CN102931071B - 一种图形化蓝宝石衬底的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的方法及装置，该方法包括以下步骤：步骤s1，在蓝宝石衬底上制作具有所需图形的掩膜；步骤s2，按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；步骤s3，判断所述掩膜是否开始收缩，若是，则执行步骤s4；若否，则继续执行步骤s2；步骤s4，按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；步骤s5，结束所述蓝宝石衬底的刻蚀。该方法不仅可以减少刻蚀的时间，从而提高刻蚀效率；而且可以有效的控制掩膜的底宽，为后续的外延工艺提供良好的窗口。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体加工领域，具体涉及一种图形化蓝宝石衬底的方法以及用于图形化蓝宝石衬底的装置。
背景技术
GaN(氮化镓)基LED(发光二极管)具有寿命长、耐冲击、抗震、高效节能等优异特性，在图像显示、信号指示、照明等领域具有广泛地应用前景。尤其是近年来自然资源的日益短缺进一步促进了GaN基LED快速发展。
众所周知，由于GaN单晶制备比较困难，常见的GaN基LED是以蓝宝石为衬底。然而GaN与蓝宝石衬底的晶格常数和热膨胀系数差别较大，使得蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的位错和缺陷密度较大，严重影响了LED的发光效率和寿命。
为此，相关技术人员开发了PSS(Patterned Sapphire Substrates)技术，即图形化衬底技术，其是在蓝宝石衬底上制作掩膜，再用光刻技术在掩膜上加工出所需的图形，然后利用ICP(电感耦合)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，再去掉掩膜，最后在蓝宝石衬底上沉积GaN薄膜，从而使GaN薄膜由纵向外延变为横向外延。
在上述PSS技术中，掩膜和蓝宝石衬底的刻蚀图形形状影响后续的GaN薄膜的质量，如掩膜图形的底宽(即图形底端的宽度)较宽以及高度较矮时将影响GaN薄膜的外延生长；而且在刻蚀过程中，刻蚀选择比与刻蚀速率相互制约，即刻蚀选择比的增加将导致刻蚀速率的降低，从而影响GaN基LED的生产效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题就是针对GaN基LED的制备过程中存在的上述缺陷，提供一种图形化蓝宝石衬底的方法，该方法不仅可以获得底宽较窄、高度较高的掩膜图形，而且可以提高图形的刻蚀速率，从而提高GaN基LED的生产效率。
此外，本发明还提供一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，该装置可以不仅可以获得底宽较窄、高度较高的掩膜图形，而且可以提高图形的刻蚀速率，从而提高GaN基LED的生产效率。
解决上述技术问题的所采用的技术方案是提供一种图形化蓝宝石衬底的方法，包括以下步骤：
步骤s1，在蓝宝石衬底上制作具有所需图形的掩膜；
步骤s2，按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；
步骤s3，判断所述掩膜是否开始收缩，若是，则执行步骤s4；若否，则继续执行步骤s2；
步骤s4，按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；
步骤s5，结束所述蓝宝石衬底的刻蚀。
优选地，当所述掩膜的高度减小到其底宽的1/2时所述掩膜开始收缩。
优选地，通过刻蚀时间来判断所述掩膜是否开始收缩。
优选地，所述第一刻蚀工艺中使用的下电极射频功率小于所述第二刻蚀工艺中使用的下电极射频功率。
优选地，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底时，刻蚀气体的流量为50～150sccm，所述第一刻蚀工艺中使用的下电极射频功率100～350W；所述第二刻蚀工艺中使用的下电极射频功率为500～700W。
优选地，在步骤s4后，还包括修饰所述蓝宝石图形的步骤，当掩膜的厚度减小到100～200nm时，进行修饰所述蓝宝石图形的步骤。
优选地，在修饰所述蓝宝石图形时，下电极射频功率为500～700W，刻蚀气体的流量为30～50sccm。
本发明还提供一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，包括用于刻蚀蓝宝石衬底的刻蚀设备以及控制单元，所述控制单元包括获取单元以及第一判断单元，其中，
所述获取单元用于获取设置在所述蓝宝石衬底表面的掩膜的状态信息，并将所述掩膜状态信息发送至所述第一判断单元；
