CN202259324U - 无栅线p型晶体硅太阳能电池 - Google Patents
无栅线p型晶体硅太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202259324U CN202259324U CN 201120305915 CN201120305915U CN202259324U CN 202259324 U CN202259324 U CN 202259324U CN 201120305915 CN201120305915 CN 201120305915 CN 201120305915 U CN201120305915 U CN 201120305915U CN 202259324 U CN202259324 U CN 202259324U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- type crystalline
- crystalline silica
- film
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型属于太阳能电池片领域,具体涉及一种无栅线的P型晶体硅太阳能电池,采用透明导电膜取代传统栅线状银电极,从电池片顶层收集光电流。本实用新型中的P型晶体硅太阳能电池的结构,由向阳面依次包括:正面银电极/减反射膜/透明导电膜/a-Si:H薄膜/N++型发射极区/P型晶体硅/P++背场区/背铝/背面银电极。本实用新型大大降低了电池片的电极遮挡损失,减少了电池制作过程中对贵金属银的使用量,降低了P型晶体硅太阳能电池的单瓦生产成本,可以大规模量产。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能电池片技术领域,具体涉及一种无栅线P型晶体硅太阳能电池。
背景技术
传统的晶体硅太阳能电池的顶层电极为栅线状电极,除了用于焊接的主栅线外,还有无数条细栅线。这种栅线状电极,含银量高达80%,同时,栅线对光的遮挡也高达6-8%,大大降低了电池片的效率。
近几年,随着贵金属价格的高涨,以及行业对电池片低成本和高效率的要求,目前减少晶体硅对金属银的使用量,降低顶层电极的遮挡损失成为太阳能电池领域研究的热点。现在的太阳电池还存在以下问题:1、非晶硅薄膜的缺陷较多,增加了薄膜体内的载流子复合中心密度,影响光生电流的收集及传输;2、正面的栅线设计使电池受光面积减少,从而降低短路电流,影响太阳电池最终的转化效率。
发明内容
本实用新型的目的就是为减少晶体硅太阳能电池对金属银的使用量,降低晶体硅太阳能电池的单瓦成本,提高发电效率,而设计的一种无栅线P型晶体硅太阳能电池。
本实用新型的技术方案为:一种无栅线P型晶体硅太阳能电池,所述硅片上表面,设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜;所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。
所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。
所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2,折射率为1.5~2.5。
所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅,其厚度为50~300um,掺杂浓度为1×1010~5×1017/cm3。
本实用新型的具体步骤为:
(1)P型硅片经过制绒、磷扩散、刻蚀边缘、磷硅玻璃去除;
(2)在去除磷硅玻璃的硅片上表面,先沉积一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜,然后再沉积一层厚度大于50nm的透明导电膜,再沉积一层厚度小于1000nm的减反射膜;
(3)完成减反射膜沉积的硅片,依次完成背面银电极印刷、背铝印刷、正面银电极印刷、烧结等步骤,得到无栅线P型晶体硅太阳能电池片。
本实用新型的有益效果为:通过采用透明导电膜取代传统的栅线状银电极,从电池片的顶层收集光电流,降低了电池片对贵金属银的使用量,降低了晶体硅太阳能电池的单瓦成本;将传统晶体硅太阳能电池的光遮挡损失由原来的6-8%降低至3%以下;通过引入富含氢的非晶硅薄膜,解决了透明导电膜钝化效果差的问题,完成晶体硅的表面钝化和体钝化。本实用新型工艺控制简单,容易实现大规模量产。
附图说明:
图1为本实用新型的结构示意图;
其中,1-正面银电极,2-减反射膜,3-透明导电膜,4-富含氢a-Si:H薄膜,5-N++型发射极区,6-P型晶体硅,7-P++背场区,8-背铝,9-背面银电极。
具体实施方式:
为了更好地理解本实用新型,下面结合附图来详细解释本实用新型的实施方式。
具体实施方式如图1所示,一种无栅线P型晶体硅太阳能电池,所述硅片上表面,设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜;所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2,折射率为1.5~2.5。所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅,其厚度为50~300um,掺杂浓度为1×1010~5×1017/cm3。
本实用新型通过以下步骤制造的:首先,P型硅片在经过制绒、磷扩散、刻蚀边缘、磷硅玻璃去除后、采用PECVD在硅片顶层沉积一层厚度为5nm的a-Si:H薄膜4,然后采用磁控溅射的方法沉积一层厚度为150nm的ITO透明导电膜3,最后在沉积一层厚度为85nm的SiNx减反射膜2;将完成减反射膜2沉积的硅片,依次再完成背面银电极9印刷、背铝8印刷、正面银电极1印刷、烧结等步骤,最终得到无栅线P型晶体硅太阳能电池片。
Claims (4)
1.一种无栅线P型晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述硅片上表面,设有一层厚度小于100nm的a-Si:H薄膜;所述a-Si:H薄膜外侧依次设有一层厚度大于50nm的透明导电膜和一层厚度小于1000nm的减反射膜。
2.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的透明导电膜为ITO或ZnO金属氧化物导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的受光面减反射膜为SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或TiO2,折射率为1.5~2.5。
