CN102939403B - 涂层源及其生产方法 - Google Patents

涂层源及其生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102939403B
CN102939403B CN201180019261.2A CN201180019261A CN102939403B CN 102939403 B CN102939403 B CN 102939403B CN 201180019261 A CN201180019261 A CN 201180019261A CN 102939403 B CN102939403 B CN 102939403B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
coating source
ferromagnetic
ferromagnetic domains
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180019261.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102939403A (zh
Inventor
P·博尔西克
C·博尔车
M·贝利
S·席利西特勒
G·斯特劳斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Plansee SE
Original Assignee
Plansee SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee SE filed Critical Plansee SE
Publication of CN102939403A publication Critical patent/CN102939403A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102939403B publication Critical patent/CN102939403B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H01J37/3429—Plural materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

提供一种用于物理气相沉积的涂层源1，所述涂层源具有在粉末冶金生产过程中由至少一种粉状起始材料制成的至少一个组件2；7以及嵌入在所述组件中的至少一个铁磁区域5a、5b、6。所述至少一个铁磁区域5a、5b、6是在所述粉末冶金生产过程中被引入到所述组件2；7中并且固定地连接到所述组件。

Description

涂层源及其生产方法
技术领域
本发明涉及用于物理气相沉积的涂层源以及此种涂层源的生产方法。
背景技术
物理气相沉积法在用于生产多个变化很大的层的技术中大量使用。应用从用于多种变化很大的衬底材料的耐磨且抗腐蚀涂层的生产一直到有涂层的材料复合物的生产，尤其是在半导体以及电子产业中。由于此广泛应用范围，必须沉积各种涂层材料。
在物理气相沉积中使用各种技术，例如气相沉积、阴极溅射(溅射沉积)，或电弧气相沉积(阴极电弧沉积或电弧源气相沉积技术)。
在溅射沉积法中，借助于例如氩等工作气体来在腔室中产生等离子体。工作气体的离子朝由涂层材料形成的标靶加速并且将涂层材料的微粒从标靶撞出，这些微粒变成气相并且由此沉积在待涂布的衬底上。在溅射沉积法中已知在标靶的作用表面上形成磁场以促进所述过程。磁场提高了标靶的作用表面附近的等离子体密度，并且因此导致对涂层材料的烧蚀增加。此种方法被称为磁控阴极溅射(磁控溅射沉积)。
EP 1744347A1描述了一种用于磁控溅射沉积的标靶，其中为了允许铁磁涂层材料溅射，将磁体布置在标靶的后侧以放大穿过标靶的作用表面的磁场。描述了通过将磁体压在钻孔中或者通过借助于已知的结合技术将磁体结合在钻孔中来将磁体布置在标靶中的情况。
阴极电弧沉积法从根本上不同于上述的溅射沉积法。阴极电弧沉积尤其用于工具和机器零件的碳化物涂层以及用于装潢应用领域中的层。在阴极电弧沉积中，利用电弧放电，所述电弧放电是在作为标靶、阴极以及阳极提供的涂层材料之间点燃。所得的高电流低电压电弧(下文为电弧)经由阴极的自由电荷载流子以及较高的分压力来产生自身，使得甚至在高度真空下电弧放电也能维持。取决于所用技术的设计，电弧的位置在阴极的表面上或多或少随机地(所谓的随机电弧技术)移动或者以受控方式(所谓的操控电弧技术)移动，标靶表面中的高能量引入发生在极小的区域中(在所谓的点中)。此高能量引入局部导致标靶表面处涂层材料的汽化。点的区域由涂层材料的液滴、涂层材料蒸汽以及涂层材料的所产生离子组成。标靶只在极小的区域中转变成熔融状态，并且因此可以在任何位置中作为具有相对较高涂布率的气相沉积源来操作。涂层材料蒸汽的离子化对由沉积在待涂布的衬底上的涂层材料制成的层的所得性质很重要。在涂层材料具有高蒸汽压力的情况下，通常大约25％的蒸汽微粒处于电离状态，而在涂层材料具有低蒸汽压力的情况下，通常在50％与100％之间的蒸汽微粒处于电离状态。因此，在设备中不需要额外的离子化装置也能进行反应性离子电镀。阴极电弧沉积技术中的基本参数是电弧电压以及电弧电流，所述电弧电压以及电弧电流受到其他参数的影响，这些参数具体是例如标靶的材料、所提供的反应性气体，以及所给出的工作压力。例如，阴极电弧沉积中典型的操作条件是在15V与30V之间的电弧电压以及在50A与150A之间的电弧电流。
