21，其将蚀刻剂14供给到晶片11的上表面11a；以及第二喷嘴22，其被设置成面向晶片11的边缘表面11b以将蚀刻剂14供给到晶片11的边缘表面11b。
在根据第七方面的单片式蚀刻设备中，从设置成面向晶片11的边缘表面11b的第二喷嘴22向晶片11的边缘表面11b供给蚀刻剂14。因此，通过调整来自第二喷嘴22的蚀刻剂供给量，能够有目的地改变晶片11的边缘表面11b的形状，从而提供目标倒角形状。
此外，优选的是，第二喷嘴22被固定并设置在预定位置上，该预定位置朝晶片11的径向内侧从晶片的外缘离开-10至20mm。这里，将第二喷嘴22固定在朝晶片的径向内侧从晶片11的外缘离开-10mm的位置，是指将该第二喷嘴22固定在朝晶片的径向外侧从晶片11的外缘离开+10mm的位置。
根据本发明，晶片的边缘部分能够被均匀地蚀刻而不损毁边缘部分的倒角形状，而且能够防止在晶片的边缘表面上产生小的不规则部分(闪光物)。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的晶片的单片式蚀刻设备的主要部分的纵截面的结构图；
图2是沿图1中的箭头A得到的视图，示出在晶片被安装到蚀刻设备上之前的蚀刻设备；
图3是沿图1中的B-B线得到的横截面图；
图4是示出根据实施例1和比较例1的各晶片的边缘表面的水平长度EL的波动的视图；
图5是示出四个方向的视图，沿所述四个方向拍摄到根据实施例1和比较例1的各晶片的边缘表面形状在平面内的波动；以及
图6是示出根据实施例1和比较例1的各晶片的边缘表面上的闪光物出现情况的照片。
具体实施方式
现在将参照附图说明实施本发明的最佳方式。
如图1所示，单片式蚀刻设备10包括：晶片夹具12，其被容纳在室中并水平地保持安装在其上的单个薄盘状的硅晶片11；旋转装置(未示出)，用于使晶片11在水平面内围绕其垂直中心线旋转；第一喷嘴21，其将蚀刻剂14供给到晶片夹具12保持的晶片11的上表面11a；第二喷嘴22，其将蚀刻剂14供给到晶片夹具12保持的晶片11的边缘表面11b；晶片升降装置16，用于上下移动晶片11；下表面吹气机构17，其通过气体的喷射朝晶片11的径向外侧把在安装在晶片夹具12上的晶片11的边缘表面11b上向下流的蚀刻剂14吹掉；下表面吹气机构升降装置(未示出)，用于上下移动下表面吹气机构17；间隙检测装置19，用于检测晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP；以及间隙调整装置20，用于根据来自该间隙检测装置19的检测输出来调整间隙GP。通过分割硅的单个晶锭获得晶片11，而且该晶片11的外缘，即，晶片11的边缘表面11b被倒角成具有预定曲率半径的凸形。
此外，晶片夹具12具有：设置成沿垂直方向延伸的轴部12a；在轴部12a的上表面上形成的与这个轴部12a构成一体的大直径的晶片接收部分12b；通孔12c，其在轴部12a和晶片接收部分12b的中心形成，沿垂直方向从轴部12a的下表面延伸到晶片接收部分12b的中心；多个连通孔(未示出)，所述多个连通孔中的每一个具有一个端部，所述端部与通孔12c的上端连通且连接，以通孔12c为中心放射状地延伸到晶片接收部分12b的径向外侧，而另一端部封闭；在晶片接收部分12b的上表面上同心地形成的多个环形槽12d；在连通孔和环形槽12d之间实现连通和连接的多个小孔12e；以及与通孔12c的下端连接的真空泵(未示出)(图1和2)。当晶片11被以与晶片接收部分12b同心的方式安装在晶片接收部分12b的上表面，并且真空泵被驱动以在通孔12c的每一个内形成负压时，连通孔、小孔12e和环形槽12d、晶片11的下表面11c被晶片接收部分12b吸附，从而晶片11被水平地保持。此外，旋转装置具有使轴部12a旋转的驱动马达(未示出)。当驱动马达旋转轴部12a时，由晶片接收部分12b保持的晶片11与轴部12a及晶片接收部分12b一起旋转。
而且，第一喷嘴21被以面向晶片11的上表面11a的方式设置在晶片11的上方，第二喷嘴22被以面向晶片11的边缘表面11b的方式设置在晶片11的边缘表面11b的上方。第一喷嘴21通过第一供给管31与第一供给泵(未示出)连接，第二喷嘴22通过第二供给管32与第二供给泵(未示出)连接。第一喷嘴21可通过第一喷嘴移动装置(未示出)在其面向晶片11的上表面11a的中心的位置和收回位置之间水平地移动，第二喷嘴22可通过第二喷嘴移动装置(未示出)在其面向晶片11的边缘表面11b的位置和收回位置之间水平地移动。当蚀刻晶片11时，第一喷嘴21通过第一喷嘴移动装置在晶片的上表面11a的中心和晶片11的周缘之间移动，第二喷嘴22通过第二喷嘴移动装置固定在其面向晶片11的边缘表面11b的位置上。在调整例如第一喷嘴的移动速度或蚀刻剂的流量以消除蚀刻处理之前的晶片的表面形状和晶片的目标表面形状之间的差别的同时，通过第一喷嘴21供给蚀刻剂14。例如，通常在晶片11正在旋转的状态下进行蚀刻处理，在晶片周缘处的蚀刻量大于在晶片中心附近的蚀刻量。因此，在晶片外缘处移动第一喷嘴21而同时增大其移动速度是有效的。另外，是否采用第二喷嘴22可根据晶片11的目标倒角形状适当地确定，而且从第二喷嘴22断续地或连续地供给蚀刻剂使得能够更精细地蚀刻边缘部分11b。
