CN102957447A

CN102957447A - 通信模块

Info

Publication number: CN102957447A
Application number: CN2012102989029A
Authority: CN
Inventors: 山下高志
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2011-08-22
Filing date: 2012-08-21
Publication date: 2013-03-06
Anticipated expiration: 2032-08-21
Also published as: US9287850B2; CN102957447B; US20130049882A1; JP5777975B2; JP2013046106A

Abstract

本发明提供一种通信模块，该通信模块包括多个双工器，其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。

Description

通信模块

技术领域

本发明的特定方面涉及通信模块。

背景技术

近来，随着移动通信系统的发展，移动电话单元迅速普及。诸如移动电话单元这样的无线通信装置覆盖多频带并且被系统化。单个无线通信设备具有多个无线通信装置。例如，覆盖多个频率带的移动电话单元是已知的。该移动电话单元具有多个天线双工器，以便覆盖多个频率带。

天线双工器用来分离具有不同频率的发射信号和接收信号，并且具有发射滤波器和接收滤波器。近来，使得能够减小尺寸的声波滤波器被用作发射滤波器或者接收滤波器。

通常，天线双工器具有设置在不同芯片中的发射滤波器和接收滤波器被安装在基板上的结构。近来，考虑安装的简化，正在制造发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中的天线双工器。日本专利申请公开No.2000-349586和No.2007-134795公开了一种结构，在该结构中，两个或更多个天线双工器被容纳在单个封装中，天线双工器中的发射滤波器被设置在单个芯片中，并且天线双工器中的接收滤波器被设置在单个芯片中。日本专利申请公开No.2011-9882（下文称为文件3）、No.2001-267868和No.H10-190390公开了包括具有不同厚度并且由不同材料构成的IDT（叉指型换能器）电极的多个声波滤波器被设置在单个芯片中。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种包括多个双工器的通信模块，其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。

附图说明

图1例示根据第一比较示例的通信模块的示意性截面图；

图2A和图2B例示根据第一比较示例的通信模块的第一双工器的发射滤波器和接收滤波器的示意性截面图；

图3例示根据第二比较示例的通信模块的示意性截面图；

图4例示根据第二比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图；

图5例示根据第三比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图；

图6A至图6C例示示出第一发射-接收芯片的制造方法的示意性截面图；

图7A至图7C例示示出第一发射-接收芯片的制造方法的示意性截面图；

图8例示具有根据第一实施方式的通信模块的无线通信单元的框图；

图9例示根据第一实施方式的通信模块的示意性截面图；

图10A例示发射芯片的示意性截面图；

图10B例示接收芯片的示意性截面图；

图11A至图11C例示发射芯片的第一制造方法的示意性截面图；

图12A至图12C例示发射芯片的第二制造方法的示意性截面图；

图13例示根据第一实施方式的修改实施方式的通信模块的示意性截面图；

图14例示具有根据第二实施方式的通信模块的无线通信部的框图；

图15例示根据第二实施方式的通信模块的框图；

图16例示设置了第三双工器和第四双工器的接收芯片和用于GSM的接收芯片的单个接收芯片的示意性截面图；以及

图17A至图17C例示具有多个双工器的通信模块的框图。

具体实施方式

考虑到安装的简化，优选的是，天线双工器的发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中。当发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中时，发射滤波器和接收滤波器彼此一起形成。因此，各个IDT电极由相同的材料构成并具有相同的厚度。

发射滤波器要求高电力耐受性。因此，发射滤波器的IDT电极由实现高电力耐受性的材料构成。在这种情况下，接收滤波器的IDT电极也由实现高电力耐受性的材料构成。然而，相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受性。当接收滤波器的IDT电极由实现高电力耐受性的材料构成时，IDT电极的电阻可能增加，并且传输损耗可能劣化。

当利用文件3公开的方法将发射滤波器和接收滤波器设置在单个芯片中时，实现了发射滤波器的高持续性和接收滤波器的低传输损耗。然而，制造工序可能很复杂。因此，成本可能增加。

首先，将给出根据第一比较示例的通信模块的描述。图1例示该通信模块的示意性截面图。图2A例示该通信模块的第一双工器的发射滤波器的示意性截面图。图2B例示该通信模块的第一双工器的接收滤波器的示意性截面图。如图1所例示，该通信模块具有安装在印刷基板200上的两个双工器（第一双工器220和第二双工器230）。第一双工器220的发射-接收频带与第二双工器230的发射-接收频带不同。

第一双工器220具有安装在基板202上的第一发射滤波器222和第一接收滤波器224。第一发射滤波器222的芯片与第一接收滤波器224的芯片不同。第一发射滤波器222和第一接收滤波器224被密封部分204密封。第一发射滤波器222和第一接收滤波器224是表面声波滤波器等。如图2A所例示，第一发射滤波器222具有以下结构：IDT电极208被设置在压电基板206上，并且反射电极210在IDT电极208的两侧被设置压电基板206上。第一发射滤波器222的IDT电极208和反射电极210具有两层结构，在该两层结构中，Ti和Al-1%Cu按照此顺序从压电基板206侧层压。如图2B所例示，第一接收滤波器224具有位于压电基板206上的IDT电极208和反射电极210，第一发射滤波器222也一样。第一接收滤波器224的IDT电极208和反射电极210具有Al-1%Cu等的单层结构。“Al-1%Cu”是Cu按照1%的重量百分比混合到Al中的合金。

