CN102903458A - 一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法。具体过程为：在一柔性透明基材非导电面贴覆PET保护膜，保护材料在制程中不受影响。将压好背面保护膜的材料做退火。通过以上步骤，消除材料内部应力，从而减少导电层与基材的形变差异，消除蚀刻后的蚀刻痕。
Description
技术领域
本发明涉及一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，属触控面板制作领域。
背景技术
在现今社会，触控面板以其方便、直观、快捷等特点在各行各业得到广泛的应用，从而也促进了触控面板行业的飞速发展。而在触控面板制造行业中，蚀刻痕是考量产品的一项重要指标，如何消除产品的蚀刻痕是业内的一项重大挑战。
触控面板是采用在玻璃基材或柔性基材镀有导电层的材料，通过曝光、显影、蚀刻等工艺在导电层上形成所需的Pattern，然后通过贴合、冲切等工序制得。蚀刻痕就是指形成Pattern后，肉眼可见的蚀刻区域与未蚀刻区域的差异，其产生主要有两个原因，一是由于蚀刻后蚀刻部分的反射率1与未蚀刻部分的反射率2不同造成（色差a）；二是由于导电层与基材的形变不同，从而导致材料表面在蚀刻后产生漫反射（类水波纹b）。其中类水波纹蚀刻痕的产生原因除了导电层与基材本身的特性差异外，还与材料制程中产生的应力有关。
退火是一种热处理工艺，指的是将材料缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。本发明就是利用退火能够消除残余应力的特性，消除薄膜导电材料在制程中产生的应力，从而消除产品蚀刻痕。
发明内容
本发明通过在柔性透明基材表面布设透明导电层，退火重结晶后，再在透明导电层表面布设不透明导电层，然后在材料背面覆上保护膜后再做退火，利用退火消除薄膜导电材料在制程中产生的应力，从而消除蚀刻痕。
本发明提供了一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，包括如下步骤在无尘干燥条件下进行。
步骤一：在光学级柔性基底表面布设非结晶透明导电层。该柔性透明基材可以选用光学级的聚对苯二甲酸乙二醇酯（简称PET）或其他材料。该透明导电材料可以选择氧化铟锡或者其他透明导电材料。溅射镀膜的方式以卷到卷的方式进行。
步骤二：将布设好透明导电层的材料在退火炉中进行退火重结晶。
步骤三：在透明导电层表面再分别布设不透明导电层。该不透明导电层可以是电阻值较低的金、银、铜、铝、钼等金属，考虑到后续蚀刻制程方便，优选铜/镍合金。该不透明导电层可以通过电镀、真空磁控溅射等方式布设。
步骤四：通过压膜装置，在已镀好导电层的材料背面压上一层保护膜，保护材料在制程中不受影响。
步骤五：将压好背面保护膜的材料做退火，退火温度100-170℃，时间5-120分钟，具体以实际应用为准。
通过以上步骤，消除材料内部应力，从而减少导电层与基材的形变差异，消除蚀刻后的蚀刻痕。
附图说明
图1：为蚀刻痕产生的原理图解。
图2：为覆完保护膜的材料的剖面图。
图3：为材料退火的温度曲线。
具体实施方式
下面是本发明的具体实施例来进一步描述。
（1）把柔性透明基材3放在溅射设备内，以真空磁控溅射的方式，在透明基材的表面形成透明导电层4，该柔性透明基材选用光学级的聚对苯二甲酸乙二醇酯（简称PET），该透明导电材料选择氧化铟锡。溅射镀膜的方式以卷到卷的方式进行。
（2）将上述已经溅射好透明导电层的材料在退火炉中进行退火，使透明导电层进行重结晶。
（3）把已结晶好的材料重新放在溅射设备内，以真空磁控溅射的方式，在透明导电层的表面形成不透明导电层5，该不透明导电材料采用铜/镍合金。
（4）通过压膜装置，在镀好导电层的材料背面压上一层保护膜6，保护膜选用聚对苯二甲酸乙二醇酯（简称PET），厚度25微米至200微米。
（5）将上述材料重新在退火炉中退火，退火过程升温7——保温8——降温9三步，退火温度100℃至170℃，时间5分钟至120分钟。
通过上述方法就可以消除材料中的残余应力，减少导电层和基材的形变差异，从而消除蚀刻痕。
本发明虽由上述实施例来描述，但仍可变化其形态与细节，在不脱离本发明的精神下制作。上述为本发明最合理的使用方法，仅为本发明可以具体实施的方式之一，但并不以此为限。本专业技术人员理解，在本发明权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，修改，甚至等效，但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，其特征在于使用的是柔性透明基材，如光学级聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等。
2.一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，其特征在于柔性透明基材单面或双面布设透明导电层后，还需要在透明导电层表面分别布设不透明导电层；该不透明导电层可以采用电阻值低的金、银、铜、铝、钼等金属；可以通过电镀、真空溅射等方式布设。
3.一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，其特征在于在蚀刻前进行热处理：
步骤一：通过压膜装置，在已镀好导电层的材料背面压上一层保护膜，保护材料在制程中不受影响；
步骤二：将压好背面保护膜的材料做退火，退火温度100-170℃，时间5-120min，具体以实际应用为准；
通过以上步骤，消除材料内部应力，从而减少导电层与基材的形变差异，消除蚀刻后的蚀刻痕。
4.一种消除薄膜导电材料蚀刻痕的方法，其特征在于生产加工过程可以以卷到卷的方式进行。
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