CN202259324U - 无栅线p型晶体硅太阳能电池 - Google Patents

无栅线p型晶体硅太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN202259324U
CN202259324U CN 201120305915 CN201120305915U CN202259324U CN 202259324 U CN202259324 U CN 202259324U CN 201120305915 CN201120305915 CN 201120305915 CN 201120305915 U CN201120305915 U CN 201120305915U CN 202259324 U CN202259324 U CN 202259324U
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
type crystalline
crystalline silica
film
utility
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201120305915
Other languages
English (en)
Inventor
程亮
张黎明
刘鹏
姜言森
张春燕
贾河顺
徐振华
任现坤
王兆光
李玉花
张丽丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Linuo Solar Power Co Ltd
Original Assignee
Linuo Solar Power Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Linuo Solar Power Co Ltd filed Critical Linuo Solar Power Co Ltd
Priority to CN 201120305915 priority Critical patent/CN202259324U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202259324U publication Critical patent/CN202259324U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型属于太阳能电池片领域，具体涉及一种无栅线的P型晶体硅太阳能电池，采用透明导电膜取代传统栅线状银电极，从电池片顶层收集光电流。本实用新型中的P型晶体硅太阳能电池的结构，由向阳面依次包括：正面银电极/减反射膜/透明导电膜/a-Si:H薄膜/N++型发射极区/P型晶体硅/P++背场区/背铝/背面银电极。本实用新型大大降低了电池片的电极遮挡损失，减少了电池制作过程中对贵金属银的使用量，降低了P型晶体硅太阳能电池的单瓦生产成本，可以大规模量产。

Description

无栅线P型晶体硅太阳能电池
技术领域
本实用新型属于太阳能电池片技术领域，具体涉及一种无栅线P型晶体硅太阳能电池。 
背景技术
传统的晶体硅太阳能电池的顶层电极为栅线状电极，除了用于焊接的主栅线外，还有无数条细栅线。这种栅线状电极，含银量高达80%，同时，栅线对光的遮挡也高达6-8%，大大降低了电池片的效率。 
近几年，随着贵金属价格的高涨，以及行业对电池片低成本和高效率的要求，目前减少晶体硅对金属银的使用量，降低顶层电极的遮挡损失成为太阳能电池领域研究的热点。现在的太阳电池还存在以下问题：1、非晶硅薄膜的缺陷较多，增加了薄膜体内的载流子复合中心密度，影响光生电流的收集及传输；2、正面的栅线设计使电池受光面积减少，从而降低短路电流，影响太阳电池最终的转化效率。 
发明内容
本实用新型的目的就是为减少晶体硅太阳能电池对金属银的使用量，降低晶体硅太阳能电池的单瓦成本，提高发电效率，而设计的一种无栅线P型晶体硅太阳能电池。 
本实用新型的技术方案为：一种无栅线P型晶体硅太阳能电池，所述硅片上表面，设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜；所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。 
所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。 
所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2，折射率为1.5~2.5。 
所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅，其厚度为50~300um，掺杂浓度为1×1010～5×1017/cm3。 
本实用新型的具体步骤为：                                     
（1）P型硅片经过制绒、磷扩散、刻蚀边缘、磷硅玻璃去除；
（2）在去除磷硅玻璃的硅片上表面，先沉积一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜，然后再沉积一层厚度大于50nm的透明导电膜，再沉积一层厚度小于1000nm的减反射膜；
（3）完成减反射膜沉积的硅片，依次完成背面银电极印刷、背铝印刷、正面银电极印刷、烧结等步骤，得到无栅线P型晶体硅太阳能电池片。
本实用新型的有益效果为：通过采用透明导电膜取代传统的栅线状银电极，从电池片的顶层收集光电流，降低了电池片对贵金属银的使用量，降低了晶体硅太阳能电池的单瓦成本；将传统晶体硅太阳能电池的光遮挡损失由原来的6-8%降低至3%以下；通过引入富含氢的非晶硅薄膜，解决了透明导电膜钝化效果差的问题，完成晶体硅的表面钝化和体钝化。本实用新型工艺控制简单，容易实现大规模量产。 
附图说明：
图1为本实用新型的结构示意图；
其中，1-正面银电极，2-减反射膜，3-透明导电膜，4-富含氢a-Si:H薄膜，5-N++型发射极区，6-P型晶体硅，7-P++背场区，8-背铝，9-背面银电极。
具体实施方式：
为了更好地理解本实用新型，下面结合附图来详细解释本实用新型的实施方式。
具体实施方式如图1所示，一种无栅线P型晶体硅太阳能电池，所述硅片上表面，设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜；所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2，折射率为1.5~2.5。所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅，其厚度为50~300um，掺杂浓度为1×1010～5×1017/cm3。 
本实用新型通过以下步骤制造的：首先，P型硅片在经过制绒、磷扩散、刻蚀边缘、磷硅玻璃去除后、采用PECVD在硅片顶层沉积一层厚度为5nm的a-Si:H薄膜4，然后采用磁控溅射的方法沉积一层厚度为150nm的ITO透明导电膜3，最后在沉积一层厚度为85nm的SiNx减反射膜2；将完成减反射膜2沉积的硅片，依次再完成背面银电极9印刷、背铝8印刷、正面银电极1印刷、烧结等步骤，最终得到无栅线P型晶体硅太阳能电池片。 

