CN102962224A - 一种原生多晶碳头料的清洗方法 - Google Patents
一种原生多晶碳头料的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102962224A CN102962224A CN2012104386967A CN201210438696A CN102962224A CN 102962224 A CN102962224 A CN 102962224A CN 2012104386967 A CN2012104386967 A CN 2012104386967A CN 201210438696 A CN201210438696 A CN 201210438696A CN 102962224 A CN102962224 A CN 102962224A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- head material
- carbon head
- polycrystalline carbon
- cleaning
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种原生多晶碳头料的清洗方法,包括以下步骤:在槽中配置硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液,将多晶碳头料放入,浸泡;捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次;将多晶碳头放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗;在高锰酸钾溶液中浸泡,然后用去离子水冲洗2-3次;将多晶碳头料进行超声处理;捞出多晶碳头料,进行烘干,完成清洗过程。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法,采用化学清洗的方法。完全符合太阳能硅业的清洁要求,且对多晶碳头料本身的损耗很少,增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
Description
技术领域
本发明主要涉及一种清洗方法,尤其涉及一种原生多晶碳头料的清洗方法。
背景技术
多晶硅在生产过程中有部分硅料的附有石墨,且在运输中有些杂质附于表面。传统的处理方法是用地将附在靓面的石墨磨去,这样对硅的损耗降会很大,且速度很慢,严重浪费生产工时,处理不妥还会额外带来一些杂质,不能保证硅料表面杂质完全被清除。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种原生多晶碳头料的清洗方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种原生多晶碳头料的清洗方法,包括以下步骤:
(1)在槽中配置重量比为3-4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液,将多晶碳头料放入混合溶液,浸泡12-14小时;
(2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次;
(3)将多晶碳头放入质量比为10-15:0.8-1.2:0.2-0.3的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟,然后用去离子水冲洗2-3次;
(4)在浓度为0.3-0.5%的高锰酸钾溶液中浸泡1-2小时,然后用去离子水冲洗2-3次;
(5)将多晶碳头料进行超声处理;
(6)捞出多晶碳头料,进行烘干,完成清洗过程。
步骤(1)所述的硫酸为浓度为97-98%的电子级硫酸,所述的氯化锰的浓度为20-25%、所述的双氧水的浓度为20-25%。
步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸,所述的氢氟酸浓度为49-55%。
本发明的优点是:
本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法,采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头料进行的清洗,与传统的方法相比能够将多晶碳头料的上的石墨杂质去除,完全符合太阳能硅业的清洁要求,且对多晶碳头料本身的损耗很少,增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
实施例1
一种原生多晶碳头料的清洗方法,包括以下步骤:
(1)在槽中配置重量比为4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液,将多晶碳头料放入混合溶液,浸泡14小时;
(2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗3次;
(3)将多晶碳头放入质量比为15: 1.2:0.2的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟,然后用去离子水冲洗2-3次;
(4)在浓度为0.5%的高锰酸钾溶液中浸泡2小时,然后用去离子水冲洗2-3次;
(5)将多晶碳头料进行超声处理;
(6)捞出多晶碳头料,进行烘干,完成清洗过程。
步骤(1)所述的硫酸为浓度为98%的电子级硫酸,所述的氯化锰的浓度为25%、所述的双氧水的浓度为25%。
步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸,所述的氢氟酸浓度为55%。
本发明能够将多晶碳头料的上的石墨杂质去除,完全符合太阳能硅业的清洁要求,且对多晶碳头料本身的损耗很少。
Claims (3)
1.一种原生多晶碳头料的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)在槽中配置重量比为3-4:1:1的硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液,将多晶碳头料放入混合溶液,浸泡12-14小时;
(2)捞出多晶碳头料后用去离子水冲洗2-3次;
(3)将多晶碳头放入质量比为10-15:0.8-1.2:0.2-0.3的硝酸、氢氟酸、偏硅酸钠的混合溶液中清洗1-3分钟,然后用去离子水冲洗2-3次;
(4)在浓度为0.3-0.5%的高锰酸钾溶液中浸泡1-2小时,然后用去离子水冲洗2-3次;
(5)将多晶碳头料进行超声处理;
(6)捞出多晶碳头料,进行烘干,完成清洗过程。
2.根据权利要求1所述的一种原生多晶碳头料的清洗方法,其特征在于步骤(1)所述的硫酸为浓度为97-98%的电子级硫酸,所述的氯化锰的浓度为20-25%、所述的双氧水的浓度为20-25%。
3.根据权利要求1所述的一种原生多晶碳头料的清洗方法,其特征在于步骤(3)中所述的硝酸是浓度为70-75%的电子级硝酸,所述的氢氟酸浓度为49-55%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210438696.7A CN102962224B (zh) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | 一种原生多晶碳头料的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210438696.7A CN102962224B (zh) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | 一种原生多晶碳头料的清洗方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102962224A true CN102962224A (zh) | 2013-03-13 |
CN102962224B CN102962224B (zh) | 2014-11-12 |
Family
ID=47792820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210438696.7A Expired - Fee Related CN102962224B (zh) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | 一种原生多晶碳头料的清洗方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102962224B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106583053A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 晶科能源有限公司 | 一种硅料浮选清洗的方法 |