在阴极电弧沉积中，电弧在标靶表面上的移动速度决定了对应点中熔融材料的量。这个速度越低，从点离开朝待涂布的衬底加速的涂层材料的量就越大。低速度因此导致了在衬底上的层生长中非所要的喷雾或大微粒。所实现的电弧移动速度是随标靶的涂层材料而变。涂层材料的电导率减少会导致电弧速度减小。如果标靶表面上的电弧速度过低，即，停留在一个点上的时间过长，那么结果是标靶的局部热过载以及非所要的喷雾或大微粒对衬底上的层生长的强度污染。标靶过早不能用也可能是由表面上肉眼可见的熔化区域引起。
电弧位置的速度并且因此点大小可能受到磁场影响。磁场强度越高，电弧移动得越快。在用于阴极电弧沉积的设备中，已知在用于标靶的冷支撑件之后设置电磁体或永久磁体以便影响电弧的速度。
DE 4329155A1描述了一种用于电弧放电汽化器的磁场阴极，所述磁场阴极具有线圈布置以及布置在标靶中心的永久磁体以便实现对标靶材料更均匀的侵蚀。
发明内容
本发明的目标是提供一种用于物理气相沉积的涂层源以及其生产方法，使用所述涂层源以及其生产方法，分别在磁控溅射沉积中实现稳定的涂布工艺或在阴极电弧沉积中实现对电弧速度的良好控制，并且同时可以实现到涂布设备的冷支撑件的最好的可能热耦合、用很少工作步骤有效地生产涂层源，以及将铁磁材料以几乎任意的几何形状在空间上布置成接近于标靶的作用表面，甚至材料很难才能进行机械加工或根本不能进行机械加工也是如此，并且污染物经由涂层源引入到涂布设备中的风险也降至最低。
这个目标是通过根据权利要求1的用于物理气相沉积的涂层源来实现。在从属权利要求中指明了有利的改进。
所述用于物理气相沉积的涂层源具有：在粉末冶金生产过程中由至少一种粉状起始材料制成的至少一个组件以及嵌入在所述组件中的至少一个铁磁区域。所述至少一个铁磁区域是在粉末冶金生产过程期间被引入并且并在所述组件中。
可以设置一个相连铁磁区域或多个铁磁区域。铁磁被视为表示这个区域(或这些区域)的导磁系数＞＞1。所述至少一个铁磁区域可以设计为一个永久磁体，或者可以设置一个或多个永久磁区域和/或一个或多个非磁化区域。所述至少一个铁磁区域可以具有铁磁粉末，例如，所述铁磁粉末是在用于涂层源的生产过程期间以粉末状引入的。替代地或除此之外，所述至少一个铁磁区域也可以(例如)具有在生产过程期间引入的一个或多个肉眼可见的铁磁体。涂层源的至少一个组件可以(例如)由实际标靶，即，涂层源的待汽化的涂层材料，来形成。然而，所述至少一个组件也可以(例如)由用不同材料制成的背板形成，所述背板固定地连接到标靶，用于实现到涂布设备中的冷支撑件的热耦合。在实际标靶是可卸除式地系固在底座上的涂层源的构造中，所述至少一个组件也可以(例如)由所述底座形成，其中所述底座是设计成用于将标靶连接到涂布设备的冷支撑件。例如，分别地，铁磁区域可以形成在标靶中并且也形成在背板中，或者形成在标靶中并且也形成在底座中。在所有这些情况中，所述至少一个铁磁区域按某方式布置，使得其在操作中布置在涂布设备的冷支撑件与标靶的作用表面之间。由于这种布置，可以实现一种磁场几何形状，其在极接近于标靶的作用表面处起作用，使得在标靶的近表面区域中，可以提供高的磁场密度。因此提供了独立于所使用的涂布设备的磁场系统，可以针对相应的涂层材料以及所应用的工艺来对所述磁场系统进行调适以及优化。此外，照这样，可以按照选定的方式来遮蔽标靶表面的限定区域。可以避免在阴极电弧沉积期间过热以及由此导致的涂层材料喷雾喷出增加造成的损害。
在此上下文中，嵌入在组件中表示固定地连接到组件。所述至少一个铁磁区域在粉末冶金生产过程期间被引入到组件中并且固定地连接到组件，即，所述至少一个铁磁区域已在粉末冶金生产过程期间与组件一起进行加工，使得所述至少一个铁磁区域永久地连接到组件的剩余部分。
由于铁磁区域直接嵌入在涂层源的组件中，因此铁磁区域在涂层源的操作中位于标靶的作用表面附近，并且因此可以确保在磁控溅射沉积期间的稳定涂布工艺或在阴极电弧沉积期间对电弧速度的良好控制。所述至少一个铁磁区域可以与组件一起被按压、锻造、热等静压、碾压、热压，和/或烧结。由于所述至少一个铁磁区域是在粉末冶金生产过程期间被引入到组件中并且通过这个过程固定地连接到组件，因此所述至少一个铁磁区域可以连接到组件并且之间无间隙和空穴，使得实施了到涂布设备的冷支撑件的良好导热性。具体来说，照这样，在组件中不会形成阻断从标靶表面到冷支撑件的未扰动热流的空穴。此外，通过在粉末冶金生产过程中引入，例如，可以嵌入具有几乎任意几何形状的铁磁区域，并且这些铁磁区域可以被组件的材料完全围住。引入到组件中这个操作可以独立于组件的材料来执行，使得一个或多个铁磁区域也可以布置在很难才能进行机械再加工或根本不能进行机械再加工的组件中。此外，也可以节省成本地以及用很少生产步骤来生产在至少一个组件中具有至少一个铁磁区域的涂层源，这是因为不必机械制造出用于铁磁区域的凹座，并且在组件的生产之后不必在另一个步骤中引入铁磁区域。通过在粉末冶金生产过程期间引入并且并入至少一个铁磁区域，也可以提供呈现本身就封闭的形式的涂层源，其中不存在可能会聚集污染物的空穴，所述污染物在涂布工艺期间可能会导致真空恶化或对生长层的非所要污染。具体来说，以下合金可以用作铁磁材料：NdFeB、SmCo、AlNiCo、SrFe、BaFe、Fe、Co以及Ni。
