CN102899635A - 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 252
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 97
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 33
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 29
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 abstract 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005267 GaCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，所述方法包括：向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体，并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法。
背景技术
目前，金属有机化合物化学气相沉积（Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD）技术广泛用于制备第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物（如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、GaP等）。目前工艺水平中，制备第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物之后的MOCVD反应腔室存在的一个主要问题是每个反应步骤之后会在反应腔室内部形成多余的固态副产品沉积物（如含碳有机物或者金属及其化合物等），这些沉积物沉积在反应腔室内部（如喷淋头、基座及内壁等处），造成工艺偏差（process drift）、性能下降，并且容易在制备第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物的过程中在基片表面形成颗粒等杂质，这些杂质会影响后续工艺，因此，在使用过程中，需要对MOCVD的反应腔室进行清洁，以去除反应腔室内部的沉积物，进而提高制备第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物的质量。
现有技术中，去除MOCVD反应腔室内部的沉积物一般采用手动去除的方式，即打开MOCVD反应腔室、然后手动去除喷淋头等处的沉积物。但是，这种清洁方法生产率低、可重复性差、清洁效率不高。为此，现有技术发展了一些采用原位去除MOCVD反应腔室内部沉积物的方法，这些方法主要将含有卤化物（halide chemistries）（如Cl2、HCl、HBr等）的气体通入MOCVD反应腔室内部以对沉积物进行原位去除。这种清洁方法无需打开MOCVD反应腔室、可重复性好、清洁效率高、生产率高。
但是，在温度相对较低的表面（如采用水冷的喷淋头表面或者反应腔室内壁表面），由于金属有机化合物前驱反应物（precursors）的不完全分解，这些多余的沉积物通常主要包含相对稳定的有机物配合基（organic ligands）或者关联的聚合物以及金属及其化合物，其中这些相对稳定的有机物配合基（organic ligands）或者关联的聚合物主要是高浓度的含碳有机物，此时，这种基于简单的卤化物（如Cl2、HCl、HBr等）的原位清洁方法对去除温度相对较低表面的沉积物不起作用。
发明内容
为去除MOCVD反应腔室内部温度相对较低的表面的沉积物，本发明实施例提供一种原位清洁MOCVD反应腔室内部沉积物的方法，所述方法包括：
执行步骤（a）：
向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体；和/或，
在所述反应腔室外部将所述第一清洁气体转化为所述第一清洁等离子体，并将所述第一清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，
向所述反应腔室内部通入所述第一清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；
并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；其中，所述第一清洁气体包括还原气体，所述还原气体包括N2/H2的混合气体、NH3中的一种或其组合；
执行步骤（b）：
向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体；和/或，
在所述反应腔室外部将所述第二清洁气体转化为所述第二清洁等离子体，并将所述第二清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，
向所述反应腔室内部通入所述第二清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；
并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物；其中所述第二清洁气体包括第一含卤素气体。
优选地，所述第一清洁气体还包括Ar；和/或，所述第二清洁气体还包括Ar。
优选地，所述第一清洁气体还包括第二含卤素气体，所述第二含卤素气体包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
优选地，所述第一清洁气体中所述还原气体的摩尔分数大于所述第二含卤素气体的摩尔分数。
优选地，所述第二清洁气体还包括含氧气体，所述含氧气体包括O2、O3、CO2、H2O2、N2O、CO中的一种或者几种的组合。
优选地，所述第二清洁气体中所述含氧气体的摩尔分数小于所述第一含卤素气体的摩尔分数。
