CN102891263A - 供体基板及其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents
供体基板及其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102891263A CN102891263A CN2012100846656A CN201210084665A CN102891263A CN 102891263 A CN102891263 A CN 102891263A CN 2012100846656 A CN2012100846656 A CN 2012100846656A CN 201210084665 A CN201210084665 A CN 201210084665A CN 102891263 A CN102891263 A CN 102891263A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- donor substrate
- substrate
- organic
- underlay substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 290
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 351
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 111
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 85
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 83
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 42
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 42
- -1 isopropyl ester Chemical class 0.000 claims description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 37
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 35
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 24
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 21
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 9
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical group CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007591 painting process Methods 0.000 claims description 6
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 claims description 5
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000212 poly(isobutyl acrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 5
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- FQFILJKFZCVHNH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[3-[(5-bromo-2-chloropyrimidin-4-yl)amino]propyl]carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NCCCNC1=NC(Cl)=NC=C1Br FQFILJKFZCVHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 claims description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrotoluene Chemical compound CC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQMUQFUTDWISTM-UHFFFAOYSA-N O.[O-2].[Fe+2].[Fe+2].[O-2] Chemical compound O.[O-2].[Fe+2].[Fe+2].[O-2] DQMUQFUTDWISTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N Pentaerythritol Tetranitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OCC(CO[N+]([O-])=O)(CO[N+]([O-])=O)CO[N+]([O-])=O TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000026 Pentaerythritol tetranitrate Substances 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960004321 pentaerithrityl tetranitrate Drugs 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000015 trinitrotoluene Substances 0.000 description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORWAUAKEOUUND-UHFFFAOYSA-N 5-phenylpenta-1,4-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CCC=CC1=CC=CC=C1 UORWAUAKEOUUND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCOYLRXCNKJSSC-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 KCOYLRXCNKJSSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N Dinobuton Chemical compound CCC(C)C1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1OC(=O)OC(C)C HDWLUGYOLUHEMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 241000425573 Talanes Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QRDGOCRZAXXYPV-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1.C1=CON=N1 QRDGOCRZAXXYPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N po4-po4 Chemical class OP(O)(O)=O.OP(O)(O)=O QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000197 polyisopropyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 230000007115 recruitment Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical class OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
- B41M5/46—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography characterised by the light-to-heat converting means; characterised by the heat or radiation filtering or absorbing means or layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31935—Ester, halide or nitrile of addition polymer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31938—Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
供体基板包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的膨胀层、设置于所述膨胀层上的光热转换层、设置于所述光热转换层上的绝缘层以及设置于所述绝缘层上的有机转印层。所述供体基板可以向有机发光显示装置有效地转印有机转印层。
Description
技术领域
本发明涉及供体基板、供体基板的制造方法及使用供体基板的有机发光显示装置的制造方法。本发明尤其涉及包括膨胀层或者抗静电部件的供体基板、供体基板的制造方法及使用供体基板的有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
通常，有机发光显示(OLED)装置的显示基板包括：设置于透明基板上的薄膜晶体管、像素电极、有机发光层、公共电极等。其中，所述有机发光层包括发射白色光、红色光、绿色光、蓝色光等的发光层，进一步还可以包括：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。
通过将具有有机转印层的供体基板贴合在所述显示基板的像素电极上之后照射激光以转印所述有机转印层的激光热转印(LaserInduced Thermal Imaging，简称为LITI)工序，形成所述有机发光层。当使用所述激光热转印工序将所述供体基板的有机转印层向所述显示基板转印时，由于所述供体基板和所述显示基板之间的摩擦等而产生的静电，很难准确地转印所述有机转印层，因此存在很难在所述显示基板上均匀地形成所述有机发光层的问题。从而，会降低所述有机发光层的发光特性，并且这种有机发光层的发光特性的减少将成为降低由所述有机发光显示装置所显示的影像质量的原因。