CN109821811A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-31 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | 一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法 |
CN114235737A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 新疆大全新能源股份有限公司 | 一种多晶硅中碳含量的检测方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4525336A (en) * | 1983-09-08 | 1985-06-25 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik Grundstoffe M.B.H. | Process for removing impurities from silicon fragments |
JP2000302594A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-10-31 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法 |
CN101235501A (zh) * | 2008-03-03 | 2008-08-06 | 西安隆基硅材料有限公司 | 用于多晶体“碳头料”硅碳分离的腐蚀液及其制备方法 |
CN101481824A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-07-15 | 嘉兴嘉晶电子有限公司 | 多晶碳头料的清洗方法 |
CN101497440A (zh) * | 2008-12-10 | 2009-08-05 | 山西天能科技有限公司 | 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 |
CN102121106A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-13 | 亚洲硅业(青海)有限公司 | 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 |
-
2012
- 2012-11-06 CN CN201210438696.7A patent/CN102962224B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4525336A (en) * | 1983-09-08 | 1985-06-25 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik Grundstoffe M.B.H. | Process for removing impurities from silicon fragments |
JP2000302594A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-10-31 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法 |
CN101235501A (zh) * | 2008-03-03 | 2008-08-06 | 西安隆基硅材料有限公司 | 用于多晶体“碳头料”硅碳分离的腐蚀液及其制备方法 |
CN101497440A (zh) * | 2008-12-10 | 2009-08-05 | 山西天能科技有限公司 | 一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法 |
CN101481824A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-07-15 | 嘉兴嘉晶电子有限公司 | 多晶碳头料的清洗方法 |
CN102121106A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-07-13 | 亚洲硅业(青海)有限公司 | 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106583053A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-04-26 | 晶科能源有限公司 | 一种硅料浮选清洗的方法 |
CN109821811A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-31 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | 一种多晶硅碳头料的处理溶液及处理方法 |
CN114235737A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-03-25 | 新疆大全新能源股份有限公司 | 一种多晶硅中碳含量的检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102962224B (zh) | 2014-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103199005A (zh) | 一种晶体硅片的清洗工艺方法 | |
CN101800264B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺 | |
CN101481824B (zh) | 多晶碳头料的清洗方法 | |
CN103394484B (zh) | 多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺 | |
CN103087850B (zh) | 一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法 | |
CN104900509A (zh) | 金刚石线切割硅片的表面处理方法及制绒方法 | |
CN107039241B (zh) | 一种超薄硅的化学切割方法 | |
CN107658367A (zh) | 一种异质结电池的湿化学处理方法 | |
CN102270702A (zh) | 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺 | |
CN102097526A (zh) | 一种晶体硅rie制绒的表面损伤层清洗工艺 | |
CN101695697A (zh) | 一种冶金级硅料清洁方法 | |
CN102962224B (zh) | 一种原生多晶碳头料的清洗方法 | |
CN103779441A (zh) | 一种太阳电池片清洗回收处理工艺 | |
CN104966762A (zh) | 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
CN101623695B (zh) | 含石墨硅料的清洗方法 | |
CN106365170A (zh) | 一种去除硅锭循环料杂质的方法 | |
CN102728573A (zh) | 一种晶体硅rie制绒表面损伤层的清洗工艺 | |
CN107393818A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池的酸碱二次制绒方法及其多晶硅 | |
CN104393094B (zh) | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 | |
CN108615788A (zh) | 一种黑硅的碱修饰方法 | |
CN108847432A (zh) | 一种用于多晶硅金刚线切片的制绒工艺 | |
CN102092716A (zh) | 一种清洗硅材料的方法 | |
CN101775662A (zh) | 一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法 | |
CN103382578A (zh) | 单晶硅片表面的处理方法 | |
CN105568364A (zh) | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和/或转换效率的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20141112 Termination date: 20151106 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |