CN102956428A - 离子注入设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种离子注入设备，包括偏转电极和遮蔽构件。离子束具有带状形状。偏转电极基于由射束电流测量装置测量的结果，使离子束的至少一部分沿长边方向朝向短边方向偏转。遮蔽构件部分地遮蔽由偏转电极偏转的离子束。偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。电极组布置成面对平板电极，以将离子束置于平板电极与电极组之间。平板电极电接地，且多个电极彼此电独立。多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以进行电位设置。

Description

离子注入设备

技术领域

本发明涉及一种包括电场透镜的离子注入设备，该离子注入设备调整了沿一个方向伸长的带状离子束的长度方向上的电流密度分布。

背景技术

为了应对衬底尺寸的增大，离子注入设备利用沿一个方向伸长的带状离子束。当以与离子束的行进方向垂直的平面切割时，此离子束具有大致矩形的截面。例如，离子注入设备在与带状离子束的长度方向大致垂直的带状离子束的短边方向上传送衬底，并将离子束照射在衬底的整个表面上，从而执行对衬底注入离子的工艺。

此外，与在衬底上制造的半导体器件的小型化相关联，考虑了各种调整手段来调整带状离子束的长度方向上的射束电流密度分布，以获得所期望的射束电流密度分布。

作为射束电流密度分布的调整手段，专利文献1公开了利用电场透镜的示例以及利用电磁透镜的另一示例。现在将简要描述其具体构造。

对于利用电场透镜的示例，如专利文献1的图8中所记载的，多个电极对沿离子束的长度方向布置，并且带状离子束从短边方向置于（夹在）电极对之间。分别调整要施加到各电极对的电压，以在排列在离子束的长边方向上的电极对之间产生电场，从而调整射束电流密度分布。

另一方面，对于利用电磁透镜的示例，如专利文献1的图11中所描述的，多个磁极对沿离子束的长边方向布置，并且带状离子束从短边方向置于磁极对之间。线圈缠绕各磁极对。分别调整流过缠绕各磁极对的一对线圈的电流的量和电流的方向，以在排列在离子束的短边方向上的磁极对之间产生电磁场，从而调整射束电流密度分布。

如果离子束的尺寸随着衬底的尺寸增大而增大，则用于产生大的离子束的装置在尺寸上也增大。例如，常规的离子束的尺寸在长边方向上可以为790mm。当衬底尺寸增大时，离子束的尺寸在长边方向上可以为1560mm。然而，如果装置的尺寸太大，则在半导体工厂中需要用于布置大型装置的宽广位置，鉴于与其他装置的布置位置的关系，这是不太期望的。据此，期望尽可能地在尺寸上减小离子注入设备。作为用于调整射束电流密度分布的手段，要求使用与电磁透镜的尺寸相比具有相对较小尺寸的电场透镜。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]JP-A-2005-327713（图8、图11、第0063至0066段以及第0075至0081段）

发明内容

在视为专利文献1中的一个示例的电场透镜中，沿离子束的长边方向产生电场，然后使长边方向上的离子束局部地扩展或收缩。在该扩展或收缩发生在离子束在其长度方向上的端部的情况下，照射到衬底上的离子束在长边方向上的尺寸被改变。

如果离子束在长边方向上的尺寸较长，则存在离子束与构成离子束的输送路径的真空腔的壁表面或者布置在输送路径中的构件冲撞的可能性。在此情况下，要传送的离子束的射束电流量减少。为了避免射束电流量的减少，将考虑略微增大构成输送路径的真空腔或者布置在输送路径中的构件的尺寸。倘若如此，则导致装置尺寸增大。另一方面，在离子束在长边方向上的尺寸被缩短的情况下，担心衬底的整个表面，特别是在衬底的端部，有离子束照射不到的区域。并且，担心衬底的整个表面即使照射到离子束也有达不到所期望的射束电流量的区域。此外，如果离子束在长边方向上的扩展或收缩较大，则上述情形与该扩展或收缩一样显著。

因此，本发明的目的是要提供一种离子注入设备，其能够在调整具有大致矩形截面的离子束的射束电流密度分布的情况下减小离子束在长边方向上的扩展或收缩。

本发明的离子注入设备从离子源射出离子束。在离子注入设备中对布置在加工腔中的衬底执行离子注入。所述离子束具有正电荷以及有着长边方向和短边方向的矩形截面或长椭圆形截面。所述离子注入设备包括射束电流测量装置、偏转电极和遮蔽构件。所述射束电流测量装置测量所述离子束沿所述长边方向上的射束电流密度分布。所述偏转电极基于由所述射束电流测量装置测量的结果，使所述离子束的至少一部分沿所述长边方向朝向所述短边方向偏转。所述遮蔽构件部分地遮蔽由所述偏转电极偏转的所述离子束。所述偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。所述电极组布置成面对所述平板电极，以便将所述离子束置于所述平板电极与所述电极组之间。所述平板电极电接地。所述多个电极彼此电独立。所述多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以执行电位设置。

