CN109308141A - 一种触控显示面板及触控显示面板制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种触控显示面板及触控显示面板制作方法。所述触控显示面板包括：层叠设置的阵列基板和薄膜封装层；所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧设置有触控电极，所述触控电极直接形成于所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧。本发明实施例的方案提高了显示面板的产品良率，降低了工艺成本。

Description

一种触控显示面板及触控显示面板制作方法

技术领域

本发明实施例涉及有机发光显示技术，尤其涉及一种触控显示面板及触控显示面板制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是一种自发光显示器，与液晶显示器(liquid crystal display，LCD)相比，OLED显示器不需要背光源，因此OLED显示器更为轻薄，此外OLED显示器还因具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。

现有的显示面板通常集成有触控功能。现有技术中，通常将触控电极制备在玻璃支撑的柔性基板上，然后将柔性基板与玻璃离型，最后将带有触控电极的柔性基板与OLED面板贴合。然而，现有技术的工艺工序较多、工艺复杂、触控电极与显示面板需高精度贴合等不足，导致触控显示面板的良率低、成本高。

发明内容

本发明提供一种触控显示面板及触控显示面板制作方法，以提高显示面板的产品良率，降低工艺成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种触控显示面板，所述触控显示面板包括：

层叠设置的阵列基板和薄膜封装层；

所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧设置有触控电极，所述触控电极直接形成于所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧。

进一步的，所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面设置有附着力增强结构，所述触控电极形成于所述附着力增强结构表面。

进一步的，所述附着力增强结构为表面粗糙化处理后的所述薄膜封装层。

进一步的，所述薄膜封装层包括间隔设置的无机层和有机层，且所述薄膜封装层临近所述阵列基板的一侧和远离所述阵列基板的一侧均为无机层；所述表面增强结构为粗糙化处理后的所述无机层。

进一步的，所述附着力增强结构为介电绝缘层，所述触控电极直接形成于所述介电绝缘层远离所述薄膜封装层的表面。

进一步的，所述触控显示面板还包括：

介电保护层，所述介电保护层设置于所述触控电极远离所述薄膜封装层的一侧。

进一步的，所述触控电极的材料为金属网格、银纳米线、石墨烯、碳纳米管或导电高分子材料。

进一步的，所述阵列基板上设置有像素单元，所述触控电极在所述阵列基板的垂直投影位于相邻两个所述像素单元之间。

第二方面，本发明实施例还提供了一种触控显示面板制作方法，所述方法包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板表面形成薄膜封装层；

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极。

进一步的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成附着力增强结构；

在所述附着力增强结构表面形成所述触控电极。

进一步的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

对所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面进行粗糙化处理；

在所述薄膜封装层粗糙化处理后的表面形成所述触控电极。

进一步的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成介电绝缘层；

在所述介电绝缘层远离所述薄膜封装层的表面形成所述触控电极。

进一步的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤之后，还包括：

在所述触控电极远离所述薄膜封装层的一侧形成介电保护层。

进一步的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧采用物理气相沉积、化学气相沉积或印刷工艺形成导电膜；

采用光刻工艺或激光刻蚀工艺图案化所述导电膜形成所述触控电极。

本发明实施例通过将触控电极直接形成于薄膜封装层远离阵列基板的一侧，柔性触控显示面板不需要额外的柔性基板承载触控电极，减少了柔性基板的涂敷、固化、离型等工艺，减少了工艺步骤，并且减小了显示面板的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势，另外，省去了将触控电极制作于柔性基板时，触控电极与显示面板的高精度贴合工艺，降低了工艺难度，提高了触控显示面板的产品良率，降低工艺成本。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种触控显示面板的示意图；

图2是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图；

图6是本发明实施例提供的一种触控显示面板制作方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是本发明实施例提供的一种触控显示面板的示意图，参考图1，所述触控显示面板包括：

层叠设置的阵列基板10和薄膜封装层20；

薄膜封装层20远离阵列基板10的一侧设置有触控电极30，触控电极30直接形成于薄膜封装层20远离阵列基板10的一侧。

其中，阵列基板10设置有像素单元110，实现画面的显示。阵列基板10可以是透明的、半透明的或不透明的。薄膜封装层20用于保护像素单元110的发光层和其它膜层免受外部湿气和氧等的影响。

本实施例通过将触控电极30直接形成于薄膜封装层20远离阵列基板10的一侧，触控显示面板不需要额外的柔性基板承载触控电极30，减少了柔性基板的涂敷、固化、离型等工艺，减少了工艺步骤，并且减小了显示面板的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势，另外，省去了将触控电极30制作于柔性基板时，触控电极30与显示面板的高精度贴合工艺，降低了工艺难度，提高了触控显示面板的产品良率，降低工艺成本。