第二双工器230具有安装在基板202上的第二发射滤波器232和第二接收滤波器234。第二发射滤波器232的芯片与第二接收滤波器234的芯片不同。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234被密封部分204密封。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234是表面声波滤波器等。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234的示意性截面图与图2A和图2B所例示的第一发射滤波器222和第一接收滤波器224的示意性截面图相同。因此，省略其解释。

发射滤波器要求高电力耐受性。为此，第一发射滤波器222和第二发射滤波器232的IDT电极208具有Ti和Al-1%Cu的两层结构，以实现高电力耐受性。另一方面，相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受性。为此，第一接收滤波器224和第二接收滤波器234的IDT电极具有Al-1%Cu的单层结构，以实现低损耗和低电阻。

根据第一比较示例，第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器能够实现高电力耐受性，第一双工器220和第二双工器230的接收滤波器能够实现由低电阻允许的低传输损耗。表面声波滤波器的IDT电极的最优厚度根据频率带波动。然而，IDT电极的厚度可以优化，因为关于第一双工器220和第二双工器230，发射滤波器的芯片不同于接收滤波器的芯片。然而，第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器和接收滤波器可以被单独地制造和单独地安装。因此，制造和安装的工序的数量可能增加，并且成本可能增加。

接着，将给出根据第二比较示例的通信模块的描述。图3例示该通信模块的示意性截面图。图4例示该通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图。如图3所例示，第二比较示例的通信模块与第一比较示例的通信模块的不同之处在于：发射滤波器和接收滤波器被设置在第一双工器220和第二双工器230的单个芯片中。下文中，包括发射滤波器和接收滤波器的单个芯片被称作发射-接收芯片。第一双工器220的发射-接收芯片被称作第一发射-接收芯片226。第二双工器230的发射-接收芯片被称作第二发射-接收芯片236。

如图4所例示，第一发射-接收芯片226具有以下结构：发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A以及接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B被设置在单个压电基板206上。通常，在这种情况下，发射滤波器的IDT电极208A和接收滤波器的IDT电极208B彼此一起形成。因此，发射滤波器的IDT电极208A和接收滤波器的IDT电极208B由相同的材料构成并具有相同的厚度。第二发射-接收芯片236具有与第一发射-接收芯片226相同的截面。图4例示该截面图。因此，省略其解释。

高电力耐受性对于发射滤波器是必需的，并且对于天线双工器是必要的。因此，发射滤波器的IDT电极208A具有Ti和Al-1%Cu的两层结构，以在第一发射-接收芯片226和第二发射-接收芯片236中实现高电力耐受性。接收滤波器的IDT电极208B具有Ti和Al-1%Cu的两层结构，因为接收滤波器的IDT电极208B与发射滤波器的IDT电极208A一起形成。

根据第二比较示例，发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中，并且发射滤波器和接收滤波器的IDT电极彼此一起形成。因此，可以简化制造和安装的工序。第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器能够实现高电力耐受性。然而，接收滤波器的IDT电极208B也具有Ti和Al-1%Cu的两层结构。因此，相比于如第一比较示例的情况中的接收滤波器的IDT电极具有Al-1%Cu的单层结构的情况，电阻变得更大并且传输损耗劣化。

接着，将给出对根据第三比较实施方式的通信模块的描述。第三比较示例的通信模块具有与第二比较示例的通信模块相同的截面。图3例示该截面。因此，省略其解释。图5例示第三比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的截面图。第二双工器的发射-接收芯片具有与第一双工器的发射-接收芯片相同的截面。因此，省略其解释。

如图5所例示，第一发射-接收芯片226与第二比较示例的通信模块的不同之处在于：发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A具有Ti和Al-1%Cu的两层结构，接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B具有Al-1%Cu的单层结构。

图6A至图7C例示示出第一发射-接收芯片226的制造方法的示意性截面图。如图6A所例示，将Ti膜212和Al-1%Cu膜214通过溅射法等按照此顺序形成在压电基板206上。如图6B所例示，将抗蚀剂216形成在Al-1%Cu膜214上。并且，抗蚀剂216被形成为图案。在该工序中，抗蚀剂216被形成为图案，以使得要作为发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A的区域被保护。

如图6C所例示，Ti膜212和Al-1%Cu膜214经过利用抗蚀剂216作为掩模的蚀刻工序。因而，形成发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A。在接收滤波器的区域中，去除全部Ti膜212和Al-1%Cu膜214。并且，压电基板206的上表面被露出。

