CN103020371B - 自加热效应的模型参数提取方法 - Google Patents
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Abstract
一种自加热效应的模型参数提取方法，利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I‑V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I‑V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，进而提取自加热效应模型的模型参数。避免了采用两套检测系统可能引发的系统误差，且本发明实施例利用同一套测试系统获得两组测试数据，可以直接将所述两组测试数据进行比较，避免两套检测系统获得的两组测试数据后需要导出后再进行比较，节省了时间。
Description
技术领域
本发明涉及微电子器件建模领域，特别涉及一种对采用SOI衬底的MOS晶体管自加热效应的模型参数提取方法。
背景技术
计算机辅助电路分析（CAA）在大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）设计中已成为必不可少的手段。为了优化电路，提高性能，希望计算机辅助电路分析的模拟结果尽量与实际电路相接近，需要对集成电路的器件建立数学模型，且所述计算机辅助电路分析程序中的模型必须要精确。确定模型方程后，由于不同器件对应有不同的制作工艺和尺寸，对应的模型参数各不相同，因此，对模型方程的参数提取也非常重要。尽管多数模型是以器件物理为依据的，但按其物理意义给出的模型参数往往不能精确的反映器件的电学性能，因此必须从实验数据中提取模型参数。模型参数的提取的过程实际上是将理论模型和实际器件特性之间用模型参数来加以拟合的过程。
采用绝缘体上硅（SOI）衬底的MOS晶体管因其内部具有复杂的物理机制，相比体硅MOS晶体管，其模型方程更复杂，模型参数更多。且由于具有SOI衬底的MOS晶体管底部具有一层低导热率的埋氧层（BOX），在直流测试时，漏极电流产生的热量来不及排除，使得沟道温度高于环境温度，即出现自加热效应，这种效应会造成器件沟道电流下降、跨导畸变以及载流子负微分迁移率等不良影响。在实际的数字电路应用中，因器件工作在高速开关状态，热量来不及积累，自加热效应不明显或消失。但对于大部分模拟电路，自加热效应却不容忽视。
因此，为了计算机辅助电路分析程序能够仿真用于不同电路的器件，只有准确地提取与自加热效应模型相关的所有模型参数，才能提高基于SOI工艺的IC设计能力。
更多关于半导体器件模型参数提取的方法请参考申请公布号为CN102542077A的中国专利文献。
发明内容
本发明解决的问题是提供了一种自加热效应的模型参数提取方法，简单方便。
为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种自加热效应的模型参数提取方法，包括：提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；利用同一测试系统产生电压值相同的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I-V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I-V特性曲线；利用所述第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线对自加热效应模型的模型参数进行提取。
可选的，还包括：将若干个具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压施加在所述MOS晶体管的漏极上，获得对应的漏极电流，并根据漏极电流的大小选择第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压。
可选的，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最小时，其中脉冲持续时间最长的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第一脉冲持续时间，脉冲持续时间小于或等于所述第一脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第一脉冲漏极电压。
可选的，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最大时，其中脉冲持续时间最短的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第二脉冲持续时间，脉冲持续时间大于或等于所述第二脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第二脉冲漏极电压。
可选的，提取模型参数的步骤包括：将所述不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据与第一I-V特性曲线相比较进行拟合，将所述具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据与第二I-V特性曲线相比较进行拟合，从而获得自加热效应模型的模型参数。
可选的，采用全局优化或局部优化对模拟数据和第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线进行拟合。
可选的，利用最小二乘法的曲线拟合将模拟数据和第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线相拟合。
可选的，将模拟数据和第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改模型参数，直到所述模拟数据和第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线相拟合。
可选的，所述第一I-V特性曲线和第二I-V特性曲线为漏极电流和漏极电压的I-V特性曲线。
可选的，所述器件模型为HiSIMSOI模型或BSIMSOI模型。
可选的，所述采用SOI衬底的MOS晶体管为体引出结构器件或浮体结构器件。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
由于本发明实施例利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压的电压值之间不会有误差，使得第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值与理论差值之间不会有误差。即使第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压的实际电压值与理论电压值有偏差，最终获得的第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值与理论差值的偏差值也比采用两套系统时变小，从而可以利用第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值来提取自加热模型的模型参数，避免了采用两套检测系统可能引发的系统误差，有利于提高自加热模型的模型参数的精确率。且本发明实施例利用同一套测试系统获得两组测试数据，可以直接将所述两组测试数据进行比较，避免两套检测系统获得的两组测试数据后需要导出后再进行比较，节省了时间。
附图说明
图1是本发明实施例的自加热效应的模型参数提取方法的流程示意图；
图2是具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压对应的漏极电流与漏极电压之间的I-V特性曲线图。
具体实施方式
为了能精确的提取自加热效应模型相关的所有模型参数，发明人提出了一种自加热效应的模型参数提取方法，包括：利用具有较短脉冲持续时间的脉冲漏极电压对所述采用SOI衬底的MOS晶体管进行第一I-V特性测试，由于脉冲漏极电压是间隔式的，对应产生的漏极电流也是间隔式的，沟道中因漏极电流产生的热量会在漏极电流关闭时散发掉，使得热量来不及积累，自加热效应不明显，因而利用所述脉冲漏极电压来模拟不具有自加热效应的MOS晶体管；利用直流漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，所述直流漏极电压的电压值与脉冲漏极电压的电压值相等，由于直流漏极电压对应的漏极电流持续存在，使得漏极电流产生的热量会在沟道区积累，从而引发自加热效应，因而利用所述脉冲漏极电压来模拟具有自加热效应的MOS晶体管；将第一I-V特性测试的测试数据与不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行比较拟合，获得不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；将第二I-V特性测试的测试数据与具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行比较拟合，利用所述不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数提取出自加热效应模型的模型参数。
但由于产生脉冲漏极电压和直流漏极电压需要两套不同的测试系统，不同的测试系统之间可能存在系统误差，使得实际输出的脉冲漏极电压和直流漏极电压的电压值大小可能不相同，具有误差。当所述两个漏极电压值不同时，对应两个的漏极电压值的测量差值与理论的差值相比会变大，由于所述两个漏极电流的差值只是由自加热效应模型引起的，会使得最终提取的自加热效应模型的模型参数不精确。且利用脉冲漏极电压和直流漏极电压获得两组I-V特性测试的测试数据后，往往需要对所述两组I-V特性测试的测试数据进行比较，但两套检测系统获得的两组测试数据后需要提取出来后再进行比较，比较繁琐。
发明人经过研究发现，并不是只有直流漏极电压对应的漏极电流会产生自加热效应，当一个脉冲漏极电压的脉冲持续时间足够长时，所述脉冲漏极电压对应的漏极电流也会产生自加热效应。由于自加热效应会造成器件的沟道电流下降，即漏极电流下降，通过比较所述脉冲漏极电压对应的漏极电流的大小和直流漏极电压对应的漏极电流的大小发现，当脉冲漏极电压的脉冲持续时间大于或等于某一特定值后，脉冲漏极电压对应的漏极电流的大小都相等，不会继续改变，且所述脉冲漏极电压对应的漏极电流的大小和直流漏极电压对应的漏极电流的大小也相等，即自加热效应达到饱和。所述脉冲持续时间大于或等于某一特定值的脉冲漏极电压对应的自加热效应和直流漏极电压对应的自加热效应程度相当，可以利用所述具有较大脉冲持续时间的脉冲漏极电压替代直流漏极电压来进行I-V特性测试以提取自加热效应模型对应的模型参数。
为此，本发明实施例提供了一种自加热效应的模型参数提取方法，利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，进而提取自加热效应模型的模型参数。由于本发明实施例利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压的电压值之间不会有误差，使得第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值与理论差值之间不会有误差。即使第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压的实际电压值与理论电压值有偏差，最终获得的第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值与理论差值的偏差值也比采用两套系统时变小，从而可以利用第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值来提取自加热模型的模型参数，避免了采用两套检测系统可能引发的系统误差，有利于提高自加热模型的模型参数的精确率。且本发明实施例利用同一套测试系统获得两组测试数据，可以直接将所述两组测试数据进行比较，避免两套检测系统获得的两组测试数据后需要导出后再进行比较，节省了时间。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
本发明实施例提供了一种自加热效应的模型参数提取方法，请参考图1，为本发明实施例的自加热效应的模型参数提取方法的流程示意图，具体包括：
步骤S101，提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；
步骤S102，利用同一测试系统产生电压值相等的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I-V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I-V特性曲线；
步骤S103，利用所述第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线对自加热效应模型的模型参数进行提取。
具体的，执行步骤S101，提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型。
现有的采用SOI衬底的MOS晶体管的器件模型主要包括HiSIMSOI模型和BSIMSOI模型。其中HiSIMSOI模型是由日本广岛大学开发的，BSIMSOI模型是由美国加州大学伯克利分校（UCB）开发的。所述BSIMSOI模型主要包括BSIM3、BSIM4和BSIM5个版本。本实施例中，所采用的器件模型为BSIMSOI模型的BSIM4版本，且所述器件模型具有迁移率模型、短沟道电容模型、NQS（Non-Quasi Static）模型、噪声模型、自加热效应模型等。所述器件模型一共有350个参数，其中包括21个模型控制参数，16个工艺参数，150个直流参数，30个和源漏结相关的参数，12个版图相关参数，18个交流和电容参数、34个高速数字电路及NQS参数，16个沟道长度和宽度调制参数，22个温度参数，13个闪烁噪声及热噪声参数以及16个用于参数缩放的描述参数。本发明实施例用来提取150个直流参数中关于自加热效应模型的模型参数。
所述采用SOI衬底的MOS晶体管包括体引出结构器件和浮体结构器件，所述体引出结构器件的衬底与外电路相连接或接地，所述浮体结构器件的衬底不接地也不与外电路相连接。在本实施例中，所述采用SOI衬底的MOS晶体管为体引出结构器件。
执行步骤S102，利用同一测试系统产生第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I-V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I-V特性曲线。
本发明实施例的测试系统能够产生电压相同但具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压，本发明实施例需要利用具有不同脉冲持续时间的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压分别来模拟不具有自加热效应的MOS晶体管和具有自加热效应的MOS晶体管，其中第一脉冲漏极电压的脉冲持续时间小于或等于第一脉冲持续时间，第二脉冲漏极电压的脉冲持续时间都大于或等于第二脉冲持续时间，且所述第一脉冲持续时间小于第二脉冲持续时间。
由于自加热效应会使得MOS晶体管的漏极电流下降，经过检测发现，当所述脉冲漏极电压的脉冲持续时间小于等于第一脉冲持续时间时，最终检测到的漏极电流都相等且最大，没有自加热效应；当所述脉冲漏极电压的脉冲持续时间大于第一脉冲持续时间小于第二脉冲持续时间时，最终检测到的漏极电流慢慢变小，自加热效应逐渐增强；直到当所述脉冲漏极电压的脉冲持续时间大于等于第二脉冲持续时间时，最终检测到的漏极电流不继续变小，保持稳定，且所述漏极电流值与施加有相同电压大小的直流漏极电压对应漏极电流值相同，自加热效应完全饱和。
获得所述第一脉冲持续时间和第二脉冲持续时间的具体方法包括：首先将若干个具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压施加在所述MOS晶体管的漏极上，获得对应的漏极电流，所述脉冲持续时间为30纳秒、50纳秒、500纳秒、1微秒、10微秒、100微秒、1毫秒、10毫秒、100毫秒等，可以根据需要任意的选择若干个脉冲持续时间，具有对应的脉冲持续时间的脉冲漏极电压施加在所述MOS晶体管的漏极上，获得对应的漏极电流。取样的脉冲持续时间越多，最终获得的第一脉冲持续时间和第二脉冲持续时间越精确。在本实施例中，所选取的脉冲漏极电压的脉冲持续时间分别为30纳秒、500纳秒、1微秒、1毫秒、10毫秒。
接着，将不同脉冲持续时间对应的漏极电流进行比较，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最大时，其中脉冲持续时间最长的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第一脉冲持续时间，脉冲持续时间小于或等于所述第一脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第一脉冲漏极电压。在本实施例中，请参考图2，脉冲持续时间分别为30纳秒、500纳秒的脉冲漏极电压对应的漏极电流相等且电流值最大，因此，脉冲持续时间小于或等于500纳秒的脉冲漏极电压为第一脉冲漏极电压，利用所述第一脉冲漏极电压来模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得不具有自加热效应的MOS晶体管的漏极电流和漏极电压之间的第一I-V特性曲线，后续利用所述第一I-V特性曲线与不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最小时，其中脉冲持续时间最短的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第二脉冲持续时间，脉冲持续时间大于或等于所述第二脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第二脉冲漏极电压。在本实施例中，请参考图2，脉冲持续时间分别为1毫秒、10毫秒的脉冲漏极电压对应的漏极电流相等且电流值最小，因此，脉冲持续时间大于或等于1毫秒的脉冲漏极电压为第二脉冲漏极电压，利用所述第二脉冲漏极电压替代直流漏极电压来模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得具有自加热效应的MOS晶体管的漏极电流与漏极电压之间的第二I-V特性曲线，后续利用所述第二I-V特性曲线与具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。
将具有不同脉冲持续时间的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压分别施加到所述MOS晶体管的漏极，分别测试出第一漏极电流和第二漏极电流，对应的获得漏极电流和漏极电压之间的第一I-V特性曲线和第二I-V特性曲线。由于同一测试系统产生的脉冲漏极电压的电压值大小不会存在系统误差，使得第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压的对应的漏极电流的测量值之差不会有误差，从而可以利用第一I-V特性测试和第二I-V特性测试的测试结果之间的差值来提取自加热模型的模型参数，因此可以提高最终提取到的模型参数的精确度。且本发明实施例利用同一套测试系统获得两组测试数据，可以直接将所述两组测试数据进行比较，避免两套检测系统获得的两组测试数据后需要导出后再进行比较，节省了时间。
执行步骤S103，利用所述第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线对自加热效应模型的参数进行提取。