可选的，参考图1，薄膜封装层20远离阵列基板10的表面设置有附着力增强结构21，触控电极30形成于附着力增强结构21表面。

其中，由于薄膜封装层20与触控电极30之间的附着力可能不足，通过设置附着力增强结构21以增强触控电极30的附着力，避免显示面板弯折时触控电极30剥离，提高了显示面板的可靠性。附着力增强结构21可以为制作于薄膜封装层20表面的一层膜层，也可以对薄膜封装层20表面进行相应的处理后获得的结构。

可选的，参考图1，附着力增强结构21为介电绝缘层21a，触控电极30直接形成于介电绝缘层21a远离薄膜封装层20的表面。

具体的，介电绝缘层21a可以采用无机材料，例如可以为氮化硅或氧化硅，也可以采用有机树脂材料，如亚克力树脂或环氧树脂。

图2是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图，可选的，参考图2，附着力增强结构21为表面粗糙化处理后的薄膜封装层20。

具体的，所述粗糙化处理可以为等离子处理，即利用离子撞击薄膜封装层20最外层，增加薄膜封装层20远离阵列基板10的表面的粗糙度，从而增强触控电极30与薄膜封装层20之间的附着力，提高了显示面板的可靠性，并且无需在薄膜封装层20表面设置其他膜层，触控电极30直接形成于粗糙化处理后的薄膜封装层20表面，进一步减薄了显示面板的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势。

可选的，参考图2，薄膜封装层20包括间隔设置的无机层210和有机层220，且薄膜封装层20临近阵列基板10的一侧和远离阵列基板10的一侧均为无机层210；表面增强结构21为粗糙化处理后的无机层210。

其中，薄膜封装层20的无机层210主要用于阻止水汽和氧气进入显示面板内部腐蚀发光层等膜层，有机层220主要起缓冲作用，用于减小无机层210之间的应力。薄膜封装层20可以包括多层无机层210和有机层220，图2仅示例性的示出了薄膜封装层20包括两个无机层210和一个有机层220，并非对本发明的限定。通过对薄膜封装层20远离阵列基板10侧最表层的无机层210进行等离子处理，增强了无机层210与触控电极30之间的附着力，使得触控电极30可以直接形成于粗糙化处理后的薄膜封装层20表面，减薄了显示面板的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势。

图3是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图，可选的，参考图3，显示面板还包括：介电保护层40，介电保护层40设置于触控电极30远离薄膜封装层20的一侧。

其中，介电保护层40可以采用无机材料，如氮化硅或氧化硅，也可以采用有机树脂材料，如亚克力树脂或环氧树脂。介电保护层40对触控电极30起保护作用，并对触控电极30表面起平坦化作用。

可选的，触控电极30的材料为金属网格、银纳米线、石墨烯、碳纳米管或导电高分子材料。

其中，金属网格的可以采用铜Cu、银Ag、铝Al、钼Mo、钛Ti、金Au、钽Ta等金属，也可以采用金属合金，如钽铝合金AlTa、铜铝合金AlCu、钽钼合金MoTa、钨钼合金MoW等，也可以采用堆叠金属层，如钛Ti/铝Al/钛Ti堆叠金属层、钼Mo/铝Al/钼Mo堆叠金属层、钽钼合金MoTa/铝Al/钽钼合金MoTa堆叠金属层等。

可选的，参考图1-图3，阵列基板10上设置有像素单元110，触控电极30在阵列基板10的垂直投影位于相邻两个像素单元110之间。

具体的，这样设置避免了触控电极30与下方的像素单元110存在交叠的部分而出现莫瑞纹，提高了图像显示质量。本实施例直接将触控电极30制作于薄膜封装层20远离阵列基板10的一侧，无需进行触控电极30与显示面板的高精度的对位贴合即可避免莫瑞纹，降低了工艺难度和成本，提高了显示面板的产品良率。

可选的，触控电极30可以为自容式触控电极也可以为互容式触控电极。对于互容式触控电极，触控电极30可以包括触控驱动电极和触控感应电极，触控驱动电极和触控感应电极可以同层设置也可以异层设置。图4是本发明实施例提供的又一种触控显示面板的示意图，参考图4，触控驱动电极31和触控感应电极32异层设置，触控驱动电极31和触控感应电极32之间设置有第一绝缘层50。

