CN102939901B - 菊花一步法组培快繁方法 - Google Patents

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罗丽君
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Abstract

本发明公开了菊花一步法组培快繁方法,它包括以下步骤:S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成带芽茎段,灭菌清洁后,接种于培养基上生长,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,获得生根无菌健壮母本苗;S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,带芽茎段长成完整植株。本发明的有益效果是:生根后的菊花组培苗不需特殊炼苗,生长健壮,生产成本低廉,得到的组培苗遗传状一致,且繁殖系数高,繁殖周期短,是菊花组培快繁的有效途径;组培培养基和壮苗、生根培养基为同一种培养基,降低了操作难度,利于提高培养效率,且适用范围广。

Description

菊花一步法组培快繁方法
技术领域
本发明涉及菊花栽培方法技术领域,特别是菊花一步法组培快繁方法。
背景技术
菊花,多年生菊科草本植物,是中国十大名花之一,有着悠久的栽培及选育历史。菊花也是中国常用中药,具有疏风、清热、明目、解毒之功效。主要治疗头痛、眩晕、目赤、心胸烦热、疗疮、肿毒等症。现代药理研究表明,菊花具有治疗冠心病、降低血压、预防高血脂、抗菌、抗毒素、抗炎、抗衰老等多种药理活性。
菊花的繁殖方法一般有两种繁殖法,即营养繁殖和种子繁殖。为了保持菊花的优良性状不变,在生产中一般都用营养繁殖,只有在培育新品种时才进行种子繁殖。营养繁殖的方法有多重,生产中常用的有扦插、分株、嫁接、压条繁殖、组织培养等法,通常以扦插繁殖应用最多。中国专利201110029825.2,公开了甜叶菊种苗的组培快繁技术,但其操作步骤复杂,每个培养阶段都需要不同成分的培养基,增加了实际操作的难度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种降低操作难度、繁殖系数高、繁殖周期短的菊花一步法组培快繁方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:菊花一步法组培快繁方法,它包括以下步骤:
S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成2~3cm的带芽茎段,酒精灭菌20~40s,升汞灭菌4~6min,无菌水冲洗4~6遍,接种于培养基上生长,所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;生长两周后获得生根无菌健壮母本苗;
S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,带芽茎段长成完整植株。
所述的步骤S2中将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成带芽茎段的操作方法为:将一株健壮苗可切割成20~30段2~3cm的带芽茎段,繁殖系数高。
本发明具有以下优点:本发明利用植物组织培养技术,获得菊花无菌组培苗,再通过一步法快繁,仅需一种培养基,同时进行繁殖、壮苗、生根培养,生根后的菊花组培苗不需特殊炼苗,生长健壮,生产成本低廉,得到的组培苗遗传状一致,且繁殖系数高,繁殖周期短,是菊花组培快繁的有效途径。本发明的组培培养基和壮苗、生根培养基为同一种培养基,降低了操作难度,利于提高培养效率。通过实验,本方法适用于食用菊、地被菊、切花菊等各种不同种类的菊花。
附图说明
图1 为本发明的菊花初代腋芽萌发示意图
图2 为本发明的生根无菌健壮母本苗示意图
图3 为本发明的一步法快繁初期示意图
图4 为本发明的一步法快繁后期示意图
图5 为本发明的一步法快繁生根示意图
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步的描述,本发明的保护范围不局限于以下所述:
实施例1:
菊花一步法组培快繁方法,它包括以下步骤:
S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成2~3cm的带芽茎段,酒精灭菌30,升汞灭菌5min,无菌水冲洗5遍,接种于培养基上生长,如图1所示,所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,生长两周后获得生根无菌健壮母本苗,如图2所示;
S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成20~30段2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,如图3所示,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,一周后,如图4、图5所示,带芽茎段长成完整植株,繁殖周期较短。
实施例2:
菊花一步法组培快繁方法,它包括以下步骤:
S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成2~3cm的带芽茎段,酒精灭菌20s,升汞灭菌6min,无菌水冲洗4遍,接种于培养基上生长,如图1所示,所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,生长两周后获得生根无菌健壮母本苗,如图2所示;
S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成20~30段2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,如图3所示,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,一周后,如图4、图5所示,带芽茎段长成完整植株,繁殖周期较短。
实施例3:
菊花一步法组培快繁方法,它包括以下步骤:
S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成2~3cm的带芽茎段,酒精灭菌40s,升汞灭菌4min,无菌水冲洗4遍,接种于培养基上生长,如图1所示,所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,生长两周后获得生根无菌健壮母本苗,如图2所示;
S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成20~30段2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,如图3所示,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养,一周后,如图4、图5所示,带芽茎段长成完整植株,繁殖周期较短。 

Claims (1)

1.菊花一步法组培快繁方法,其特征在于:它包括以下步骤:
S1、获得菊花无菌组培苗:采集菊花外植体,切割成2~3cm的带芽茎段,酒精灭菌20~40s,升汞灭菌4~6min,无菌水冲洗4~6遍,接种于培养基上生长,所述的培养基为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,待新的腋芽萌发至2~3cm时,转接于新的培养基上生长,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;生长两周后获得生根无菌健壮母本苗;
S2、一步法快繁:将步骤S1中得到的无菌健壮母本苗切成20~30段2~3cm的带芽茎段,接种于培养基上同时进行继代和生根培养,所述的培养基仍为MS+NAA0.2mg/L+IAA0.1mg/L,在光照2000LX,16 h,温度24℃的培养条件下培养;一周后,带芽茎段长成完整植株。
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