CN202695463U - 一种晶体硅太阳电池的电极结构 - Google Patents

一种晶体硅太阳电池的电极结构 Download PDF

Info

Publication number
CN202695463U
CN202695463U CN 201220235366 CN201220235366U CN202695463U CN 202695463 U CN202695463 U CN 202695463U CN 201220235366 CN201220235366 CN 201220235366 CN 201220235366 U CN201220235366 U CN 201220235366U CN 202695463 U CN202695463 U CN 202695463U
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid line
main grid
silicon solar
electrode structure
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201220235366
Other languages
English (en)
Inventor
屈道宽
许可
付新春
王连海
闫树兵
王素梅
静国梁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Polytechnic College
Original Assignee
Shandong Polytechnic College
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Polytechnic College filed Critical Shandong Polytechnic College
Priority to CN 201220235366 priority Critical patent/CN202695463U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202695463U publication Critical patent/CN202695463U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。本实用新型在不影响电池IV测试分档和输出功率的情况下，只在测试探针接触点位置设置印刷浆料层，减少印刷浆料层的面积，从而减少银浆的使用量，降低了电池的成本。改善了电池片弯曲和降低产生碎片的隐裂现象。

Description

一种晶体硅太阳电池的电极结构
技术领域
本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池技术，尤其涉及一种晶体硅太阳电池的电极结构。
背景技术
目前，晶体硅太阳能电池作为第一代太阳能电池，其制造技术成熟可靠，然而与常规能源相比，相对较高的成本与较低的效率制约了其发展，对于如何降低成本及提高转换效率，人们进行了大量的研究。
晶体硅太阳电池作为太阳电池组件的基本单元，其体内因太阳照射所产生的内部光生电流需要通过电池的电极进行收集并将其汇集引出，其中正面电极处于被太阳光所照射的面。正面电极通常包括设置在太阳电池衬底上的主栅线（或称之为主栅电极）和副栅线（或称之为次栅线、副栅电极），其中副栅线主要起收集电流作用，而主栅线主要起将副栅线收集的电流汇集的作用，同时也作为将多个太阳电池通过互连条连接形成太阳电池组件时的互连条连接基体，即一般来讲，互连条是通过焊接或以其他方式与主栅线（正电极的主栅线或者背面电极的主栅线）连接进而实现多个电池的串联。
在影响效率和成本的因素中，正面电极结构设计是其中一个关键因素。晶体硅太阳电池的栅线设计是为了最大限度的收集电流，并尽可能的降低串联电阻，这就意味着栅线应越密越粗越好，然而这必然导致了硅电池的受光面积。因此栅线的设计应该统筹受光面积（收集光电流）与降低串联电阻的关系。
为了降低成本，提高效率，现有技术中通常考虑采用降低主栅线的线宽或者在主栅线设置一些不直接印刷的浆料的区域来减少银浆的使用量。但是本领域的技术人员也认识到，虽然减小正面电极的浆料覆盖面积可以降低正面电极的浆料使用量，一定程度上可以节约一些成本，但是，在主栅线线宽和线高减小时，由于串联电阻与主栅线的截面积是成反比关系，所以其串联电阻也必然增加，这会导致太阳电池转换效率降低，最终会导致太阳电池组件的功率输出降低，反而会得不偿失。