当调整射束电流密度分布时在离子束的短边方向上产生电场，并且离子束朝向大致短边方向局部地偏转。因此，能够明显地减小在现有技术的电场透镜中发生的离子束在其长边方向上的扩展和收缩。

另外，优选的是，离子束沿长边方向上的尺寸比衬底的尺寸长。当对衬底执行离子注入时，沿着离子束的短边方向传送衬底。

利用以上构造，能够以所期望的离子注入剂量分布对衬底的整个表面执行离子注入。

另外，优选的是，当射束电流测量装置所测量的结果未满足所期望的值时，对所述多个电极进行设置，使得所有电极都具有负电位，或者使得一些电极处于负电位而其余电极处于地电位。

利用以上构造，由于构成电极组的各电极处于负电位或者处于地电位，所以离子束中所包含的电子或者离子束的输送路径中浮游的电子不被吸引到各电极，而从具有负电位的电极被反射到离子束侧。被反射到离子束侧的电子用以抑制由于空间电荷效应而引起的离子束的发散。据此，能够减小离子束由于空间电荷效应而被发散且因而与构成离子束的输送路径的真空腔的壁表面冲撞的可能性。

此外，优选的是，多个电源连接至偏压电源，以基于地电位来共同地设置多个电源的电位。

利用以上构造，能够消除在射束路径中所产生的中性粒子。此外，由于连接至电极组的各电源的电位共同地通过偏压电源来调整，所以与分别调整连接至构成电极组的各电极的电源以消除中性粒子的情况相比，能够减小电源的功耗。

在另一方面，优选的是，偏压电源将多个电源的电位共同地设置成负电位。

在利用上述偏压电源的示例中，由于电子不被吸引到构成电极组的各电极，所以除上述效果以外，还能够减小由于空间电荷效应而引起的离子束的发散。

在通过电场透镜调整具有大致矩形的截面的离子束沿长边方向上的射束电流密度分布的情况下，能够明显地减小在现有技术的电场透镜中发生的离子束在其长边方向上的扩展和收缩。

附图说明

图1A和图1B是示出根据本发明的离子注入设备的平面图，其中图1A示出从X-Z平面看时的状态，且图1B示出从Y-Z平面看时的状态。

图2是示出图1所示的偏转电极的一个示例的图。

图3是示出图1所示的射束电流测量装置所测量的结果的曲线图。

图4是示出基于图3所示的测量结果离子束由偏转电极局部偏转的状态的图。

图5是示出图4所示的由偏转电极所偏转的离子束被布置在偏转电极的下游侧的遮蔽构件所遮蔽的状态的图。

图6是示出图2所示的偏转电极的另一个示例，并示出基于图3所示的测量结果离子束由偏转电极局部偏转的状态。

图7是示出图6所示的由偏转电极所偏转的离子束被布置在偏转电极的下游侧的遮蔽构件所遮蔽的状态的图。

图8A和图8B是示出根据本发明的另一个离子注入设备的平面图，其中图8A示出从X-Z平面看时的状态，且图8B示出从Y-Z平面看时的状态。

图9A和图9B是示出根据本发明的另一个离子注入设备的平面图，其中图9A示出从X-Z平面看时的状态，且图9B示出从Y-Z平面看时的状态。

图10A和图10B是示出图9所示的偏转电极的构造的示例的图，其中图10A示出使得构成电极组的各电极处于负电位的电源的连接示例，且图10B示出使得构成电极组的各电极处于正电位的电源的连接示例。

具体实施方式

图1示出了根据本发明的离子注入设备的一个示例。当以与离子束的行进方向垂直的平面切割时，本发明的带状离子束具有大致矩形的截面或大致椭圆形的截面。离子束的截面既可以是矩形形状和长椭圆形形状，也可以是圆形形状。在本实施例中，Z方向是指带状离子束的行进方向，Y方向是指带状离子束的长边方向，而X方向是指带状离子束的短边方向。并且，当离子束具有长椭圆形截面时，Y方向可以是指离子束的长轴方向而X方向可以是指离子束的短轴方向。此外，本发明中所处理的离子束是具有正电荷的离子束。