另一方面，下表面吹气机构17不与晶片夹具12或旋转晶片11的旋转装置连接，且其被独立地设置以便不与晶片11一起旋转。这个下表面吹气机构17具有：面向边缘表面11b附近的晶片11的下表面的环状的喷射端口17a；环状的喷射槽17b，在其上端与喷射端口17a连通，并具有朝下侧逐渐减小的直径；以及气体供给装置(未示出)，其与喷射槽17b连通并通过喷射槽17b向喷射端口17a供给压缩的气体(图1和2)。通过在底座部件17c的上表面上以与该底座部件17c同心的方式设置锥形部件17d和斜面部件17e来形成喷射槽17b(图1)。底座部件17c形成为具有比晶片11更大的直径，在底座部件17c的中心形成通孔17f以在其中自由地安装轴部12a。此外，在锥形部件17d的中心形成大直径的孔17g，锥形部件17d的外周面形成为锥形的形状，其直径朝下侧逐渐减小。斜面部件17e的外径大于晶片11的外径，但是小于底座部件17c的外径，斜面部件17e的内周面形成为斜面形状，其直径朝下侧逐渐减小。当斜面部件17e被安装在底座部件17c上、然后锥形部件17d被安装在底座部件17c上时，在斜面部件17e的内周面和锥形部件17d的外周面之间形成环状间隙，而且这个环状间隙用作喷射槽17b。而且，喷射槽17b与在底座部件17c上形成的四个气体供给孔17h中的每一个的一端连通(图1和3)，这些气体供给孔17h中的每一个的另一端与气体供给装置连接。气体供给装置由例如压缩机构成，压缩机压缩例如氮气或空气这样的气体，压缩的气体由这个气体供给装置通过气体供给孔17h和喷射槽17b供给到喷射端口17a。
晶片升降装置16由例如上下移动轴部12a和晶片接收部分12b的步进马达或伺服马达构成，下表面吹气机构升降装置(未示出)由例如上下移动下表面吹气机构17的步进马达或伺服马达构成。另外，四个间隙检测装置19沿圆周方向以预定的间隔被嵌入在锥形部件17d的上表面内。这些间隙检测装置19被构造成，检测晶片夹具12保持的晶片11的下表面11c和下表面吹气机构17的上表面之间的间隙GP。作为间隙检测装置19，有例如静电电容式或光学式传感器。此外，间隙调整装置20控制晶片升降装置16和下表面吹气机构升降装置这两者以调整晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP。此外，液体吸引机构(未示出)被设置在从晶片夹具12保持的晶片11的外周面隔开预定间隔的外侧位置。尽管没有示出，但这个液体吸引机构具有接收从晶片11分散的蚀刻剂14的液体接收器和用于吸引由液体接收器接收的蚀刻剂14的液体吸引装置。应当注意，图1和2中的附图标记23表示距离传感器，其测量底座部件17c的上表面和晶片接收部分12b的下表面之间的距离。间隙调整装置20被构造成，根据来自间隙检测装置19和距离传感器23的相应的检测输出来调整间隙GP。
应当注意，间隙调整装置20将晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP调整成落入到0.1至1mm或优选0.2至0.5mm的范围之内，而且第二喷嘴22的固定位置NP被设定成，朝晶片的径向内侧从晶片外缘离开的距离落入在-10至20mm或优选1至5mm的范围之内。喷射端口17a的位置BP被设定成，朝晶片的径向内侧从晶片外缘离开的距离落入到0至10mm或优选1至5mm的范围之内。此外，从喷射端口17a喷射的气体的流量BF被设定为50至1000公升/分钟或优选100至500公升/分钟。假定来自喷射端口17a的气体的流量是G公升/分钟且喷射端口17a的宽度是Bmm，则G/B被设定为50至1000或优选100至500。此外，晶片11的旋转速度被设定成，落入到200至800rpm或优选300至500rpm的范围之内，喷射槽17b相对于水平面所成的角度θ1被设定成落入到5至60度或优选10至45度的范围之内。
这里，间隙GP被限制到0.1至1mm的范围之内是因为，在间隙GP小于0.1mm的时候，晶片11可能由于例如晶片11旋转时的轴向摆动而与锥形部件17d或斜面部件17e接触，而在间隙超过1mm时，蚀刻剂会流到晶片11的后侧的边缘表面而在边缘表面上产生闪光物。第二喷嘴22的固定位置NP被限制在从晶片外缘向晶片径向内侧离开-10至20mm的范围之内是因为，在小于-10mm时，从第二喷嘴22供应的蚀刻剂14完全不会被供给到晶片11的上表面一侧的边缘表面，而且会导致蚀刻剂流到晶片11的后表面一侧，而在超过20mm时，第二喷嘴22与晶片11的中心过近，不能形成晶片11的边缘表面11b的倒角形状。喷射端口17a的位置BP被限制在朝晶片的径向内侧从晶片外缘离开0至10mm的范围内是因为，在小于0mm时，从喷射端口17a喷射的气体不会到达晶片11的边缘表面，在超过10mm时，蚀刻剂会流到晶片11的后表面。