所以在目前的一些设计中，虽然考虑到通过在主栅线上设置一些镂空区域来减少浆料的使用，降低金属电极和硅（Ag-Si）之间的复合面积，在一定程度上也能减少电池的弯曲（因为金属和硅的热膨胀系数不一样，烧结冷却后，就会出现电池片弯曲，浆料使用量越多，变形量也会越大），但是在设计时，往往会顾虑到串联电阻的增加导致电池效率的下降，这些镂空区域的面积不会很大，而且镂空区域之间内的间隙也会很小，这样也可以再浆料印刷后，通过自身的流动性，覆盖到未印刷浆料的区域，以保证串联电阻不受到较大的影响（因为浆料的流动、镂空区域同样被填充浆料，主栅线的横截面积实际上并没有明显减少）。所以，在这种设计中，电极与硅衬底的接触面积并没有减少，所使用的浆料量也不会有特别显著的减少。同时，由于银电极主栅线与太阳电池衬底硅的热膨胀系数不一致，综合主栅线的大面积和线高的特点，在后续的焊接连接互连条的工艺过程中，会产生较大热应力，从而焊接过程中易于产生碎片的隐裂现象。
有鉴于此，有必要提出一种新型结构，在大幅度降低太阳电池的电极的制作成本的同时，能改善电池片弯曲和降低产生碎片的隐裂现象。
实用新型内容
本实用新型的目的就是：在不影响电池IV测试分档和输出功率的情况下，减少正面电极主栅线银浆的使用量，并避免正面电极与互连条的焊接过程中易产生碎片和隐裂。
为达到本实用新型的目的，提供一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。主栅线在测试探针接触点印刷浆料。测试探针接触点与电池测试仪的探针相配合接触。
所述主栅线上非测试探针接触点的区域为不覆盖印刷浆料层的镂空区域。
所述测试探针接触点上覆盖的印刷浆料层为漏网状。即印刷浆料层具有镂空的漏孔。
所述漏网的漏孔为圆形。
所述漏孔的直径为30um-300um。
所述主栅线的形状为两端窄，中间宽的形状。
所述主栅线的端部为尖头形状。
所述主栅线的端部为三角形或梯形。
本实用新型的有益效果为：在不影响电池IV测试分档和输出功率的情况下，只在测试探针接触点位置设置印刷浆料层，减少印刷浆料层的面积，从而减少银浆的使用量，降低了电池的成本。
印刷浆料层采用镂空印刷，也进一步减少银浆的使用量。还解决了银电极主栅线与太阳电池衬底硅的热膨胀系数不同的问题，改善电池片弯曲和降低产生碎片的隐裂现象。
主栅线的两端窄，中间宽的形状使主栅线可以降低银浆的使用但没有减少主栅线的线宽,保证了电池串联电阻不会增加，从而保证了电池的效率。
附图说明
图1是现有太阳能电池的正面电极的结构示意图；
图2是本实用新型的太阳能电池的正面电极的结构示意图；
图3是图2中A部分的放大示意图；
图4是图2中B部分的放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细描述。
下面将参照附图1-4对本发明做进一步的详细描述，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域的技术人员对本实用新型的各种等同形式的修改均落于本申请权利要求书的限定范围。
如图1所示，现有技术的晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线1’，全部主栅线1’上都覆盖有印刷浆料层。所使用的银浆较多，成本较高。
如图2所示，本实用新型的晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线1，主栅线1上设置测试探针接触点11，测试探针接触点11上覆盖印刷浆料层。与测试探针接触点11间隔排列的是不覆盖印刷浆料层的镂空区域12。测试探针接触点与电池测试仪的探针相配合接触，保证减少银浆使用的情况下电池IV测试分档。
如图3的放大示意图显示了测试探针接触点11上的印刷浆料层为漏网状。即印刷浆料层具有镂空的漏孔112。漏孔112为圆形，漏孔112直径为30um-300um。
如图2所示，为了保证主栅线1的线宽，主栅线1的形状为两端窄，中间宽的橄榄球形状。为了更进一步减少银浆使用，主栅线1的两端为尖头形状，如图4所示，主栅线1的两端可以为三角形的尖头形状。当然本领域技术人员清楚采用梯形的尖头形状也可以。

Claims (8)