4.根据权利要求1所述的无栅线P型晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述的N型晶体硅为单晶硅、太阳能级或金属级多晶硅、带状硅,其厚度为50~300um,掺杂浓度为1×1010~5×1017/cm3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201120305915 CN202259324U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 无栅线p型晶体硅太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201120305915 CN202259324U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 无栅线p型晶体硅太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202259324U true CN202259324U (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=46120522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201120305915 Expired - Fee Related CN202259324U (zh) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 无栅线p型晶体硅太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN202259324U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104377253A (zh) * | 2014-09-04 | 2015-02-25 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型结构太阳电池及其制作方法 |
CN105355708A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池及其制备方法 |
CN105762217A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-07-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN105957905A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-21 | 常州天合光能有限公司 | 无细栅线晶硅太阳能电池及其制备方法 |
-
2011
- 2011-08-22 CN CN 201120305915 patent/CN202259324U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104377253A (zh) * | 2014-09-04 | 2015-02-25 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型结构太阳电池及其制作方法 |
CN105762217A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-07-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN105762217B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-05-29 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN105355708A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种设有Ag透明薄膜的太阳能电池及其制备方法 |
CN105957905A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-21 | 常州天合光能有限公司 | 无细栅线晶硅太阳能电池及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103227246A (zh) | 一种异质结电池的制备方法 | |
CN104733557B (zh) | Hit太阳能电池及提高hit电池的短路电流密度的方法 | |
CN102184975A (zh) | 一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
CN102403376B (zh) | 含有硅量子点的n-i-p异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN202259324U (zh) | 无栅线p型晶体硅太阳能电池 | |
CN106558628A (zh) | 一种cigs薄膜太阳能电池窗口层的制备方法 | |
CN102931268B (zh) | N型硅衬底背接触型式hit太阳电池结构和制备方法 | |
CN102569479A (zh) | 叠层硅基异质结太阳能电池 | |
CN102157572A (zh) | 晶体硅太阳能电池 | |
CN102270668B (zh) | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN103078001A (zh) | 硅基薄膜叠层太阳能电池的制造方法 | |
CN105870212A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法 | |
CN202695454U (zh) | 一种具有多层抗反射膜的晶体硅太阳能电池 | |
CN202076297U (zh) | 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池结构 | |
CN202259323U (zh) | 无栅线n型晶体硅太阳能电池 | |
CN101707219B (zh) | 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 | |
CN103066153A (zh) | 硅基薄膜叠层太阳能电池及其制造方法 | |
CN201360010Y (zh) | 薄膜光伏器件 | |
CN102427099B (zh) | 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法 | |
CN202917528U (zh) | 高效非微叠层太阳能电池 | |
CN109309138A (zh) | 一种异质结太阳电池及其制备方法 | |
CN104103715A (zh) | 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
CN103378183A (zh) | 一种双面透光纳米线织构异质结太阳能电池及其制造方法 | |
CN202084570U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池 | |
CN203774376U (zh) | 一种硅基有机太阳电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120530 Termination date: 20170822 |