发明内容
本发明的一目的在于提供通过减小静电的产生以有效地转印有机转印层的供体基板。
本发明的另一目的在于提供通过减小静电的产生以有效地转印有机转印层的供体基板的制造方法。
本发明的再一目的在于提供通过使用将静电减小并且具有优良的转印效率的供体基板以制造具有均匀的有机层图案的有机发光显示装置的方法。
本发明所要解决的技术问题并不限于上述的技术问题，在不脱离本发明的技术构思及技术领域的范围内可以有多种展开。
为了实现上述本发明的一目的，根据本发明示例性的实施例的供体基板可以包括：衬底基板、设置于所述衬底基板上的膨胀层、设置于所述膨胀层上的光热转换层、设置于所述光热转换层上的绝缘层以及设置于所述绝缘层上的有机转印层。
在示例性的实施例中，所述膨胀层可以包含热膨胀系数在1.5×10-5/℃以上的物质。
在示例性的实施例中，所述膨胀层可以包含热塑性树脂。例如，所述膨胀层可以包含聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸异丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸异丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。
在示例性的实施例中，所述衬底基板包含热塑性树脂，并且所述衬底基板和所述膨胀层可以形成为一体。
为了实现上述本发明的另一目的，根据本发明示例性的实施例的供体基板可以包括：衬底基板、设置于所述衬底基板的第一面上的光热转换层、设置于所述光热转换层上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的有机转印层以及设置于所述衬底基板或所述绝缘层的抗静电部件。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包含分散于所述衬底基板内的抗静电剂。
在示例性的实施例中，所述抗静电剂的含量可以为以所述衬底基板的重量为基准时的0.1％至2.0％。
在示例性的实施例中，所述抗静电剂可以包含：GMS类抗静电物质、胺类抗静电物质、具有磁性的金属氧化物等。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包含分散于所述绝缘层内的抗静电剂。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包括设置于所述衬底基板的第二面上的透明导电层。
在示例性的实施例中，所述透明导电层可以包含导电性金属氧化物或者传导性高分子物质。例如，所述透明导电层可以包含聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)、锑锡氧化物(ATO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铌氧化物、锌氧化物、镓氧化物、锡氧化物、铟氧化物等。
为了实现上述本发明的再一目的，在根据本发明示例性实施例的供体基板的制造方法中形成衬底基板。在所述衬底基板上形成膨胀层。在所述膨胀层上形成光热转换层。在所述光热转换层上形成绝缘层。在所述绝缘层上形成有机转印层。
在示例性的实施例中，可以通过旋涂工序、狭缝涂布工序或者凹印涂布工序将热塑性树脂涂覆于所述衬底基板上而形成所述膨胀层。
在示例性的实施例中，可以通过使用包含热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂来形成所述膨胀层。
在示例性的实施例中，可以将所述衬底基板和所述膨胀层形成为一体。
在示例性的实施例中，可以通过实施双轴拉伸(biaxial drawing)工序来形成所述膨胀层。
为了实现上述本发明的再一目的，在根据本发明示例性实施例的供体基板的制造方法中形成衬底基板。在所述衬底基板的第一面上形成光热转换层。在所述光热转换层上形成绝缘层。在所述绝缘层上形成有机转印层。在所述衬底基板或所述绝缘层或者所述衬底基板的第二面上形成抗静电部件。
在示例性的实施例中，形成所述抗静电部件的步骤可以包括将抗静电剂分散于所述衬底基板内的步骤。
在示例性的实施例中，形成所述抗静电部件的步骤可以包括使抗静电剂分散于所述绝缘层内的步骤。
在示例性的实施例中，形成所述抗静电部件的步骤可以包括在所述衬底基板的第二面上形成透明导电层的步骤。
为了实现上述本发明的再一目的，在根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的制造方法中，在基板上形成下部电极。在下部电极上形成像素限定膜，从而限定像素区域。形成包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的膨胀层、形成于所述膨胀层上的光热转换层以及形成于所述光热转换层上的有机转印层的供体基板。使所述有机转印层与所述基板的像素区域对应且将所述供体基板贴合于所述基板。向与所述像素区域对应的所述供体基板照射激光，从而在所述像素区域上由所述有机转印层形成有机层图案。
在示例性的实施例中，所述供体基板还可以包括形成于所述光热转换层和所述有机转印层之间的绝缘层。
