CN102941702A - 一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法如下：一、将钼粉压制成板坯并烧结为多孔钼骨架；二、将多孔钼骨架铺设于铜板之间进行熔渗，得到Cu-MoCu-Cu三层复合材料；三、表面加工平整；四、多道次热轧；五、退火处理；六、多道次冷轧；七、经表面处理和成品剪切，得到Cu-MoCu-Cu三层复合板材。本发明将熔渗及复合步骤同步制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题；采用本发明制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性好，能够解决大规模集成电路的散热问题。

Description

一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法
技术领域
本发明属于复合板材制备技术领域，具体涉及一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法。
背景技术
钼铜合金由于其散热性能良好，热膨胀系数可调，且耐高温性能优异，因此被做为热沉散热、电子封装、电触头等材料在电子信息领域得到了广泛应用。
近年来，随着电子信息行业飞速发展，大规模集成电路组装密度不断增大，因此，单位体积发热量急剧增加，为了解决大规模集成电路的散热问题，Mo-Cu层状复合板材作为一种新型散热材料应运而生。层状Mo/Cu复合板材是一种三明治结构的材料，一般分为三层（也有两层或四层），其中间为低膨胀Mo层，两边为高导电导热的Cu层，这种材料导热性能更加良好。目前层状Cu-Mo-Cu（CMC）复合材料的主要制备方法有喷射沉积法，爆炸焊接复合法及轧制复合法等。喷射沉积法主要是将熔融铜液喷射到钼板两边，冷却后形成三层复合板；爆炸焊接复合法是在爆炸冲击力作用下，铜板与钼板发生碰撞，在瞬间高温高压下得到复合的一种方法；轧制复合法是在钼板两侧放置铜板，然后热轧、冷轧形成复合板，这是目前较为普遍采用的一种复合板材制备方法。目前，国外在CMC复合材料的生产上技术较为成熟，并申请了相关专利（US 4957823A，US 4950554A，JP 2004249589A等），国内在CMC复合材料的生产上还处于探索阶段，相关专利有CN 1843691A和CN 1408485A。
以上专利均为Cu-Mo-Cu复合板材的制备方法，而截止目前，尚未发现有关Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法见诸报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法。该方法采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。另外，通过采用MoCu层替换CMC板材的中间Mo层，使各层变形性能更接近，提高了轧制成品率，而且中间MoCu层的采用，大大改善了Mo-Cu复合板材厚度方向上的散热性能。采用该方法制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将钼粉压制成厚度为5mm～15mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1500℃～1800℃烧结1h～3h，得到相对密度为60%～90%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两张铜板之间，然后将铺设有两张铜板的多孔钼骨架置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1300℃～1450℃熔渗1h～2h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为750℃～900℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，得到厚度为0.5mm～3mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行多道次冷轧，得到厚度为0.1mm～2mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.1mm～2mm的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤一中所述钼粉的平均费氏粒度为5μm～6μm。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中两张铜板均为无氧铜板。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中两张铜板的厚度均为4mm～23mm。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为10%～40%，余量为钼。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤四中所述加热的温度为750℃～900℃，所述加热的时间为20min～40min。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤五中所述退火处理的温度为600℃～800℃，所述退火处理的时间为1h～2h。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤五中所述冷轧的道次变形率为5%～15%。
上述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，所述Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰(1～6)︰1。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
（1）本发明首先将钼粉压制为板坯，经烧结处理后得到多孔钼骨架，然后采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu复合板坯，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，并且Cu-MoCu-Cu复合板坯的顶部铜层、中间钼铜层以及底部铜层之间均以熔渗的方式结合，明显提高了各层间的结合力，同时有效避免了热轧过程中的层间氧化问题。
（2）本发明采用钼铜合金代替Cu-Mo-Cu复合板材中的钼作中间层，使复合材料各层变形性能更接近，大大改善了其加工性能，提高了轧制成品率，而且中间钼铜层的设计使钼铜层状复合材料在厚度方向上散热性能更加优异。
（3）本发明制备工艺简单易行，适于大规模工业化生产，采用该方法制备的Cu-MoCu-Cu复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热问题。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1为本发明实施例1多孔钼骨架的截面微观形貌图。
图2为本发明实施例3多孔钼骨架的截面微观形貌图。
图3为本发明实施例5制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的截面微观形貌图。
具体实施方式
实施例1
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰1︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为5.3μm的钼粉压制成厚度为10mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1500℃烧结3h，得到相对密度为60%±2%的多孔钼骨架（如图1所示）；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为23mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1350℃熔渗2h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为40%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为900℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为900℃，加热时间为40min，得到厚度为2mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为700℃，退火处理的时间为2h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行7道次冷轧，道次变形率分别为：15%，12%，10%，8%，8%，5%，5%，得到厚度为1mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为1mm，层厚比为1︰1︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
本实施例采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
实施例2
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰2︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为5μm的钼粉压制成厚度为8mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1600℃烧结3h，得到相对密度为70%±2%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为10mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1350℃熔渗2h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为30%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为850℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为850℃，加热时间为20min，得到厚度为1mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为750℃，退火处理的时间为2h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行7道次冷轧，道次变形率分别为：15%，12%，10%，9%，8%，6%，5%，得到厚度为0.5mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.5mm，层厚比为1︰2︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
本实施例采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
实施例3
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰3︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为5.7μm的钼粉压制成厚度为5mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1700℃烧结2h，得到相对密度为80%±2%的多孔钼骨架（如图2所示）；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为5mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1300℃熔渗1.5h，得到表面完全被铜包覆，的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为20%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为750℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为750℃，加热时间为20min，得到厚度为2mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为600℃，退火处理的时间为2h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行17道次冷轧，道次变形率分别为：15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，12%，12%，10%，10%，10%，10%，9%，6%，得到厚度为0.2mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.2mm，层厚比为1︰3︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
本实施例采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
实施例4
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰4︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为6μm的钼粉压制成厚度为15mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1800℃烧结1h，得到相对密度为70%±2%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为10.5mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1400℃熔渗2h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为30%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为800℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为800℃，加热时间为30min，得到厚度为1mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为800℃，退火处理的时间为1h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行16道次冷轧，道次变形率分别为：15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，15%，10%，10%，10%，10%，8%，得到厚度为0.1mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.1mm，层厚比为1︰4︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
本实施例采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
实施例5
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰5︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为5.7μm的钼粉压制成厚度为12mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1800℃烧结2h，得到相对密度为90%±2%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为6.5mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1450℃熔渗1h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为10%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为900℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为900℃，加热时间为40min，得到厚度为3mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为700℃，退火处理的时间为1h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行4道次冷轧，道次变形率分别为：15%，10%，8%，5%，得到厚度为2mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为2mm，层厚比为1︰5︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材（如图3所示）。
采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的截面微观形貌如图3所示，图中Ⅰ层和Ⅲ层均为Cu层，Ⅱ层为MoCu层，由图可知采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材中Ⅰ层和Ⅱ层之间，Ⅱ层和Ⅲ层之间均以熔渗的方式结合，层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
实施例6
本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰6︰1，本实施例的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将平均费氏粒度为5μm的钼粉压制成厚度为8mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1700℃烧结2h，得到相对密度为75%±2%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两层厚度均为4mm的无氧铜板之间，然后置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1350℃熔渗2h，得到表面完全被铜包覆，的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为25%±2%，余量为钼；实际生产过程中，根据熔渗工艺和后续加工的设计需要，无氧铜板的厚度可以有±10%的浮动范围；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为850℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，加热温度为850℃，加热时间为30min，得到厚度为0.5mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；所述退火处理的温度为600℃，退火处理的时间为2h；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行9道次冷轧，道次变形率分别为：15%，13%，11%，10%，9%，8%，7%，6%，5%，得到厚度为0.2mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.2mm，层厚比为1︰6︰1的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
本实施例采用熔渗法一次性制备Cu-MoCu-Cu三层复合板材，大大缩短了工艺流程，提高了生产效率，各层之间均以熔渗的方式结合，显著提高了层间结合力，同时有效避免了层间氧化问题。采用本实施例制备的Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层间结合优良，导热性能高，能够解决大规模集成电路的散热、封装等问题。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (9)