所述第一判断单元用于根据所述掩膜状态信息判断掩膜是否开始收缩，若是，则发出掩膜开始收缩的信号；若否，则发出所述掩膜未开始收缩的信号；
所述刻蚀设备根据所述第一判断单元发出的掩膜收缩的信号，在所述掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底，并在所述掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底。
优选地，所述掩膜状态信息包括所述掩膜的高度信息和底宽信息，当所述掩膜的高度减小到其底宽的1/2时，所述掩膜开始收缩。
优选地，所述获取单元为扫描电子显微镜。
优选地，所述控制单元包括工艺调节单元，其输出端与所述刻蚀设备连接，用于根据第一判断单元发出的信号调节所述刻蚀设备的工艺参数，将第一刻蚀工艺调整为第二刻蚀工艺。
优选地，所述控制单元包括第二判断单元，其与所述工艺调节单元连接，用于判断所述掩膜的厚度是否为100～200nm，若是，则发出停止所述第二刻蚀工艺的信号；若否，则发出继续所述第二刻蚀工艺的信号，所述工艺调节单元根据第二判断单元发出的信号调节所述刻蚀设备的工艺参数，以将所述刻蚀设备的刻蚀工艺调整为修饰工艺。
优选地，所述控制单元包括第三判断单元，其与所述工艺调节单元连接，用于判断修饰工艺是否结束，若是，则发出结束修饰工艺的信号，所述工艺调节单元根据所述第三判断单元发出的结束修饰工艺的信号使所述刻蚀设备结束修饰工艺。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的一种图形化蓝宝石衬底的方法，通过判断掩膜是否开始收缩，其在掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底，在掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底。通过该方法不仅可以减少刻蚀的时间，从而提高刻蚀效率，进而提高图形化蓝宝石衬底的产能；而且可以有效的控制掩膜的底宽，为后续的外延工艺提供良好的窗口。
类似地，本发明提供的一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，其通过获取单元获取掩膜的状态信息，然后由判断单元根据掩膜的状态信息判断掩膜是否开始收缩，以使刻蚀设备在所述掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺要求进行刻蚀，而在所述掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺要求进行刻蚀，从而不仅可以减少刻蚀的时间，提高刻蚀效率，进而提高图形化蓝宝石衬底的产能；而且可以有效的控制掩膜的底宽，为后续的外延工艺提供良好的窗口。
附图说明
图1为本发明提供的一种图形化蓝宝石衬底的方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的采用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底的流程图；
图3为刻蚀宝石衬底前的SEM切片图；
图4为采用本实施例提供的图形化蓝宝石衬底的方法在主刻蚀工艺结束后的SEM切片图；以及
图5为本发明提供的一种用于图形化蓝宝石衬底的装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的图形化蓝宝石衬底的方法及装置进行详细描述。
在刻蚀蓝宝石衬底的过程中，掩膜同样会被刻蚀。本发明是通过判断掩膜的刻蚀状态达到控制图形化蓝宝石衬底的质量。图1为本发明提供的一种图形化蓝宝石衬底的方法的主要步骤流程图。请参阅图1，本发明提供的图形化蓝宝石衬底的方法主要包括以下步骤：
步骤s1，在蓝宝石衬底上制作具有所需图形的掩膜；
步骤s2，按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；
步骤s3，判断所述掩膜是否开始收缩，若是，则执行步骤s4；若否，则继续执行步骤s2；
步骤s4，按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；
步骤s5，结束所述蓝宝石衬底的刻蚀。
判断掩膜是否开始收缩的方法可以通过掩膜的高度和掩膜的底宽的比值获得。实验表明，当掩膜的高度减小到其底宽的1/2时所述掩膜开始收缩。因此，本发明以掩膜的高度是否减小到其底宽的1/2作为判断掩膜是否开始收缩的依据。然而，本发明并不局限于此。在实际应用中，也可以通过实验获得掩膜开始收缩的时间点，即通过刻蚀时间来间接判断掩膜是否开始收缩。这种借助刻蚀时间判断掩膜是否开始收缩的方法易于操作，更加适用于批量的大规模生产。
需要说明的是，本实施例是在掩膜的高度减小到其底宽的1/2时认为掩膜开始收缩，但是本发明并不局限于此。众所周知，不同掩膜开始收缩的时间点并不相同，因此，判断掩膜是否开始收缩需要根据不同掩膜所具有的性能来确定。
