CN106653539A - 离子注入工具以及离子注入方法 - Google Patents

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Abstract

一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。

Description

离子注入工具以及离子注入方法
技术领域
本发明实施例涉及离子注入工具以及离子注入方法。
背景技术
在半导体器件中形成的IC的增大的密度已经驱动了集成电路(IC)的制造。这通常是通过实施更积极的设计规则，以允许更大密度的IC器件形成来实现的。尽管如此，诸如晶体管的IC器件的增加的密度也增加了处理具有降低的部件尺寸的半导体器件的复杂度。
发明内容
根据本发明的一些实施例，提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。
根据本发明的另一些实施例，还提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至晶圆上；至少一个第一无源元件，存在于所述压板上；至少一个第一驱动单元，被配置成驱动所述第一无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第一场；至少一个第二无源元件，存在于所述压板上；以及至少一个第二驱动动单元，被配置成驱动所述第二无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第二场。
根据本发明的又一些实施例，还提供了一种离子注入方法，包括：将离子束提供至晶圆上；以及施加能够影响所述离子束的离子分别至所述晶圆的多个区域上的运动的多个物理场。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。
图1是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的侧视图。
图2是根据本发明的一些实施例在图1中示出的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。
图3是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。
图4是根据本发明的一些实施例的沿在图3中示出的线4-4截取的截面图。
图5是根据本发明的一些实施例的在图3中示出的区域5的放大图。
图6是根据本发明的一些实施例的离子注入工艺的操作的流程图。
图7是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。
图8是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。
图9是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的正视图，其中通过压板保持的晶圆未示出。
图10是根据本发明的一些实施例的沿在图9中示出的线10-10截取的截面图。
图11是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。
图12是根据本发明的一些实施例的离子注入工具的压板的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
本文中所使用的术语是仅用于描述特定实施例的目的，而不是为了限制本发明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解，当在本发明中使用术语“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”时，指定阐述的部件、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但不排除附加的一个或多个其他部件、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
除非另有规定，在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解，诸如常用字典定义的那些术语应该解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非本文明确地加以定义。