为了实现上述本发明的再一目的，在根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的制造方法中，在基板上形成下部电极。在所述下部电极上形成限定像素区域的像素限定膜。形成供体基板，所述供体基板包括：衬底基板、形成于所述衬底基板的第一面上的光热转换层、形成于所述光热转换层上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的有机转印层以及形成于所述衬底基板或所述绝缘层或者所述衬底基板的第二面的抗静电部件。使所述有机转印层与所述基板的像素区域对应，将所述供体基板贴合于所述基板。向与所述像素区域对应的所述供体基板照射激光，从而在所述像素区域上由所述有机转印层形成有机层图案。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包括形成于所述衬底基板的第二面上的透明导电层。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包含分散于所述绝缘层内的抗静电剂。
在示例性的实施例中，所述抗静电部件可以包含分散于所述衬底基板内的抗静电剂。
根据本发明示例性的实施例，由于供体基板可以包括膨胀层，因此能够从具有膨胀层的所述供体基板中有效地分离出有机转印层以在显示基板上形成有机层图案，并且即使使用能量相对小的激光，也可以有效地形成所述有机层图案。根据其他示例性的实施例，由于供体基板包括用作抗静电部件的抗静电剂、抗静电层或者透明导电层，因此将所述供体基板的有机转印层向所述显示基板上转印时可以防止在所述供体基板上产生静电。由此，可以由所述供体基板的有机转印层均匀地形成所述显示装置的有机层图案，因此可以改善所述有机层图案的发光特性，并且可以提高所述有机发光显示装置所显示的影像质量。
但是，本发明的效果并不限于上述的效果，在不脱离本发明的技术构思及技术领域的范围内会有多种展开。
附图说明
图1为用于说明根据本发明示例性实施例的供体基板的截面图；
图2为图示根据本发明另一示例性实施例的供体基板的截面图；
图3为用于说明根据本发明再一示例性实施例的供体基板的截面图；
图4为图示根据本发明再一示例性实施例的供体基板的截面图；
图5至图7用于说明根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的制造方法的示意图。
附图标记说明
100、200、300、400：供体基板；
110、210、310、410：衬底基板；
120、220、320、420：光热转换层；
130、230、330、430：色缘层；
140、240、340、440：有机转印层；
150：膨胀层； 250、350：抗静电剂；
450：透明导电层； 510：基板；
520：半导体图案； 521：沟道区域；
523：源区域； 525：漏区域；
530：栅绝缘膜； 541：栅电极；
543：源电极； 545：漏电极；
550：第一层间绝缘膜； 555：第二层间绝缘膜；
560：第一电极； 570：像素限定膜；
580：有机层图案； 590：第二电极。
具体实施方式
以下将参考附图详细地说明根据本发明的示例性实施例的供体基板、供体基板的制造方法及使用供体基板的有机发光显示装置的制造方法，但是本发明并不限于下述实施例，所属领域的技术人员在不脱离本发明的技术思想的范围内，能够以多种形态实施本发明。
就本发明的说明书，其特定的结构或功能性说明仅以示例性地说明本发明的实施例为目的，本发明能够以多种形式实施，不能解释为仅限于本文中说明的实施例，应理解为包括本发明的思想以及技术范围的所有变更、等同物以及代替物。某种组成要素与其它的组成要素“连接”或“接触”，则表示其与其它的组成要素直接连接或接触，也应理解为中间还可以存在其它组成要素。相反，某种组成要素与其它组成要素“直接连接”或“直接接触”，则应理解为中间不存在其它组成要素。就描述组成要素之间关系的其他表述方式，即“...之间”、“就在...之间”或者“与...相邻”和“...直接相邻”也应进行相同的解释。
在本说明书中所使用的用语仅用于说明示例性的实施例，并不用于限定本发明。对于单数用语，在文字上没有冲突的解释的前提下，则应当包括多个的含义。在本说明书中，“包括”、“具备”或“具有”等用语仅用于说明实施本发明时可以存在数字、步骤、动作、结构要素、部件或者它们的组合，并且不应当理解为：对增加数字、步骤、动作、结构要素、部件或者它们的组合的可能性予以排除。没有其他定义的前提下，包括技术术语或科学术语在内的在此使用的所有术语的含义与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同。针对与在通常使用的词典所定义的术语相同的术语，应理解为与相关技术上下文所具有的含义一致，除本发明明确定义的以外，不应解释成理想或过于形式的含义。
虽然第一、第二、第三等术语可以用于说明多种组成要素，但所述组成要素不限于所述术语。使用所述术语的目的在于区别一个组成要素与另一个组成要素。例如，在不脱离本发明的保护范围下，第一组成要素可以命名为第二或第三组成要素，类似地，第二或者第三组成要素也可以交互命名。
图1为用于说明根据本发明示例性实施例的供体基板的截面图。
如图1所示，供体基板100可以包括：衬底基板110、膨胀层150、光热转换层120、绝缘层130以及有机转印层140等。
在有机发光显示装置的显示基板上形成有机层图案(多个)的激光转印工序期间，衬底基板110可以起到让激光经过并传输至光热转换层120的功能。衬底基板110可以由基本上透明且具有预定的机械强度的物质构成。例如，衬底基板110可以包含透明树脂、玻璃、石英等。可用于衬底基板110的透明树脂可以包括：聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，简称为PET)类树脂、聚丙烯酸(polyacryl)类树脂、聚环氧(polyepoxy)类树脂、聚乙烯(polyethylene)类树脂、聚苯乙烯(polystyrene)类树脂、聚酰亚胺(polyimide)类树脂、聚碳酸脂(polycarbonate)类树脂、聚醚(polyether)类树脂、聚丙烯酸酯(polyacrylate)类树脂等。