刻蚀工艺可以选择诸如电感耦合等离子体刻蚀工艺、电容耦合等离子体刻蚀工艺等干法刻蚀工艺。下面详细介绍电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底的步骤，实施电感耦合等离子体刻蚀工艺的主要参数有反应腔室内的压力，单位mTorr(毫托)；SRF(上电极射频功率)(单位瓦)；BRF(下电极射频功率)(单位瓦)；刻蚀气体三氯化硼(BCl3)，单位sccm(标准状态毫升每分钟)；刻蚀时间min(分钟)。
图2为本发明实施例提供的采用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底的流程图。请参阅图2，本实施例提供的采用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底的步骤包括：
步骤s10，在蓝宝石衬底上制作具有所需图形的掩膜。
掩膜的制作方法与现有技术中制作掩膜的方法相同。如，首先在蓝宝石衬底上制作干法刻蚀用的掩膜，如光刻胶掩膜，然后用光刻工艺在掩膜上刻出所需的图形。这里，掩膜的图形与所要加工的蓝宝石衬底的图形相对应。
步骤s20，按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底。
本实施例中，第一刻蚀工艺也可以称作高选择比刻蚀工艺，主要是控制BRF，通常将BRF控制在100～350W，优选150～300W。通过较小的BRF可以使刻蚀图形达到高选择比。同时，刻蚀气体三氯化硼BCl3的流量为50～150sccm，反应腔室内的压力为2～15mTTor，SRF为1400～1900W。
步骤s30，判断所述掩膜是否开始收缩，若是，则执行步骤s40；若否，则继续执行步骤s20。
在按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底的过程中，通过SEM(扫描电子显微镜)监测掩膜的高度和底宽尺寸，并判断掩膜的高度是否减小到其底宽的1/2，若是，则执行步骤s40；若否，则继续执行步骤s20。
步骤s40，按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底。
在掩膜开始收缩后，如果继续按照步骤s20的第一刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底，必然会导致掩膜的底宽发生较大的展宽，从而导致掩膜底宽较宽。因此，需要对刻蚀工艺进行调整，以抑制掩膜展宽。
在步骤s40中，第二刻蚀工艺也称作抑制掩膜底宽刻蚀工艺，同样主要是控制BRF，但BRF要大于第一刻蚀工艺中的BRF，通常BRF大于500W，优选500～700W，较大的BRF不仅可以控制掩膜的底宽，而且刻蚀速率较快，其刻蚀速度比步骤s20所述第一刻蚀工艺的速度快10～20％。其它工艺参数与步骤s20类似，具体地，将刻蚀气体三氯化硼BCl3的流量控制在50～150sccm，将反应腔室内的压力控制在2～15mTorr，SRF控制在1400～1900W。
需要说明的是，在本实施例中，步骤s20和步骤s40中的第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺被称为主刻蚀工艺，主刻蚀工艺决定了掩膜的高度和底宽，然而主刻蚀工艺获得蓝宝石图形的形貌相对较差。为了获得更好的蓝宝石图形形貌，还需要对蓝宝石衬底进行修饰工艺。因此，在结束图形化蓝宝石衬底工艺之前，还需要继续执行步骤s50和步骤s60。
步骤s50，判断掩膜的高度是否减小到100～200nm，若是，则执行步骤s60；若否，则继续执行步骤s40。
步骤s60，对蓝宝石图形实施修饰工艺。
步骤s60所述的修饰工艺也称为过刻蚀工艺，其仅对蓝宝石图形进行修饰。修饰工艺需要控制的主要参数为BRF、反应腔室内的气体压力以及刻蚀气体的流量。具体地，BRF要大于500W，优选500～700W，将刻蚀气体三氯化硼BCl3的流量控制在30～50sccm，将反应腔室内的压力控制在1～2mTorr，SRF控制在1400～2000W。
步骤s70，判断修饰工艺是否结束，若是，则执行步骤s80；若否，则继续执行步骤s60。
本实施例，判断修饰工艺是否结束，主要是根据修饰工艺的时间。修饰工艺的时间通常为3～7min，其与掩膜的厚度正相关。若掩膜厚度为2.5～3μm时，修饰工艺的时间为5min；若掩膜的厚度低于2.5μm，则修饰工艺的时间相应的减少；若掩膜的厚度高于3μm时，则修饰工艺的时间相应的增加。
步骤s80，结束对所述蓝宝石衬底的刻蚀。
图3为刻蚀宝石衬底前的SEM切片图，请参阅图3，掩膜的底宽为2.86μm(微米)，高度为1.87μm。