参考图1和图2。图1是根据本发明的一些实施例的离子注入工具100的侧视图。图2是根据本发明的一些实施例在图1中示出的离子注入工具100的压板104的正视图，其中通过压板104保持的晶圆105未示出。离子注入工具100包括工艺室101、压板104、离子源102、以及控制单元108。压板104存在于工艺室101中并且被配置成保持晶圆，例如，上文提及的晶圆105。离子源102被配置成将离子束103提供至晶圆105上，其中离子束103包括正离子或负离子。控制单元108存在于压板104上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响至晶圆105上的离子束103的离子的运动。此外，在一些实施例中，为了产生物理场，控制单元108在压板104的面向晶圆105的表面106附近布置成阵列。
在一些实施例中，在压板104的面向晶圆105的表面106上产生物理场，其中物理场通过超距作用影响离子束103的离子的运动。在离子注入工艺期间，在由离子源102提供的离子束103的离子到达晶圆105之前，离子束103的离子的运动受到物理场的影响。因此，离子束103的离子至晶圆105上的分配能够通过物理场控制。此外，可通过物理场更均匀地控制离子束103，使得在离子束103的边缘处的束均匀性提高，从而提高离子注入工艺的注入质量。提供以下描述以解释物理场如何影响至晶圆105上的离子束103的离子的运动。
图3是根据本发明的一些实施例的离子注入工具200的压板104的正视图，其中通过压板104保持的晶圆(例如，上文提及的晶圆105)未示出。图4是根据本发明的一些实施例的沿在图3中示出的线4-4截取的截面图。如图3和图4所示，控制单元108包括电极110和电势供应器112。电极110存在于压板104上，并且电势供应器112电连接至电极110中的至少一个。
在一些实施例中，多个电极110电连接至电势供应器112，并且其他的电极110电连接至地电势。通过此配置，当电势供应器112为电连接至其上的电极110提供正电势时，在压板104的表面106上产生物理场。以不同的方法解释，由于通过正电势产生物理场，因此物理场中的至少一个是电场。在这种涉及产生电场的实施例中，离子束103的离子的运动被电场影响。在一些实施例中，控制单元108中的至少一个被视为电势供应器，其中，电势供应器被配置成产生电场中的至少一个。
如上所述，由于离子束103包括正离子或负离子，因此正离子或负离子的运动被电场影响。例如，在离子束103包括正离子的情况下，由于在压板104的表面106上的电场通过具有正电势的控制单元108产生，因此离子束103的正离子的运动被排斥力影响。以不同的方式解释，在离子束103的正离子到达晶圆105之前，离子束103的正离子被排斥力影响。因此，离子束103的离子至晶圆105上的分配被控制。
此外，由于电极110的一部分电连接至地电势，因此朝向电连接至地电势的电极110传输的正离子受到较小影响。即，由于电极110电连接至正电势和电连接至地电势的电极110通过不同大小的排斥力影响正离子，因此根据一些实施例，电极110被布置成响应于晶圆105的预定剂量分配。例如，在离子束103的离子是正离子的情况下，电连接至正电势的电极110响应预定具有较低剂量分配(因此，较低剂量密度)的晶圆105的区域，并且电连接至地电势的电极110响应预定具有较高剂量分配(因此，较高剂量密度)的晶圆105的区域。换句话说，晶圆105的剂量分配通过由控制单元108产生的不同大小的排斥力控制。
此外，在至晶圆105上的离子束103的离子的分配是可控制的情况下，晶圆105的旋转的数量减小。因此，在离子注入工艺中，为了提高在晶圆105的边缘处的离子束均匀性(即，剂量分配)，旋转晶圆105，其中晶圆105的旋转的次数与晶圆105的束均匀性相关。通过经由电场控制至晶圆105的离子束103的离子的分配，提高了在晶圆105的边缘处的束均匀性，并且减小了晶圆105的旋转的数量。因此，WPH(每小时的晶圆处理量)相应地增加，从而提高生产效率。