根据一个实施例，所述至少一个铁磁区域具有由在粉末冶金生产过程中以粉末状引入的铁磁材料制成的至少一个区域。在这种情况下，可以使用简单的方式在组件中设置几何形状变化很大的多个铁磁区域。此外，例如，可以使用简单的方式来提供具有铁磁材料的不同组合物的多个铁磁区域，使得在标靶的作用表面上实现的磁场可以按照目标方式成形。例如，使用简单的方式，也可以提供位置随铁磁材料的组合物变化的至少一个铁磁区域。例如，所述至少一个铁磁区域也可以只具有以粉末状引入的铁磁材料。在这种情况下，特别简单的生产成为可能。
根据一个实施例，所述至少一个铁磁区域具有至少一个永久磁区域。所述永久磁区域可以(例如)通过引入先前磁化了的肉眼可见的磁体来形成，或者，也可以(例如)在组件的生产期间或之后对嵌入在组件中的区域进行磁化。
根据一个实施例，所述至少一个铁磁区域具有在粉末冶金生产过程中引入的至少一个铁磁体。通过引入一个或多个肉眼可见的铁磁体，可以非常精确地影响所实现的磁场，尤其是在磁化(永久磁)体的情况下。具体来说，例如，可以引入磁化定向不同的多个永久磁体。
根据一个实施例，涂层源具有标靶，并且至少一个铁磁区域布置在标靶中。在此上下文中，标靶被视为是由用作涂层材料的材料制成的涂层源的区域，这个区域在应用期间会被侵蚀。在这个实施例中，所述至少一个铁磁区域可以设置成极接近于标靶的作用表面，使得甚至是成问题的涂层材料也可以按受控方式来汽化。这个实施例也可以特别用在标靶是直接连接(没有其他的中间结构)到涂布设备的冷支撑件的情况下。
根据一个实施例，涂层源具有标靶以及背板，所述背板固定地连接到标靶，用于实现到涂布设备的冷支撑件的热耦合，并且所述至少一个铁磁区域布置在标靶和/或背板中。在此种布置中，所述至少一个铁磁区域可以因此形成在标靶中、在背板中，或在这两者中。此外，可以在标靶以及背板中形成各种铁磁区域。具有标靶以及固定地连接到标靶的背板的实施例可以尤其适用在以下情况下：假若涂层材料具有相当低的热导率并且因此由于所得的过热危害而不能提供为具有大厚度的标靶，但是在涂布设备中要求从冷支撑件到标靶的作用表面的较高的总高度。标靶以及背板可以(例如)通过在共同的粉末冶金过程中由不同材料生产而制成。例如，标靶可以由任选地具有其他组份(尤其是Cr、B、C或Si)的TiAl形成，并且背板可以由Al或Cu形成。例如，标靶以及背板的材料可以在生产过程中以粉末状彼此层叠，并且随后共同压实和/或锻造。然而，例如，也有可能是(例如)标靶与背板通过用铟结合或以类似方式而彼此固定地连接。
根据一个实施例，涂层源具有标靶以及底座，所述底座可卸除式地连接到标靶，用于将标靶连接到涂布设备的冷支撑件，并且至少一个铁磁区域布置在底座中。例如，这种布置可以用在以下情况下：假若仅相对较薄的标靶是有利的，但是在涂布设备中必须实施从冷支撑件到标靶的作用表面的相对较高的总高度。标靶与底座可以(例如)经由机械系固件而彼此可卸除式地连接。在这个实施例中，可以转而独立于设备并且以标靶特定的方式通过在底座中布置至少一个铁磁区域来提供磁场。可以节省成本地提供具有或不具有铁磁区域的可更换标靶。
根据一个实施例，涂层源是磁控溅射沉积涂层源。在这种情况下，在标靶的作用表面附近的至少一个铁磁区域可以用于按照目标方式控制作用表面上的溅射工艺。
根据一个实施例，涂层源是阴极电弧沉积涂层源。在这种情况下，在标靶的作用表面附近的至少一个铁磁区域可以用于控制电弧在表面上的移动。可以按照选择性方式来设置移动或烧蚀样式，可以按照选择性方式来减少或防止在涂层源中部电弧的衰缩，并且可以造成电弧到涂层源的所要区域上的受控磁感应移置。
所述目标也通过根据权利要求10的用于生产用于物理气相沉积的涂层源的方法来实现。在从属权利要求中指明了有利的改进。
所述方法具有以下步骤：将用于所述涂层源的至少一个组件的至少一种粉状起始材料放入模子中；将铁磁粉末和/或至少一个铁磁体引入到所述模子中，使得其布置在所述粉状起始材料的至少一个区域中；以及压实如此形成的组件。照这样，实现了上文参考涂层源所描述的优点。具体来说，使用所述方法，可以使用简单的方式并且用很少的方法步骤来在标靶的作用表面附近实施铁磁区域，甚至在材料很难才能进行机械加工或根本不能进行机械加工的情况下也是如此。因此，可以使用简单的方式以及以几乎任意的几何形状来将一个或多个铁磁区域嵌入在组件的材料中，并且也可以使用简单的方式来完全围住这些区域，例如，用材料围住。对于多种变化很大的材料，这是可能的。同样地，例如，一个铁磁区域或多个铁磁区域可以布置在标靶和/或固定地连接到标靶的背板和/或底座中。例如，可以先将用于组件的粉状起始材料放入模子中，再分别放入铁磁粉末或至少一个铁磁体。然而，也可以先分别将铁磁粉末或至少一个铁磁体引入模子中，再引入粉状起始材料。除了压实之外，也可以执行所形成组件的成形。
根据一个实施例，所述引入是至少在起始材料的一个区域中执行，所述起始材料形成了涂层源中的标靶。根据另一个实施例，所述引入是至少在起始材料的一个区域中执行，所述起始材料形成了涂层源中的背板，所述背板固定地连接到标靶，用于实现到涂布设备的冷支撑件的热耦合。根据另一个实施例，所述引入是在起始材料的一个区域中执行，所述起始材料形成了涂层源中的底座，所述底座可卸除式地连接到标靶，用于将标靶连接到涂布设备的冷支撑件。
附图说明
从以下参看附图对示范性实施例的描述可以明了其他的优点以及改进。
图1示意性地示出了根据第一实施例的涂层源的俯视图
图2示意性地示出了根据第一实施例的涂层源的一个实例的横截面
图3示意性地示出了根据第一实施例的涂层源的第二实例的横截面
图4示意性地示出了根据第一实施例的涂层源的第三实例的横截面