图1A示出从X-Z平面看时的离子注入设备的状态。图1A中所示的X、Y和Z轴是以就在从离子源1射出之后的离子束2为基础而示出的。离子束2的行进方向，即Z轴方向，取决于输送路径的位置而改变。据此，X、Y和Z轴方向（X方向、Y方向和Z方向）取决于离子束2的输送路径的位置而适当地改变。这不限于图1A，在其他图中也一样。

当以与Z方向垂直的平面切割时，从离子源1射出的离子束2可以具有大致矩形的截面。从离子源1射出的离子束2可以具有矩形的截面，也可以具有大致长椭圆形的截面。此外，从离子源1射出的离子束2可以在作为X方向的离子束的短边方向上扩展或收缩。具体地，扩展的离子束的截面可以具有在短边方向上凸出地扩展的凸曲线。并且，收缩的离子束的截面可以具有在短边方向上收缩的凹曲线。

从离子源1射出的带状离子束2经过质量分析磁体3。离子束2根据提供给离子源1的离子化气体的种类而包含各种离子。因此，借助质量分析磁体3以及布置质量分析磁体3下游侧（Z方向侧）的分析缝（analysis slit）4分析离子束2的质量，以便将包含所期望的种类的离子的离子束2照射到稍后将描述的衬底8（例如，诸如硅晶片的半导体衬底）上。

当以与Z方向垂直的平面切割时，经过分析缝4的离子束2具有大致矩形的截面。

经过分析缝4的离子束2入射在偏转电极5上。偏转电极5如图1B所示包括布置在一侧的平板电极11和布置在另一侧的电极组12，并且使离子束2从短边方向（X方向）置于该平板电极与电极组之间。在本实施例中，将离子束2的长边方向朝向离子束2的大致短边方向局部地偏转，使得离子束2的至少一部分与位于偏转电极5的下游侧的遮蔽构件6冲撞，以调整离子束2沿其长度方向上的射束电流密度分布。

遮蔽构件6例如可以由形成离子束2的经过路径中的缝的两块平板组成，如图1A所示。如果偏转电极5中的离子束2的偏转方向是一个方向，则遮蔽构件不必由两块板制成，而可以由一块板制成。另一方面，如果遮蔽构件由两块板构成，则优点如下。

例如，为了在半导体衬底上形成PN结，存在使用P气体（gas forP）（例如PH₃）作为离子化气体的情况以及使用N气体（gas for N）（例如BF₃）作为离子化气体的情况。在此情况下，在本发明中调整射束电流密度分布时，由于离子束2的至少一部分与遮蔽构件6冲撞（遮蔽），所以离子化气体的成分会附着到遮蔽构件6。据此，如果遮蔽构件6由一块板组成，则当使用P气体执行离子注入时，使用N气体执行离子注入时形成的附着物会从遮蔽构件6剥离并脱落，然后混入包含P气体作为主要成分的离子束2中。为了防止这种混合，遮蔽构件6由两块板制成。倘若如此，则如稍后将描述地，离子束2从偏转电极5的偏转方向可以取决于离子化气体的种类而改变，从而防止上述混合。

至少一部分由遮蔽构件6遮蔽的离子束2被引入加工腔7中。离子束2沿其长边方向上的尺寸比衬底8在相同方向上的尺寸长，如图1B所示。通过驱动加工腔7中的图中未示出的机构，使衬底8在由箭头所指示的方向上传送，使得对衬底8的整个表面执行离子注入。

射束电流测量装置9安装在布置于加工腔7中的衬底的下游侧。射束电流测量装置9沿长边方向（Y方向）上的尺寸比离子束2的大，如图1B所示，且沿短边方向（X方向）上比离子束2的大，如图1A所示。

在对衬底8执行离子注入之前，衬底8布置在加工腔7中衬底8不被离子束2照射的位置。据此，离子注入之前被引入到加工腔7中的离子束2照射到射束电流测量装置9。射束电流测量装置9包括例如沿离子束2的长边方向布置的多个法拉第筒（Faraday cup）。通过使用射束电流测量装置9来执行离子束2沿其长边方向上的射束电流密度分布的测量。

由射束电流测量装置9所测量的射束电流密度分布的测量结果被发送到控制装置10。如果控制装置10确定射束电流密度分布的测量结果不是所期望的分布，则控制装置10将控制信号S1至S5发送到稍后将描述的电源V1至V5，电源V1至V5连接至构成偏转电极5的电极组12（在本实施例中为五个电极）。

