CN104377253A - 一种新型结构太阳电池及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型结构太阳电池及其制作方法，包括正面导电电极、减反射膜层、n++发射极、p硅基底、p+背面电场、背场和背面电极，在所述减反射膜层上设有透明导电膜层。其步骤如下：选取p型晶体硅片，进行表面织构化；进行磷轻扩散形成n+层；进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃；在n+层上沉积减反射膜；在减反射膜上进行局部开膜；在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层；在背面印刷背面电极和背面场；经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触；在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。

Description

一种新型结构太阳电池及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种太阳电池及其制作方法，具体涉及一种新型结构太阳电池及其制作方法。
背景技术
目前，传统结构晶体硅太阳电池从正面到背面依次由正面发射极金属电极、减反射层、织构化结构、发射极、硅片基区、背面电场、背面金属电极和背面场等组成。其中处于太阳电池正面的发射区金属电极为栅线结构，用以收集太阳电池各处产生的电流，一般由丝网印刷银浆后烧结而成。采用丝网印刷银浆制备正面金属电极存在多种弊端，从技术角度而言：一是正面金属电极与硅片表面的电学接触面积较大，这除了增加了遮挡面积之外还增加了硅片表面的载流子复合；二是栅线高宽比较小，制备的太阳电池串联电阻较高，这两方面影响了太阳电池的转换效率。从成本角度而言：银浆是贵金属，其价格一直居高不下，在电池生产的非硅成本中占据了主导因素。目前，光伏工作者都无法完全解决正面金属电极问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种新型结构太阳电池及其制作方法，在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种新型结构太阳电池，包括正面导电电极、减反射膜层、n++发射极、p硅基底、p+背面电场、背场和背面电极，在所述减反射膜层上设有透明导电膜层。
作为一种优先，所述正面导电电极的材料为银、铜、镍或铝。
上述一种新型结构太阳电池的制作方法，包括如下步骤：
（1）选取p型晶体硅片，进行表面织构化：采用质量百分含量为2.5%的氢氧化钠溶液进行表面织构化25min，控制温度为80℃，形成金字塔减反射结构；
（2）进行磷轻扩散形成n+层：采用三氯氧磷液态源，在管式扩散炉中进行扩散，使恒温区的温度为810℃，扩散时间为30min，扩散方阻控制在70Ω/□，结深为0.25μm；
（3）进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃：将硅片背面接触化学溶液进行单面抛光，所述溶液为质量百分含量为20%的氢氧化钾溶液，控制温度为70℃，时间为10min；然后采用质量百分含量为5%的HF溶液去除硅片上的PSG；
（4）在n+层上沉积减反射膜：利用管式PECVD设备在硅片正面沉积SiNx作为钝化减反射膜，SiNx的厚度为80nm，折射率为2；
（5）在减反射膜上进行局部开膜：采用飞秒激光对减反射膜进行局部开膜处理，开膜的形状为连续的或不连续的栅线；
（6）在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层：采用磁控溅射的方法在减反射膜上制备透明导电膜层，所述透明导电膜层厚度为50nm；
（7）在背面印刷背面电极和背面场：在硅片背面丝网印刷银浆作为背面电极，烘干后再印刷铝浆作为背面场，然后再烘干；
（8）经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触：在链式烧结炉中进行一次烧结，烧结的峰值温度为750℃，带速为610mm/min；