图5示意性地示出了根据第一实施例的涂层源的第四实例的横截面
图6示意性地示出了根据第二实施例的涂层源的第一实例的横截面
图7示意性地示出了根据第二实施例的涂层源的第二实例的横截面
图8示意性地示出了具有标靶以及底座的涂层源的俯视图
图9示意性地示出了具有底座的涂层源的横截面
图10示意性地示出了具有底座的另一个涂层源的横截面
图11示出了用以说明涂层源的生产方法的示意性框图
具体实施方式
第一实施例
下文参看图1到图5描述第一实施例。在所示实施例中，对于阴极电弧沉积法，涂层源1由标靶2形成。在这个实施例中，标靶2是设计成直接系固到涂布设备的冷支撑件上。虽然在图1中示出了具有圆形截面的涂层源1，但是例如椭圆形、矩形等其他形状也是可能的。这情况也适用于下文所述的其他实施例以及其修改。虽然在本情况中仅描述了涂层源1是分别针对阴极电弧沉积而设计的实施例以及修改，但是也可以分别针对磁控溅射沉积来设计涂层源。
标靶2具有作用表面3，在涂布工艺期间，作用表面3上的标靶2材料被侵蚀。在所示实施例中，标靶2在背向作用表面3的后侧中具有孔4，用于系固在涂布设备的冷支撑件上。然而，也可以提供在冷支撑件上的另一种类型的系固。在图2所示实施例中，涂层源1完全由在涂布法期间会汽化的涂层材料形成，使得标靶2形成了涂层源1的单个组件。标靶2是在粉末冶金生产过程中由至少一种起始材料形成。例如，标靶2可以由一种粉状起始材料或由各种粉状起始材料构成的混合物形成。
在第一实施例中，在标靶2的材料中嵌入至少一个铁磁区域。在图2所示实例中，在标靶2的材料中形成了两个铁磁区域5a以及5b。在图2的实例中，铁磁区域5a以及5b是由两个肉眼可见的永久磁体形成，这两个磁体被嵌入在标靶2的材料中。铁磁区域5a以及5b是在用于将标靶2制成粉末起始材料的粉末冶金生产过程期间引入的并且连接到标靶2的材料。铁磁区域与粉末起始材料一起压实并且成形，使得铁磁区域永久地连接到标靶2的材料。虽然在图2中作为实例示出了两个此类磁体，但是也可以引入仅一个此类磁体或两个以上的此类磁体。所引入的磁体可以具有其他任意形状。
图3示出了根据第一实施例的涂层源1的第二实例。第二实例与基于图2描述的实例不同，不同之处在于至少一个铁磁区域6不是由所引入的肉眼可见的磁体形成，而是由引入到标靶2的起始材料中的铁磁粉末形成。铁磁粉末是在用于将标靶2制成粉末起始材料的粉末冶金生产过程期间引入的并且如在第一实例中通过共同处理而连接到标靶2的材料。虽然在图3中示出了特定轭状形状的铁磁区域6，但是许多其他布置也是可能的。同样地，可以形成单个铁磁区域6或多个铁磁区域。
图4示出了根据第一实施例的涂层源1的第三实例。在第三实例中，提供了由所引入的肉眼可见的磁体形成的铁磁区域5a以及5b，并且也提供了由所引入的铁磁粉末形成的铁磁区域6。因此，这是第一实例与第二实例的组合。图5示出了另一个实例，所述实例与图4所示的实例的不同之处在于由铁磁粉末形成的铁磁区域6的形状。
在第一实施例中，涂层源1因此具有一标靶2，所述标靶是设计成用于直接连接到涂布设备的待冷却的支撑件。在标靶2中形成了一个或多个铁磁区域5a、5b、6，这些铁磁区域分别由在粉末冶金生产过程期间引入的铁磁体或铁磁粉末形成。所述铁磁区域可以设计为永久磁体，例如通过所引入的永久磁体或者通过在外部磁场中将铁磁粉末冷却到居里温度以下。
在下文将参看图11描述用于生产根据第一实施例的涂层源1的方法。
在步骤S1中，将用于标靶2的粉末起始材料(一种或多种粉末)引入到模子中。在步骤S2中，将至少一个铁磁区域5a、5b和/或6引入到粉末起始材料中。这个过程可以(例如)通过引入至少一个肉眼可见的铁磁体或通过引入铁磁粉末来执行。在步骤S3中，将粉末起始材料与所引入的铁磁区域一起压实，并且任选地进行成形。这个过程可以(例如)通过在压床中在高压下按压并且随后进行锻造来执行。例如，也可以通过碾压、热等静压(hipping)、热压等执行按压。请注意，例如，方法步骤S1和S2也可以按相反顺序施行。
虽然在图2到图5中铁磁区域5a、5b、6是分别位于标靶2的材料的边缘上，但是它们也可以(例如)形成为四周被标靶2的材料围住。对于提供了由所引入的铁磁粉末形成的铁磁区域并且也提供了由所引入的铁磁体形成的铁磁区域的情况，由所引入的粉末形成的区域可以相对于由铁磁体形成的区域以任意布置来形成。具体来说，例如，与由所引入的铁磁体形成的区域相比，由所引入的铁磁粉末形成的区域可以形成在离标靶的作用表面较近或较远处。
第二实施例
下文参看图6以及图7描述第二实施例。为免赘述，只描述与第一实施例的差异，并且相同的元件符号用于对应的组件。
在第二实施例中，涂层源1具有标靶2以及固定地连接到标靶2的背板7作为组件，其中标靶2具有作用表面3。背板7是设计成用于系固在涂布设备的冷支撑件上，这个系固可以(例如)通过孔4来实现，作为实例示出。背板7被设计成用于提供标靶2到冷支撑件的良好热耦合，以便确保标靶2的散热良好。在示范性实施例中，标靶2以及背板7是在共同的粉末冶金生产过程中由粉末起始材料制成。例如，标靶2的材料可以是具有低热导率的涂层材料，例如任选地具有其他组份的TixAly，而背板7的材料可以是具有高热导率的材料，例如Al或Cu。例如，涂层源1的两个组件，即标靶2与背板7之间的固定连接可以形成的原因是：用于标靶2的粉末起始材料与用于背板的粉末起始材料是在共用的模子中彼此层叠并且压实，而且随后任选地进行锻造、热等静压、碾压、热压和/或烧结。