如果通过控制信号S1至S5设置构成电极组12的各电极的电位，则离子束2沿着长边方向上朝向大致短边方向局部地偏转，使得离子束的一部分与设置在偏转电极5的下游侧的遮蔽构件6冲撞。之后，再次通过射束电流测量装置9测量其至少一部分被遮蔽构件6遮蔽的离子束2的射束电流密度分布，并将测量结果发送至控制装置10。在此情况下，如果确定测量结果是所期望的分布，则控制装置10传送衬底8以开始离子注入。

另一方面，如果确定测量结果尚未被调整到所期望的射束电流密度分布，则控制装置10再次发送控制信号S1至S5，并执行各电极的电位调整。重复再调整和再测量过程，直至射束电流密度分布变成所期望的分布为止。此外，为了分阶段地执行调整，本示例所描述的第一次发送的控制信号S1至S5的控制内容（例如，电源电压的调整宽度）不同于第二次发送的控制信号S1至S5。另外，如上所述，根据本发明的射束电流密度分布的调整在对衬底8执行离子注入之前执行，或者在以批量为单位处理衬底8的情况下，按每批次执行。

图2中示出偏转电极的构造。如上所述，偏转电极5由布置在一侧的平板电极11和布置在另一侧的电极组12组成，并且离子束2从短边方向置于该平板电极与电极组之间。更具体地，如图2所示，平板电极11处于地电位，而构成电极组12的第一电极13、第二电极14、第三电极15、第四电极16和第五电极17单独地连接至DC可变电源V1至V5以分开地调整各电极的电位。虽然本实施例中电极的数目为5个，但个数也可以比5个多或比5个少。

图3中示出由图1所示的射束电流测量装置9所测量的射束电流密度分布结果的一个示例。在图3所示的曲线图中，横轴表示射束电流测量装置中的位置（换言之，离子束2沿长边方向上的位置；横轴的方向意指Y方向），且纵轴表示射束电流密度。

图3所示的区域A对应于照射到衬底8的离子束2的区域。为了消除衬底8的整个面积上的离子注入的不一致性，需要使由A表示的区域的射束电流密度大致一致。即便是一致的，射束电流密度的值也不必为恒定值，某种程度上可以是相似的值。相似性（一致性）的可接受程度取决于将要在衬底8上制造的器件的种类。在本示例中由A表示的区域中，如果照射到衬底8的离子束2沿长度方向上的每个位置处的射束电流密度的值以射束电流密度最低的位置为基础而属于由B表示的区域，则该值被认为是一致的。如果注意到区域A，则将理解的是，区域A的一部分不属于区域B（图3中的阴影线部分）。据此，为了使射束电流密度一致，需要减小与区域B以外的阴影部分相对应的区域部分的射束电流密度。

图4示出基于图3所示的测量结果离子束2的一部分由图2所示的偏转电极5局部偏转的状态。图中，虚线表示入射在偏转电极5上的离子束2的外形，且实线表示经偏转电极5局部偏转的离子束2的外形。具体地，当确定射束电流测量装置9所测量的测量结果尚未被调整到所期望的射束电流密度分布时，第一电极13、第二电极14、第三电极15、第四电极16和第五电极17全部都被设置成具有负电位。

通过使与图3所示的阴影线部分相对应的一部分离子束2与稍后将描述的布置在偏转电极5的下游侧的遮蔽构件6冲撞而使离子束2局部地偏转，以使该部分的射束电流密度减小。在本示例的情况下，对所施加的电压进行设置，使得施加到各电极的负电压的值（绝对值）按照电源V2、电源V1、电源V3和电源V4的顺序减小。此外，电源V5的施加电压设置为0V。如果通过施加电压设置各电极的电位，则在第一电极13至第四电极16与平板电极11之间的区域中大致从平板电极11侧到电极组12侧产生电场。具有正电荷离子束2通过该电场而朝向电极组12局部地偏转。

偏转的程度取决于施加到各电极的电压的值（各电极的电位）。由于施加到第二电极14的电压的值最低（因为就绝对值而言它最高），所以离子束2显著地吸引到第二电极14附近。经过第五电极17附近的离子束2对应图3所示的区域A在纸面上的左侧端部，该部分的射束电流密度不必减小。据此，本示例中连接至第五电极17的电源V5的值被设置为0V。此外，除离子束2的偏转量以外，还通过离子束2的能量将施加到各电极的电压的值设置到适当的值。