此外，在一些实施例中，离子注入工具200进一步包括介电层114。介电层114设置在压板104的表面106上，即，在压板104与晶圆105之间。介电层114被配置成调节与向正离子施加排斥力相关的操作时间。例如，在介电层114具有大厚度的情况下，由于晶圆105与离子源102之间的距离(见图1)减小，因此离子束103从离子源102(见图1)到晶圆105的路径减小。因此，至晶圆105上的离子束103的正离子的运动在较短时间周期内被影响，并且离子束103的正离子可具有水平于晶圆105的较小位移。另一方面，在介电层114具有小厚度的情况下，由于晶圆105与离子源102(见图1)之间的距离增大，因此离子束103从离子源102(见图1)到晶圆105的路径增大。因此，至晶圆105上的离子束103的正离子的运动在较长时间周期内被影响，并且离子束103的正离子可具有水平于晶圆105的较大位移。即，介电层114的厚度与正离子的水平位移相关。此外，在一些实施例中，从离子注入工具200的配置中省略介电层114，并且晶圆105以接触压板104的状态下设置在压板104的表面106上。
图5是根据本发明的一些实施例的在图3中示出的区域5的放大图。如在图3和图5中所示，离子注入工具200进一步包括绝缘层116。绝缘层116设置在压板104上并且为网格形，其中控制单元108的电极110通过绝缘层116彼此绝缘。因此，控制单元108的电极110彼此单独设置，并且因此没有电流从其间流过。以不同的方式解释，由于控制单元108的电极110通过绝缘层116彼此绝缘，因此由控制单元108的电极110产生的电场在离子注入工艺期间是稳定的。
图6是根据本发明的一些实施例的离子注入工艺的操作S10-S60的流程图。在一些实施例中，离子注入工艺包括操作S10-S60。离子注入工艺通过操作S10开始，其中截取离子束的第一轮廓。离子注入工艺通过操作S20继续，其中根据离子束的第一轮廓计算电场的分配。离子注入工艺通过操作S30继续，其中产生与该分配相对应的电场。离子注入工艺通过操作S40开始，其中截取离子束的第二轮廓。离子注入工艺通过操作S50开始，其中确定离子束的第二轮廓。离子注入工艺通过操作S60继续，其中将离子束提供至晶圆上。
在操作S10中，通过离子源提供离子束，并且记录离子束的第一轮廓。例如，离子束的第一轮廓包括离子束的离子的分配以及离子束的束均匀性。
在操作S20中，根据离子束的第一轮廓，计算电场的分配，其中电场的分配包括电场的大小。因此，根据离子束的第一轮廓计算和确定由控制单元的电势供应器提供的电势的大小。
在操作S30中，通过控制单元的电极产生电场，其中根据在操作S20中计算和确定的电场的分配提供电场的特性。
在操作S40中，由于由离子源提供的离子束的离子的运动受电场影响，因此离子束的轮廓被改变以与在操作S10中描述的离子束的第一轮廓不同。因此，离子束的轮廓在施加电场之后改变，并且这种改变被记录为第二轮廓。
在操作S50中，确认在操作S40中描述的第二轮廓以确定是否离子束的离子的分配和离子束的离子均匀性是可接受的。以不同的方式解释，在施加电场之后，再次截取离子束的轮廓，以确定是否离子束的离子的分配和离子束的束均匀性是可接受的。在一些实施例中，在第二轮廓的确认之后调节离子束的离子的分配和离子束的束均匀性中的至少一个。例如，在一些实施例中，在第二轮廓的确认之后，调节由控制单元的电势供应器提供的电势的大小为更大或更小。
在操作S60中，在确认离子束的轮廓之后，将晶圆设置在压板上以将离子束注入晶圆。在一些实施例中，在确认离子束的轮廓是可接受的之后，施加能够影响离子束的离子的运动的电场。在一些实施例中，在将晶圆设置在压板上之后，分别将电场施加在晶圆的多个区域上。通过将电场分别施加在晶圆的区域上，对应于晶圆的不同区域的离子束的离子分别受电场影响，并且因此至晶圆的束的离子的分配是可控制的，因而控制晶圆的剂量分配。
图7是根据本发明的一些实施例的离子注入工具300的压板104的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。如在图7中所示，电势供应器112a和112b的数量是2，其中第一组电极110电连接至电势供应器112a和112b中的一个，并且第二组电极110电连接至电势供应器112a和112b中的另一个。因此，在一些实施例中，第一组和第二组电极110分别电连接至电势供应器112a和112b。在一些实施例中，电连接至电势供应器112a的第一组电极110被提供正电势，并且电连接至电势供应器112b的第二组电极110被提供负电势。在一些实施例中，电连接至电势供应器112a的第一电极110被提供为具有大于由电势供应器112b提供至第二组电极110的正电势的正电势。