在第二实施例中，在标靶2和/或背板7中嵌入至少一个铁磁区域。可以在标靶2中形成一个或多个铁磁区域，可以在背板7中形成一个或多个铁磁区域，或可以分别在标靶2以及背板7中形成一个或多个铁磁区域。同样地，各铁磁区域可以(例如)由所引入的肉眼可见的磁体或所引入的铁磁粉末形成。各铁磁区域已与标靶2和/或背板7的粉末起始材料一起压实并且成形，使得它们永久地结合到标靶2和/或背板7的材料。同样地，一个或多个铁磁区域可以设计为永久磁体。在下文描述这多个不同的可能实施方案的两个实例。
在图6所示实例中，在背板7中嵌入了两个铁磁区域5a以及5b。这两个铁磁区域5a以及5b是由肉眼可见的永久磁体形成，所述永久磁体是在使用背板7的起始材料的粉末冶金生产过程期间引入到背板7的材料中并且固定地连接到背板7的材料。在图7所示实例中，在涂层源1中另外提供了另一个铁磁区域6。铁磁区域6是由在粉末冶金生产过程期间引入到标靶2以及背板7的相应粉末起始材料中的铁磁粉末形成。
在下文参看图11简短地描述用于生产根据第二实施例的涂层源的方法。
在步骤S11中，将用于标靶2的粉末起始材料以及用于背板7的粉末起始材料相继地放入模子中。例如，可以先引入用于背板7的起始材料，再引入用于标靶2的起始材料，反过来也是一样。在步骤S12中，通过将铁磁粉末和/或至少一个铁磁体引入到用于标靶2和/或背板7的粉末起始材料的至少一个区域中，形成至少一个铁磁区域5a、5b和/或6。在后一个步骤S13中，将粉末起始材料与所引入的铁磁区域一起压实并且进行成形。同样地，例如，在这种情况下，步骤S11以及S12也可以按相反顺序施行。
第三实施例
下文参看图8到图10描述第三实施例。同样地，只描述与第一实施例以及第二实施例的差异，并且相同的元件符号用于对应的组件。
在第三实施例中，涂层源1具有标靶2以及用于标靶2的底座8作为组件，其中标靶2具有作用表面3。底座8是设计成用于可卸除式地收纳标靶2并且将其系固在涂布设备的冷支撑件上。底座8是设计成用于确保标靶2到冷支撑件的良好热耦合。同样地，到冷支撑件的连接可以(例如)通过孔4来实现，作为实例示出。在图9所示实施例中，底座8具有第一底座元件8a以及第二底座元件8b，这两个底座元件是设计成用于以贴形(formfitting)方式固持标靶2。第一底座元件8a以及第二底座元件8b可以(例如)经由螺纹8c彼此可卸除式地连接，从而以贴形方式围住标靶2。
在第三实施例中，在底座8和/或标靶2中嵌入至少一个铁磁区域。可以在标靶2中形成一个或多个铁磁区域，可以在底座8中形成一个或多个铁磁区域，或可以分别在标靶2以及底座8中形成一个或多个铁磁区域。同样地，各铁磁区域可以(例如)由所引入的肉眼可见的磁体或所引入的铁磁粉末形成。各铁磁区域已与标靶2的粉末起始材料和/或背板8的粉末起始材料一起压实并且成形，使得它们永久地结合到标靶2和/或底座8的材料。同样地，一个或多个铁磁区域可以设计为永久磁体。同样地，在下文描述这多个不同的可能实施方案的两个实例。
在图9所示实例中，在底座8中，设置了由所嵌入的肉眼可见的永久磁体形成的两个铁磁区域5a以及5b，并且也设置了一个铁磁区域6，铁磁区域6是由在用于底座8的粉末冶金生产过程中以粉末状引入的铁磁粉末形成。在这个实例中，不在标靶2中设置铁磁区域。在图10所示的另一个实例中，在底座8中设置了由所嵌入的肉眼可见的永久磁体形成的两个铁磁区域5a以及5b，并且在标靶2中设置了另一个铁磁区域6，铁磁区域6是由在用于标靶2的粉末冶金生产过程中以粉末状所引入的铁磁粉末形成。
在涂层源1的生产方法期间，在一个步骤中，将用于底座8和/或标靶2的粉末起始材料填入到模子中。在另一个步骤中，通过将铁磁粉末和/或至少一个铁磁体引入到粉末起始材料的至少一个区域中，形成至少一个铁磁区域5a、5b和/或6。在后一个步骤中，将粉末起始材料与所引入的铁磁区域一起压实并且进行成形。
因此，已描述了一些实施例，使用这些实施例，在每一种情况下都可以在涂层源的标靶表面上提供极高的磁场密度。在阴极电弧沉积的情况下，照这样，会实质上改善了在涂布工艺期间电弧的发火性以及稳定性。关于金属标靶，照这样，会使喷雾和小滴的喷出减少。关于由金属陶瓷材料或陶瓷材料制成的标靶，由于能实现较高的电弧移动速度并且能按所要路径操控所述移动并因此能操控涂层材料的侵蚀，因此在点中的局部能量引入减小，并且补偿了由标靶材料的低电导率以及低耐热冲击性导致的缺点。所引入的铁磁或磁组件可以按某方式布置，使得可以控制涂层材料的侵蚀过程或侵蚀分布。此外，使用所述布置，也使得可以借助于阴极电弧沉积来直接沉积铁磁涂层材料。
一个磁区域或多个磁区域可以经过优化，例如，使得与在标靶的近表面区域中在涂布设备中提供的外部磁场协作，来高精确度地设置所要磁场。可以提供使用局部分辨率对设备侧磁场的选择性衰减和/或放大。例如，磁区域也可以按某方式形成，使得遮蔽特定区域使之免遭涂布工艺，这样在其中不发生显著侵蚀。此外，通过所述实施例，可以保护标靶的特定区域免遭毒化，因为(例如)通过选择性形成所得磁场，避免了(例如)陶瓷氮化物或氧化物层对标靶的所非要涂布。在用于阴极电弧沉积工艺的涂层源中，标靶的作用表面上电弧的移动路径可以是预定的。这允许(例如)使用分段标靶，所述分段标靶在各个区域中具有不同的材料组合物，用于沉积具有所要化学组合物的多个层。
具有标靶以及固定地连接的背板或具有标靶以及底座的涂层源的实施例也可以分别特别用在以下情况下：假若标靶是由很难才能进行机械加工或根本不能进行机械加工的材料(例如，陶瓷)组成，使得随后在标靶材料中引入螺纹孔或夹紧的步骤是不可能的。