本实施例还提供了一种显示装置。图5是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，参考图5，显示装置100包括本发明任意实施例所述的触控显示面板200。显示装置100可以为诸如手机、平板电脑等设备。

本实施例还提供了一种触控显示面板制作方法，图6是本发明实施例提供的一种触控显示面板制作方法的流程图，参考图6，所述方法可以包括：

步骤201、提供一阵列基板。

步骤202、在所述阵列基板表面形成薄膜封装层。

步骤203、在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极。

本实施例通过将触控电极直接形成于薄膜封装层远离阵列基板的一侧，触控显示面板不需要额外的柔性基板承载触控电极，减少了柔性基板的涂敷、固化、离型等工艺，减少了工艺步骤，减小了显示面板的厚度，符合显示面板轻薄化的发展趋势，另外，省去了将触控电极制作于柔性基板时，触控电极与显示面板的高精度贴合工艺，降低了工艺难度，提高了触控显示面板的产品良率，降低工艺成本。

可选的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成附着力增强结构；

在所述附着力增强结构表面形成所述触控电极。

其中，形成所述附着力增强结构可以为在薄膜封装层表面制作一层膜层，也可以为对薄膜封装层表面进行相应的处理。

可选的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

对所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面进行粗糙化处理；

在所述薄膜封装层粗糙化处理后的表面形成所述触控电极。

其中，所述粗糙化处理可以为等离子处理。薄膜封装层包括间隔设置的无机层和有机层，对所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面进行粗糙化处理具体可以为对薄膜封装层远离阵列基板侧最表层的无机层进行等离子处理，以提高薄膜封装层与触控电极之间的附着力。

可选的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成介电绝缘层；

在所述介电绝缘层远离所述薄膜封装层的表面形成所述触控电极。

具体的，形成所述介电绝缘层可以包括介电绝缘层的涂敷和固化等步骤。

可选的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤之后，还包括：

在所述触控电极远离所述薄膜封装层的一侧形成介电保护层。

具体的，形成所述介电保护层可以包括介电保护层的涂敷和固化等步骤。

可选的，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧采用物理气相沉积、化学气相沉积或印刷工艺形成导电膜层；

采用光刻工艺或激光刻蚀工艺图案化所述导电膜层形成所述触控电极。

其中，物理气相沉积可以为直流溅射、磁控溅射等工艺。另外，在上述制备触控电极的工艺过程中，所有制程的最高温度均小于或等于100摄氏度，避免了工艺温度过高而损坏显示面板的像素结构。

本实施例提供的触控显示面板制作方法，与本发明任意实施例所提供的触控显示面板属于同一发明构思，具备相应的有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例提供的触控显示面板。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种触控显示面板，其特征在于，包括：

层叠设置的阵列基板和薄膜封装层；

所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧设置有触控电极，所述触控电极直接形成于所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：

所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面设置有附着力增强结构，所述触控电极形成于所述附着力增强结构表面。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：

所述附着力增强结构为表面粗糙化处理后的所述薄膜封装层。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于：

所述薄膜封装层包括间隔设置的无机层和有机层，且所述薄膜封装层临近所述阵列基板的一侧和远离所述阵列基板的一侧均为无机层；所述表面增强结构为粗糙化处理后的所述无机层。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：

所述附着力增强结构为介电绝缘层，所述触控电极直接形成于所述介电绝缘层远离所述薄膜封装层的表面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：

介电保护层，所述介电保护层设置于所述触控电极远离所述薄膜封装层的一侧。

7.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于：

所述触控电极的材料为金属网格、银纳米线、石墨烯、碳纳米管或导电高分子材料。

8.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于：

所述阵列基板上设置有像素单元，所述触控电极在所述阵列基板的垂直投影位于相邻两个所述像素单元之间。

9.一种触控显示面板制作方法，其特征在于，包括：

提供一阵列基板；

在所述阵列基板表面形成薄膜封装层；

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成附着力增强结构；

在所述附着力增强结构表面形成所述触控电极。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

对所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面进行粗糙化处理；

在所述薄膜封装层粗糙化处理后的表面形成所述触控电极。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的表面形成介电绝缘层；

在所述介电绝缘层远离所述薄膜封装层的表面形成所述触控电极。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤之后，还包括：

在所述触控电极远离所述薄膜封装层的一侧形成介电保护层。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧形成触控电极的步骤包括：

在所述薄膜封装层远离所述阵列基板的一侧采用物理气相沉积、化学气相沉积或印刷工艺形成导电膜；

采用光刻工艺或激光刻蚀工艺图案化所述导电膜形成所述触控电极。