CN102931293A - 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物 - Google Patents

取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物 Download PDF

Info

Publication number
CN102931293A
CN102931293A CN2011102294148A CN201110229414A CN102931293A CN 102931293 A CN102931293 A CN 102931293A CN 2011102294148 A CN2011102294148 A CN 2011102294148A CN 201110229414 A CN201110229414 A CN 201110229414A CN 102931293 A CN102931293 A CN 102931293A
Authority
CN
China
Prior art keywords
amorphous silicon
film
thin film
silicon
crystallite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011102294148A
Other languages
English (en)
Inventor
郑佳仁
刘幼海
刘吉人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jifu New Energy Technology Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Jifu New Energy Technology Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jifu New Energy Technology Shanghai Co Ltd filed Critical Jifu New Energy Technology Shanghai Co Ltd
Priority to CN2011102294148A priority Critical patent/CN102931293A/zh
Publication of CN102931293A publication Critical patent/CN102931293A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种可取代现有非晶硅薄膜太阳电池背反射电极的方法，本发明之内容为先在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜，最后沉积金属导电层薄膜。而其中微晶硅氧薄膜薄膜为透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备，并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升，尤其是提升红光光谱的吸收，增加了短路电流的输出。

Description

取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物
所属技术领域
本发明关于一种可提升非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖背反射层技术，其目的系将原本使用于非晶硅薄膜的金属氧化物背反射层取代成微晶硅氧薄膜，使得所有工艺可全部一次在真空环境下完成，以减少不必要的氧化物形成，增强红外光谱的吸收，以提升薄膜太阳能电池效率。 
背景技术
目前，业界关于非晶硅薄膜太阳能电池的背电极，皆为在n型非晶硅薄膜后，破真空至大气下后流片至另一镀膜设备进行金属氧化物薄膜制备，缺点是n型非晶硅薄膜容易受环境影响形成不必要之氧化物，造成整体太阳能电池的输出降低。而此发明重点在不破真空的前提下，制备背反射层，并可优于原先的金属氧化物。 
发明内容
本发明为一种可取代原先使用的金属氧化物背电极并提升非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖微晶硅氧薄膜技术。此技术方法包括使用等离子增强式化学气相沉积设备来制备P型非晶硅薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜，藉由折射率的匹配以及形成全反射来增强非晶硅薄膜太阳能电池效率。 
具体实施方式
兹将本发明结构说明如附图，详细说明如下：请参阅第一图，为本发明之动作流程方块示意图。由图中可知，先在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜，最后沉积金属导电层薄膜。而本发明中的微晶硅氧薄膜薄膜则是透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备，并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升，尤其是提升红光光谱的吸收，增加了短路电流的输出。 
附图说明： 
图1动作流程方块示意图 
主要组件符号说明 
1...浮板玻璃 
2...透明导电薄膜 
3...P型非晶硅薄膜薄膜 
4...本征层非晶硅薄膜 
5...N型微晶硅薄膜 
6...微晶硅氧薄膜 
7...金属导电薄膜。 

Claims (7)

1.一种可提升非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖背反射层技术，其技术方法包括在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜，最后沉积金属导电层薄膜。本发明中的微晶硅氧薄膜则是透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备，并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升，尤其是提升红光光谱的吸收，增加了非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流输出。
2.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中透明导电薄膜材料涵盖二氧化锡(SnO2)透明导电膜、氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜和氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜。
3.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该P型非晶硅薄膜材料涵盖非晶硅含氢(P a-Si:H)、非晶碳化硅含氢(P a-SiC:H)、非晶硅含氦(P a-Si:He)和非晶碳化硅含氦(P a-SiC:He)。
4.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该本征层非晶硅薄膜材料涵盖本征层非晶硅含氢(a-Si:H)和本征层非晶硅含氦(a-Si:He)。
5.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该N型微晶硅薄膜材料为N型微晶硅含氢(N uc-Si:H)。
6.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该微晶硅氧薄膜材料为N型微晶硅氧(N uc-SiOx:H)。
7.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该金属导电层薄膜材料为铝(Al)和银(Ag)薄膜。其中若使用银薄膜则会加上钛(Ti)薄膜的搭配使用，避免氧化物生成于银表面。
CN2011102294148A 2011-08-11 2011-08-11 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物 Pending CN102931293A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102294148A CN102931293A (zh) 2011-08-11 2011-08-11 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011102294148A CN102931293A (zh) 2011-08-11 2011-08-11 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102931293A true CN102931293A (zh) 2013-02-13