优选地，所述第一含卤素气体包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
优选地，所述第一时间段大于5分钟，所述第二时间段大于3分钟。
本发明实施例中，采用包括还原气体的第一清洁气体和/或其等离子体去除反应腔室内部的含碳有机物、采用包括含卤素气体的第二清洁气体和/或其等离子体去除反应腔室内部的金属及其化合物。本发明实施例提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法能够去除含有相对稳定的有机物配合基或者关联的聚合物以及金属及其化合物，从而对于反应腔室内部温度相对较低表面的沉积物具有良好的清洁效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，图中相同的标记表示相同的部件，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明实施例一的原位清洁MOCVD反应腔室的方法流程图；
图2是本发明实施例中的MOCVD反应腔室的结构示意图；
图3是本发明实施例二的原位清洁MOCVD反应腔室的方法流程图；
图4是本发明实施例三的原位清洁MOCVD反应腔室的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为解决现有技术中去除MOCVD反应腔室内部温度相对较低的表面的沉积物的效果不明显的问题，本申请的发明人经过研究提出了一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法。以下对该原位清洁MOCVD反应腔室的方法进行详细描述。
实施例一
如图1所示，本发明实施例一的原位清洁MOCVD反应腔室的方法的流程图，以下结合MOCVD反应腔室的结构示意图（即图2）对该方法进行详细说明。
步骤S101：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，将第一清洁气体在反应腔室10内部转化为第一清洁等离子体，并将反应腔室10内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除反应腔室10内部的含碳有机物；
本发明实施例一中的第一清洁气体可以包括N2/H2的混合气体（本申请中“N2/H2的混合气体”表示“N2与H2的混合气体”，其他类似描述表示类似的含义）、NH3中的一种或几种的组合。如果第一清洁气体仅包括一种气体，则可以通过一条进气管道（例如进气管道41或者42）将该气体通入反应腔室10内部；如果第一清洁气体包括多种气体，则可以通过多条进气管道将这多种气体通入反应腔室10内部，以保证这些气体分别通入反应腔室10，即这些气体在进入反应腔室10内部之后才混合；另外，如果第一清洁气体包括多种气体，则这些气体也可以在通入反应腔室10内部之前进行混合，然后将该混合之后的气体通过进气管道41或者42通入反应腔室10内部。
N2/H2的混合气体、NH3均具有较强的还原性，在该步骤中主要利用第一清洁气体的还原特性与含碳有机物发生反应，从而将沉积物中的含碳有机物转化为气态的含碳化合物，并通过排气装置12将该气态的含碳化合物排出反应腔室10内部。例如，在步骤S101中，N2/H2的混合气体、NH3可以与含碳有机物发生反应，生成气态的HCN，气态的HCN可以通过排气装置12排出反应腔室10内部，从而去除反应腔室10内部的含碳有机物。
本步骤S101中的第一清洁气体是在进入反应腔室10内部之后转化为等离子体的。具体地，可以在反应腔室10内部的喷淋头11和基座13之间施加一定功率的射频电压，通过该射频电压在反应腔室10内部的反应区M（例如该反应区可以是喷淋头11与基座13之间的区域，其中基座13用于安放制备第Ⅲ族元素和第Ⅴ族元素的化合物时所用的基片）将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体；另外，也可以在反应腔室10内部的反应区之外的区域将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体：具体可以在反应腔室10内壁与基座13之间施加一定功率的射频电压或者在反应腔室10内壁与喷淋头11之间施加一定功率的射频电压，通过该射频电压在反应区M以外的区域（图2中反应腔室10内部除区域M之外的区域）将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体。当然，本发明实施例一中将第一清洁气体转化为等离子体的方式并不局限于这两种，还可以采用本领域常用的其他方式进行，在此不再赘述。
当第一清洁气体在反应腔室10内部转化为第一等离子体之后，维持反应腔室内部的压力在第一预定压力（例如0.1~10托）范围内第一时间段（例如大于5分钟）以使第一步清洁步骤（即去除反应腔室内部的含碳有机物的步骤）充分进行，例如可以维持反应腔室的压力在0.1~1托范围保持5~30分钟。本领域技术人员可以在实际清洁需求的情况下选择合适的反应腔室压力和反应时间，在此不做一一列举。
在清洁过程中，可以保持排气装置12一直处于开启状态，一方面可以将第一清洁等离子体与反应腔室10内部的沉积物发生反应后的气体产物不断排出反应腔室以加速清洁过程的进行和提高清洁效果，另一方面还可以保持反应腔室10内部具有一定的压力以满足清洁过程的需要，即，本发明实施例一中还可以通过控制排气装置12的开启程度来控制反应腔室10内部的压力，即通过控制排气装置12的排气量控制反应腔室10内部的压力。
本步骤S101中，主要利用具有强还原性能的第一清洁气体与反应腔室内部的含碳有机物发生反应，从而将碳有机物转化为气态的含碳化合物并将该气态的含碳化合物通过排气装置12排出反应腔室10。
