CN102964121B - 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法 - Google Patents

具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102964121B
CN102964121B CN201210533462.0A CN201210533462A CN102964121B CN 102964121 B CN102964121 B CN 102964121B CN 201210533462 A CN201210533462 A CN 201210533462A CN 102964121 B CN102964121 B CN 102964121B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnesium titanate
flux
mole
titanate series
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210533462.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102964121A (zh
Inventor
陈仁政
杨喻钦
李凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing yuan six Hongyuan electronic Polytron Technologies Inc
Original Assignee
Beijing Yuanliu Hongyuan Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Yuanliu Hongyuan Electronic Technology Co Ltd filed Critical Beijing Yuanliu Hongyuan Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201210533462.0A priority Critical patent/CN102964121B/zh
Publication of CN102964121A publication Critical patent/CN102964121A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102964121B publication Critical patent/CN102964121B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明提供了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,涉及电子信息材料与元器件技术领域,具体的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料包括70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂。本发明所要解决的技术问题是提供一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,使得陶瓷能够在较低温度烧结下,能够保持高品质因素,良好可靠性的同时,拥有稳定的温度系数。

Description

具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子信息材料与元器件技术领域,特别是涉及一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法。
背景技术
近年来,移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLA)等现代通信业都得到了飞速发展。这种飞速发展极大的带动了现代通信相关元器件的需求。对各类军用民用整机的震荡、耦合、滤波、旁路电路中所需要的微波谐振器、滤波器、振荡器、移相器、微波电容器以及微波基板等元器件,有着庞大的市场需求。微波陶瓷电容器等微波元器件由于体积小、质量轻、性能稳定、价格便宜等优点,发展得相当迅速,其市场也迅速扩大,并且在现代通信工具的微型化、片式化、集成化起着举足轻重的作用。目前,微波陶瓷电容器已经成为了电容器市场的重要组成,全球市场的需求量增长速度近15%。市场需求巨大,产业化市场前景非常广阔。
对于射频、微波多层陶瓷电容器来说,还要求具备以下性能:高耐压、大电流、大功率、超高Q值、稳定温度系数,超低等效串联电阻ESR等。MgTiO3具有优异的介电性能并符合BA特性温度系数的要求,在13GHz下εr=18,Qf=160000GHz,TCC=100ppm/℃。但是MgTiO3的烧结温度区间窄,较难合成,而且烧结过程易生成二钛酸镁(MgTi2O5)。此外还存在烧结温度高(1400℃以上),烧结耗能大,使用的银钯内电极成本高昂等缺点,因此在实际生产使用中,制约了产品的生产条件,不利于产业化大规模生产。对于MgTiO3,作为BA温度特性的微波电容器瓷质,需要保证MgTiO3的合成过程中,减少二钛酸镁的出现,并且拓宽烧结温度区间。同时降低烧结温度以降低生产成本,适应产业化生产的需要。这也成为本发明提供的技术方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,尤其是符合BA温度特性微波介质材料及其制备方法,该材料可以有效改善烧结区间并提高品质因素,使得陶瓷能够在较低温度烧结下,保持良好介电性能的同时,拥有符合BA特性的温度系数。
为了解决上述问题,本发明公开了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,包括70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂。
进一步地,所述瓷粉含有2-10%的掺杂元素,包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3
进一步地,所述LMZBS助熔剂包括10-40%摩尔百分比的Li2O,5-20%摩尔百分比的MgO,5-20%摩尔百分比的ZnO,10-35%摩尔百分比的B2O3和10-45%摩尔百分比的SiO2
进一步地,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
本发明还公布了一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法,包括:
按照化学计量配比主瓷粉(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:TiO2=1:5和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=2:5;
加入2-10%的掺杂元素,掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,以去离子水为介质,球磨24小时后,在1100℃下温度煅烧2-4小时;
按照化学计量配比LMZBS助熔剂,具体的摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2,将配比后氧化物混合后以去离子水为介质,球磨4-6小时后,放入高温炉中以800℃煅烧,然后冷却后粉碎;
球磨后已合成的主粉体,按化学计量比例加入摩尔比为90-98%的主粉体和2-15%的助熔剂,按照粉料与球磨介质重量比1:2加入去离子水,混合后球磨6-8个小时;
烘干后获得所制备的微波介质陶瓷粉末。
进一步地,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
综上,本发明提供的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法,以钛酸镁微波介电陶瓷为基础,调节镁与钛的比例,使二钛酸镁相消失,掺杂Nb,Co,Al和Mn等元素以提高品质因素,烧结性能和绝缘电阻,减少电容器的老化,使得该陶瓷能够在保持良好介电性能的同时,符合BA温度特性。
附图说明