膨胀层150可以设置于衬底基板110上。根据在所述激光转印工序期间在被激光照射的部分产生的热量，会增加膨胀层150的体积。根据这种膨胀层150的膨胀，有机转印层140有效地从衬底基板110被分离出，从而可以由供体基板100的有机转印层140在所述有机发光显示装置的显示基板上有效地形成所述有机层图案。在示例性的实施例中，膨胀层150可以包含具有相对高的热膨胀系数的物质。此时，膨胀层150可以包含大约具有1.5×10-5/℃以上的热膨胀系数的物质。例如，膨胀层150可以包含具有相对大的热膨胀系数的热塑性树脂(thermoplastic resin)。可用于膨胀层150的热塑性树脂可以包括：聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯酸甲酯(polymethyl acrylate)、聚丙烯酸乙酯(polyethyl acrylate)、聚丙烯酸丙酯(polypropyl acrylate)、聚丙烯酸异丙酯(polyisopropyl acrylate)、聚丙烯酸正丁酯(polyn-butylacrylate)、聚丙烯酸仲丁酯(polysec-butyl acrylate)、聚丙烯酸异丁酯(polyisobutyl acrylate)、聚丙烯酸叔丁酯(polytetra-butyl acrylate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)、聚甲基丙烯酸乙酯(polyethyl methacrylate)、聚甲基丙烯酸正丁酯(polyn-butylmethacrylate)、聚甲基丙烯酸正癸酯(polyn-decyl methacrylate)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)、聚偏氯乙烯(polyvinylidene chloride)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile butadiene-styrenecopolymer)等热塑性低分子聚合物。
光热转换层120可以设置于膨胀层150上。光热转换层120可以起到吸收向衬底基板110照射的激光从而将其转换为热量的功能。光热转换层120可以包括：金属、金属氧化物、金属硫化物、含碳物质等。例如，光热转换层120可以包括：铝(Al)、镍(Ni)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铜(Cu)、钒(V)、钽(Ta)、钯(Pd)、钌(Ru)、铱(Ir)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)等金属、这些金属的氧化物、这些金属的硫化物、碳黑(carbon black)、石墨等。这些可以单独或互相组合而得以使用。
绝缘层130可以位于光热转换层120上。绝缘层130可以防止有机转印层140受到污染或者受损。并且，在所述激光热转印工序期间，绝缘层130控制光热转换层120和有机转印层140之间的粘着力，从而可以提高在所述显示基板上形成的有机层图案的均匀性。根据示例性的实施例，绝缘层130可以由有机物质或者无机物质构成。例如，绝缘层130可以包含：丙烯酸树脂(acrylic resin)、醇酸树脂(alkydresin)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlOx)、镁氧化物(MgOx)等。
有机转印层140可以设置于绝缘层130上。根据由光热转换层120传输的热能有机转印层140从供体基板100被分离出，从而其可以起到在所述显示基板上形成所述有机层图案(多个)的功能。在示例性的实施例中，有机转印层140可以包括发出红色(R)光、绿色(G)光或者蓝色(B)光的有机发光层，进一步还可以包括：空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。根据了另一示例性的实施例，有机转印层140的有机发光层还可以具有通过发出红色光、绿色光以及蓝色光以最终发出白色(W)光的多层结构。
在示例性的实施例中，当有机转印层140的有机发光层发出红色光时，所述有机发光层可以包含：作为红色发光物质的如Alq3(主体)/DCJTB(荧光掺杂物)、Alq3(主体)/DCM(荧光掺杂物)、CBP(主体)/PtOEP(磷光有机金属复合物)等低分子物质以及如PFO类高分子物质、PPV类高分子物质等高分子物质。当所述有机发光层发出绿色光时，所述有机发光层可以包含：作为绿色发光物质的如Alq3、Alq3(主体)/C545t(掺杂物)、CBP(主体)/IrPPy(磷光有机金属复合物)等低分子物质以及如PFO类高分子物质、PPV类高分子物质等高分子物质。另外，当所述有机发光层发出蓝色光时，所述有机发光层可以包含：作为蓝色发光物质的如DPVBi、螺-DPVBi、螺-6P、蒸馏苯(DSB)、亚甲基联苯乙烯(DSA)等低分子物质以及如PFO类高分子物质、PPV类高分子物质等高分子物质。
有机转印层140的空穴注入层可以包含：如CuPc、TNATA、TCTA、TDAPB等低分子物质以及如PANI、PEDOT等高分子物质；有机转印层140的空穴传输层可以包含：如芳胺(arylamine)类低分子物质、腙(hydrazone)类低分子物质、二苯乙烯(stilbene)类低分子物质、星爆(starburst)类低分子物质等低分子物质，或者可以包含如咔唑(carbazole)类高分子物质、芳胺(arylamine)类高分子物质、苝(perylene)类高分子物质、吡咯(pyrrole)类高分子物质等高分子物质。