如图7A所例示，抗蚀剂216形成在压电基板206、IDT电极208A和反射电极210A上。并且抗蚀剂216被形成为图案。在该工序中，抗蚀剂216被形成为图案，以使得压电基板206上的要形成IDT电极208B和反射电极210B的区域被露出。

如图7B所例示，Al-1%Cu膜214通过化学气相沉积法等形成在压电基板206和抗蚀剂216上。如图7C所例示，通过剥离法等去除抗蚀剂216和抗蚀剂216上的Al-1%Cu膜214。因而，形成接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B。通过该工序，形成了第一发射-接收芯片226。可以通过蚀刻法等来形成接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B。可以通过剥离法等来形成发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A。

根据第三比较示例，发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中。因此，可以简化安装工序。在第一双工器220和第二双工器230中，发射滤波器能够实现高电力耐受性，接收滤波器能够实现由低电阻允许的低传输损耗。然而，工序的数量变得更多并且成本增加，因为需要图6A至图7C的制造工序。

下面描述在不增加成本的情况下具有实现发射滤波器的高电力耐受性和接收滤波器的低传输损耗的天线双工器的通信模块。

[第一实施方式]

图8例示具有根据第一实施方式的通信模块的无线通信单元的框图。如图8所例示，该无线通信单元具有天线10、天线开关12、第一实施方式的通信模块14、功率放大器16、低噪放大器18、滤波器20和滤波器21以及RFIC 22。通信模块14具有第一双工器40和第二双工器50。第一双工器40具有第一发射滤波器42和第一接收滤波器44。第二双工器50具有第二发射滤波器52和第二接收滤波器54。第一发射滤波器42和第二发射滤波器52是阶梯型表面声波滤波器。第一接收滤波器44和第二接收滤波器54是双模耦合型表面声波滤波器。

第一双工器40的发射-接收频带不同于第二双工器50的发射-接收频带，并且不与第二双工器50的发射-接收频带交叠。也就是说，第一发射滤波器42的发射频带不同于第二发射滤波器52的发射频带，并且不与第二发射滤波器52的发射频带交叠。第一接收滤波器44的接收频带不同于第二接收滤波器54的接收频带，并且不与第二接收滤波器54的接收频带交叠。例如，第一双工器40是WCDMA（宽频带码分多址）系统的频带5的双工器。第二双工器50是WCDMA系统的频带8的双工器。也就是说，第一发射滤波器42的发射频带是824MHz至849MHz。第一接收滤波器44的接收频带是869MHz至894MHz。第二发射滤波器52的发射频带是880MHz至915MHz。第二接收滤波器54的接收频带是925MHz至960MHz。

第一双工器40和第二双工器50经过天线端子（频带5和频带8）连接到天线开关12。天线开关12连接到天线10。因而，天线开关12能够从第一双工器40和第二双工器50中选择电连接到天线10的双工器。

第一发射滤波器42和第二发射滤波器52经过功率放大器16和滤波器20连接到RFIC 22。连接到第一发射滤波器42的滤波器20是选择性地允许与第一发射滤波器42相同的通带通过的带通滤波器。连接到第二发射滤波器52的滤波器20是选择性地允许与第二发射滤波器52相同的通带通过的带通滤波器。

第一接收滤波器44和第二接收滤波器54经过低噪放大器18和滤波器21连接到RFIC 22。连接到第一接收滤波器44的滤波器21是选择性地允许与第一接收滤波器44相同的通带通过的带通滤波器。连接到第二接收滤波器54的滤波器21是选择性地允许与第二接收滤波器54相同的通带通过的带通滤波器。

将给出对WCDMA的发射信号和接收信号的发射和接收的描述。RFIC 22向滤波器20输出高频率波的发射信号。滤波器20对发射信号进行滤波，并向功率放大器16输出经滤波的发射信号。功率放大器16对发射信号进行放大，并向第一双工器40（或者第二双工器50）输出经放大的发射信号。第一双工器40（或者第二双工器50）对发射信号进行滤波，并向天线开关12的天线端子输出经滤波的发射信号。天线开关12向天线端子输出接收信号。第一双工器40（或者第二双工器50）对接收信号进行滤波，并向低噪放大器18输出经滤波的接收信号。低噪放大器18对接收信号进行放大，并向滤波器21输出经放大的接收信号。滤波器21对接收信号进行滤波并向RFIC 22输出经滤波的接收信号。滤波器21可以输出平衡信号。按照这种方式，第一双工器40和第二双工器50的各个发射滤波器允许从RFIC 22输出的发射信号通过，但是不允许输入到天线端子的接收信号通过。第一双工器40和第二双工器50的各个接收滤波器允许输入到天线端子的接收信号通过，但是不允许从RFIC 22输出的发射信号通过。