（9）在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备：采用磁控溅射的方法在透明导电膜层上制备材料为银、铜、镍或铝的导电电极。
作为一种优选，所述步骤（5）在减反射膜上进行局部开膜的形状为连续的栅线，栅线长度为123mm，线宽为60μm，间距为1.8mm。
作为一种优选，所述步骤（9）在透明导电膜层上制备材料为铜的导电电极，图形为栅线形状，栅线长度为123mm，线宽为1.5mm，间距为52mm。 本发明是在按传统结构晶体硅太阳电池制作时，在正面沉积减反射层后，在减反射层上进行局部开膜处理，然后在减反射层上制备透明导电膜层，使透明导电膜层在减反射层上局部开膜的区域与发射极局部接触，最后在透明导电膜层表面构成导电电极，导电电极可以是更为便宜的非银电极，而电池的背面结构保持不变。
本发明的有益效果是: 由于在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。太阳电池电流的搜集由透明导电膜层在减反射层上局部开膜的区域与发射极形成局部接触搜集，然后再由透明导电膜层导出，整个透明导电膜层都参与了导电，因此大大降低了太阳电池的串联电阻，提高电池效率，且降低了太阳电池的串联电阻，因此可以将电极之间的距离设计得更大，大大降低了电极的遮挡面积，提高了光的吸收；并且由于金属并没有与硅片直接接触，而是覆盖在透明导电膜层上，因此杜绝了硅片与电极之间的复合，提高了太阳电池的开路电压。在透明导电膜层表面的导电电极可以采用非银电极，以代替银电极，大大降低了太阳电池的制造成本。
附图说明
图1为本发明新型结构太阳电池的结构示意图。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式
实施例1：如附图1所示，一种新型结构太阳电池， 包括正面导电电极1、减反射膜层3、n++发射极4、p硅基底5、p+背面电场6、背场7和背面电极8，在所述减反射膜层3上设有透明导电膜层2。其中正面导电电极1的材料为银。
实施例2：另一种新型结构太阳电池，其中正面导电电极1的材料为铜。其它与实施例1相同。
实施例3：又一种新型结构太阳电池，其中正面导电电极1的材料为镍。其它与实施例1相同。
实施例4：再一种新型结构太阳电池，其中正面导电电极1的材料为铝。其它与实施例1相同。
实施例5：一种制作如权利要求1所述的一种新型结构太阳电池的制作方法，包括如下步骤：
（1）选取p型晶体硅片，进行表面织构化：采用温度为80℃的质量百分含量为2.5%的氢氧化钠溶液进行表面织构化25min，形成金字塔减反射结构；
（2）进行磷轻扩散形成n+层：采用三氯氧磷液态源，在管式扩散炉中进行扩散，使恒温区的温度为810℃，扩散时间为30min，扩散方阻控制在70Ω/□，结深为0.25μm；
（3）进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃：将硅片背面接触化学溶液进行单面抛光，溶液为质量百分含量为20%的氢氧化钾溶液，温度为70℃的，处理时间为10min；然后采用质量百分含量为5%的HF溶液去除硅片上的PSG；
（4）在n+层上沉积减反射膜：利用管式PECVD设备在硅片正面沉积SiNx作为钝化减反射膜，SiNx的厚度为80nm，折射率为2；
（5）在减反射膜上进行局部开膜：采用飞秒激光对减反射膜进行局部开膜处理，开膜的形状为连续的栅线，栅线长度为123mm，线宽为60μm，间距为1.8mm。
（6）在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层：采用磁控溅射的方法在减反射膜上制备透明导电膜层，所述透明导电膜层厚度为50nm；
（7）在背面印刷背面电极和背面场：在硅片背面丝网印刷银浆作为背面电极，烘干后再印刷铝浆作为背面场，然后再烘干；
（8）经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触：在链式烧结炉中进行一次烧结，烧结的峰值温度为750℃，带速为610mm/min。
（9）在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备：采用磁控溅射的方法在透明导电膜层上制备铜电极，图形为栅线形状，栅线长度为123mm，线宽为1.5mm，间距为52mm。