从喷射端口17a喷射的气体的流量BF被限制在50至1000公升/分钟的范围内是因为，在小于50公升/分钟时，蚀刻剂会流到晶片11的后表面，而在超过1000公升/分钟时，被喷射的气体吹掉的蚀刻剂会分散，难以在预定的位置收集蚀刻剂，从而会增大废水处理设备的负担。G/B被限制到50至1000的范围内是因为，如果这个比例小于50，那么气体的供给就不会容易，而在这个比例超过1000时则不能获得足够的气体供给流速。晶片11的旋转速度被限制到200至800rpm的范围内是因为，在旋转速度小于200时，蚀刻剂会从晶片11的外周边流到晶片后表面，不能形成均匀的边缘表面，而在旋转速度超过800rpm时，则会使晶片11的上表面11a平整化变得困难。喷射槽17b相对于水平面所成的角度θ1被限制到5至60度是因为，在这个角度小于5度时，蚀刻剂会流到晶片11的后表面，而在这个角度超过60度时，喷射的气体不会形成层流而且蚀刻剂会流到晶片11的后表面。
现在将说明这种构造的用于晶片11的单片式蚀刻设备10的操作。
间隙调整装置20首先根据来自多个间隙检测装置19和多个距离传感器23的各检测输出来控制晶片升降装置16和下表面吹气机构升降装置这两者，从而调整晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP。因此，即使晶片11和下表面吹气机构17之间的间隙GP根据各测量位置波动，多个间隙检测装置19和多个距离传感器23也能准确地检测出这种波动，因此将准确检测到的间隙GP反馈回间隙调整装置20。此外，间隙调整装置20不仅控制晶片调整装置16而且控制下表面吹气机构升降装置以调整间隙GP。因此，间隙GP被准确地调整成最佳值。随后，在晶片11被安装在晶片夹具12上的状态下，通过运转真空泵而在通孔12c、连通孔、小孔12e和环形槽12d中的每一个之内形成负压，利用这个负压水平地保持晶片11。在该状态下，运转用于旋转装置的驱动马达，以在水平面内与晶片夹具12的轴部12a和晶片接收部分12b一起旋转晶片11。然后，运行下表面吹气机构17的气体供给装置，以通过气体供给孔17h和喷射槽17b从喷射端口17a喷射压缩的气体，例如氮气或空气，从而在下表面吹气机构17的上表面和晶片11的下表面11c之间的间隙GP，即，在锥形部件17d和斜面部件17e的上表面与晶片11的下表面11c之间的间隙GP内，形成流向晶片11的径向外侧的气流。这里，通过启动液体吸引机构的吸引装置，能够保持液体接收器内的负压。在该状态下，第一喷嘴移动装置被操作，使第一喷嘴21面向晶片11的中心，第二喷嘴移动装置被操作，使第二喷嘴22面向晶片11的边缘表面11b。在该状态下，通过启动第一供给泵从第一喷嘴21向晶片11的上表面11a供给蚀刻剂14，而且通过启动第二供给泵从第二喷嘴22向晶片11的边缘表面11b供给蚀刻剂14。
从第一喷嘴21供应到晶片11的上表面11a的蚀刻剂14，在借助水平面内的晶片11的旋转引起的离心力蚀刻晶片11的上表面11a的机械损坏的层同时，从供给蚀刻剂14的位置(例如，晶片11的上表面11a的中心附近)朝晶片11的边缘表面11b逐渐地移动。然后，在蚀刻剂14到达晶片11的边缘表面11b时，其蚀刻该边缘表面11b。此时，由于从第二喷嘴22向晶片11的边缘表面11b供给任意设定量的蚀刻剂14，所以供给了蚀刻晶片11的边缘表面11b所需的足够量的蚀刻剂14。而且，用于晶片11的边缘表面11b的蚀刻剂14的大部分变成液滴而通过晶片11的旋转所伴随的离心力朝晶片11的外侧分散。分散的蚀刻剂14进入保持负压的液体接收器，而且借助这一负压而通过吸引管排出到室的外面。另一方面，欲从晶片11的边缘表面11b流到晶片11的下表面11c的蚀刻剂14的一部分被气流朝晶片11的径向外侧吹掉，该气流通过晶片夹具12的上表面和晶片11的下表面11c之间的间隙GP朝晶片11的径向外侧流动，而且该部分蚀刻剂14朝晶片11的外侧分散。分散的蚀刻剂14平稳地进入保持负压的液体接收器，而且被这一负压通过吸引管排出到室的外面。结果，能够使蚀刻的晶片11的上表面11a变平，能够设置并稳定晶片11的边缘表面11b的形状，而且能够防止蚀刻剂14流到晶片11的下表面11c。
应当注意，在前述实施例中，下表面吹气机构被固定且设置成不与晶片一起旋转，但是下表面吹气机构也可以被设置成相对于晶片相对地旋转。在该情况下，由于下表面吹气机构相对于晶片相对地旋转，晶片位置相对于后表面吹气位置变化，因此能够极好地保持晶片的对中精度，还能够极好地保持晶片的边缘表面形状在晶片平面内的均匀度。另外，即使通过晶片和下表面吹气机构之间的间隙流动的气流具有不均匀的性质，不均匀的性质也会随着时间转变成均匀的，从而提供气流相对于晶片后表面的均匀的吹气效果。