图9例示通信模块14的示意性截面图。如图9所例示，在通信模块14中，发射封装46和接收封装56被安装在印刷基板24上。发射封装46具有以下结构：发射芯片48通过由Au等构成的凸块26以芯片倒装方式安装在由HTCC（高温共烧陶瓷）等构成的基板28上。类似地，接收封装56具有以下结构：接收芯片58通过凸块26以芯片倒装方式安装在基板28上。发射芯片48和接收芯片58被由成型树脂等构成的密封部分30密封。基板28可以是除HTCC以外的基板。例如，由LTCC（低温共烧陶瓷）构成的基板或印刷基板可以被用作基板28。发射芯片48和接收芯片58可以被由树脂等而不是由成型树脂构成的顶部板密封。

接着，将给出对发射芯片48和接收芯片58的描述。图10A例示发射芯片48的示意性截面图。图10B例示接收芯片58的示意性截面图。如图10A所例示，发射芯片48具有以下结构：第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36被设置在由LT（钽酸锂）、LN（铌酸锂）等构成的单个压电基板32上。反射电极36沿声波的传播方向设置在IDT电极34的两侧。IDT电极34和反射电极36具有Ti和Al-1%Cu按照此顺序从压电基板32侧层压的两层结构。在IDT电极34和反射电极36中，Ti具有160nm的厚度，Al-1%Cu具有210nm的厚度。因此，IDT电极34和反射电极36的总厚度是370nm。因而，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34被设置在单个压电基板32上，由相同的材料构成，具有相同层数，并且具有相同的厚度。

关于表面声波滤波器，IDT电极的最优厚度根据频率波动。第一发射滤波器42的发射频带是824MHz至849MHz。第二发射滤波器52的发射频带是880MHz至915MHz。在精确意义上，第一发射滤波器42的IDT电极34的最优厚度可以不同于第二发射滤波器52的IDT电极34的最优厚度。然而，第一发射滤波器42的发射频带接近第二发射滤波器52的发射频带。第一发射滤波器42的IDT电极的最优厚度接近第二发射滤波器52的IDT电极的最优厚度。因此，第一发射滤波器42的IDT电极34的厚度可以与第二发射滤波器52的IDT电极34的厚度相同。在这种情况下，优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34的共同厚度是IDT电极关于第一发射滤波器42的发射频带的最优厚度与IDT电极关于第二发射滤波器52的发射频带的最优厚度之间的平均值。

如图10B所例示，接收芯片58具有以下结构：第一接收滤波器44的IDT电极34和反射电极36以及第二接收滤波器54的IDT电极34和反射电极36被设置在由LT、LN等构成的单个压电基板32上。反射电极36沿声波的传播方向设置在IDT电极34的两侧。IDT电极34和反射电极36具有Al-1%Cu等的单层结构。在IDT电极34和反射电极36中，Al-1%Cu具有372.5nm的厚度。因此，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34被设置在单个压电基板32上，由相同的材料构成，具有相同层数，并且具有相同的厚度。

第一接收滤波器44的接收频带（869MHz至894MHz）接近第二接收滤波器54的接收频带（925MHz至960MHz）。第一接收滤波器44的IDT电极34的最优厚度接近第二接收滤波器54的IDT电极34的最优厚度。因此，第一接收滤波器44的IDT电极34的厚度可以与第二接收滤波器54的IDT电极34的厚度相同。在这种情况下，优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34的共同厚度是IDT电极关于第一接收滤波器44的接收频带的最优厚度与IDT电极关于第二接收滤波器54的接收频带的最优厚度之间的平均值。

接着，将给出对制造发射芯片48的方法的描述。可以通过与发射芯片48相同的方法来制造接收芯片58。因此，省略制造接收芯片58的方法。图11A至图11C例示制造发射芯片48的第一方法的示意性截面图。如图11A所例示，Ti膜60和Al-1%Cu膜62通过溅射法等按照此顺序形成在压电基板32上。

如图11B所例示，抗蚀剂64形成在Al-1%Cu膜62上并且被形成为图案。在这种情况下，抗蚀剂64被形成为图案，以使得要作为第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36的区域被保护。

如图11C所例示，Ti膜60和Al-1%Cu膜62经过利用抗蚀剂64作为掩模的蚀刻工序。因而，由相同的材料构成、具有相同层数并且具有相同的厚度的第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36和第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36彼此一起形成在单个压电基板32上。

图12A至图12C例示制造发射芯片48的第二方法的示意性截面图。如图12A所例示，将抗蚀剂64形成在压电基板32上并且形成为图案。在这种情况下，抗蚀剂64被形成为图案，以使得压电基板32的要形成第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36和第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36的区域被暴露。

如图12B所例示，Ti膜60和Al-1%Cu膜62按照此顺序通过化学气相沉积法等形成在压电基板32和抗蚀剂64上。如图12C所例示，通过剥离法去除抗蚀剂64和抗蚀剂64上的Ti膜60和Al-1%Cu膜62。因而，由相同的材料构成、具有相同层数并且具有相同的厚度的第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36彼此一起形成在单个压电基板32上。