Claims (11)

1.一种用于物理气相沉积的阴极电弧沉积涂层源(1)，其具有
至少一个组件(2；7；8)，所述至少一个组件是在粉末冶金生产过程中由至少一种粉状起始材料制成，以及
至少一个铁磁区域(5a、5b、6)，所述至少一个铁磁区域嵌入在所述组件中，
其中所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)是在所述粉末冶金生产过程中被引入到所述组件(2；7；8)中并且固定地连接到所述组件。
2.根据权利要求1所述的阴极电弧沉积涂层源，其特征在于，所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)具有由在所述粉末冶金生产过程中以粉末状引入的铁磁材料制成的至少一个区域(6)。
3.根据权利要求1或2中任一权利要求所述的阴极电弧沉积涂层源，其特征在于，所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)包括至少一个永久磁体区域。
4.根据权利要求1所述的阴极电弧沉积涂层源，
其特征在于，所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)包括在所述粉末冶金生产过程中引入的至少一个铁磁体(5a、5b)。
5.根据权利要求1所述的阴极电弧沉积涂层源，
其特征在于，所述涂层源(1)包括标靶(2)，并且所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)布置在所述标靶(2)中。
6.根据权利要求1所述的阴极电弧沉积涂层源，
其特征在于，所述涂层源(1)包括标靶(2)以及背板(7)，所述背板(7)固定地连接到所述标靶，用于实现到涂布设备的冷支撑件的热耦合，并且所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)布置在所述标靶(2)和/或所述背板(7)中。
7.根据权利要求1所述的阴极电弧沉积涂层源，其特征在于，所述涂层源(1)包括标靶(2)以及底座(8)，所述底座(8)可卸除式地连接到所述标靶，用于将所述标靶连接到涂布设备的冷支撑件，并且所述至少一个铁磁区域(5a、5b、6)布置在所述底座(8)中。
8.一种用于生产用于物理气相沉积的阴极电弧沉积涂层源(1)的方法，具有以下步骤：
将用于所述涂层源的至少一个组件(2；7；8)的至少一种粉状起始材料放入模子中：
将铁磁粉末(6)和/或至少一个铁磁体(5a、5b)引入到所述模子中，使得其变成布置在所述粉状起始材料的至少一个区域中；以及
压实如此形成的所述组件。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述引入至少在所述起始材料的一个区域中执行，所述起始材料形成了所述涂层源(1)中的标靶(2)。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述引入至少在所述起始材料的一个区域中执行，所述起始材料形成了在所述涂层源(1)中的背板(7)，所述背板(7)固定地连接到标靶(2)，用于实现到涂布设备的冷支撑件的热耦合。
11.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述引入是在所述起始材料的区域中执行，所述起始材料形成了所述涂层源(1)中的底座(8)，所述底座(8)可卸除式地连接到标靶(2)，用于将所述标靶(2)连接到涂布设备的冷支撑件。
CN201180019261.2A 2010-04-14 2011-04-12 涂层源及其生产方法 Expired - Fee Related CN102939403B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ATGM239/2010 2010-04-14
AT0023910U AT12021U1 (de) 2010-04-14 2010-04-14 Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung
PCT/AT2011/000175 WO2011127504A1 (de) 2010-04-14 2011-04-12 Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102939403A CN102939403A (zh) 2013-02-20
CN102939403B true CN102939403B (zh) 2015-02-11

Family

ID=44257246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180019261.2A Expired - Fee Related CN102939403B (zh) 2010-04-14 2011-04-12 涂层源及其生产方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20130199929A1 (zh)
EP (2) EP2754729B1 (zh)
JP (2) JP5596850B2 (zh)
KR (1) KR20130079334A (zh)
CN (1) CN102939403B (zh)
AT (1) AT12021U1 (zh)