此外，在前述实施例中，虽然间隙调整装置控制晶片升降装置和下表面吹气机构升降装置这两者以调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙，但是间隙调整装置也可以仅控制晶片升降装置以调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙。
此外，在前述实施例中，虽然喷射端口被成形为环状形状，但是喷射端口也可以形成为具有多个小孔的形状。
而且，在前述实施例中，虽然间隙调整装置根据来自多个间隙检测装置和多个距离传感器的各检测输出来调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙，但是间隙调整装置也可以仅根据来自多个间隙检测装置的检测输出来调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙。
另外，在前述实施例中，四个间隙检测装置沿圆周方向以预定的间隔被嵌入在锥形部件的上表面内，但是间隙检测装置的数目可以是二、三、五或更多。
实施例
下面，与比较例一起说明根据本发明的实施例。
实施例1
如图1所示，单片式蚀刻设备10用来蚀刻具有300mm的直径和0.8mm的厚度的硅晶片11。这里，间隙调整装置20将下表面吹气机构17的上表面和晶片11的下表面11c之间的间隙GP调整到0.4mm，喷射端口17a的位置BP被设定在朝晶片的径向内侧从晶片外缘离开3mm的位置上。此外，从喷射端口17a喷射的气体的流量BF被设定为500公升/分钟，G/B被设定为500，其中，G公升/分钟是来自喷射端口17a的气体的流量，Bmm是喷射端口的宽度。而且，晶片11的旋转速度被设定为400rpm，喷射槽17b相对于水平面所成的角度θ1被设定为30度，从第一喷嘴21射出的蚀刻剂14的流量被设定为3公升/分钟，在增加速度的同时使第一喷嘴21从晶片11的中心朝晶片11的周缘部分移动，从而供给蚀刻剂14。由该设备10蚀刻的晶片11被确定为实施例1。应当注意，在该例中没有使用第二喷嘴22。
比较例1
除了间隙调整装置将晶片和下表面吹气机构之间的间隙GP调整到1.5mm之外，类似于实施例1那样蚀刻晶片。这个晶片被确定为比较例1。
比较测试1及评估
对根据实施例1的三个晶片及根据比较例1的三个晶片中的每一个，测量水平方向上的边缘表面的长度EL(图1)，并根据各晶片获得长度EL的波动。图4示出其结果。
从图4显而易见，显示出：在根据比较例1的各晶片中，沿水平方向的边缘表面的长度EL长至大约400μm，而在根据实施例1的各晶片中，沿水平方向的边缘表面的长度EL短至大约370μm。另外，应当理解，在根据比较例1的各晶片中，沿水平方向的边缘表面的长度EL的波动大至46至52μm，而在根据实施例1的各晶片中，沿水平方向的边缘表面的长度EL的波动小至20至37μm。
比较测试2及评估
从四个方向(图5中的具有5度角度的方向、具有90度角度的方向、具有180度角度的方向和具有270度的角度的方向)拍摄根据实施例1和比较例1获得的各晶片的外周面，并观察各晶片的边缘表面上的闪光物产生情况。图6示出其结果。
从图6显而易见，在根据比较例1的各晶片的边缘表面上产生了闪光物，而在根据实施例1的各晶片的边缘表面上没有观察到闪光物的产生。应当注意，即使在实施例1的条件下将间隙GP改为1mm，在晶片的边缘表面上也没有观察到闪光物的产生。

Claims (8)

1.一种晶片的单片式蚀刻方法，所述方法根据晶片的表面形状控制蚀刻剂对晶片的应用以使晶片的上表面平滑，
其特征在于，在晶片和下表面吹气机构之间的间隙被调整成落入到0.1至1mm的范围之内的状态下，将晶片的上表面平滑化，所述下表面吹气机构通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉。
2.根据权利要求1所述的晶片的单片式蚀刻方法，其特征在于，G/B为50至1000，其中G公升/分钟是来自下表面吹气机构的喷射端口的气体的流量，Bmm是喷射端口的宽度。
3.一种晶片的单片式蚀刻设备，所述设备在旋转晶片的同时向晶片的上表面供给蚀刻剂以蚀刻晶片的上表面，所述设备包括：
晶片升降装置，用于上下移动晶片；
下表面吹气机构，以不与晶片一起旋转的方式固定和设置，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉；
间隙检测装置，用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙；和
间隙调整装置，用于根据间隙检测装置检测到的检测输出来控制晶片升降装置以调整间隙。
4.一种晶片的单片式蚀刻设备，所述设备在旋转晶片的同时向晶片的上表面供给蚀刻剂以蚀刻晶片的上表面，所述设备包括：
晶片升降装置，用于上下移动晶片；
下表面吹气机构，被设置成相对于晶片相对地旋转，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉；
间隙检测装置，用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙；和