另外鉴于反应腔室10内部的沉积物一般是含碳有机物和金属及其化合物混合在一起，在沉积物较厚时，仅采用具有还原性能的第一清洁气体可能无法将沉积物中全部的含碳有机物转化为气态的含碳化合物，这是因为沉积物底层的含碳有机物被其上层的金属及其化合物覆盖，因此，为了令沉积物中的含碳有机物充分反应，本步骤中第一清洁气体中还可以含有一定量的第二含卤素气体，此时，含碳有机物上层的金属及其化合物容易与第二含卤素气体发生反应生成气态的金属卤化物同时该气态的金属卤化物可以通过排气装置12排出反应腔室10内部。例如，MOCVD反应腔室内部通常容易残留GaN、InN、AlN等金属及其化合物，反应腔室10内部的第二含卤素气体（例如Cl2）的等离子体可以与GaN、InN、AlN等金属及其化合物反应，生成气态的GaCl3、InCl、AlCl3等。此外，鉴于本步骤中反应腔室10内部还包括具有还原性能的第一清洁气体（N2/H2的混合气体、NH3）的等离子体，因此通过排气装置12排出的气态产物还可能包括NH3、N2、NCl以及其他产物，这些气态产物的种类可以依具体工艺不同而改变。其中，第二含卤素气体可以包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
鉴于本步骤S101的主要目的是去除反应腔室内部的含碳有机物，因此，本步骤中第一清洁气体中的还原气体的摩尔分数可以大于第二含卤素气体的摩尔分数，当然这只是一个优选的方式，实际上第一清洁气体中的还原气体的摩尔分数和第二含卤素气体的摩尔分数的比例可以不受限制。
此外，为提高清洁效果和清洁速度，本步骤中的第一清洁气体还可以包括一定量的Ar，Ar在反应腔室10内部可以转化为Ar等离子体，Ar等离子体能够加速清洁反应（包括还原气体与含碳有机物反应和/或含卤素气体与金属及其化合物反应）的进行。
需要说明是的，本发明实施例一中，可以执行下述步骤S101-A1和步骤S101-A2中的任意一个或者两个步骤，以替代步骤S101：
步骤S101-A1：在反应腔室10外部将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体，并将第一清洁等离子体通入反应腔室10内部；
步骤S101-A2：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，并维持反应腔室10内部的温度在200℃至500℃之间；
其中，步骤S101-A1和步骤S101-A2中的第一清洁气体可以与步骤S101中的第一清洁气体具有相同的含义，该处“具有相同的含义”是指该处的第一清洁气体与步骤S101中的第一清洁气体具有相同的范围（如都包含还原气体），但是，可以选择此范围内不同种类的气体，下述内容中的“具有相同的含义”的描述与此处类似。
另外，还可以在执行步骤S101的同时执行步骤S101-A1和步骤S101-A2，以此进一步加速清洁反应的速度。
步骤S102：向反应腔室10内部通入第二清洁气体，将第二清洁气体在反应腔室10内部转化为第二清洁等离子体，并将反应腔室10内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除反应腔室10内部的金属及其化合物；
本发明实施例一中的第二清洁气体可以包括第一含卤素气体，该第一含卤素气体可以是HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
具体地，可以通过进气管道41或者42向反应腔室10内部通入第二清洁气体。经过步骤S101，反应腔室10内部的含碳有机物基本已经被清除，残余的主要是金属（例如Ga、Al、In等）及其化合物，因此，本步骤中向反应腔室10内部通入包括含卤素气体的第二清洁气体，该第二清洁气体在可以射频电压的作用下在反应腔室内部的反应区M或者反应区M之外的区域转化为等离子体（参见步骤S101中的描述），该等离子体能够与沉积物中剩余的金属及其化合物与含卤素气体充分反应形成为气态的金属卤化物，随后这些气态的金属卤化物通过排气装置12排出反应腔室10内部。
第二清洁气体在反应腔室10内转化为等离子体之后，维持反应腔室内部的压力在第二预定压力（如0.1~10托）范围内第二时间段（例如大于3分钟）以使第二步清洁步骤（即去除反应腔室内部的金属及其化合物）充分进行，以完全去除反应腔室内的金属及其化合物残余，例如可以将反应腔室的压力在0.1~1托范围内保持5~30分钟。本领域技术人员可以在实际清洁需求的情况下选择合适的反应腔室压力和反应时间，在此不做一一列举。
具体地，可以通过控制通入反应腔室10的第二清洁气体的流量来控制反应腔室10内部的压力，或者也可以通过控制排气装置12的开启程度来控制反应腔室10内部的压力。
在该步骤中，主要利用转化为等离子体的卤素与反应腔室内部的残余金属及其化合物反应，从而将残余金属及其化合物转化为气态的金属卤化物排出反应腔室10。例如，MOCVD反应腔室内部通常容易残留Ga、In、Al、GaN、InN、AlN等金属及其化合物，反应腔室10内部的第二含卤素气体（例如Cl2）的等离子体能够与Ga、In、Al、GaN、InN、AlN等金属及其化合物反应，生成气态的GaCl3、InCl3、AlCl3等。此外，鉴于本步骤中反应腔室10内部还包括具有还原性能的第一清洁气体（N2/H2的混合气体、NH3）的等离子体，因此通过排气装置12排出的气态产物还可能包括NH3、N2、NCl3以及其他产物，这些气态产物的种类可以依具体工艺不同而改变。
此外，本步骤S102中第二清洁气体中还可以含有一定量的含氧气体（如O2），该含氧气体可以在反应腔室10内部转化为等离子体，然后与可能残留在反应腔室10内部的含碳有机物反应，以全部去除沉积物中的含碳有机物，进一步提高清洁效果。
鉴于本步骤S102的主要目的是去除反应腔室内部的金属及其化合物，因此，本步骤中第二清洁气体中的第一含卤素气体的摩尔分数可以大于含氧气体的摩尔分数，当然这只是一个优选的方式，实际上第二清洁气体中的第一含卤素气体的摩尔分数和含氧气体的摩尔分数的比例可以不受限制。
同时，为进一步提高清洁效果和清洁速度，在本步骤中，第二清洁气体中还可以包含适量的Ar，Ar在反应腔室10内部转化为Ar等离子体，Ar等离子体能够加速反应的进行。