1.一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、采用油压机将钼粉压制成厚度为5mm～15mm的钼板坯，然后将所述钼板坯置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1500℃～1800℃烧结1h～3h，得到相对密度为60%～90%的多孔钼骨架；
步骤二、将步骤一中所述多孔钼骨架铺设于两张铜板之间，然后将铺设有两张铜板的多孔钼骨架置于氢气炉中，在氢气气氛保护下，于1300℃～1450℃熔渗1h～2h，得到表面完全被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料；
步骤三、将步骤二中被铜包覆的Cu-MoCu-Cu三层复合材料的表面机加工平整；
步骤四、将步骤三中表面机加工平整的Cu-MoCu-Cu三层复合材料在温度为750℃～900℃的条件下进行多道次热轧，道次间将热轧后的Cu-MoCu-Cu三层复合材料置于氢气炉中加热，得到厚度为0.5mm～3mm的热轧板材；
步骤五、将步骤四中所述热轧板材置于氢气炉中进行退火处理；
步骤六、将步骤五中经退火处理后的热轧板材进行多道次冷轧，得到厚度为0.1mm～2mm的冷轧板材；
步骤七、将步骤六中所述冷轧板材进行表面处理，然后将表面处理后的冷轧板材进行成品剪切处理，得到厚度为0.1mm～2mm的Cu-MoCu-Cu三层复合板材。
2.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤一中所述钼粉的平均费氏粒度为5μm～6μm。
3.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中两张铜板均为无氧铜板。
4.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中两张铜板的厚度均为4mm～23mm。
5.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤二中所述Cu-MoCu-Cu三层复合材料的MoCu层中铜的质量百分含量为10%～40%，余量为钼。
6.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤四中所述加热的温度为750℃～900℃，所述加热的时间为20min～40min。
7.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤五中所述退火处理的温度为600℃～800℃，所述退火处理的时间为1h～2h。
8.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤六中所述冷轧的道次变形率为5%～15%。
9.根据权利要求1所述的一种Cu-MoCu-Cu三层复合板材的熔渗制备方法，其特征在于，步骤七中所述Cu-MoCu-Cu三层复合板材的层厚比为1︰(1～6)︰1。
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