此外，在一些实施例中，将被提供为具有正电势的电极110视为第一无源元件，将电势供应器112a视为被配置成驱动第一无源元件产生第一场的第一驱动单元，将被提供为具有负电势的电极110视为第二无源元件，并且将电势供应器112b视为被配置成驱动第二无源元件产生第二场的第二驱动单元。在此情况中，第一场和第二场中的至少一个为电场。在一些实施例中，第一场和第二场具有不同的方向，其中第一场和第二场的方向彼此相反。例如，由于第一场是由被提供为具有正电势的电极110产生的电场，因此第一场的至少一个的方向是从其发散的。相似地，由于第二场是由被提供为具有负电势的电极110产生的电场，因此第二场的至少一个的方向是从其汇聚的。
通过此配置，在离子束103的射向晶圆105的离子是正离子的情况下，一部分的正离子被电极110(被提供为具有正电势)排斥，并且另一部分的正电极被电极110(被提供为具有负电势)吸引。在离子束103的离子是正离子的实施例中，被提供为具有正电势的电极110被配置成降低晶圆的一部分区域的剂量密度，并且被提供为具有负电势的电极110被配置成提高晶圆的另一部分区域的剂量密度。以不同的方式解释，被提供为具有正电势和负电势的电极110根据晶圆105的预定剂量分配进行布置。
图8是根据本发明的一些实施例的离子注入工具400的压板104的截面图，其中该截面是沿与图4的例子中的压板的相似平面截取的。如在图8中所示，电势供应器112a-112j的数量是复数，并且电极110分别电连接至电势供应器112a-112j。以另一种方式解释，电极110与电势供应器112a-112j的数量是相同的，并且电极110分别以一对一关系电连接至电势供应器112a-112j。
通过此配置，电极110的至少一个通过电势供应器112a-112j中的一个被单独地提供电势。以不同的方式解释，可控制电极110的至少一个的电势的特性以与其他电极110的至少一个的电势不同。例如，由电势供应器112a提供的电极110的电势的大小与由电势供应器112b-112j提供的电极的电势的大小不同。此外，在一些实施例中，由由电势供应器112a-112j提供的电极110的至少一个的电势的极性(即，正或负)被单独控制。在一些实施例中，通过电势供应器112a、112c、112e、112f、112h和112j为电极110提供负电势，并且通过电势供应器112b、112d、112g和112j为电极110提供正电势。
在一些实施例中，将靠近压板104的表面106的电极110中的至少一个视为像素，并且通过单独控制电极110调节由电极110产生的电场的分配。以不同的方式解释，分别至晶圆105的多个区域的离子束103的离子的运动分别通过由电极110产生的电场控制。例如，在离子束103的离子是正离子的情况下，如果晶圆105的对应于电连接至电势供应器112b的电极110的区域中的剂量密度高于预定值，则由电连接至电势供应器112b的电极110产生的电场被控制为更高，以便排斥在其上的更多正离子。
另一方面，在相同的情况下，如果晶圆105的对应于电连接至电势供应器112b的电极110的区域的剂量密度低于预定值，则由电连接至电势供应器112b的电极110产生的电场被控制为更低，以便较少地排斥在其上的正离子。替代地，如果晶圆105的对应于电连接至电势供应器112b的电极110的区域的剂量密度低于预定值，则控制由电连接至电势供应器112b的电极110产生的电场使其从正改变为负，以便吸引在其上的正离子。
图9是根据本发明的一些实施例的离子注入工具500的压板104的正视图，其中通过压板104保持的晶圆(例如，上文提及的晶圆105)未示出。图10是根据本发明的一些实施例的沿在图9中示出的线10-10截取的截面图。如在图9和图10中所示，由控制单元108产生的物理场中的至少一个是磁场。
在一些实施例中，控制单元108包括线圈118和电力供应器120。线圈118存在于压板104上，并且电力供应器120电连接至线圈118中的至少一个以提供电流。因此，多个线圈118电连接至电力供应器120。通过此配置，由于电流流至至线圈118的至少一个，因此在线圈118的至少一个的两个相对侧上产生一对磁极。在一些实施例中，线圈118中的电流方向是相同的，并且在线圈118的面向晶圆105的侧部处由线圈118产生的磁极为N极。在其他的实施例中，在线圈118的面向晶圆105的侧部处由线圈118产生的磁极为S极。