需要说明是的，本发明实施例一中，可以执行下述步骤S102-B1和步骤S102-B2中的任意一个或者两个步骤，以替代步骤S102：
步骤S102-B1：在反应腔室10外部将第二清洁气体转化为第二清洁等离子体，并将第二清洁等离子体通入反应腔室10内部；
步骤S102-B2：向反应腔室10内部通入第二清洁气体，并维持反应腔室10内部的温度在200℃至500℃之间；
其中，步骤S102-B1和步骤S102-B2中的第二清洁气体可以与步骤S102中的第二清洁气体具有相同的含义。
另外，还可以在执行步骤S102的同时执行步骤S102-A1和步骤S102-A2，以此进一步加速清洁反应的速度。
本发明实施例一提供的原位清洁MOCVD反应腔室的方法，首先向反应腔室内部通入包括还原气体的第一清洁气体，在反应腔室内部将第一清洁气体转化为等离子体并利用其还原性能去除反应腔室内部的含碳有机物；然后向反应腔室内部通入包括含卤素气体的第二清洁气体，在反应腔室内部将第二清洁气体转化为等离子体用于去除反应腔室内部的残余金属及其化合物。由第一清洁气体转化而成的等离子体在适当的温度及压力等条件下，可以使含碳有机物或聚合物的碳键断裂，发生反应生成气态的含碳化合物，从而使反应腔室内部相对稳定的有机物配合基及聚合物转变为活性较高的容易去除的物质，这些物质在特定气流、压力、温度等条件下可随气流被泵抽离反应腔室，从而达到清洁的目的。
需要说明的是，本发明实施例一中步骤S101和步骤S102的执行可以连续的，即执行完步骤S101之后立即执行步骤S102；步骤S101和步骤S102的执行也可以是间歇的，即执行完步骤S101之后隔一段时间再执行步骤S102，当然，在此间歇过程中，可以保持排气装置12一直处于排气状态，这样能够将步骤S101中产生的气态产物全部排出反应腔室，进而可以提高步骤S102的清洁效率。
需要说明的是，本发明实施例一中，可以适当延长步骤S101和/或步骤S102执行的时间，以通过步骤S101完全去除反应腔室内部的含碳有机物、通过步骤S102完全去除反应腔室内部的金属及其化合物，本领域技术人员可以采用辅助的检测设备监测反应腔室内部的含碳有机物和/或金属及其化合物被完全去除，鉴于该内容不是本申请的重点，在此不再详述。
此外，本发明实施例中也可以循环重复执行步骤S101和步骤S102，以进一步提高清洁效果。
通过原位清洁方法去除MOCVD反应腔室内的沉积物（尤其是温度相对较低的表面的沉积物）能够实现工艺稳定、性能提升，并且能使整个MOCVD工艺自动进行。
需要说明的是，本发明实施例中，在原位清洁MOCVD反应腔室的过程（如步骤S101、步骤S101-A1、步骤S102、步骤S102-B1等）中，可以对反应腔室10加热，使反应腔室10内部保持一定的温度。这样不但能够提高原位清洁的清洁速率，还能够保证等离子体与沉积物反应之后的产物为气态，避免该产物遇到温度较低的表面变成液态或者固态而残留在反应腔室内部，例如可以保持反应腔室10内部的温度在70~100℃之间（如70℃、80℃或者100℃等），具体可以采用对反应腔室外壁或者内壁加热的方式保持反应腔室内部的温度。
本发明实施例中的清洁MOCVD反应腔室的方法主要通过具有还原性能的等离子体与沉积物反应从而将沉积物转变为气态产物，并通过排气装置将气态产物排出反应腔室内部。
需要说明的是，本发明实施例提供的MOCVD反应腔室的原位清洁方法还可以采用其他方式。
实施例二
本发明实施例二的原位清洁MOCVD反应腔室的方法与本发明实施例一的方法类似，有所不同的是，本发明实施例二中的等离子体可以在反应腔室10的外部产生，然后再通过进气管道通入反应腔室内部。为简化起见，本发明实施例二中仅介绍与本发明实施例一的不同之处，本领域技术人员容易从本发明实施例一的相关描述得到本发明实施例二的其他内容，在此不再赘述。
步骤S301：在反应腔室10外部将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体，并将第一清洁等离子体通入反应腔室10的内部，将反应腔室10内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除反应腔室10内部的含碳有机物；
本发明实施例二中的还原气体可以包括N2/H2的混合气体、NH3中的一种或其组合。
具体地，该第一清洁等离子体可以利用等离子体转化装置转化而成，例如，可以首先向等离子体转化装置内部通入第一清洁气体，然后在等离子体转化装置内部将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体。
第一清洁等离子体通入反应腔室内部以后，维持反应腔室压力在第一预定压力范围内第一时间段，例如可以维持反应腔室内部的压力在0.1~10托范围（作为第一预定压力范围的示例）内5分钟以上（例如5~30分钟），以使第一清洁等离子体与沉积物中的含碳有机物反应。
需要说明是的，本发明实施例二中，可以执行下述步骤S301-A1和步骤S301-A2中的任意一个或者两个步骤以替代步骤S301：
步骤S301-A1：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，并将第一清洁气体在反应腔室10内部转化为第一清洁等离子体；
步骤S301-A2：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，并维持反应腔室10内部的温度在200℃至500℃之间；
其中，步骤S301-A1和步骤S301-A2中的第一清洁气体可以与步骤S301中的第一清洁气体具有相同的含义。
另外，还可以在执行步骤S301的同时执行步骤S301-A1和步骤S301-A2，以进一步加速清洁反应的速度。
步骤S302：在反应腔室10外部将第二清洁气体转化为第二清洁等离子体，并将第二清洁等离子体通入反应腔室10内部，将反应腔室10内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除反应腔室10内部的金属及其化合物。
