CN102965638A - 一种C包覆HfC晶须的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法,技术特征在于:不采用催化剂制备C包覆HfC晶须,采用HfCl4-C3H6-H2-Ar体系沉积HfC-C晶须。本发明的有益效果:不采用催化剂制备C包覆HfC晶须,而且设备简单易于操作。另外采取一步法制备,可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须,有望改善增强体的界面结合,以提高HfC晶须的增强效果。
Description
技术领域
本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法。
背景技术
碳化铪熔点高达3887℃,其晶须也因其高的强度常被用作增强体材料,以提高复合材料和涂层的性能。但这对晶须结构的均一性有很高的要求。而且如果直接将纯的晶须添加到复合材料中去,易形成较强的界面结合,反而会使材料的脆性增加,给增强效果带来不利的影响。因此,许多研究者采用制备晶须表面涂层,以改善界面结合,提高增强效果。
文献1“B.B.Nayak,et al.SiC/C nanocable structure produced in silicon carbide by arcplasma heating,Appl Phys A,2012(106):99–104”中提到采用等离子弧加热的方法在SiC纳米线表面得到C涂层来改善界面。但其制备过程难于控制,而且需要较高的温度,对纳米线的损伤较大。
文献2“Qiaomu Liu,Laifei Cheng.Chemical vapor deposition of zirconium carbideand silicon carbide hybrid whiskers,Materials Letters,2010,64(4):552-554”采用化学沉积的方法制备出ZrC/SiC混合晶须。但该晶须尺寸较大,而且呈现为弯曲状生长,用来作为增强体增强复合材料或者涂层效果较差。同时外层SiC为陶瓷,脆性较大,对界面结合的改善效果较差。
文献3“Wen Yang,et al.Single-crystal SiC nanowires with a thin carbon coating forstronger and tougher ceramic composites,Advanced Material,2005(17):1519-1523”采用CVI和CVD两步法在复合材料内部原位生成带C涂层的SiC纳米线,得到了强度和韧性更好的复合材料。但沉积过程中采用了催化剂及分开沉积的方法,易引入杂质,会降低增强效果。
上述方法制备陶瓷同轴电缆晶须或纳米线时,存在晶须结构杂乱,制备过程复杂,难于控制及易引入杂质等问题。
发明内容
要解决的技术问题
为了避免现有技术的不足之处,本发明提出一种不采用催化剂制备C包覆HfC晶须的一种方法,克服现有技术中晶须结构杂乱,制备过程复杂,难于控制及易引入杂等问题。
技术方案
一种C包覆HfC晶须的制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将片状碳/碳复合材料打磨抛光后用无水乙醇清洗,放入烘箱中80~100℃烘干;
步骤2:将步骤1得到的碳/碳复合材料,放置在距离C3H6气体进口80-85cm之处,同时10-50g的HfCl4粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区,抽真空至-0.1MPa,之后保真空30分钟通入氩气至常压;
步骤3:然后以5℃/min的升温速度将高温区升至1000-1200℃,在高温区到温前30min,开始以10℃/min的升温速度对低温区加热升至280~320℃;
步骤4:双温区均到温后沉积开始,且H2气以200~400ml/min、C3H6气以30-50ml/min、Ar气以100-200ml/min通入;然后每20min,以20ml/min的速度调节的C3H6流量,时间为1h,压力0.1MPa。
有益效果
本发明提出的一种不采用催化剂制备C包覆HfC晶须,设备简单易于操作。另外采取一步法制备,可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须,有望改善增强体的界面结合,以提高HfC晶须的增强效果。
附图说明
图1是本发明制备方法制备C包覆HfC晶须的XRD曲线;
图2是本发明制备方法制备C包覆HfC晶须的形貌特征图。
具体实施方式
现结合实施例、附图对本发明作进一步描述:
实施例1:
将基底碳/碳复合材料分别用400号、800号和1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,于100℃烘箱中烘干备用。
将上述步骤得到的碳/碳复合材料试样放置在距离沉积室左侧的C3H6进气口80-85cm处。之后将10g的HfCl4粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区。抽真空至-0.1MPa,之后保真空30分钟,观察密封的效果,如果密封达到要求,通入氩气至常压。此过程重复三次。之后以5℃/min的升温速度升至1000℃,在高温区到温前30min,开始对低温区加热,以10℃/min升至280℃。升温过程中Ar气保护,双温区均到温后通入H2:200ml/min,Ar:100ml/min,C3H6:30ml/min。沉积开始每20min,调节C3H6流量计增大20ml/min的流量。沉积时间为1h,压力0.1MPa。
经检测,在作为基底的碳/碳试样表面,成功制备出了C包覆HfC晶须。
实施例2:
将基底碳/碳复合材料分别用400号、800号和1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,于100℃烘箱中烘干备用。