根据洛伦兹力定律，由于电磁场，在点电荷上产生磁力。因此，如果在磁场的存在下，点电荷以一定速率运动，则此点电荷通过其上的磁力被施加。由于离子束103的离子为带电粒子，因此离子束103的离子通过在由控制单元108的线圈118产生的磁场中的磁力施加。如前所述，在一些实施例中，在物理场中，涉及吸引或排斥离子束103的离子的力被配置成控制离子束103的离子的分配。以不同的方式解释，在一些实施例中，控制单元108为磁场提供单元，并且由控制单元108产生的磁场引起的至少一个磁力被配置成影响离子束103的离子的运动，以便控制离子束103的离子的分配。
此外，在一些实施例中，第一组控制单元108为电场提供单元，并且第二组控制单元108为磁场提供单元，并且因此在压板104上产生电场和磁场。因此，在压板104上的至少两个物理场是不同的。在压板104上产生电场和磁场的实施例中，电极110(见图3)和线圈118存在于压板104上。在压板104上产生电场和磁场的实施例中，当向晶圆105上提供离子束103时，离子束103的离子的运动受到电场和磁场的影响。
图11是根据本发明的一些实施例的离子注入工具600的压板104的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。如在图11中所示，电力供应器120a和120b的数量是2，其中第一组线圈118电连接至电力供应器120a和120b中的一个，并且第二组线圈118电连接至电力供应器120a和120b中的另一个。因此，在一些实施例中，第一组和第二组线圈118分别电连接至电力供应器120a和120b。在一些实施例中，向电连接至电力供应器120a的第一组线圈118提供第一方向的电流以产生面向晶圆105的N极，并且向电连接至电力供应器120b的第二组线圈118提供第二方向的电流以产生面向晶圆105的S极。
此外，在一些实施例中，将产生面向晶圆105的N极的线圈118视为第一无源元件，将电力供应器120a视为被配置成驱动第一无源元件以产生第一场的第一驱动单元，将产生面向晶圆105的S极的线圈118视为第二无源元件，并且将电力供应器120b视为被配置成驱动第二无源元件以产生第二场的第二驱动元件。在此情况中，第一场和第二场中的至少一个为磁场。在一些实施例中，第一场和第二场具有不同的方向，其中第一场和第二场的方向彼此相反。例如，对于电连接至电力供应器120a的线圈118，由于磁场的方向是从N极到S极，因此在面向晶圆105的N极处的第一场的方向是发散的。另一方面，对于电连接至电力供应器120b的线圈118，由于磁场的方向是从N极到S极，因此在面向晶圆105的S极处的第二场的方向是汇聚的。
通过此配置，由于向晶圆105提供的离子束103的离子是带电粒子，因此离子束103的离子的运动由于磁力而被磁场影响。此外，由于存在两种类型的磁场，离子束103的离子的运动被影响以朝向不同方向运动。因此，分别通过不同方向的磁力施加朝向第一场传播的离子束103的离子以及朝向第二场传播的离子束的离子，其中根据洛伦兹力，这两个不同的方向是彼此相反的。在一些实施例中，分别产生面对晶圆105的N极和S极的线圈118根据晶圆105的剂量密度的预定分配进行布置。
图12是根据本发明的一些实施例的离子注入工具700的压板104的截面图，其中该截面是沿与图10的例子中的压板的相似平面截取的。如在图12中所示，电力供应器120a-120j的数量是复数，并且多个线圈118分别电连接至电力供应器120a-120j。以不同的方式解释，线圈118与电力供应器120a-120j的数量是相同的，并且线圈118分别以一对一关系电连接至电力供应器120a-120j。
通过此配置，线圈118的至少一个通过电力供应器120a-120j中的一个单独地提供电流。以不同的方式解释，由线圈118中的至少一个产生的磁场的特性可单独控制。例如，由电连接至电力供应器120a的线圈118产生的磁场的大小与电连接至电力供应器120b-120j的线圈118产生的磁场的大小不同。通过单独控制经由线圈118的至少一个产生的磁场的特性，晶圆105的剂量密度的分配是可控制的。在此情况下，晶圆105的区域的剂量密度是可控制的。
如上所述，在本发明的离子注入工具中，离子束的离子的运动被由控制单元产生的物理场影响，其中物理场中的一个是电场、磁场或其组合。因此，离子束的离子至晶圆上的分配能够通过物理场控制。此外，由于可通过物理场更均匀地控制离子束，因此在离子束的边缘处的束均匀性提高，从而提高离子注入工艺的注入质量。此外，根据晶圆中的剂量密度的预定分配，通过调解控制单元的至少一个的特性，在晶圆的至少一个区域中的剂量密度被调整为更大或更小。
根据本发明的各种实施例，离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。