图5中示出图4中被局部地偏转的一部分离子束2与遮蔽构件6冲撞的状态。与图3所示的阴影线部分相对应的被局部偏转的该部分离子束2与遮蔽构件6冲撞。如果离子束2的一部分通过离子束2与遮蔽构件6的冲撞而被削减，则被削减的部分的射束电流密度减小。以此方式，调整射束电流密度分布。

虽然图2中描述了其中用于施加负电压的电源V1至V5分别连接至构成电极组12的各电极以设置各电极的电位的构造，但本发明的构造不限于此。例如，如图6所示，可将DC可变电源连接至各电极以向各电极施加正电压。

在图6所示的示例中，施加到各电极13至17的电压的绝对值与图4所示的示例中所描述的相同，而仅其极性相反。以此方式，在第一电极至第四电极与平板电极11之间，大致从电极组12到平板电极11产生电场。离子束2通过该电场而在与图4的示例中所示的方向相反的方向上局部地偏转。

图7中示出图6所示的在偏转电极5上被局部地偏转的离子束2与遮蔽构件6冲撞的状态。如图7所示，与阴影线部分相对应的一部分离子束2与遮蔽构件6冲突。如果通过离子束2与遮蔽构件6的冲撞而被削减的离子束2的量与图5所示的量相同，则在调整射束电流密度分布之后由射束电流测量装置9测量的射束电流密度分布的结果相同。据此，如图4所描述的，可以将电源连接至各电极以向其施加负电压，并且如图6所描述的，可以将电源连接至各电极以向其施加正电压。

另外，如果使用能够改变极性的电源，则能够使离子束2在电极组12侧和平板电极11侧的任何方向上局部地偏转。通过组合两块遮蔽构件6，并将电源和离子束2从短边方向置于它们之间，可以取决于离子化气体的种类，选择通过使离子束2与布置在离子束2的短边方向上的任何遮蔽构件6冲撞而执行的射束电流密度分布的调整。

当离子束2的能量低且射束电流小时，考虑到由于空间电荷效应而引起的离子束2的发散，与图6所解释的构造相比，图4所解释的构造是优选的。

在图6所描述的构造中，离子束2中所包含的电子或者在输送路径中浮游的电子被吸引到具有正电位的电极。如果中和具有正电荷的离子束2的电子减少，则空间电荷效应的影响极大地表现为增大离子束2的发散程度。在此情况下，存在这样的担心：难以控制离子束2在衬底8上的入射角度，或者离子束2与构成离子束2的输送路径的真空腔的壁表面冲撞，以至于离子束2的射束电流量被减小到超过预期程度。

在图4所描述的构造中，离子束2中的电子或者在输送路径中浮游的电子从具有负电位的电极被反射，然后再次返回到离子束2或输送路径。据此，由于不存在电子减少，所以能够抑制由于空间电荷效应而引起的离子束2的发散。

上文所描述的离子注入设备的示例使用控制装置10来设置构成电极组12的各电极的电位，但本发明的构造不限于此。例如，可以由离子注入设备的操作者设置构成电极组12的各电极。图8A和图8B示出这样的离子注入设备的构造的示例。

在图8A和图8B中，由射束电流测量装置9所测量的结果投射在监视器18上。离子注入设备的操作者用肉眼注视监视器18，并适当地设置构成电极组12的各电极的电位。由于其他构造与上文所描述的装置相同，所以这里将省略对它们的详细描述。

存在中性粒子混入照射到衬底8的离子束2中的情况。这些中性粒子例如是通过使离子束2中的离子与残留在输送路径中的气体冲撞并中和该离子而产生的。在射束电流测量装置9包含法拉第筒的情况下，不可能检测到中性粒子。据此，由于不能得知照射到衬底8的准确的射束电流量，所以难以基于射束电流测量装置9所测量的结果来控制注入到衬底8的离子的量。

为了防止中性粒子照射到衬底8上，可以考虑图9A和图9B所示的离子注入设备的示例。不带电荷的中性粒子不会经受通过偏转电极5的偏转。该示例利用中性粒子的特性而消除了离子束2中所包含的中性粒子。

在图9A和图9B中，由于基本构造与图1A和图1B所示的示例大致相同，所以这里将仅描述用于消除中性粒子的结构。如上所述，中性粒子不受通过偏转电极5的偏转所影响。据此，入射在偏转电极5上的整个离子束2都沿离子束2的短边方向偏转，从而使离子束2的整个输送路径偏移。利用以上构造，不受偏转所影响的中性粒子在入射在偏转电极5上的离子束2的输送路径的延长线（图9A中用虚线指示的箭头方向）上行进，然后与加工腔7的壁表面冲撞，从而防止衬底8被照射到。因此，能够准确地控制注入到衬底8的离子的量。