图4为采用本实施例提供的图形化蓝宝石衬底的方法在主刻蚀工艺结束后蓝宝石衬底的SEM切片图，其中，主刻蚀工艺包括采用第一刻蚀工艺刻蚀33分钟以及采用第二刻蚀工艺刻蚀4分钟。请参阅图4，在主刻蚀工艺结束后，掩膜的底宽为2.72μm，高度为1.82μm。相对于图3而言，在掩膜高度大致相同的情况下，掩膜的底宽减小了140nm(纳米)，即底宽约减小了16％。而且，刻蚀时间缩短了6min(分钟)，约缩短了14％。
需要说明的是，本实施例是根据直接测量掩膜厚度的方式来判断掩膜是否开始收缩。然而，本发明并不局限于此。本发明也可以通过刻蚀时间来判断掩膜是否开始收缩。具体地：
在步骤s1之后，测量所述掩膜的厚度，获得掩膜的初始厚度值；
对蓝宝石衬底进行预刻蚀，记录预刻蚀的时间；
再次测量掩膜的厚度，获得掩膜的第二厚度值；
根据初始厚度值、第二厚度值以及预刻蚀的时间计算所述掩膜的刻蚀速率，计算方式为：掩膜的刻蚀速率＝(初始厚度值-第二厚度值)/预刻蚀的时间；
根据刻蚀速率、掩膜的初始厚度值以及掩膜的初始宽度值获得所述掩膜开始收缩的时间，计算方式为：掩膜收缩开始时间＝(初始厚度值-掩膜的初始宽度值/2)/掩膜刻蚀速率。
在实际的工艺过程中，预刻蚀的时间约为10～15min，而且掩膜的初始厚度值、初始宽度值可以通过扫描电镜测量获得。
本实施例提供的一种图形化蓝宝石衬底的方法，通过判断掩膜是否开始收缩，使刻蚀工艺在掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底，在掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底。通过该方法不仅可以减少刻蚀的时间，从而提高刻蚀效率，进而可以提高图形化蓝宝石衬底的产能；而且可以有效的控制掩膜的底宽，为后续的外延工艺提供良好的窗口。
本实施例还提供一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，图5为本发明提供的一种用于图形化蓝宝石衬底的装置的结构示意图。请参阅图5，该装置包括实施刻蚀工艺的刻蚀设备1以及控制单元2。刻蚀设备可以采用诸如电感耦合等离子体刻蚀设备或电容耦合等离子体刻蚀设备或其它能够用于干法刻蚀的刻蚀设备。
控制单元2包括获取单元21以及第一判断单元22，获取单元21与第一判断单元22连接。其中，获取单元21用于获取设置在所述蓝宝石衬底表面的掩膜的状态信息，并将所述掩膜状态信息发送至所述第一判断单元22。第一判断单元22用于根据掩膜状态信息判断掩膜是否开始收缩。
刻蚀设备1在掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺进行刻蚀，在所述掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺进行刻蚀。
本实施例中，获取单元21为扫描电子显微镜，其获取的掩膜状态信息为掩膜的高度信息和底宽的信息。对应地，第一判断单元22判断掩膜的高度是否减小到其底宽的1/2，若是，发出掩膜开始收缩信号；若否，则发出所述掩膜未收缩信号。
控制单元2还包括工艺调节单元23，工艺调节单元23的输入端与第一判断单元22连接，工艺调节单元23的输出端与刻蚀设备1连接，工艺调节单元23用于根据第一判断单元22发出的掩膜开始收缩的信号，调整刻蚀设备1的刻蚀工艺，即，将第一刻蚀工艺调整为第二刻蚀工艺。
需要说明的是，通过工艺调节单元23可以自动调节控制单元2刻蚀设备的刻蚀工艺参数。然而，本发明也可以通过手动方式调整刻蚀工艺参数。具体地，操作人员可以根据第一判断单元22发出的掩膜开始收缩的信号手动调整刻蚀工艺参数，这同样属于本发明的保护范围。
本实施例中，控制单元2还包括第二判断单元24，其用于判断第二刻蚀工艺是否结束，如是，则发出第二刻蚀工艺结束的信号；若否，则不发出任何信号或发出继续第二刻蚀工艺的信号。第二判断单元24的输入端与获取单元21连接，第二判断单元24的输出端与工艺调节单元23连接。
当第二判断单元24发出第二刻蚀工艺结束的信号时，工艺调节单元23调整刻蚀工艺参数，将刻蚀工艺参数调整为适合实施修饰工艺的工艺参数。当然，同样可以通过手动方式将第二刻蚀工艺调整为修饰工艺。
本实施例中，控制单元2还包括第三判断单元25，其用于判断修饰工艺的结束时刻。当修饰工艺结束时，第三判断单元25发出结束修饰工艺的信号。第三判断单元25的输入端与获取单元21连接，第三判断单元25的输出端与工艺调节单元23连接。当工艺调节单元23接收到第三判断单元25的结束修饰工艺的信号时，使刻蚀设备结束1修饰工艺，即结束图形化蓝宝石衬底工艺。不难理解，也可以通过手动方式来结束图形化蓝宝石衬底工艺。