1.一种晶体硅太阳电池的电极结构，包括主栅线，其特征在于,主栅线上设置测试探针接触点，测试探针接触点上覆盖印刷浆料层。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线上非测试探针接触点的区域为不覆盖印刷浆料层的镂空区域。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述测试探针接触点上覆盖的印刷浆料层为漏网状。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述漏网的漏孔为圆形。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述漏孔的直径为30um-300um。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的形状为两端窄，中间宽的形状。
7.根据权利要求6所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的端部为尖头形状。
8.根据权利要求6或7任一项所述的晶体硅太阳电池的电极结构，其特征在于，所述主栅线的端部为三角形或梯形。 
CN 201220235366 2012-05-24 2012-05-24 一种晶体硅太阳电池的电极结构 Expired - Fee Related CN202695463U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220235366 CN202695463U (zh) 2012-05-24 2012-05-24 一种晶体硅太阳电池的电极结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220235366 CN202695463U (zh) 2012-05-24 2012-05-24 一种晶体硅太阳电池的电极结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202695463U true CN202695463U (zh) 2013-01-23

Family

ID=47551037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220235366 Expired - Fee Related CN202695463U (zh) 2012-05-24 2012-05-24 一种晶体硅太阳电池的电极结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202695463U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103317835A (zh) * 2013-06-19 2013-09-25 东莞南玻光伏科技有限公司 晶硅电池正面电极网版
CN103618009A (zh) * 2013-10-18 2014-03-05 浙江晶科能源有限公司 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法
CN103943699A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 浙江光隆能源科技股份有限公司 一种提升附着力的多晶太阳能电池正面电极设计方法
CN108914583A (zh) * 2018-07-17 2018-11-30 上海工程技术大学 一种耐水洗通透的导电聚吡咯/银复合棉织物及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103317835A (zh) * 2013-06-19 2013-09-25 东莞南玻光伏科技有限公司 晶硅电池正面电极网版
CN103317835B (zh) * 2013-06-19 2016-03-30 东莞南玻光伏科技有限公司 晶硅电池正面电极网版
CN103618009A (zh) * 2013-10-18 2014-03-05 浙江晶科能源有限公司 一种丝网印刷背钝化电池及其制备方法
CN103943699A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 浙江光隆能源科技股份有限公司 一种提升附着力的多晶太阳能电池正面电极设计方法
CN108914583A (zh) * 2018-07-17 2018-11-30 上海工程技术大学 一种耐水洗通透的导电聚吡咯/银复合棉织物及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101609848B (zh) 丝网印刷晶体硅太阳能电池的正背面电极及其制造方法
CN102646728B (zh) 一种背接触硅太阳能电池片的背面电极结构及其制备方法
CN102610668A (zh) 一种改进的太阳电池电极结构
CN102779861B (zh) 正面栅线电极结构
CN202695463U (zh) 一种晶体硅太阳电池的电极结构
CN205985031U (zh) 高效太阳能无主栅线晶硅电池片
CN203983249U (zh) 一种用于太阳能电池片组的转移装置
CN201374341Y (zh) 具有金属化电极的太阳能电池
CN201796897U (zh) 晶体硅太阳电池的正面电极结构
CN203941912U (zh) 一种光伏电池片及光伏组件
CN206820002U (zh) 一种太阳能电池的栅线结构及太阳能电池片
CN203415587U (zh) 五主栅高效率太阳能电池
CN203085565U (zh) 一种新型太阳能电池正电极
CN203674221U (zh) 带有新型主栅电极图形的mwt电池
CN104282772A (zh) 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池
CN203659897U (zh) 聚光焊带
CN206441743U (zh) 增强电流收集的太阳能无主栅线晶硅电池片
CN203434166U (zh) 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池结构
CN202957258U (zh) 一种晶体硅太阳能电池及其正面电极
CN107895748A (zh) 高效太阳能无主栅晶硅电池片
CN206432271U (zh) 太阳能无主栅线晶硅电池片
CN206516646U (zh) 增强焊接效果的无主栅电池片太阳能组件
CN206401326U (zh) 太阳能无主栅线晶硅电池片
CN102916059A (zh) 晶体硅太阳能高效电池片
CN214477488U (zh) 一种光伏太阳能电池板的电池片

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130123

Termination date: 20130524