CN103618009A - 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 - Google Patents
一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103618009A CN103618009A CN201310488411.5A CN201310488411A CN103618009A CN 103618009 A CN103618009 A CN 103618009A CN 201310488411 A CN201310488411 A CN 201310488411A CN 103618009 A CN103618009 A CN 103618009A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grid
- screen printing
- passivation
- back surface
- silk screen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 36
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 229910000632 Alusil Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 6
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 6
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- -1 silver aluminum Chemical compound 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
- H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/12—Stencil printing; Silk-screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法。电池正表面具有发射结、减反射膜和正面电极,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,背面还具有铝硅合金层和局域铝背场。其通过制绒、扩散、刻蚀、抛光、钝化和镀膜,使硅片正表面具有发射结和减反射膜,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,然后在背面采用具有特别图形的网版丝网印刷烧穿性银铝浆,以形成铝硅合金层和局域铝背场,再印刷正面电极并经烘干和烧结。本发明方法将常规的独立的背面电极和背面电场的印刷工艺相结合,简化了生产工艺步骤,降低了生产成本,更有利于背钝化电池大规模的产业化。
Description
技术领域
本发明属于钝化太阳能电池领域,特别涉及一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法。
背景技术
为了降低晶体硅成本,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。但随着硅片厚度的减薄,少数载流子的扩散长度可能接近或大于硅片的厚度,部分少数载流子将扩散到电池背面而产生复合,如果不采取有效手段降低这一部分复合损失,这将对电池效率带来不利影响。因此对于薄片化的电池片,需要很好的背面钝化效果。背面钝化的晶体硅太阳电池兼备光学和电学的优势,能够进一步提高产业化的太阳电池的效率,是下一步研发的重点。新南威尔士大学(UNSW )制备的PERC(passivated emitter rear contact)太阳电池,P型单晶硅效率高达23.0%。其主要特点是双面钝化,即电池的正面与背面均镀有钝化层。对于背表面,用背面点接触来代替 PESC(passivated emitter solar cell)电池的整个背面铝合金接触。目前,对于此种电池的制备主要有两种方法,第一种是首先在背面钝化层上进行局域开膜处理,以形成局域接触区,然后丝网印刷铝浆在整个电池背面,从而在烧结中形成局域铝背场,此法需要单独的背面钝化层局域开膜技术;第二种是首先在背面钝化层上蒸镀一定厚度的铝膜,然后利用激光作用在电池背面的局域区域,从而实现背面局域接触和形成局域铝背场,此法不仅需要另置镀膜设备蒸镀以形成铝背场的铝膜,而且需要激光作用在硅片背表面。由此可见,上述方法工艺步骤繁琐,增加了工艺时间和工艺成本。
发明内容
本发明为克服上述现有技术存在的不足,提供一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法。它采用丝网印刷方式,而无需单独的开背面钝化层技术,也无需激光烧结技术,简化了生产工艺步骤,降低了生产成本,有利于背钝化电池的产业化。
本发明解决技术问题所采取的技术方案是:
第一个方面,一种丝网印刷背钝化电池,其正表面具有发射结、减反射膜和正面电极,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,其特征在于,背面还具有丝网印刷烧穿性银铝浆而形成的铝硅合金层和局域铝背场。
所述的钝化层为Al2O3钝化膜或SiO2钝化膜。
所述的氮化硅膜的厚度为30nm至200nm,折射率为1.9至2.3。
所述的铝背场为栅指型,由主栅和副栅组成。作为优选,所述的主栅由三根栅线组成,栅线为直通式或分段式,栅线的宽度与正面电极中的主栅线相同,三根栅线之间的间距与正面的主栅线间距相同;所述的副栅为直通式栅线,栅线的宽度为60μm至200μm,栅线的间距为0.8mm至3.0mm。
第二个方面,一种丝网印刷背钝化电池的制备方法,首先通过制绒、扩散、刻蚀、抛光、钝化和镀膜,使硅片正表面具有发射结和减反射膜,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,然后制备局域接触和局域铝背场,再印刷正面电极并经烘干和烧结完成背钝化电池的制备;其特征在于,所述的制备局域接触和局域铝背场是在背面采用具有特别图形的网版丝网印刷烧穿性银铝浆,以形成铝硅合金层和局域铝背场。