具体地，该第一清洁等离子体可以利用等离子体转化装置转化而成，例如，可以首先向等离子体转化装置内部通入第一清洁气体，然后在等离子体转化装置内部将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体。
第二清洁等离子体通入反应腔室10内部以后，可以维持反应腔室10内部的压力在0.1Torr~10Torr（作为第二预定压力范围的示例）之间3分钟以上（如5~30分钟），以使第二清洁等离子体与沉积物中残留的金属及其化合物充分反应形成气态的金属卤化物并通过排气装置将这些气态的金属卤化物排出反应腔室。
本发明实施例二中的第一清洁气体与本发明实施例一中的第一清洁气体具有相同的含义、本发明实施例二中的第二清洁气体与本发明实施例一中的第二清洁气体具有相同的含义。
需要说明的是，本发明实施例一中的参数（如压力、时间、温度等）、气体组分、含量等描述同样适用于本发明实施例二中的方案，为简化起见，在此不再重复描述，但是本领域普通技术人员仍然可以将本发明实施例二中的方案与本发明实施例一中的相应内容相结合从而获得具体的实现方案，这些实现方案仍在本发明的保护范围之内。
本发明实施例二中在反应腔室10的外部将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体、将第二清洁气体转化为第二清洁等离子体，并将第一清洁等离子体通入反应腔室10的内部以完全去除反应腔室10内部的含碳有机物、将第二清洁等离子体通入反应腔室10的内部以完全去除反应腔室10内部的金属及其化合物。
需要说明的是，本发明实施例二中步骤S301和步骤S302的执行可以连续的，即执行完步骤S301之后立即执行步骤S302；步骤S301和步骤S302的执行也可以是间歇的，即执行完步骤S301之后隔一段时间再执行步骤S302，当然，在此间歇过程中，可以保持排气装置12一直处于排气状态，这样能够将步骤S301中产生的气态产物全部排出反应腔室，进而可以提高步骤S302的清洁效率。
上述实施例一和实施例二主要详细描述了采用等离子体（第一清洁等离子和/或第二清洁等离子体）去除反应腔室内部的沉积物（含碳有机物和/或金属及其化合物）的情形，实际上，本发明实施例中还可以采用清洁气体与反应腔室内部的沉积物发生热反应的方式去除该沉积物。
实施例三
本发明实施例三提供一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，该方法与本发明实施例一的方法类似，有所不同的是，本发明实施例三中采用清洁气体与沉积物发生热反应的方式去除反应腔室内部的沉积物。为简化起见，本发明实施例三中仅介绍与本发明实施例一的不同之处，本领域技术人员容易从本发明实施例一的相关描述得到本发明实施例三的其他内容，在此不再赘述。
步骤S401：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，维持反应腔室10内部的温度在200℃至500℃之间，并将反应腔室10内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除反应腔室10内部的含碳有机物；
本发明实施例二中的还原气体可以包括N2/H2的混合气体、NH3中的一种或其组合。
具体地，可以通过对反应腔室10的内壁和/或底座13和/或喷淋头11加热的方式使反应腔室10内部的压力保持在第一预定压力范围（如0.1~10托）内，控制反应腔室10内部的温度保持在200℃至500℃之间（如200℃、300℃、500℃等），以使第一清洁气体与沉积物中的含碳有机物反应。采用该方法，可以采用一步的方式完全去除反应腔室10内部的沉积物中的含碳有机物。
需要说明的是，本发明实施例三中，可以执行下述步骤S401-A1和步骤S401-A2中的任意一个或者两个步骤以替代步骤S401：
步骤S401-A1：向反应腔室10内部通入第一清洁气体，并将第一清洁气体在反应腔室10内部转化为第一清洁等离子体；
步骤S401-A2：在反应腔室10外部将所述第一清洁气体转化为第一清洁等离子体，并将第一清洁等离子体通入反应腔室10的内部；
其中，步骤S401-A1和步骤S401-A2中的第一清洁气体可以与步骤S401中的第一清洁气体具有相同的含义。
另外，还可以在执行步骤S401的同时执行步骤S401-A1和步骤S401-A2，以进一步加速清洁反应的进行。
步骤S402：向反应腔室10内部通入第二清洁气体，维持反应腔室10的温度在200℃至500℃之间，并将反应腔室10内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除反应腔室10内部的金属及其化合物。
当第二清洁气体通入反应腔室10内部以后，可以维持反应腔室10内部的压力在0.1Torr~10Torr（作为第二预定压力范围的示例）之间3分钟以上（如5~30分钟），以使第二清洁气体与沉积物中残留的金属及其化合物充分发生热反应形成气态的金属卤化物通过排气装置排出反应腔室。
本发明实施例三中的第一清洁气体与本发明实施例一中的第一清洁气体具有相同的含义、本发明实施例三中的第二清洁气体与本发明实施例一中的第二清洁气体具有相同的含义。
需要说明的是，本发明实施例三中步骤S401和步骤S402的执行可以连续的，即执行完步骤S401之后立即执行步骤S402；步骤S401和步骤S402的执行也可以是间歇的，即执行完步骤S401之后隔一段时间再执行步骤S402，当然，在此间歇过程中，可以保持排气装置12一直处于排气状态，这样能够将步骤S401中产生的气态产物全部排出反应腔室，进而可以提高步骤S402的清洁效率。
需要说明的是，本发明实施例一和/或实施例二中的参数（如压力、时间、温度等）、气体组分、含量等描述同样适用于本发明实施例三的中的方案，为简化起见，在此不再重复描述，但是本领域普通技术人员仍然可以将本发明实施例三中的方案与本发明实施例一和/或实施例二中的相应内容相结合从而获得具体的实现方案，这些实现方案仍在本发明的保护范围之内。