根据本发明的各种实施例，一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、至少一个第一无源元件、至少一个第一驱动单元、至少一个第二无源元件、以及至少一个第二驱动单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。第一无源元件存在于压板上。第一驱动单元被配置成驱动第一无源元件以产生能够影响离子束的离子至晶圆上的运动的第一场。第二无源元件存在于压板上。第二驱动单元被配置成驱动第二无源元件以产生能够影响离子束的离子至晶圆上的运动的第二场。
根据本发明的各个实施例，一种离子注入方法包括向晶圆上提供离子束，以及施加能够影响离子束的离子分别至晶圆的多个区域上的运动的多个物理场。
根据本发明的一些实施例，提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。
在上述离子注入工具中，所述控制单元中的至少一个是电场提供单元。
在上述离子注入工具中，所述控制单元中的至少一个包括：存在于所述压板上的至少一个电极；以及电连接至所述电极的至少一个电势供应器。
在上述离子注入工具中，多个所述电极电连接至所述电势供应器。
在上述离子注入工具中，多个所述电极分别电连接至所述电势供应器。
在上述离子注入工具中，所述控制单元中的至少一个是磁场提供单元。
在上述离子注入工具中，所述控制单元中的至少一个包括：存在于所述压板上的至少一个线圈；以及电连接至所述线圈的电力供应器。
在上述离子注入工具中，多个所述线圈电连接至所述电力供应器。
在上述离子注入工具中，多个所述线圈分别电连接至所述电力供应器。
在上述离子注入工具中，所述控制单元布置成阵列。
根据本发明的另一些实施例，还提供了一种离子注入工具，包括：工艺室；压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；离子源，被配置成将离子束提供至晶圆上；至少一个第一无源元件，存在于所述压板上；至少一个第一驱动单元，被配置成驱动所述第一无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第一场；至少一个第二无源元件，存在于所述压板上；以及至少一个第二驱动动单元，被配置成驱动所述第二无源元件以产生能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动的第二场。
在上述离子注入工具中，所述第一无源元件和所述第二无源元件中的至少一个是至少一个电极。
在上述离子注入工具中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元中的至少一个是至少一个电势供应器。
在上述离子注入工具中，所述第一无源元件和所述第二无源元件中的至少一个是至少一个线圈。
在上述离子注入工具中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元中的至少一个是至少一个电力供应器。
在上述离子注入工具中，多个所述第一无源元件电连接至所述第一驱动单元。
根据本发明的又一些实施例，还提供了一种离子注入方法，包括：将离子束提供至晶圆上；以及施加能够影响所述离子束的离子分别至所述晶圆的多个区域上的运动的多个物理场。
在上述离子注入方法中，至少一个所述物理场是电场。
在上述离子注入方法中，至少一个所述物理场是磁场。
在上述离子注入方法中，所述物理场的至少两个是不同的。
以上论述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文所介绍的实施例相同的目的和/或实现相同优点的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同配置并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，本文中他们可以做出多种变化、替代以及改变。

Claims (1)

1.一种离子注入工具，包括：
工艺室；
压板，存在于所述工艺室中并且被配置成保持晶圆；
离子源，被配置成将离子束提供至所述晶圆上；以及
多个控制单元，存在于所述压板上并且被配置成施加多个物理场，所述物理场能够影响所述离子束的离子至所述晶圆上的运动。
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