如图9所例示，印刷基板24和基板28具有内部互连线38。从而，发射芯片48和接收芯片58经过凸块26电连接到内部互连线38。电连接到内部互连线38并且要连接到外部电路的连接端子39被设置在印刷基板24的背面。当发射信号从外部电路输入到连接端子39时，该发射信号经过内部互连线38传送到发射芯片48。当接收信号从接收芯片58输出时，该接收信号经过内部互连线38传送到连接端子39。

如上所述，如图8所例示，根据第一实施方式的通信模块14具有发射频带彼此不同并且彼此不交叠、接收频带彼此不同并且彼此不交叠的两个双工器（第一双工器40和第二双工器50）。如图10A所例示，第一双工器40的第一发射滤波器42和第二双工器50的第二发射滤波器52的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。如图10B所例示，第一双工器40的第一接收滤波器44和第二双工器50的第二接收滤波器54的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。

在第一实施方式中，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52被设置在单个芯片中并且用作发射芯片48，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54被设置在单个芯片中并且充当接收芯片58。在这种情况下，相比第一比较示例，可以简化安装工艺。如参照图11A至图11C以及图12A至图12C所述，发射芯片48和接收芯片58的制造工序的数量比参照图6A至图7C所述的第一发射-接收芯片226的制造工序的数量更少。这就导致减少了安装成本和制造成本。

发射滤波器的IDT电极的材料、层数和厚度等可以与接收滤波器的IDT电极的材料、层数和厚度等不同，因为第一发射滤波器42和第二发射滤波器52被设置在单个芯片中，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54被设置在单个芯片中。也就是说，发射滤波器的IDT电极可以具有Ti和Al-1%Cu的两层结构，以实现高电力耐受性；接收滤波器的IDT电极可以具有Al-1%Cu的单层结构，以实现低电阻。因此，可以实现发射滤波器的高电力耐受性和接收滤波器的低传输损耗。

如上所述，根据第一实施方式，可以在不增加成本的情况下提供包括具有高电力耐受性和低传输损耗的天线双工器的通信模块。

当第一发射滤波器42和第二发射滤波器52用作发射芯片48，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54用作接收芯片58时，可以彼此独立地定位发射滤波器和接收滤波器。因而，可以改进发射滤波器与接收滤波器之间的隔离特性。

在第一实施方式中，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34是具有Ti和Al-1%Cu的两层结构的电极，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34是具有Al-1%Cu的单层结构的电极。然而，结构不限于此。优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34是材料、层数和厚度满足发射滤波器要求的特性的电极。优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34是材料、层数和厚度满足接收滤波器要求的特性的电极。具体地说，要求发射滤波器具有高电力耐受性。相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受性。然而，要求接收滤波器具有低电阻，以实现低传输损耗。因此，优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34具有比第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34更高的电力耐受性。优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34的电阻比第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34的电阻更低。

除了Ti和Al-1%Cu的两层结构以外，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34可以具有包括由Ti构成的下层和主要由Al构成的上层的其它两层结构。除了Al-1%Cu的单层结构以外，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34可以具有主要由Al构成的单层结构。

在第一实施方式中，第一双工器40是WCDMA系统的频带5的双工器，第二双工器50是WCDMA系统的频带8的双工器。然而，结构不限于此。当发射滤波器的各个发射频带彼此接近时，发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并在单个压电基板上具有相同的厚度。当接收滤波器的各个接收频带彼此接近时，接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并在单个压电基板上具有相同的厚度。因此优选的是，第一双工器40的发射频带接近第二双工器50的发射频带，第一双工器40的接收频带接近第二双工器50的接收频带。

参照WCDMA系统的频率带，在频带1至频带4和频带9中以及在频带5、频带6和频带8中，各个发射频带彼此接近，各个接收频带彼此接近。因此，第一双工器40可以是频带1至频带4和频带9的双工器中的一种，第二双工器50可以是频带1至频带4和频带9的另一种。另选地，第一双工器40可以是频带5、频带6和频带8的双工器中的一种，第二双工器50可以是频带5、频带6和频带8的双工器的另一种。

[表1]

然而，即使各个发射-接收频带彼此接近，当接收频带的分数带宽（（接收频带的带宽/接收频带的中心值）X 100）较大时或者在发射频带与接收频带之间的间隔较小时，也可能难以设置由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同厚度的IDT电极。鉴于此，优选的是，第一双工器40和第二双工器50是频带1和频带2、频带2和频带3以及频带5和频带6的组合中的一种。

在第一实施方式中，如图10A和图10B所例示，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。换言之，具有不同发射频带的第一双工器40和第二双工器50的发射滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，具有不同发射频带的第一双工器40和第二双工器50的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且具有相同的厚度。然而，结构不限于此。第一双工器40和第二双工器50的发射滤波器的各个IDT电极以及第一双工器40和第二双工器50的接收滤波器的各个IDT电极中的至少一个仅需要由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。