可见，本发明实施例中可以采用清洁气体与反应腔室内部的沉积物发生热反应从而将该沉积物去除，也可以先将清洁气体转化为清洁等离子体、然后再采用该清洁等离子体与反应腔室内部的沉积物发生反应从而将该沉积物去除；其中，该清洁等离子体可以在反应腔室的外部形成，也可以在反应腔室的内部形成（可以在反应腔室内部的反应区中形成，也可以在反应腔室内部除反应区之外的区域形成）。采用本发明上述实施例中的方案，能够采用一步的方式完全去除反应腔室内部的含碳有机物和金属及其化合物。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种原位清洁MOCVD反应腔室的方法，其特征在于，所述方法包括：
执行步骤（a）：
向所述反应腔室内部通入第一清洁气体，并将所述第一清洁气体在所述反应腔室内部转化为第一清洁等离子体；和/或，
在所述反应腔室外部将所述第一清洁气体转化为所述第一清洁等离子体，并将所述第一清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，
向所述反应腔室内部通入所述第一清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；
并将所述反应腔室内部的压力保持在第一预定压力范围内第一时间段以去除所述反应腔室内部的含碳有机物；其中，所述第一清洁气体包括还原气体，所述还原气体包括N2/H2的混合气体、NH3中的一种或其组合；
执行步骤（b）：
向所述反应腔室内部通入第二清洁气体，并将所述第二清洁气体在所述反应腔室内部转化为第二清洁等离子体；和/或，
在所述反应腔室外部将所述第二清洁气体转化为所述第二清洁等离子体，并将所述第二清洁等离子体通入所述反应腔室内部；和/或，
向所述反应腔室内部通入所述第二清洁气体，并维持所述反应腔室内部的温度在200℃至500℃之间；
并将所述反应腔室内部的压力保持在第二预定压力范围内第二时间段以去除所述反应腔室内部的金属及其化合物；其中所述第二清洁气体包括第一含卤素气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洁气体还包括Ar；和/或，所述第二清洁气体还包括Ar。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洁气体还包括第二含卤素气体，所述第二含卤素气体包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一清洁气体中所述还原气体的摩尔分数大于所述第二含卤素气体的摩尔分数。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洁气体还包括含氧气体，所述含氧气体包括O2、O3、CO2、H2O2、N2O、CO中的一种或者几种的组合。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二清洁气体中所述含氧气体的摩尔分数小于所述第一含卤素气体的摩尔分数。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一含卤素气体包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合气体、HBr中的一种或者几种的组合。
8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一时间段大于5分钟，所述第二时间段大于3分钟。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210364956.0A CN102899635B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法 |
| KR1020130111999A KR20140040642A (ko) | 2012-09-26 | 2013-09-17 | Mocvd 반응 챔버의 현장 세정 방법 |
| US14/032,124 US20140083451A1 (en) | 2012-09-26 | 2013-09-19 | Method for in situ cleaning of mocvd reaction chamber |
| TW102134872A TWI614366B (zh) | 2012-09-26 | 2013-09-26 | 原位清潔ｍｏｃｖｄ反應腔室的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210364956.0A CN102899635B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102899635A true CN102899635A (zh) | 2013-01-30 |
| CN102899635B CN102899635B (zh) | 2015-12-02 |
Family
ID=47572117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210364956.0A Active CN102899635B (zh) | 2012-09-26 | 2012-09-26 | 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140083451A1 (zh) |
| KR (1) | KR20140040642A (zh) |
| CN (1) | CN102899635B (zh) |
| TW (1) | TWI614366B (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105074879A (zh) * | 2013-03-05 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于清洁基板的方法和装置 |