CA (1) CA2793736C (zh)
IL (1) IL222377A (zh)
RU (1) RU2564642C2 (zh)
WO (1) WO2011127504A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102859027A (zh) * 2010-05-04 2013-01-02 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) 用于借助陶瓷靶进行电弧气相沉积的方法
AT13830U1 (de) 2013-04-22 2014-09-15 Plansee Se Lichtbogenverdampfungs-Beschichtungsquelle
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
JP6861160B2 (ja) * 2015-02-13 2021-04-21 エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，プフェフィコーンＯｅｒｌｉｋｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ａｇ， Ｐｆａｅｆｆｉｋｏｎ 回転対称処理対象物を保持するための磁気手段を含む固定具

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60102248U (ja) * 1983-12-15 1985-07-12 日本真空技術株式会社 スパツタリング用タ−ゲツト装置
DE4017111C2 (de) * 1990-05-28 1998-01-29 Hauzer Holding Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung
US5298136A (en) * 1987-08-18 1994-03-29 Regents Of The University Of Minnesota Steered arc coating with thick targets
JPH0480304A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 希土類金属焼結体の製造方法
JPH04354868A (ja) * 1991-05-29 1992-12-09 Vacuum Metallurgical Co Ltd マグネトロン型スパッタ装置用ターゲット
JPH05222524A (ja) * 1992-02-07 1993-08-31 Toshiba Corp スパッタ装置
US5286361A (en) * 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets
DE4329155A1 (de) 1993-08-30 1995-03-02 Bloesch W Ag Magnetfeldkathode
JPH07113165A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Mitsubishi Materials Corp 成膜速度の速いマグネトロンスパッタリング用焼結ターゲット材
JP2000328240A (ja) * 1999-05-21 2000-11-28 Mitsubishi Materials Corp 光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2001020066A (ja) * 1999-07-02 2001-01-23 Toshiba Corp マグネトロンスパッタ用ターゲット
AT4240U1 (de) * 2000-11-20 2001-04-25 Plansee Ag Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle
US20020139662A1 (en) * 2001-02-21 2002-10-03 Lee Brent W. Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process
RU2271409C2 (ru) * 2001-12-06 2006-03-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева" Установка для нанесения покрытий в вакууме
SE0203851D0 (sv) * 2002-12-23 2002-12-23 Hoeganaes Ab Iron-Based Powder
US20070007130A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Heraeus, Inc. Enhanced magnetron sputtering target
EP2119808B1 (en) * 2007-02-09 2014-09-17 JX Nippon Mining & Metals Corporation Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same