如上所述，优选的是，如果第一双工器40和第二双工器50的发射滤波器的各个IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，则第一双工器40的发射频带接近第二双工器50的发射频带。因此，参照表1，优选的是，第一双工器40和第二双工器50的发射滤波器是包括WCDMA系统的频带1至频带4和频带9的组中的两个或者包括WCDMA系统的频带5、频带6和频带8的组中的两个的发射滤波器。考虑分数带宽或者发射频带与接收频带之间的间隔，优选的是，第一双工器40和第二双工器50的发射滤波器是频带1和频带2的组、频带2和频带3的组、频带2和频带4的组以及频带5和频带8的组中的任意一个组。

类似地，优选的是，如果第一双工器40和第二双工器50的接收滤波器的各个IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，则第一双工器40的接收频带接近第二双工器50的接收频带。因此，参照表1，优选的是，第一双工器40和第二双工器50的接收滤波器是包括WCDMA系统的频带1至频带4和频带9的组中的两个或者包括WCDMA系统的频带5、频带6和频带8的组中的两个的接收滤波器。考虑分数带宽或者发射频带与接收频带之间的间隔，优选的是，第一双工器40和第二双工器50的接收滤波器是频带1和频带2的组、频带2和频带3的组、频带1和频带4的组以及频带5和频带8的组中的任意一个组。

在第一实施方式中，如图9所例示，具有发射芯片48的发射封装46和具有接收芯片58的接收封装56被安装在印刷基板24上。然而，结构不限于此。例如，发射芯片48和接收芯片58可以被直接安装在印刷基板24上。图13例示根据第一实施方式的修改实施方式的通信模块的示意性截面图。如图13所例示，发射芯片48被利用凸块26直接芯片倒装安装在印刷基板24上。类似地，接收芯片58被利用凸块26直接芯片倒装安装在印刷基板24上。发射芯片48和接收芯片58被设置在印刷基板24上的密封部分30密封。

根据该修改实施方式，不需要基板28。因此，相比于第一实施方式，可以降低成本。并且，相比于第一实施方式，可以减小通信模块的高度。

在第一实施方式中，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52是阶梯型表面声波滤波器，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54是双模耦合型表面声波滤波器。然而，结构不限于此。第一发射滤波器42和第二发射滤波器52可以是双模耦合型表面声波滤波器，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54可以是阶梯型表面声波滤波器。除了表面声波滤波器以外，可以使用诸如边界声波滤波器或者乐甫波滤波器这样的具有IDT电极的声波滤波器。

[第二实施方式]

图14例示具有根据第二实施方式的通信模块的无线通信部的框图。如图14所例示，该无线通信部具有天线10、天线开关12、根据第二实施方式的通信模块66、功率放大器16、低噪放大器18、滤波器20和滤波器21、RFIC 22、GSM（全球移动通信系统）的850MHz频带、900MHz频带、1800MHz频带和1900MHz频带的接收滤波器68、70、72和74以及低通滤波器76和78。低通滤波器76具有覆盖GSM的850MHz频带和900MHz频带的发射滤波器的功能。低通滤波器78具有覆盖GSM的1800MHz频带和1900MHz频带的发射滤波器的功能。

第二实施方式的通信模块66具有WCDMA系统的频带1的第三双工器80、频带2的第四双工器90、频带5的第五双工器100和频带8的第六双工器110。第三双工器80具有第三发射滤波器82和第三接收滤波器84。第四双工器90具有第四发射滤波器92和第四接收滤波器94。第三发射滤波器82的发射频带是1920MHz至1980MHz。第三接收滤波器84的接收频带是2110MHz至2170MHz。第四发射滤波器92的发射频带是1850MHz至1910MHz。第四接收滤波器94的接收频带是1930MHz至1990MHz。

第五双工器100具有第五发射滤波器102和第五接收滤波器104。第六双工器110具有第六发射滤波器112和第六接收滤波器114。第五发射滤波器102的发射频带是824MHz至849MHz。第五接收滤波器104的接收频带是869MHz至894MHz。第六发射滤波器112的发射频带是880MHz至915MHz。第六接收滤波器114的接收频带是925MHz至960MHz。因而，图14所例示的无线通信部用于覆盖WCDMA的频带1、2、5和8以及GSM的850MHz频带、900MHz频带、1800MHz频带和1900MHz频带的移动电话单元。

第三双工器80、第四双工器90、第五双工器100和第六双工器110经过天线端子（频带5、频带8、频带1和频带2）连接到天线开关12。接收滤波器68至74经过天线端子（GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900）连接到天线开关12。并且，低通滤波器76和78经过天线端子（GSM_LB Tx和GSM_HB Tx）连接到天线开关12。天线开关12连接到天线10。因而，天线开关能够选择电连接到天线10的天线端子。