将上述步骤得到的碳/碳复合材料试样放置在距离沉积室左侧的C3H6进气口80-85cm处。之后将20g的HfCl4粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区。抽真空至-0.1MPa,之后保真空30分钟,观察密封的效果,如果密封达到要求,通入氩气至常压。此过程重复三次。之后以5℃/min的升温速度升至1100℃,在高温区到温前30min,开始对低温区加热,以10℃/min升至300℃。升温过程中Ar气保护,双温区均到温后通入H2:200ml/min,Ar:100ml/min,C3H6:40ml/min。沉积开始每20min,调节C3H6流量计增大20ml/min流量。沉积时间为1h,压力0.1MPa。
经检测,在作为基底的碳/碳试样表面,成功制备出了C包覆HfC晶须。
实施例3:
将基底碳/碳复合材料分别用400号、800号和1000号的砂纸依次打磨抛光后用无水乙醇洗涤干净,于100℃烘箱中烘干备用。
将上述步骤得到的碳/碳复合材料试样放置在距离沉积室左侧的C3H6进气口80-85cm处。之后将30g的HfCl4粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区。抽真空至-0.1MPa,之后保真空30分钟,观察密封的效果,如果密封达到要求,通入氩气至常压。此过程重复三次。之后以5℃/min的升温速度升至1200℃,在高温区到温前30min,开始对低温区加热,以10℃/min升至320℃。升温过程中Ar气保护,双温区均到温后通入H2:200ml/min,Ar:100ml/min,C3H6:50ml/min。沉积开始每20min,调节C3H6流量计增大20ml/min流量。沉积时间为1h,压力0.1MPa。
经检测,在作为基底的碳/碳试样表面,成功制备出了同轴电缆结构C包覆HfC晶须。
参照图1,基底碳/碳试样表面的C包覆HfC晶须成分主要为HfC和C。
参照图2,C包覆HfC晶须尺寸均匀,直径大约为600-700nm。芯部主要成分为HfC,外层主要为C。
Claims (1)
1.一种C包覆HfC晶须的制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将片状碳/碳复合材料打磨抛光后用无水乙醇清洗,放入烘箱中80~100℃烘干;
步骤2:将步骤1得到的碳/碳复合材料,放置在距离C3H6气体进口80-85cm之处,同时10-50g的HfCl4粉末放入卧式化学气相沉积炉低温区,抽真空至-0.1MPa,之后保真空30分钟通入氩气至常压;
步骤3:然后以5℃/min的升温速度将高温区升至1000-1200℃,在高温区到温前30min,开始以10℃/min的升温速度对低温区加热升至280~320℃;
步骤4:双温区均到温后沉积开始,且H2气以200~400ml/min、C3H6气以30-50ml/min、Ar气以100-200ml/min通入;然后每20min,以20ml/min的速度调节的C3H6流量,时间为1h,压力0.1MPa。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103194734A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-07-10 | 西北工业大学 | 一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法 |
CN105780123A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-07-20 | 武汉科技大学 | 一种碳化铪纳米晶须及其制备方法 |
CN114671710A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-28 | 西北工业大学 | 一种双周期多层TaC/HfC超高温陶瓷抗烧蚀涂层及制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1834287A (zh) * | 2005-03-18 | 2006-09-20 | 西北工业大学 | 碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法 |
CN101153384A (zh) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | 中南大学 | 双元碳化物共沉积纤维增强复合材料的制造方法 |
CN101634003A (zh) * | 2009-08-28 | 2010-01-27 | 武汉理工大学 | 镀钛碳化硅晶须的制备方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1834287A (zh) * | 2005-03-18 | 2006-09-20 | 西北工业大学 | 碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法 |
CN101153384A (zh) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | 中南大学 | 双元碳化物共沉积纤维增强复合材料的制造方法 |
CN101634003A (zh) * | 2009-08-28 | 2010-01-27 | 武汉理工大学 | 镀钛碳化硅晶须的制备方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103194734A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-07-10 | 西北工业大学 | 一种自组装三维碳化铪晶须网络结构的制备方法 |
CN105780123A (zh) * | 2016-02-04 | 2016-07-20 | 武汉科技大学 | 一种碳化铪纳米晶须及其制备方法 |
CN105780123B (zh) * | 2016-02-04 | 2018-02-09 | 武汉科技大学 | 一种碳化铪纳米晶须及其制备方法 |
CN114671710A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-28 | 西北工业大学 | 一种双周期多层TaC/HfC超高温陶瓷抗烧蚀涂层及制备方法 |
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