在本实施例中，首先给出第一模型参数初始值，所述第一模型参数初始值为经验值，所述第一模型参数初始值中关于自加热效应模型的模型控制参数为0，使得对应的器件模型不含有自加热效应模型，将包括第一脉冲漏极电压的测试参数代入到所述具有第一模型参数初始值的器件模型中，获得第一模拟数据，其中所述第一模拟数据中包括漏极电压和漏极电流之间的第一模拟I-V特性曲线。将所述第一模拟I-V特性曲线和第一I-V特性曲线进行拟合，提取不含有自加热效应模型的器件模型的模型参数。
然后，给出第二模型参数初始值，所述第二模型参数初始值中关于自加热效应模型的模型参数为经验值，其余大部分模型参数为上一步骤获得的不含有自加热效应模型的器件模型的模型参数，所述第二模型参数初始值中关于自加热效应模型的模型控制参数为1，使得对应的器件模型含有自加热效应模型。将包括第二脉冲漏极电压的测试参数代入到所述具有第二模型参数初始值的器件模型，获得第二模拟数据，其中所述第二模拟数据中包括漏极电压和漏极电流之间的第二模拟I-V特性曲线。将所述第二模拟I-V特性曲线和第二I-V特性曲线进行拟合，从而提取自加热效应模型的模型参数。
在本实施例中，具体的拟合工艺为：对所述第一模拟I-V特性曲线和第一I-V特性曲线进行比较，对第二模拟I-V特性曲线和第二I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改参数，直到第一模拟I-V特性曲线和第一I-V特性曲线能够很好的拟合、直到第二模拟I-V特性曲线和第二I-V特性曲线能够很好的拟合，从而对模型参数进行优化和提取。
在其他实施例中，由于器件特性是非线性的，采用最小二乘法的曲线拟合对所述第一模拟I-V特性曲线和第一I-V特性曲线进行拟合，对所述第二模拟I-V特性曲线和第二I-V特性曲线，从而对所述模型参数进行优化和提取。其中，所述最小二乘法的曲线拟合的方法具体包括：
当Yi为测量值（i=1、2、3…N，其中N为测量点数），f（Xi，Pj）为模型方程，其中Xi为测试条件，Pj为模型参数（j＝1、2、3…M，其中M为模型参数个数），且M<N，则最小二乘大的目标函数的一般形式为：
这样，问题就转化为选取一套器件模型参数值P，使得目标函数为最小。对于很多器件，对参数只有一定的约束条件，因此参数提取实际上是一个约束化最小值的求解，即：
Min E(P)
约束条件 gj(P)≤0j＝1,2,3….,M
通过不断优化、修正P使得E趋于最小（即目标函数最小），求得E的极小值，使得第一模拟I-V特性曲线和第一I-V特性曲线非常接近，第二模拟I-V特性曲线和第二I-V特性曲线非常接近，对应的自加热模型的参数即为提取的模型参数。
其中，对所述模型参数进行优化可以分为局部优化和全局优化。局部优化即为针对MOS晶体管的一个工作区域的测试数据，固定其他大部分数据，只对与所选区域特性相关的模型参数进行优化，通过局部优化获得相关的模型参数后，然后选择器件的其他工作区域，依此类推，可以得到与各个区域都相关的模型参数值，但仅采用局部优化的器件模型在整个区域中的拟合效果不佳。全局优化为选择某一特定曲线，在所有区域内将各个参数值在一个较小的优化范围内进行优化，使得最终的拟合效果好。
在本实施例中，先采用局部优化，再采用全局优化，使得不管在局部区域还是在全局区域内器件模型的第一模拟I-V特性曲线和实际测得的第一I-V特性曲线拟合效果较佳，使得器件模型的第二模拟I-V特性曲线和实际测得的第二I-V特性曲线拟合效果较佳，从而可以提取较精确的自加热效应的模型参数
在其他实施例中，也可以仅采用全局优化或局部优化对模拟数据和第一I-V特性曲线、第二I-V特性曲线进行拟合，从而提取自加热效应的模型参数。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (10)
1.一种自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，包括：
提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；
利用同一测试系统产生电压值相同的第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压，利用第一脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第一I-V特性测试，模拟不具有自加热效应的MOS晶体管，获得第一I-V特性曲线，利用第二脉冲漏极电压对所述MOS晶体管进行第二I-V特性测试，模拟具有自加热效应的MOS晶体管，获得第二I-V特性曲线；
将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；
给出具有自加热效应模型的器件模型参数初始值，所述具有自加热效应模型的器件模型的参数初始值中关于自加热效应模型的模型参数为经验值，其余模型参数为所述不具有自加热效应模型的器件模型的模型参数；
将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，提取自加热效应模型的模型参数。
2.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，还包括：将若干个具有不同脉冲持续时间的脉冲漏极电压施加在所述MOS晶体管的漏极上，获得对应的漏极电流，并根据漏极电流的大小选择第一脉冲漏极电压和第二脉冲漏极电压。
3.如权利要求2所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最大时，其中脉冲持续时间最长的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第一脉冲持续时间，脉冲持续时间小于或等于所述第一脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第一脉冲漏极电压。
4.如权利要求2所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，当至少两个脉冲漏极电压的漏极电流相等且电流值最小时，其中脉冲持续时间最短的脉冲漏极电压对应的脉冲持续时间为第二脉冲持续时间，脉冲持续时间大于或等于所述第二脉冲持续时间的脉冲漏极电压为第二脉冲漏极电压。
5.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，采用全局优化或局部优化将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，采用全局优化或局部优化将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。