本实施例提供的一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，其通过获取单元获取掩膜的状态信息，然后由判断单元根据掩膜的状态信息判断掩膜是否开始收缩，以使刻蚀设备在所述掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺要求进行刻蚀，而在所述掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺要求进行刻蚀，从而不仅可以减少刻蚀的时间，提高刻蚀效率，进而提高图形化蓝宝石衬底的产能；而且可以有效的控制掩膜的底宽，为后续的GaN薄膜外延工艺提供良好的窗口。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤s1，在蓝宝石衬底上制作具有所需图形的掩膜；
步骤s2，按照第一刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底；
步骤s3，判断所述掩膜是否开始收缩，若是，则执行步骤s4；若否，则继续执行步骤s2；
步骤s4，按照第二刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底，所述第二刻蚀工艺中，下电极射频功率大于第一刻蚀工艺中的下电极射频功率；
步骤s5，结束所述蓝宝石衬底的刻蚀。
2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，当所述掩膜的高度减小到其底宽的1/2时所述掩膜开始收缩。
3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，通过刻蚀时间来判断所述掩膜是否开始收缩。
4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，利用电感耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀所述蓝宝石衬底时，刻蚀气体的流量为50～150sccm，所述第一刻蚀工艺中使用的下电极射频功率100～350W；所述第二刻蚀工艺中使用的下电极射频功率为500～700W。
5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，在步骤s4后，还包括修饰所述蓝宝石图形的步骤，当掩膜的厚度减小到100～200nm时，进行修饰所述蓝宝石图形的步骤。
6.根据权利要求5所述的图形化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，在修饰所述蓝宝石图形时，下电极射频功率为500～700W，刻蚀气体的流量为30～50sccm。
7.一种用于图形化蓝宝石衬底的装置，包括用于刻蚀蓝宝石衬底的刻蚀设备以及控制单元，其特征在于，所述控制单元包括获取单元以及第一判断单元，其中，
所述获取单元用于获取设置在所述蓝宝石衬底表面的掩膜的状态信息，并将所述掩膜状态信息发送至所述第一判断单元；
所述第一判断单元用于根据所述掩膜状态信息判断掩膜是否开始收缩，若是，则发出掩膜开始收缩的信号；若否，则发出所述掩膜未开始收缩的信号；
所述刻蚀设备根据所述第一判断单元发出的掩膜收缩的信号，在所述掩膜开始收缩前按照第一刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底，并在所述掩膜开始收缩后按照第二刻蚀工艺刻蚀蓝宝石衬底，且所述第二刻蚀工艺中，下电极射频功率大于第一刻蚀工艺中的下电极射频功率。
8.根据权利要求7所述的用于图形化蓝宝石衬底的装置，其特征在于，所述掩膜状态信息包括所述掩膜的高度信息和底宽信息，当所述掩膜的高度减小到其底宽的1/2时，所述掩膜开始收缩。
9.根据权利要求8所述的用于图形化蓝宝石衬底的装置，其特征在于，所述获取单元为扫描电子显微镜。
10.根据权利要求7所述的用于图形化蓝宝石衬底的装置，其特征在于，所述控制单元，包括工艺调节单元，其输出端与所述刻蚀设备连接，用于根据第一判断单元发出的信号调节所述刻蚀设备的工艺参数，将第一刻蚀工艺调整为第二刻蚀工艺。
11.根据权利要求10所述的用于图形化蓝宝石衬底的装置，其特征在于，所述控制单元，包括第二判断单元，其与所述工艺调节单元连接，用于判断所述掩膜的厚度是否为100～200nm，若否，则发出继续所述第二刻蚀工艺的信号，若是，则发出停止所述第二刻蚀工艺的信号；所述工艺调节单元根据第二判断单元发出的信号调节所述刻蚀设备的工艺参数，以将所述刻蚀设备的刻蚀工艺调整为修饰工艺。
12.根据权利要求10所述的用于图形化蓝宝石衬底的装置，其特征在于，所述控制单元，包括第三判断单元，其与所述工艺调节单元连接，用于判断修饰工艺是否结束，若是，则发出结束修饰工艺的信号，所述工艺调节单元根据所述第三判断单元发出的结束修饰工艺的信号使所述刻蚀设备结束修饰工艺。
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2011
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