有机转印层140的电子传输层可以包含：如PBD、TAZ、螺(spiro)-PBD等高分子物质，或者可以包含：Alq3、BAlq、SAlq等低分子物质。并且，有机转印层140的电子注入层可以包含：如Alq3、镓复合物(Ga complex)、PBD等低分子物质，或者可以包含：噁二唑(oxadiazol)类高分子物质。
根据另一示例性的实施例，绝缘层130和有机转印层140之间还可以设置有气体生成层和/或金属反射层。其中，所述气体生成层根据因吸收光或者热量而发生的分解反应来释放氮气、氢气等，从而可以起到给有机转印层140的转印提供能量的功能。例如，所述气体生成层可以包含：季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate)、三硝基甲苯(trinitrotoluene)等。另外，所述金属反射层通过反射向供体基板100照射的激光，以便于向光热转换层120传输更多的能量，并且可以防止从所述气体生成层生成的气体向有机转印层140渗透。例如，所述金属反射层可以包含如铝、钼、钛、银、铂等具有相对高的反射性的金属。
根据本发明示例性的实施例，供体基板100具有膨胀层150，因此在激光热转印工序期间膨胀层150可以在被激光照射的部分发生局部膨胀。即，在所述激光热转印工序期间，位于转印至显示基板上的部分的有机转印层140下方的膨胀层150一部分可以发生膨胀。由此，供体基板100的有机转印层140和在所述显示基板上转印有有机转印层140的区域(形成有机层图案的区域)之间的距离会减小，因此有效地使有机转印层140从供体基板100向所述显示基板上转印，从而可以在所述显示基板上形成均匀的有机层图案。
下面，根据本发明示例性的实施例，对具有与参考图1进行说明的供体基板100基本上相同的构成的供体基板的制造方法进行说明。
根据示例性的实施例，首先准备衬底基板110之后，可以在衬底基板110上形成膨胀层150。衬底基板110可以由如透明树脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板构成。例如，衬底基板110可以由包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、聚醚和/或聚丙烯酸酯等的透明树脂基板构成。
膨胀层150可以由具有相对高的热膨胀系数的热塑性树脂形成。从而，当激光向膨胀层150照射时，膨胀层150的体积可以在局部或者整体上出现膨胀。例如，膨胀层150可以由具有约1.5×10-5/℃以上的热膨胀系数的热塑性低分子聚合物形成。此时，膨胀层150可以通过使用下述树脂中的一种或多种而得以形成：聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸异丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸异丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物等。并且，膨胀层150可以通过旋涂(spin coating)工序、狭缝涂布(slitcoating)工序、凹印涂布(gravure coating)工序等而形成于衬底基板110上。
根据另一示例性的实施例，膨胀层150还可以由添加热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成。一般来讲，在制造聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜的过程中，通过缩聚反应形成聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂之后，使用熔融挤出工序而以无定形状态的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)芯(chip)的形态进行切割。然后，使用双轴拉伸(biaxial drawing)工序形成聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。在另一示例性的实施例中，通过缩聚反应形成聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂之后，以预定的浓度向聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂添加热塑性树脂，从而可以形成添加有热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)芯。然后，在对添加有所述热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)芯实施双轴拉伸工序时，可以得到由热量膨胀性质得以提高的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成的膨胀层150。此时，由添加有热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜构成的膨胀层150相比不包含热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜，可以具有约高出5倍以上的热膨胀系数。并且，当膨胀层150由添加有热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜形成，并且衬底基板110包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)时，实质上衬底基板110和膨胀层150可以形成为一体。