第三发射滤波器82、第四发射滤波器92、第五发射滤波器102和第六发射滤波器112经过功率放大器16和滤波器20连接到RFIC 22。连接到第三发射滤波器82的滤波器20是选择性地允许与第三发射滤波器82相同的通带通过的带通滤波器。连接到第四发射滤波器92的滤波器20是选择性地允许与第四发射滤波器92相同的通带通过的带通滤波器。类似地，连接到第五发射滤波器102的滤波器20是选择性地允许与第五发射滤波器102相同的通带通过的带通滤波器。连接到第六发射滤波器112的滤波器20是选择性地允许与第六发射滤波器112相同的通带通过的带通滤波器。

第四接收滤波器94、第五接收滤波器104和第六接收滤波器114经过低噪放大器18和滤波器21连接到RFIC 22。连接到第四接收滤波器94的滤波器21是选择性地允许与第四接收滤波器94相同的通带通过的带通滤波器。连接到第五接收滤波器104的滤波器21是选择性地允许与第五接收滤波器104相同的通带通过的带通滤波器。类似地，连接到第六接收滤波器114的滤波器21是选择性地允许与第六接收滤波器114相同的通带通过的带通滤波器。并不总是需要第三接收滤波器84连接到低噪放大器18和滤波器21。

WCDMA的信号的发射和接收与第一实施方式相同。因此，省略其解释。这里，将给出对GSM的信号的发射和接收的描述。RFIC 22向功率放大器16输出高频的发射信号。功率放大器16对该发射信号进行放大，并向低通滤波器76或者低通滤波器78输出经放大的发射信号。低通滤波器76或者低通滤波器78对发射信号进行滤波，并向天线开关12的天线端子（GSM_LB Tx或GSM_HB Tx）输出经滤波的发射信号。850MHz频带的发射信号以及900MHz频带的另一个发射信号被输出到同一天线端子GSM_LB Tx。1800MHz频带的发射信号以及1900MHz频带的另一个发射信号被输出到同一天线.端子GSM_HB Tx。天线开关12向天线端子（GSM 850、GSM 900、GSM 1800或者GSM 1900）输出接收信号。接收滤波器68至74对接收信号进行滤波，并向RFIC 22输出经滤波的接收信号。接收滤波器68至74可以输出平衡信号。RFIC 22具有低噪滤波器18。低噪滤波器18对接收信号进行放大。

图15例示根据第二实施方式的通信模块的框图。如图15所例示，频带1的发射-接收频带接近频带2的发射-接收频带（参照第一实施方式的表1）。因此，第三发射滤波器82和第四发射滤波器92的IDT电极可以由相同的材料（例如，Ti和Al-1%Cu的层压结构）构成，并且在单个压电基板上具有相同的厚度（如图10A所例示）。也就是说，第三发射滤波器82和第四发射滤波器92可以被设置在单个芯片中。安装了该单个芯片的发射封装在下文中称为频带1/2发射封装86。频带1/2发射封装86被安装在印刷基板24上。第三接收滤波器84和第四接收滤波器94的IDT电极可以由相同的材料（例如，Al-1%Cu的单层结构）构成，并且具有相同的厚度（如图10B所例示）。也就是说，第三接收滤波器84和第四接收滤波器94可以被设置在单个芯片中。安装了该单个芯片的接收封装在下文中称为频带1/2接收封装88。频带1/2接收封装88被安装在印刷基板24上。

类似地，频带5的发射-接收频带接近频带8的发射-接收频带（参照第一实施方式的表1）。因此，第五发射滤波器102和第六发射滤波器112的IDT电极可以由相同的材料（例如，Ti和Al-1%Cu的层压结构）构成，并且在单个压电基板上具有相同的厚度（如图10A所例示）。也就是说，第五发射滤波器102和第六发射滤波器112可以被设置在单个芯片中。安装了该单个芯片的发射封装在下文中称为频带5/8发射封装96。频带5/8发射封装96被安装在印刷基板24上。第五接收滤波器104和第六接收滤波器114的IDT电极可以由相同的材料（例如，Al-1%Cu的单层结构）构成，并且具有相同的厚度（如图10B所例示）。也就是说，第五接收滤波器104和第六接收滤波器114可以被设置在单个芯片中。安装了该单个芯片的接收封装在下文中称为频带5/8接收封装98。频带5/8接收封装98被安装在印刷基板24上。

诸如电导体或电感器这样的芯片组件106在频带1/2发射封装86、频带1/2接收封装88、频带5/8发射封装96、频带5/8接收封装98周围被安装在印刷基板24上。

根据第二实施方式的通信模块66，如图14所例示，提供了发射频带彼此不同并且接收频带彼此不同的四个双工器（第三双工器80、第四双工器90、第五双工器100和第六双工器110）。如图15所例示，第三双工器80和第四双工器90（四个双工器中的两个）的发射滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，第三双工器80和第四双工器90的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且具有相同的厚度。并且，第五双工器100和第六双工器110（四个双工器中的两个）的发射滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，第五双工器100和第六双工器110的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且具有相同的厚度。因而，可以减少安装工序和制造工序的工序数量，并且可以降低成本，就像第一实施方式一样。发射滤波器的IDT电极可以具有实现高电力耐受性的膜结构，接收滤波器的IDT电极可以具有实现低电阻的膜结构。因此，根据第二实施方式，可以提供具有高电力耐受性和低传输损耗的天线双工器的通信模块。