间隙调整装置，用于根据间隙检测装置检测到的检测输出来控制晶片升降装置以调整间隙。
5.根据权利要求3或4所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，多个间隙检测装置沿晶片的圆周方向设置。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，间隙调整装置除控制除晶片升降装置外，还控制用于上下移动下表面吹气机构的下表面吹气机构升降装置，以调整晶片和下表面吹气机构之间的间隙。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，进一步包括：第一喷嘴，将蚀刻剂供给到晶片的上表面；和第二喷嘴，被设置成面向晶片的边缘表面以将蚀刻剂供给到晶片的边缘表面。
8.根据权利要求7所述的晶片的单片式蚀刻设备，其特征在于，第二喷嘴被固定并设置在预定位置上，所述预定位置朝晶片的径向内侧从晶片的外缘离开-10至20mm。
CN200810090043A 2007-03-30 2008-03-31 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备 Expired - Fee Related CN100576457C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007090832A JP2008251806A (ja) 2007-03-30 2007-03-30 ウェーハの枚葉式エッチング方法及びそのエッチング装置
JP2007090832 2007-03-30
JP2007-090832 2007-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101276756A true CN101276756A (zh) 2008-10-01
CN100576457C CN100576457C (zh) 2009-12-30

Family

ID=39616494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810090043A Expired - Fee Related CN100576457C (zh) 2007-03-30 2008-03-31 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090181546A1 (zh)
EP (1) EP1975977B1 (zh)
JP (1) JP2008251806A (zh)
KR (1) KR100927855B1 (zh)
CN (1) CN100576457C (zh)
MY (1) MY147183A (zh)
TW (1) TW200903622A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021904A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 南亚科技股份有限公司 晶片洗涤器和晶片洗涤方法
CN106574900A (zh) * 2014-07-29 2017-04-19 Lg矽得荣株式会社 晶片的缺陷测量装置
CN107615443A (zh) * 2014-06-06 2018-01-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法
CN109075058A (zh) * 2016-05-06 2018-12-21 应用材料公司 用于蚀刻系统的晶片轮廓
CN110970332A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 陈家辉 一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备
CN111403323A (zh) * 2020-04-27 2020-07-10 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置
CN111613512A (zh) * 2020-06-22 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及其工艺腔室

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115728A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法
JP2008218545A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置