所述的烧穿性银铝浆,具有良好的导电性,在烧结过程中,丝网印刷的烧穿性银铝浆将背面钝化层和氮化硅膜烧穿并与硅基底接触形成铝硅合金层和局域铝背场。
所述的具有特别图形的网版的图形为栅指型,并且使用烧穿性银铝浆,从而将独立的背面电极和背面电场的印刷工艺相结合;而且在经过烧结后形成由主栅和副栅组成的栅指型的铝背场。作为优选,所述的主栅由三根栅线组成,栅线为直通式或分段式,栅线的宽度与正面电极中的主栅线相同,三根栅线之间的间距与正面的主栅线间距相同;所述的副栅为直通式栅线,栅线的宽度为60μm至200μm,栅线的间距为0.8mm至3.0mm。
本发明中,丝网印刷背钝化电池的制备流程为:首先,对单晶硅片进行碱制绒,以去除损伤并形成均匀的金字塔绒面以降低硅片表面的反射率;其次,对制绒后的硅片进行液态磷源扩散,在硅片正面形成N型扩散层,以形成电池所需要的PN结;接着,对扩散后的硅片进行湿法刻蚀,去除扩散过程中在硅片表面的磷硅玻璃层,去除硅片边缘及背表面的PN结,并在刻蚀的同时完成对硅片背表面的抛光;然后,在抛光的硅片背表面沉积或生长Al2O3钝化膜或SiO2钝化膜,并继钝化层之后再沉积一定厚度的氮化硅膜;最后,用具有特别图形的网版将烧穿性银铝浆丝网印刷于整个硅片背表面,再丝网印刷银浆于硅片正表面,烘干并烧结,完成背钝化电池的制备。
本发明利用烧穿性银铝浆的烧结特性,使得在烧结过程中烧穿背面钝化层并与硅基底接触形成铝硅合金层和铝背场,不需要单独的开背面钝化层技术,不需要激光烧结技术,即可形成局域铝背场;采用特别设计的栅指型图形的丝网印刷网版,利用银铝浆良好的导电性,将常规的独立的背面电极和背面电场的印刷工艺相结合,简化了生产工艺步骤,降低了生产成本;采用丝网印刷方式,更有利于背钝化电池大规模的产业化。
附图说明
图1为本发明一种具体实施方式中背面丝网印刷网版栅指型图形示意图。
图中1为主栅线,2为副栅线。
具体实施方式
实施例1:一种丝网印刷背钝化电池的制备方法。
将单晶硅片进行碱制绒形成均匀的金字塔绒面,扩散形成PN结,湿法刻蚀去表面磷硅玻璃、去边缘和背面PN结,并抛光硅片背表面,在抛光的硅片背表面原子层沉积15nm厚的Al2O3钝化膜,采用等离子体化学气相沉积法沉积厚度为80nm的SiNx膜;用主栅线宽为1.4mm,主栅线间距为52mm,副栅线宽为100μm,副栅线间距为1.0mm的网版将烧穿性银铝浆印刷在整个硅片背表面,背面丝网印刷网版栅指型图形如图1所示,图中1为主栅线,2为副栅线;印刷正面电极,主栅线宽度及主栅线间距与背面相同,然后烘干并烧结。即制得丝网印刷背钝化电池。
实施例2:又一种丝网印刷背钝化电池的制备方法。
将单晶硅片进行碱制绒形成均匀的金字塔绒面,扩散形成PN结,湿法刻蚀去表面磷硅玻璃、去边缘和背面PN结,并抛光硅片背表面,在抛光的硅片热生长20nm厚的SiO2钝化膜,采用等离子体化学气相沉积法沉积厚度为120nm的SiNx膜;用主栅线宽为1.4mm,主栅线间距为52mm,副栅线宽为150μm,副栅线间距为1.5mm的网版将烧穿性银铝浆印刷在整个硅片背表面,背面丝网印刷网版栅指型图形如图1所示,图中1为主栅线,2为副栅线;印刷正面电极,主栅线宽度及主栅线间距与背面相同,然后烘干并烧结。即制得丝网印刷背钝化电池。
Claims (9)
1.一种丝网印刷背钝化电池,其正表面具有发射结、减反射膜和正面电极,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,其特征在于,背面还具有丝网印刷烧穿性银铝浆而形成的铝硅合金层和局域铝背场。
2.根据权利要求1所述的丝网印刷背钝化电池,其特征在于,所述的钝化层为Al2O3钝化膜或SiO2钝化膜。
3.根据权利要求1所述的丝网印刷背钝化电池,其特征在于,所述的氮化硅膜的厚度为30nm至200nm,折射率为1.9至2.3。
4.根据权利要求1所述的丝网印刷背钝化电池,其特征在于,所述的铝背场为栅指型,由主栅和副栅组成。
5.根据权利要求4所述的丝网印刷背钝化电池,其特征在于,所述的主栅由三根栅线组成,栅线为直通式或分段式,栅线的宽度与正面电极中的主栅线相同,三根栅线之间的间距与正面的主栅线间距相同;所述的副栅为直通式栅线,栅线的宽度为60μm至200μm,栅线的间距为0.8mm至3.0mm。
6.根据权利要求1所述的丝网印刷背钝化电池的制备方法,首先通过制绒、扩散、刻蚀、抛光、钝化和镀膜,使硅片正表面具有发射结和减反射膜,背表面为抛光表面并沉积或生长有钝化层,在钝化层之上镀有氮化硅膜,然后制备局域接触和局域铝背场,再印刷正面电极并经烘干和烧结完成背钝化电池的制备;其特征在于,所述的制备局域接触和局域铝背场是在背面采用具有特别图形的网版丝网印刷烧穿性银铝浆,以形成铝硅合金层和局域铝背场。
7.根据权利要求6所述的丝网印刷背钝化电池的制备方法,其特征在于,在烧结过程中,丝网印刷的烧穿性银铝浆将背面钝化层和氮化硅膜烧穿并与硅基底接触形成铝硅合金层和局域铝背场。
8.根据权利要求6所述的丝网印刷背钝化电池的制备方法,其特征在于,所述的具有特别图形的网版的图形为栅指型,并且使用烧穿性银铝浆,从而将独立的背面电极和背面电场的印刷工艺相结合;而且在经过烧结后形成由主栅和副栅组成的栅指型的铝背场。
9.根据权利要求8所述的丝网印刷背钝化电池的制备方法,其特征在于,所述的主栅由三根栅线组成,栅线为直通式或分段式,栅线的宽度与正面电极中的主栅线相同,三根栅线之间的间距与正面的主栅线间距相同;所述的副栅为直通式栅线,栅线的宽度为60μm至200μm,栅线的间距为0.8mm至3.0mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310488411.5A CN103618009A (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310488411.5A CN103618009A (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103618009A true CN103618009A (zh) | 2014-03-05 |