DE102007032443A1 (de) * 2007-07-10 2009-01-15 Voith Patent Gmbh Hybridlager und Verfahren zu dessen Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开平4-354868A 1992.12.09 *

Also Published As

Publication number Publication date
IL222377A0 (en) 2012-12-31
JP2014237894A (ja) 2014-12-18
EP2754729A3 (de) 2014-08-13
IL222377A (en) 2017-06-29
JP5997212B2 (ja) 2016-09-28
EP2558608A1 (de) 2013-02-20
EP2754729B1 (de) 2015-06-03
CA2793736A1 (en) 2011-10-20
EP2558608B1 (de) 2014-06-18
EP2754729A2 (de) 2014-07-16
JP5596850B2 (ja) 2014-09-24
RU2564642C2 (ru) 2015-10-10
CN102939403A (zh) 2013-02-20
KR20130079334A (ko) 2013-07-10
WO2011127504A1 (de) 2011-10-20
JP2013527315A (ja) 2013-06-27
RU2012141139A (ru) 2014-05-20
CA2793736C (en) 2015-01-06
US20130199929A1 (en) 2013-08-08
AT12021U1 (de) 2011-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102939403B (zh) 涂层源及其生产方法
EP2426231B1 (en) Arc evaporation source and method for manufacturing film using same
US20080138529A1 (en) Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition
JP4548666B2 (ja) アーク式イオンプレーティング装置用蒸発源
CN103168338A (zh) 具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法
CN103290378B (zh) 磁控溅射镀膜阴极机构
CN102330060B (zh) 用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材及应用
KR102167854B1 (ko) 영구 자석을 구비하는 아크 증발 코팅 소스
Kosari Mehr et al. Magnetron sputtering issues concerning growth of magnetic films: a technical approach to background, solutions, and outlook
JP5118599B2 (ja) 荷電粒子流収束機構、荷電粒子流収束機構の使用方法および真空成膜装置
KR20130106575A (ko) 진공 아크 증발 유닛 및 이를 포함하는 아크 이온 플레이팅 장치
Kitamura et al. Formation of boron carbide coating by electromagnetically accelerated plasma spraying
Miao et al. Surface morphology of Cr2O3 coatings on steel irradiated by high-intensity pulsed ion beam
CN108588659A (zh) 高效低耗的镀膜设备
JP4053210B2 (ja) プラズマ加工法
US10854436B2 (en) Connector piece for a tubular target
Koneru Development and Characterization of CuCr Composite Coatings & Thin Films as Contact Materials for Vacuum Interrupters
WO2004099458A2 (en) METHODS FOR MAKING LOW SILICON CONTENT Ni-Si SPUTTERING TARGETS AND TARGETS MADE THEREBY
Anders et al. Cathodic arc sources
Bilek et al. Deposition of Nanoscale Multilayered Structures Using Filtered Cathodic Vacuum Arc Plasma Beams

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150211

Termination date: 20190412