EP2051530A2 (en) 2007-10-17 2009-04-22 Electronics and Telecommunications Research Institute Video encoding apparatus and method using pipeline technique with variable time slot
TWI465313B (zh) * 2009-04-07 2014-12-21 Kromax Internat Corp 非接觸式定位平臺與定位方法
JPWO2013114589A1 (ja) * 2012-02-01 2015-05-11 三菱電機株式会社 光起電力装置の製造方法および光起電力装置の製造装置
US9589818B2 (en) * 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6389089B2 (ja) * 2014-09-18 2018-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2015213189A (ja) * 2015-07-09 2015-11-26 三菱電機株式会社 光起電力装置の製造方法
CN106971958A (zh) * 2016-01-14 2017-07-21 弘塑科技股份有限公司 单晶圆湿式处理装置
JP6836912B2 (ja) * 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI747580B (zh) * 2020-10-28 2021-11-21 辛耘企業股份有限公司 晶圓蝕刻裝置
CN114695210B (zh) * 2022-06-02 2022-09-09 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
SG103277A1 (en) * 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
US6551488B1 (en) * 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Segmenting of processing system into wet and dry areas
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2002064079A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
EP1202326B1 (de) * 2000-10-31 2004-01-02 Sez Ag Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6770565B2 (en) * 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
KR20030089326A (ko) * 2002-05-17 2003-11-21 삼성전자주식회사 웨이퍼 플랫존 경사면 세정 방법, 세정 장치 및 세정기능을 포함한 웨이퍼 가장자리 노광 장치
US7354869B2 (en) * 2004-04-13 2008-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4601341B2 (ja) * 2004-07-02 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4464293B2 (ja) 2005-02-28 2010-05-19 株式会社高田工業所 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法
JP2007115728A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021904A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 南亚科技股份有限公司 晶片洗涤器和晶片洗涤方法
CN103021904B (zh) * 2011-09-21 2015-06-17 南亚科技股份有限公司 晶片洗涤器和晶片洗涤方法
CN107615443A (zh) * 2014-06-06 2018-01-19 盛美半导体设备（上海）有限公司 去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法
CN106574900A (zh) * 2014-07-29 2017-04-19 Lg矽得荣株式会社 晶片的缺陷测量装置
US10255669B2 (en) 2014-07-29 2019-04-09 Sk Siltron Co., Ltd. Defect measuring device for wafers