Family
ID=50168713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310488411.5A Pending CN103618009A (zh) | 2013-10-18 | 2013-10-18 | 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103618009A (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104057741A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-24 | 润峰电力有限公司 | 一种太阳能电池片普通产线引进钢板印刷的工艺 |
WO2014206213A1 (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 英利集团有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
CN104362189A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
CN105470316A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-06 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
CN106549066A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法 |
CN107516683A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-12-26 | 张家港协鑫集成科技有限公司 | 太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法 |
CN107706246A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-16 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 |
CN112186072A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-05 | 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 | 一种perc太阳电池的制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694268A (zh) * | 2005-05-18 | 2005-11-09 | 陈娟娟 | 硅片太阳电池制作方法 |
CN1744331A (zh) * | 2005-08-01 | 2006-03-08 | 金昊 | 一种太阳能电池制作方法 |
CN1815760A (zh) * | 2005-12-15 | 2006-08-09 | 江菲菲 | 基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池及其制造方法 |
CN102544195A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
WO2012145864A1 (zh) * | 2011-04-29 | 2012-11-01 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 太阳电池、太阳电池组件及其制备方法 |
US20130000716A1 (en) * | 2009-11-27 | 2013-01-03 | Wuxi Suntech Power Co., Ltd. | Manufacturing method of front electrode of solar cell |
CN202695463U (zh) * | 2012-05-24 | 2013-01-23 | 山东理工职业学院 | 一种晶体硅太阳电池的电极结构 |
-
2013
- 2013-10-18 CN CN201310488411.5A patent/CN103618009A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1694268A (zh) * | 2005-05-18 | 2005-11-09 | 陈娟娟 | 硅片太阳电池制作方法 |
CN1744331A (zh) * | 2005-08-01 | 2006-03-08 | 金昊 | 一种太阳能电池制作方法 |
CN1815760A (zh) * | 2005-12-15 | 2006-08-09 | 江菲菲 | 基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池及其制造方法 |
US20130000716A1 (en) * | 2009-11-27 | 2013-01-03 | Wuxi Suntech Power Co., Ltd. | Manufacturing method of front electrode of solar cell |
CN102544195A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
WO2012145864A1 (zh) * | 2011-04-29 | 2012-11-01 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 太阳电池、太阳电池组件及其制备方法 |