Family

ID=47646051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011102294148A Pending CN102931293A (zh) 2011-08-11 2011-08-11 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102931293A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252436A (zh) * 2016-08-24 2016-12-21 宁波嘉宁电池科技有限责任公司 一种基于硅材质的电池材料
CN108417651A (zh) * 2018-03-07 2018-08-17 宁波山迪光能技术有限公司 薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃
CN113913791A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257052A (zh) * 2008-04-07 2008-09-03 南开大学 硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法
CN101556971A (zh) * 2009-05-11 2009-10-14 南开大学 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法
US20100307574A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
US20110088760A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Applied Materials, Inc. Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell application

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257052A (zh) * 2008-04-07 2008-09-03 南开大学 硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法
CN101556971A (zh) * 2009-05-11 2009-10-14 南开大学 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法
US20100307574A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method thereof
US20110088760A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Applied Materials, Inc. Methods of forming an amorphous silicon layer for thin film solar cell application

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252436A (zh) * 2016-08-24 2016-12-21 宁波嘉宁电池科技有限责任公司 一种基于硅材质的电池材料
CN108417651A (zh) * 2018-03-07 2018-08-17 宁波山迪光能技术有限公司 薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃
CN108417651B (zh) * 2018-03-07 2020-06-09 宁波山迪光能技术有限公司 薄膜太阳能电池、制作方法及隔热太阳能夹胶玻璃
CN113913791A (zh) * 2021-09-29 2022-01-11 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池
CN113913791B (zh) * 2021-09-29 2024-03-01 湖南红太阳光电科技有限公司 一种多层非晶硅薄膜的制备方法及太阳能电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102242345B (zh) 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法
CN104752561B (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN102569433B (zh) 薄膜太阳电池用复合背反射金属电极及其制备方法和应用
CN101609860A (zh) CdTe薄膜太阳能电池制备方法
CN104269452A (zh) 硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN102983204A (zh) 一种三结叠层薄膜太阳能电池及其制造方法
CN109037361A (zh) 一种高效率碲化镉薄膜太阳能电池
CN104037245A (zh) 具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法
CN102931293A (zh) 取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物
CN102983215A (zh) 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法
CN106558628A (zh) 一种cigs薄膜太阳能电池窗口层的制备方法
CN103078001A (zh) 硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法
CN202259324U (zh) 无栅线p型晶体硅太阳能电池
CN102368513B (zh) 一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法
CN104409528B (zh) 一种宽光谱特性改善的hazo/azo复合透明导电前电极及应用
CN104681654B (zh) 一种双n层结构非晶硅太阳能电池及其制备方法
CN105355681A (zh) 一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的cigs基薄膜太阳能电池
CN202749383U (zh) 彩色半透明分光非晶硅薄膜太阳能电池
CN109980020A (zh) 一种玻璃衬底异质结太阳能电池及其制备方法
CN101820004A (zh) 一种光电分离的太阳能电池背反射器
CN105047738B (zh) 溅射靶材及用该溅射靶材制作的cigs基薄膜太阳能电池
CN103280496A (zh) 一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法
CN101950769A (zh) 一种CdTe薄膜太阳能电池背电极的制备方法
CN203325950U (zh) 一种多带隙双面透光太阳能电池
CN202996852U (zh) 一种采用新型中间层的叠层太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130213