CN106574900B (zh) * 2014-07-29 2019-07-09 爱思开矽得荣株式会社 晶片的缺陷测量装置
CN109075058A (zh) * 2016-05-06 2018-12-21 应用材料公司 用于蚀刻系统的晶片轮廓
CN110970332A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 陈家辉 一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备
CN110970332B (zh) * 2019-12-18 2022-12-13 深圳市凯新达电子有限公司 一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备
CN111403323A (zh) * 2020-04-27 2020-07-10 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置
CN111613512A (zh) * 2020-06-22 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及其工艺腔室
CN111613512B (zh) * 2020-06-22 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及其工艺腔室

Also Published As

Publication number Publication date
US20090181546A1 (en) 2009-07-16
CN100576457C (zh) 2009-12-30
KR20080089241A (ko) 2008-10-06
MY147183A (en) 2012-11-14
EP1975977B1 (en) 2011-05-04
KR100927855B1 (ko) 2009-11-23
EP1975977A1 (en) 2008-10-01
JP2008251806A (ja) 2008-10-16
TW200903622A (en) 2009-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100576457C (zh) 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
US20090186488A1 (en) Single wafer etching apparatus
US7906438B2 (en) Single wafer etching method
US8466071B2 (en) Method for etching single wafer
KR100796544B1 (ko) 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법
KR100760491B1 (ko) 웨이퍼의 매엽식 에칭 장치 및 웨이퍼의 매엽식 에칭 방법
US11640911B2 (en) Substrate processing method of controlling discharge angle and discharge position of processing liquid supplied to peripheral portion of substrate
EP1083589A2 (en) Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US20120125376A1 (en) Wet processing apparatus and wet processing method
KR20010103659A (ko) 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법
EP1503402A1 (en) Substrate supporting apparatus
JP2001267278A (ja) 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP5568201B2 (ja) 基板処理方法と基板処理装置
US7998867B2 (en) Method for manufacturing epitaxial wafer
JP2007207811A (ja) ウェーハの枚葉式エッチング装置
JP2008282938A (ja) ウェーハの枚葉式エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20091230

Termination date: 20120331