在膨胀层150上可以形成有光热转换层120。可以通过使用金属、金属氧化物和/或金属硫化物等而形成光热转换层120。例如，可以使用如铝、镍、钼、钛、锆、铜、钒、钽、钯、钌、铱、金、银、铂等金属、或者这些金属的氧化物、或者这些金属的硫化物等而形成光热转换层120。并且，光热转换层120可以通过真空沉积工序、电子束(e-beam)沉积工序和/或溅射工序等而形成于膨胀层150上。在另一示例性的实施例中，可以通过使用由包含碳黑、石墨或者红外线颜料的高分子物质形成的有机物质形成光热转换层120。此时，光热转换层120可以通过辊涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狭缝涂布工序等而形成于膨胀层150上。
光热转换层120上可以形成有绝缘层130。可以通过使用有机物质或者无机物质来形成绝缘层130。例如，绝缘层130可以通过使用丙烯酸树脂、醇酸树脂、硅氧化物、铝氧化物和/或镁氧化物等而得以形成。当绝缘层130包含有机物质时，可以通过实施涂覆工序和紫外线(UV)硬化工序而在光热转换层120上形成绝缘层130。当绝缘层130包含金属氧化物时，可以通过使用真空沉积工序、电子束沉积工序、溅射工序和/或化学气相沉积(CVD)工序等而在光热转换层120上形成绝缘层130。
绝缘层130上可以形成有有机转印层140。由此，可以提供包括衬底基板110、膨胀层150、光热转换层120、绝缘层130以及有机转印层140的供体基板。有机转印层140可以包括：有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。根据生成的光的颜色而可以使用多种物质来形成有机转印层140的组成要素。并且，通过使用旋涂工序、狭缝涂布工序、辊涂工序、凹印涂布工序、真空沉积工序和/或化学气相沉积工序等而可以将有机转印层140形成于绝缘层130上。
图2为图示根据本发明另一示例性实施例的供体基板的截面图。在图2所示的供体基板200中，光热转换层220、绝缘层230以及有机转印层240的构成与参考图1进行说明的光热转换层120、绝缘层130以及有机转印层140的构成基本上相同或者基本上类似。
如图2所示，供体基板200可以包括：含有用作抗静电部件的抗静电剂250的衬底基板210、光热转换层220、绝缘层230以及有机转印层240等。
衬底基板210可以包括添加有抗静电剂250的透明基板。其中，所述透明基板可以包含：聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯酸、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、聚醚、聚丙烯酸酯等。在另一示例性的实施例中，衬底基板210和光热转换层220之间，可以设置有抗静电层(未图示)作为所述抗静电部件。根据再一示例性的实施例，还可以为在衬底基板210的第一面上设置有光热转换层220、且衬底基板210的第二面上设置有抗静电层(未图示)。其中，所述第一面和所述第二面基本上可以互相相对。
根据示例性的实施例，抗静电剂250或者所述抗静电层可以包含：含有聚氧乙烯烷基胺(polyoxyethylene alkyl amine)的胺类抗静电物质、甘油单体硬脂酸酯(glycerine monomer stearate，简称为GMS)类抗静电物质、胺类抗静电物质和GMS类抗静电物质的混合物等。在另一示例性的实施例中，包含于衬底基板210的抗静电剂250或者形成于衬底基板210上的抗静电层还可以包含如注册商标FC-4400
(美国3M公司制造)等已得到商业应用的抗静电物质。根据再一示例性的实施例，所述抗静电层或者抗静电剂250可以包含：磺酸盐(sulfonate)类化合物、硫酸盐(sulfate)类化合物、磷酸盐(phosphate)类化合物、这些化合物的混合物等。例如，抗静电剂250可以包含：烷基磺酸盐、烷基苯磺酸盐、烷基硫酸盐、烷基磷酸盐等。在再一示例性的实施例中，包含于衬底基板210的抗静电剂250或者形成于衬底基板210上的抗静电层还可以包含：如三氧化二铁(Fe2O3)、一氧化铁(FeO)等具有磁性的金属氧化物。
光热转换层220可以设置于包含抗静电剂250的衬底基板210上。根据另一示例性的实施例，衬底基板210和光热转换层220之间还可以置有所述抗静电层。在再一示例性的实施例中，光热转换层220和所述抗静电层还可以设置于衬底基板210的互相相对的面上。即，光热转换层220和所述抗静电层之间设置有衬底基板210，从而可以互相间隔。光热转换层220包含金属、金属氧化物或者金属硫化物，或者可以由包含高分子物质的有机物质构成，所述高分子物质包含碳黑、石墨或者红外线颜料。
绝缘层230可以位于光热转换层220上。绝缘层230包含丙烯酸树脂、醇酸树脂等有机绝缘物质，或者可以由硅氧化物、铝氧化物和/或镁氧化物等金属氧化物构成。
绝缘层230上可以设置有有机转印层240。有机转印层240可以包括：有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。根据有机转印层240的构成物质，由有机转印层240生成的、有机发光显示装置的有机层图案(多个)所发出的颜色光可以不同。