图1是本发明的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法的流程图。
具体实施方式
本发明提供了一种符合BA温度特性的钛酸镁体系微波介质材料。该材料以MgTiO3,利用Mg2SiO4调节烧结温度区间和介电性能,掺杂元素锰、钴、铌和铝来提高材料的烧结特性,介电性能和机械性能等,使用LMZBS助熔剂降低烧结温度。
本方案所述的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,包括:70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂。
进一步地,所述瓷粉含有2-10%的掺杂元素,包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3
进一步地,所述LMZBS助熔剂包括10-40%摩尔百分比的Li2O,5-20%摩尔百分比的MgO,5-20%摩尔百分比的ZnO,10-35%摩尔百分比的B2O3和10-45%摩尔百分比的SiO2
进一步地,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
参见图1,本方案的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法,包括:
步骤S101,按照化学计量配比主瓷粉(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:TiO2=1:5和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=2:5;
步骤S102,加入2-10%的掺杂元素,掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,以去离子水为介质,球磨24小时后,在1100℃下温度煅烧2-4小时;
步骤S 103,按照化学计量配比LMZBS助熔剂,具体的摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2,将配比后氧化物混合后以去离子水为介质,球磨4-6小时后,放入高温炉中以800℃煅烧,然后冷却后粉碎;
步骤S104,球磨后已合成的主粉体,按化学计量比例加入摩尔比为90-98%的主粉体和2-15%的助熔剂,按照粉料与球磨介质重量比1:2加入去离子水,混合后球磨6-8个小时;
步骤S105,烘干后获得所制备的微波介质陶瓷粉末。
优选的,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物和/或化合物
下面结合具体实例对本发明做进一步的阐述:
将碱式碳酸镁、二氧化钛、二氧化硅按摩尔比(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:TiO2=1:5和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=2:5配制后,再加入掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,充分混合球磨24小时后,与摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2的LMZBS助熔剂再次球磨4-6小时后在800℃下温和煅烧2-4小时。将粉碎筛过的粉末造粒后压片,在1100±50°C下烧结2-4小时。产品配方组成见表1,助熔剂组成配方见表2,得到产品性能如表3:
Figure BDA00002566037700051
表1产品配方组成
  助熔剂方案   Li2O   MgO   ZnO   B2O3   SiO2
  1   20   20   20   20   20
  2   15   10   20   35   20
  3   15   15   20   15   35
  4   40   5   5   10   40
  5   30   10   10   35   15
表2助熔剂组成配方
  编号   介电常数   Qf   TCC(ppm/℃)
  1   13.9   68500   96
  2   14.3   76000   95
  3   15   98600   93
  4   15.5   129800   94
  5   15.8   141100   100
  6   15.4   132200   98
  7   15.9   112400   100
  8   15.8   114400   101
  9   16.2   59300   104
  10   16.9   81100   107
表3得到产品性能
以上对本发明所提供的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (4)

1.一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,其特征在于,包括:70-86%摩尔的MgTiO3,8-14%摩尔的Mg2SiO4,2-10%摩尔的掺杂元素和2-14%摩尔的LMZBS助熔剂,所述掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,所述助熔剂,具体的摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2
2.如权利要求1所述的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料,其特征在于,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物。
3.一种具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法,其特征在于,包括:
70-86%摩尔的MgTiO3和8-14%摩尔的Mg2SiO4,按照化学计量配比主瓷粉(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:TiO2=1:5和(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=2:5;
加入2-10%的掺杂元素,所述掺杂元素包括摩尔分数为0-0.8%的MnO,1-5%的CoO,0-0.3%的Nb2O5和1-3%的Al2O3,以去离子水为介质,球磨24小时后,在1100℃下温度煅烧2-4小时;
按照化学计量配比LMZBS助熔剂,具体的摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2,将配比后氧化物混合后以去离子水为介质,球磨4-6小时后,放入高温炉中以800℃煅烧,然后冷却后粉碎;
球磨后合成的主粉体,按化学计量比例加入摩尔比为90-98%的主粉体和2-15%的助熔剂,按照粉料与球磨介质重量比1:2加入去离子水,混合后球磨6-8个小时;
烘干后获得所制备的微波介质陶瓷粉末。
4.如权利要求3所述的具有BA温度特性的钛酸镁系微波介质材料制备方法,其特征在于,所述掺杂元素和助熔剂元素的组成形式为氢氧化物,氧化物,碳酸化合物。
CN201210533462.0A 2012-12-11 2012-12-11 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法 Active CN102964121B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210533462.0A CN102964121B (zh) 2012-12-11 2012-12-11 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210533462.0A CN102964121B (zh) 2012-12-11 2012-12-11 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102964121A CN102964121A (zh) 2013-03-13
CN102964121B true CN102964121B (zh) 2014-01-08