图10A和图10B中示出图9A和图9B中所示的离子注入设备中所使用的偏转电极5的构造的示例。图10A示出使离子束2从用虚线指示的状态到用实线指示的状态沿纸面上左边方向偏转的情况。在本示例中，电源V1至V5分别连接至构成电极组12的各电极以向电极施加负电位。初步看来，以上构造看上去与图4所示的构造相同，但在图9A的示例中还提供了偏压电源VB。这不同于图4的示例。

偏压电源VB用以使整个离子束2偏转，从而消除中性粒子。电源V1至V5用以使离子束2局部地偏转。可以考虑，将由电源V1至V5施加的电压的值设置为期望的基准值，并以该基准值为基础来改变各电源的设置电压以使离子束2局部地偏转。在考虑到整个电源所消耗的电力的情况下，使用图9A所示的构造肯定是有利的。此外，如果为了消除中性粒子整个离子束2的偏转程度大，则必须准备具有非常高的电压源容量的电源。如果各电源V1至V5是具有高电压源容量的电源，则成本增大。从这一观点来看，优选使用图9A所示的构造。具体地，偏压电源VB可以将所有电极的电位共同设置在负电位。

另一方面，电子会被吸引到各电极。如果离子束2的能量强且射束电流高，则由于空间电荷效应而导致的离子束2的发散几乎不会发生。据此，可以利用图9B所示的构造。除各电源的极性相反这一点以外，图9B的构造与图9A的大致相同。此外，在图9B的情况下，整个离子束2被偏转到平板电极11侧（纸面右侧）。另外，图9A和图9B示出偏转整个离子束2以消除中性粒子的状态。在同时调整射束电流密度分布的情况下，离子束2不具有矩形形状，如图所示，这是因为其经受了局部偏转。例如，在同时执行中性粒子的消除以及射束电流密度分布的调整的情况下，离子束2的外形是图4和图10A中用实线表示的离子束2的外形的组合。

在上述实施例中，进行调整，使得射束电流密度分布沿离子束2的长度方向是一致的。然而，待调整的射束电流密度分布不必总是一致的。例如，通过在离子束的长度方向上将两端的射束电流密度设置在大致恒定的值而将中央部分的射束电流密度设置在不同的值，可以对射束电流密度分布进行调整，使得其沿离子束2的长度方向上不一致。

本发明不限于上述实施例，在不脱离其范围的情况下可以进行各种修改。

Claims (6)

1.一种离子注入设备，所述离子注入设备从离子源发射离子束，并且在所述离子注入设备中对布置在加工腔室内的衬底执行离子注入，其中，所述离子束具有正电荷以及有着长边方向和短边方向的矩形截面或长椭圆截面，所述离子注入设备包括：

射束电流测量装置，所述射束电流测量装置测量所述离子束沿所述长边方向的射束电流密度分布；

偏转电极，所述偏转电极基于由所述射束电流测量装置测量的结果，使所述离子束的至少一部分沿所述长边方向朝向所述短边方向偏转；和

遮蔽构件，所述遮蔽构件部分地遮蔽由所述偏转电极偏转的所述离子束，

其中，所述偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组，所述电极组布置成面对所述平板电极，以便将所述离子束置于所述平板电极与所述电极组之间，

所述平板电极电接地，

所述多个电极彼此电独立，且

所述多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以执行电位设置。

2.根据权利要求1所述的离子注入设备，其中

所述离子束沿所述长边方向的尺寸比所述衬底的尺寸长，且

当对所述衬底执行离子注入时，沿着所述离子束的所述短边方向传送所述衬底。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入设备，其中

当所述射束电流测量装置所测量的结果未满足所期望的值时，对所述多个电极进行设置，使得所有电极都具有负电位。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入设备，其中

当所述射束电流测量装置所测量的结果不是所期望的值时，对构成所述电极组的所述多个电极进行设置，使得一些电极处于负电位、而其余的电极处于地电位。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入设备，其中

将所述多个电源连接至偏压电源，以基于地电位来共同地设置所述多个电源的电位。

6.根据权利要求5所述的离子注入设备，其中

所述偏压电源将所述多个电源的电位共同地设置成负电位。

Images