Claims (5)

1.一种新型结构太阳电池，包括正面导电电极（1）、减反射膜层（3）、n++发射极（4）、p硅基底（5）、p+背面电场（6）、背场（7）和背面电极（8），其特征在于：在所述减反射膜层（3）上设有透明导电膜层（2）。
2.如权利要求1所述的一种新型结构太阳电池，其特征在于：所述正面导电电极（1）的材料为银、铜、镍或铝。
3.一种制作如权利要求1所述的新型结构太阳电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）选取p型晶体硅片，进行表面织构化：采用质量百分含量为2.5%的氢氧化钠溶液进行表面织构化25min，控制温度为80℃，形成金字塔减反射结构；
（2）进行磷轻扩散形成n+层：采用三氯氧磷液态源，在管式扩散炉中进行扩散，使恒温区的温度为810℃，扩散时间为30min，扩散方阻控制在70Ω/□，结深为0.25μm；
（3）进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃：将硅片背面接触化学溶液进行单面抛光，所述溶液为质量百分含量为20%的氢氧化钾溶液，控制温度为70℃，时间为10min；然后采用质量百分含量为5%的HF溶液去除硅片上的PSG；
（4）在n+层上沉积减反射膜：利用管式PECVD设备在硅片正面沉积SiNx作为钝化减反射膜，SiNx的厚度为80nm，折射率为2；
（5）在减反射膜上进行局部开膜：采用飞秒激光对减反射膜进行局部开膜处理，开膜的形状为连续的或不连续的栅线；
（6）在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层：采用磁控溅射的方法在减反射膜上制备透明导电膜层，所述透明导电膜层厚度为50nm；
（7）在背面印刷背面电极和背面场：在硅片背面丝网印刷银浆作为背面电极，烘干后再印刷铝浆作为背面场，然后再烘干；
（8）经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触：在链式烧结炉中进行一次烧结，烧结的峰值温度为750℃，带速为610mm/min；
（9）在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备：采用磁控溅射的方法在透明导电膜层上制备材料为银、铜、镍或铝的导电电极。
4.如权利要求3所述的新型结构太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤（5）在减反射膜上进行局部开膜的形状为连续的栅线，栅线长度为123mm，线宽为60μm，间距为1.8mm。
5.如权利要求3所述的新型结构太阳电池的方法，其特征在于，所述步骤（9）在透明导电膜层上制备材料为铜的导电电极，图形为栅线形状，栅线长度为123mm，线宽为1.5mm，间距为52mm。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105405910A (zh) * 2015-11-17 2016-03-16 新奥光伏能源有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法与太阳能电池组件
CN105702757A (zh) * 2016-04-07 2016-06-22 乐叶光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法
CN105762205A (zh) * 2016-04-07 2016-07-13 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极的p型晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN105789344A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构
CN105870216A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的连接结构
CN108198877A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法
CN110311011A (zh) * 2019-05-17 2019-10-08 上海神舟新能源发展有限公司 太阳电池的制作方法
CN111223945A (zh) * 2020-03-24 2020-06-02 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种具有新型正面结构的perc电池
CN111341885A (zh) * 2020-03-24 2020-06-26 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种正面无副栅的单晶perc电池制备方法
CN111403551A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种高效单晶硅perc太阳能电池的制备方法
CN113437161A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 韩华新能源（启东）有限公司 太阳能电池片及其制备方法和光伏组件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339874A (zh) * 2011-07-30 2012-02-01 常州天合光能有限公司 一种降低串联电阻损失的太阳能电池结构及其实现方法
CN202259324U (zh) * 2011-08-22 2012-05-30 山东力诺太阳能电力股份有限公司 无栅线p型晶体硅太阳能电池
CN103904140A (zh) * 2014-01-10 2014-07-02 浙江晶科能源有限公司 一种新型正面结构太阳电池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339874A (zh) * 2011-07-30 2012-02-01 常州天合光能有限公司 一种降低串联电阻损失的太阳能电池结构及其实现方法
CN202259324U (zh) * 2011-08-22 2012-05-30 山东力诺太阳能电力股份有限公司 无栅线p型晶体硅太阳能电池
CN103904140A (zh) * 2014-01-10 2014-07-02 浙江晶科能源有限公司 一种新型正面结构太阳电池

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105405910A (zh) * 2015-11-17 2016-03-16 新奥光伏能源有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法与太阳能电池组件
CN105702757A (zh) * 2016-04-07 2016-06-22 乐叶光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法
CN105762205A (zh) * 2016-04-07 2016-07-13 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极的p型晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN105702757B (zh) * 2016-04-07 2018-02-23 隆基乐叶光伏科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法
CN105870216B (zh) * 2016-04-28 2018-09-28 隆基乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的连接结构
CN105789344A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构
CN105870216A (zh) * 2016-04-28 2016-08-17 乐叶光伏科技有限公司 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的连接结构
CN108198877A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种单晶掺镓太阳电池及其制备方法
CN110311011A (zh) * 2019-05-17 2019-10-08 上海神舟新能源发展有限公司 太阳电池的制作方法
CN111223945A (zh) * 2020-03-24 2020-06-02 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种具有新型正面结构的perc电池
CN111341885A (zh) * 2020-03-24 2020-06-26 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种正面无副栅的单晶perc电池制备方法
CN111403551A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种高效单晶硅perc太阳能电池的制备方法
CN113437161A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 韩华新能源（启东）有限公司 太阳能电池片及其制备方法和光伏组件

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