Family

ID=47794592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210533462.0A Active CN102964121B (zh) 2012-12-11 2012-12-11 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102964121B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109133912B (zh) * 2017-06-27 2022-09-16 深圳光启高等理工研究院 一种微波介质陶瓷及其制备方法
CN111704460B (zh) * 2020-05-25 2022-07-26 广东风华高新科技股份有限公司 一种NP0型MLCC用MgTiO3基射频瓷粉及其制备方法
CN114685159B (zh) * 2020-12-30 2023-07-25 辽宁省轻工科学研究院有限公司 一种钛酸镁基微波介质复合粉体材料及制备方法
CN114804857B (zh) * 2021-01-28 2023-03-14 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN114213115B (zh) * 2022-01-04 2023-04-11 浙江嘉康电子股份有限公司 一种微波介质材料及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100373505C (zh) * 2006-05-08 2008-03-05 浙江大学 中介电常数叠层微波介质陶瓷及其制备方法
CN100456393C (zh) * 2006-12-04 2009-01-28 天津大学 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法
CN102659396B (zh) * 2012-03-28 2013-06-12 厦门松元电子有限公司 一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102964121A (zh) 2013-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102659396B (zh) 一种低介电微波陶瓷介质材料及其制备方法
CN102964121B (zh) 具有ba温度特性的钛酸镁系微波介质材料及其制备方法
CN106587987B (zh) C0g微波介质材料及制备方法及陶瓷材料的制备方法
CN104341144B (zh) 低温烧结c0g特性微波介质材料及其制备方法
CN103011810B (zh) 可低温烧结含锂石榴石结构微波介电陶瓷Li2Ca2BiV3O12及其制备方法
CN103896579B (zh) 一种锂基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN108358632B (zh) 一种超低温烧结高Q×f值微波介质材料及其制备方法
CN103408301B (zh) 一种超高压陶瓷电容器介质及其制备方法
CN102603286A (zh) 一种高介电常数BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质材料及其制备方法
CN102898126B (zh) CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法
CN105084892B (zh) 高介单层微型陶瓷电容器基片材料及其制备方法
KR20100133905A (ko) 유전물질용 소결체 및 이의 제조 방법
CN103113103B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法
CN102584214B (zh) 一种小型精密天线用环保型微波介质陶瓷材料
CN101774803A (zh) 一种(Ba,Sr)TiO3基陶瓷介质及其制备方法
CN105198423A (zh) Sr-La-Al基微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN105837213B (zh) 添加ReAlO3的微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102173789A (zh) 钛酸锶钡基储能介质陶瓷的制备方法
CN102963928B (zh) 锆钛酸钡基y5v粉体材料及其制备方法
CN106631002A (zh) Mg‑Zn‑Ti基射频多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法
CN102568821B (zh) 一种高介电高压陶瓷电容器介质
CN102838347B (zh) 微波介质陶瓷粉末及其制备方法
CN103044025A (zh) 钼基低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN109987930B (zh) 低温烧结微波介质材料
TW555719B (en) Dielectric ceramic composition

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: 100070 Beijing city Fengtai District Haiying Road No. 1 Building No. 5 hospital 3 layer 3-2 (Park)

Patentee after: Beijing yuan six Hongyuan electronic Polytron Technologies Inc

Address before: 102600 Beijing City, Daxing District biological medicine base Tiangui Street No. 1

Patentee before: Beijing Yuanliu Hongyuan Electronic Technology Co., Ltd.