| KR20150143835A (ko) * | 2013-04-23 | 2015-12-23 | 아익스트론 에스이 | 후속하는 다단의 세정 단계를 갖는 mocvd-층 성장 방법 |
| CN105177533A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用等离子体原位清洗mwcvd舱体的方法 |
| CN106298446A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于清洁等离子体处理室和衬底的方法 |
| CN109385621A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-26 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法 |
| CN110894595A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气相沉积设备及其清洗方法 |
| CN112609168A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法 |
| CN113564562A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-29 | 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 | 一种mpcvd腔体清洗方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9548188B2 (en) * | 2014-07-30 | 2017-01-17 | Lam Research Corporation | Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus |
| CN106702348B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-06-18 | 圆融光电科技股份有限公司 | 消除mocvd设备反应腔内水氧分子杂质的方法 |
| JP7300945B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法およびクリーニングプログラムを記録する記録媒体 |
| JP7285761B2 (ja) * | 2019-11-06 | 2023-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1507502A (zh) * | 2001-05-04 | 2004-06-23 | 拉姆研究公司 | 处理室残留物的两步式等离子清洗 |
| CN101024800A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 联华电子股份有限公司 | 清洗液以及移除等离子体工艺后的残余物的方法 |
| US20110052833A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead and method of cleaning |
| CN102011097A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-04-13 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种清除第ⅲ族元素和第v族元素化合物沉积物残余的方法 |
| CN102586753A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-18 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Mocvd设备的清洁方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4669605B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2011-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
| US6692903B2 (en) * | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| JP2008288281A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2009123795A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
-
2012
- 2012-09-26 CN CN201210364956.0A patent/CN102899635B/zh active Active
-
2013
- 2013-09-17 KR KR1020130111999A patent/KR20140040642A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-09-19 US US14/032,124 patent/US20140083451A1/en not_active Abandoned
- 2013-09-26 TW TW102134872A patent/TWI614366B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1507502A (zh) * | 2001-05-04 | 2004-06-23 | 拉姆研究公司 | 处理室残留物的两步式等离子清洗 |