6.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，利用最小二乘法的曲线拟合将第一I-V特性曲线和不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合，利用最小二乘法的曲线拟合将第二I-V特性曲线和具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据进行拟合。
7.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，将不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第一I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改模型参数，直到所述不具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第一I-V特性曲线相拟合；将具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第二I-V特性曲线进行比较，如果不一致，则修改模型参数，直到所述具有自加热效应模型的器件模型的模拟数据和第二I-V特性曲线相拟合。
8.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述第一I-V特性曲线和第二I-V特性曲线为漏极电流和漏极电压的I-V特性曲线。
9.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述器件模型为HiSIMSOI模型或BSIMSOI模型。
10.如权利要求1所述的自加热效应的模型参数提取方法，其特征在于，所述采用SOI衬底的MOS晶体管为体引出结构器件或浮体结构器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210564101.2A CN103020371B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 自加热效应的模型参数提取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210564101.2A CN103020371B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 自加热效应的模型参数提取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103020371A CN103020371A (zh) | 2013-04-03 |
| CN103020371B true CN103020371B (zh) | 2017-12-08 |
Family
ID=47968973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210564101.2A Active CN103020371B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 自加热效应的模型参数提取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103020371B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106483439B (zh) * | 2015-08-31 | 2019-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Ldmos晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统 |
| CN106526442B (zh) * | 2015-09-09 | 2019-05-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Ldmos晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统 |
| CN106446420B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-10-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种包含自加热效应的soi电阻建模方法及装置 |
| CN107797045B (zh) * | 2017-09-13 | 2019-06-07 | 浙江大学 | 一种量测晶体管自热效应及沟道平均温度变化的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065087A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Seiko Epson Corp | キャパシタの検査方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN102353885A (zh) * | 2011-07-05 | 2012-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种绝缘体上硅场效应晶体管热阻提取方法 |
| CN102831935B (zh) * | 2012-05-18 | 2014-12-17 | 华中科技大学 | 相变存储器单元的脉冲i-v特性测试方法和装置 |
-
2012
- 2012-12-21 CN CN201210564101.2A patent/CN103020371B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103020371A (zh) | 2013-04-03 |
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| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
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|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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