Claims (4)

1.一种无栅线P型晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片上表面，设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜；所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。
2.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2，折射率为1.5~2.5。
4.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅，其厚度为50~300um，掺杂浓度为1×1010～5×1017/cm3。
CN 201120305915 2011-08-22 2011-08-22 无栅线p型晶体硅太阳能电池 Expired - Fee Related CN202259324U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201120305915 CN202259324U (zh) 2011-08-22 2011-08-22 无栅线p型晶体硅太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201120305915 CN202259324U (zh) 2011-08-22 2011-08-22 无栅线p型晶体硅太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202259324U true CN202259324U (zh) 2012-05-30

Family

ID=46120522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201120305915 Expired - Fee Related CN202259324U (zh) 2011-08-22 2011-08-22 无栅线p型晶体硅太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202259324U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377253A (zh) * 2014-09-04 2015-02-25 浙江晶科能源有限公司 一种新型结构太阳电池及其制作方法
CN105355708A (zh) * 2015-10-14 2016-02-24 广东爱康太阳能科技有限公司 一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池及其制备方法
CN105762217A (zh) * 2014-12-19 2016-07-13 新奥光伏能源有限公司 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN105957905A (zh) * 2016-06-21 2016-09-21 常州天合光能有限公司 无细栅线晶硅太阳能电池及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377253A (zh) * 2014-09-04 2015-02-25 浙江晶科能源有限公司 一种新型结构太阳电池及其制作方法
CN105762217A (zh) * 2014-12-19 2016-07-13 新奥光伏能源有限公司 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN105762217B (zh) * 2014-12-19 2018-05-29 新奥光伏能源有限公司 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN105355708A (zh) * 2015-10-14 2016-02-24 广东爱康太阳能科技有限公司 一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池及其制备方法
CN105957905A (zh) * 2016-06-21 2016-09-21 常州天合光能有限公司 无细栅线晶硅太阳能电池及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103227246A (zh) 一种异质结电池的制备方法
CN104733557B (zh) Hit太阳能电池及提高hit电池的短路电流密度的方法
CN102184975A (zh) 一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102403376B (zh) 含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法
CN202259324U (zh) 无栅线p型晶体硅太阳能电池
CN106558628A (zh) 一种cigs薄膜太阳能电池窗口层的制备方法
CN102931268B (zh) N型硅衬底背接触型式hit太阳电池结构和制备方法
CN102569479A (zh) 叠层硅基异质结太阳能电池
CN102157572A (zh) 晶体硅太阳能电池
CN102270668B (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN103078001A (zh) 硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法
CN105870212A (zh) 一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法
CN202695454U (zh) 一种具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池
CN202076297U (zh) 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池结构
CN202259323U (zh) 无栅线n型晶体硅太阳能电池
CN101707219B (zh) 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法
CN103066153A (zh) 硅基薄膜叠层太阳能电池及其制造方法
CN201360010Y (zh) 薄膜光伏器件
CN102427099B (zh) 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法
CN202917528U (zh) 高效非微叠层太阳能电池
CN109309138A (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN104103715A (zh) 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法
CN103378183A (zh) 一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池及其制造方法
CN202084570U (zh) 一种晶体硅太阳能电池
CN203774376U (zh) 一种硅基有机太阳电池

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120530

Termination date: 20170822