优选的是，在四个双工器（第三双工器80、第四双工器90、第五双工器100和第六双工器110）中，发射频带彼此最接近的至少两个双工器（第五双工器100和第六双工器110）的发射滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。类似地，接收频带彼此最接近的至少两个双工器（第五双工器100和第六双工器110）的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。

如图14所例示，无线通信部具有GSM 1800MHz频带的接收滤波器72。接收滤波器72的接收频带与用作WCDMA系统的频带1的双工器的第三双工器80和用作WCDMA系统的频带2的双工器的第四双工器90的接收频带不同，并且不与该接收频带交叠，而是接近该接收频带。因此，第三双工器80和第四双工器90的接收滤波器的IDT电极与接收滤波器72的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。图16例示设置了第三双工器80和第四双工器90的接收滤波器和接收滤波器72的单个接收芯片的示意性截面图。如图16所例示，第三双工器80的第三接收滤波器84的IDT电极34、第四双工器90的第四接收滤波器94的IDT电极34、接收滤波器72的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。因而，当提供了接收频带不同于双工器的另一接收滤波器的接收频带的接收滤波器时，双工器的接收滤波器的IDT电极和另一接收滤波器的另一IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。

第一实施方式的通信模块14具有两个双工器，第二实施方式的通信模块66具有四个双工器。然而，结构不限于此。仅提供多个双工器（两个、三个、四个、五个等）。在第一实施方式和第二实施方式中，发射频带彼此不同的两个双工器的发射滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，接收频带彼此不同的两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。然而，结构不限于此。发射频带彼此不同的通信模块的至少两个双工器（诸如三个或四个双工器）的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，接收频带彼此不同的通信模块的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。另选地，至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极可以单独地设置在压电基板上。相反，至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极可以单独地设置在压电基板上。

图17A至图17C例示具有多个双工器的通信模块的框图。如图17A所例示，通信模块具有频带1、频带2、频带5和频带8的多个双工器120。频带1的发射频带接近频带2的发射频带。因此，频带1和频带2的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，并且，频带1和频带2的双工器120的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。频带5的发射-接收频带接近频带8的发射-接收频带。因此，频带5和频带8的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，并且，频带5和频带8的双工器120的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。

如图17B所例示，通信模块可以具有频带3、频带1、频带2、频带5和频带8的多个双工器120。频带1至频带3的发射-接收频带彼此接近。因此，频带1、频带2和频带3的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，并且，频带1、频带2和频带3的双工器120的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且具有相同的厚度。频带5的发射-接收频带接近频带8的发射-接收频带。因此，频带5和频带8的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，并且，频带5和频带8的双工器120的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且具有相同的厚度。

如图17C所例示，通信模块可以具有频带4、频带1、频带2、频带5和频带8的多个双工器120并具有GSM 1800MHz频带的接收滤波器122。频带1、频带2和频带4的发射频带彼此接近。因此，频带1、频带2和频带4的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。频带1、频带2、频带4和GSM 1800MHz的接收频带彼此接近。因此，频带1、频带2和频带4的双工器120的接收滤波器的IDT电极和GSM 1800MHz的接收滤波器122的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。频带5和频带8的发射-接收频带彼此接近。因此，频带5和频带8的双工器120的发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度，并且，频带5和频带8的双工器120的接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并且在单个压电基板上具有相同的厚度。图17A至图17C例示匹配电路124连接到各个双工器的接收滤波器和GSM 1800MHz频带的接收滤波器。

本发明不限于具体描述的实施方式，在不背离要求保护的本发明的范围的前提下，可以进行其它实施方式和变型。

Claims

1.一种通信模块，该通信模块包括：

多个双工器，

其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。

2.根据权利要求1所述的通信模块，其中：

所述发射滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上；并且

所述接收滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。

3.根据权利要求1或2所述的通信模块，其中，所述发射滤波器的所述IDT电极的电力耐受性高于所述接收滤波器的所述IDT电极的电力耐受性。

4.根据权利要求1或2所述的通信模块，其中，所述接收滤波器的所述IDT电极的电阻小于所述发射滤波器的所述IDT电极的电阻。

5.根据权利要求1或2所述的通信模块，该通信模块还包括具有与所述多个双工器中的所述接收滤波器的接收频带不同的接收频带的另一接收滤波器，

其中，所述另一接收滤波器的IDT电极与所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述接收滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。

6.根据权利要求1或2所述的通信模块，其中，所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述发射滤波器包括WCDMA系统的频带1和频带2、频带2和频带3、频带2和频带4或者频带5和频带8的发射滤波器。

7.根据权利要求1或2所述的通信模块，其中，所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述接收滤波器包括WCDMA系统的频带1和频带2、频带2和频带3、频带1和频带4或者频带5和频带8的接收滤波器。