| CN101024800A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 联华电子股份有限公司 | 清洗液以及移除等离子体工艺后的残余物的方法 |
| US20110052833A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead and method of cleaning |
| CN102011097A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-04-13 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种清除第ⅲ族元素和第v族元素化合物沉积物残余的方法 |
| CN102586753A (zh) * | 2012-03-21 | 2012-07-18 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | Mocvd设备的清洁方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105074879A (zh) * | 2013-03-05 | 2015-11-18 | 应用材料公司 | 用于清洁基板的方法和装置 |
| CN105074879B (zh) * | 2013-03-05 | 2018-04-24 | 应用材料公司 | 用于清洁基板的方法和装置 |
| JP2016524808A (ja) * | 2013-04-23 | 2016-08-18 | アイクストロン、エスイー | 後続の多段洗浄ステップを伴うｍｏｃｖｄ層成長方法 |
| KR20150143835A (ko) * | 2013-04-23 | 2015-12-23 | 아익스트론 에스이 | 후속하는 다단의 세정 단계를 갖는 mocvd-층 성장 방법 |
| KR102293802B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2021-08-24 | 아익스트론 에스이 | 후속하는 다단의 세정 단계를 갖는 mocvd-층 성장 방법 |
| CN106298446A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-01-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于清洁等离子体处理室和衬底的方法 |
| CN105177533A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用等离子体原位清洗mwcvd舱体的方法 |
| CN105177533B (zh) * | 2015-09-07 | 2017-11-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用等离子体原位清洗mwcvd舱体的方法 |
| CN110894595A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气相沉积设备及其清洗方法 |
| CN110894595B (zh) * | 2018-09-13 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气相沉积设备及其清洗方法 |
| CN109385621A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-26 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法 |
| CN112609168A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法 |
| CN113564562A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-29 | 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 | 一种mpcvd腔体清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI614366B (zh) | 2018-02-11 |
| US20140083451A1 (en) | 2014-03-27 |
| TW201420804A (zh) | 2014-06-01 |
| KR20140040642A (ko) | 2014-04-03 |
| CN102899635B (zh) | 2015-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20130130 Assignee: Nanchang Medium and Micro Semiconductor Equipment Co., Ltd. Assignor: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc. Contract record no.: 2018990000345 Denomination of invention: Method for in-situ cleaning MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) reaction chamber Granted publication date: 20151202 License type: Exclusive License Record date: 20181217 |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd. Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc. |