CN202695463U (zh) * | 2012-05-24 | 2013-01-23 | 山东理工职业学院 | 一种晶体硅太阳电池的电极结构 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014206213A1 (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 英利集团有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
CN104057741A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-24 | 润峰电力有限公司 | 一种太阳能电池片普通产线引进钢板印刷的工艺 |
CN104362189A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
CN104362189B (zh) * | 2014-10-30 | 2017-03-08 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
CN106549066A (zh) * | 2015-09-18 | 2017-03-29 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法 |
CN105470316A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-04-06 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
CN107516683A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-12-26 | 张家港协鑫集成科技有限公司 | 太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法 |
CN107706246A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-02-16 | 无锡嘉瑞光伏有限公司 | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 |
CN112186072A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-05 | 宁波尤利卡太阳能股份有限公司 | 一种perc太阳电池的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103618009A (zh) | 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法 | |
CN103456837B (zh) | 局部背场钝化太阳能电池的制造方法 | |
CN103996743B (zh) | 铝浆烧穿局部薄膜的背钝化点接触太阳能电池的制备方法 | |
TWI536597B (zh) | A low cost, suitable for mass production of back contact with the battery production methods | |
CN110137283A (zh) | 一种增大比表面积的单晶硅电池片及其制绒方法 | |
CN104377253A (zh) | 一种新型结构太阳电池及其制作方法 | |
CN103594529A (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 | |
CN102623517A (zh) | 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
CN102683493A (zh) | N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法 | |
CN105762205A (zh) | 一种具有透明电极的p型晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
CN102364692A (zh) | 双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
CN102623563A (zh) | 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法 | |
CN203812893U (zh) | 一种n型背结太阳能电池 | |
CN108054221A (zh) | 双面perc电池的背面栅线结构、双面perc电池及其制备方法 | |
CN104681665A (zh) | 一种新型背钝化太阳能电池的制备方法 | |
CN105702757A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法 | |
CN105957921A (zh) | 一种利用印刷技术制备n型硅ibc太阳电池的方法 | |
CN106057925A (zh) | 一种正面电极侧绕背接触p型晶硅太阳电池的制造方法 | |
CN104134706B (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 | |
CN203674218U (zh) | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池 | |
CN105470347A (zh) | 一种perc电池的制作方法 | |
CN105470316A (zh) | 一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
CN203491268U (zh) | 一种新型双面受光太阳电池 | |
CN105529380A (zh) | 一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法 | |
CN204102912U (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140305 |