当使用现有的供体基板来在有机发光显示装置的显示基板上形成有机层图案时，在激光热转印工序期间，在所述供体基板产生静电，并且为了去除这种静电，在实施激光热转印工序的腔室内设置了多个离子发生器(ionizer)。然而，当所述腔室内设置有多个离子发生器时，用于制造有机发光显示装置的费用会增加；在形成所述有机层图案的期间，将所述腔室的内部保持真空状态或者以氮气填充所述腔室的内部时，即使使用离子发生器也难以去除所述供体基板的静电。根据本发明示例性的实施例，由于供体基板200可以具有用作抗静电部件的抗静电剂250的衬底基板210、或者衬底基板210上设置有抗静电层，因此可以防止为了在有机发光显示装置的显示基板上形成有机层图案而实施激光热转印工序的期间在供体基板200中产生静电的现象。从而，可以从供体基板200的有机转印层240在显示基板上均匀地形成有机层图案，因此可以提高所述有机层图案的发光特性，并且可以改善有机发光显示装置的影像质量。
下面，根据本发明其它示例性的实施例，对制造具有与参考图2进行说明的供体基板200基本上相同的构成的供体基板的方法进行说明。
在示例性的实施例中，可以在形成衬底基板210时将用作抗静电部件的抗静电剂250添加在衬底基板210内。抗静电剂250可以包含胺类抗静电剂、GMS类抗静电剂、或者胺类和GMS类抗静电剂的混合物等。根据另一示例性的实施例，在衬底基板210的第一面(例如，衬底基板210的前面)或者衬底基板210的第二面(例如，衬底基板210的后面)上还可以形成有用作抗静电部件的抗静电层。
当将抗静电剂250分散于衬底基板210内时，向构成衬底基板210的透明树脂添加抗静电剂250并进行混合之后，对所述透明树脂和抗静电剂250的混合物实施双轴拉伸工序，从而可以得到包含抗静电剂250的衬底基板210。此时，根据衬底基板210的构成物质，以衬底基板210的重量为基准，可以添加约0.11％至约2.0％左右的含量的抗静电剂250。例如，当衬底基板210包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂时，可以添加占衬底基板210的全体重量的约0.1％至约0.5％左右的抗静电剂250。另一方面，当衬底基板210包含聚丙烯树脂时，可以添加以衬底基板210的重量为基准时的约0.5％至约1.0％左右的含量的抗静电剂250。另外，当衬底基板210包含聚苯乙烯树脂时，衬底基板210内的抗静电剂250的含量可以为衬底基板210重量的约1.0％至约1.5％左右。
可以在衬底基板210上形成光热转换层220。作为所述供体基板的抗静电部件，衬底基板210包含抗静电剂250或者在衬底基板210的第二面上形成所述抗静电层时，可以直接在衬底基板210的第一面上形成光热转换层220。另外，在衬底基板210的第一面上设置有所述抗静电层的情况下，光热转换层220还可以形成于所述抗静电层上。
将金属、金属氧化物、金属硫化物等通过真空沉积工序、电子束沉积工序和/或溅射工序等沉积于衬底基板210上，从而可以形成光热转换层220。根据另一示例性的实施例，可以通过使用辊涂工序、凹印涂布工序、旋涂工序和/或狭缝涂布工序等而在衬底基板210上沉积包括高分子物质的有机物质来得到光热转换层220，所述高分子物质可以含有碳黑、石墨、红外线颜料等。
可以在光热转换层220上形成绝缘层230。可以使用有机绝缘物质或者金属氧化物来形成绝缘层230。当绝缘层230包含有机绝缘物质的情况下，可以通过实施涂覆工序以及紫外线硬化工序来得到绝缘层230。当绝缘层230包含金属氧化物的情况下，可以通过使用真空沉积工序、电子束沉积工序、溅射工序和/或化学气相沉积工序等而在光热转换层220上形成绝缘层230。
在绝缘层230上可以形成有机转印层240。有机转印层240可以具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等的多层结构。可以通过使用旋涂工序、狭缝涂布工序、辊涂工序、凹印涂布工序、真空沉积工序和/或化学气相沉积工序等来形成有机转印层240。
图3为图示根据本发明再一示例性实施例的供体基板的截面图。在图3所示的供体基板300中，衬底基板310、光热转换层320以及有机转印层340的构成与参考图1进行说明的衬底基板110、光热转换层120以及有机转印层140的构成基本上相同或者基本上类似。
如图3所示，供体基板300可以包括：衬底基板310、光热转换层320、将抗静电剂350作为抗静电部件而包括的绝缘层330、有机转印层340等。根据另一示例性的实施例，作为抗静电部件，供体基板300还可以包括设置于光热转换层320和绝缘层330之间或者设置于绝缘层330和有机转印层340之间的抗静电层(未图示)。
在图3中，衬底基板310可以包括如透明树脂基板、玻璃基板、石英基板等透明基板。用作衬底基板310的所述透明树脂基板可以包含：聚对苯二甲酸乙二酯(PET)类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚环氧类树脂、聚乙烯类树脂、聚苯乙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚碳酸脂类树脂、聚醚类树脂、聚丙烯酸酯类树脂等。光热转换层320可以设置于衬底基板310上。光热转换层320可以包含：金属、金属氧化物、金属硫化物、含碳物质等。
绝缘层330可以设置于光热转换层320上。当光热转换层320上设置有所述抗静电层的情况下，绝缘层330还可以设置于所述抗静电层上。绝缘层330可以包含丙烯酸树脂、醇酸树脂等有机绝缘物质或者如硅氧化物、铝氧化物、镁氧化物等金属氧化物。在示例性的实施例中，抗静电剂350可以分散于绝缘层330内。其中，根据绝缘层330的构成物质，以绝缘层330的整体重量为基准，抗静电剂350的含量可以为约0.1％至约2.0％左右。根据另一示例性的实施例，所述抗静电层可以设置于光热转换层320和绝缘层330之间或者绝缘层330上。抗静电剂350或者所述抗静电层可以包含：胺类抗静电物质、GMS类抗静电物质、胺类和GMS类抗静电物质的混合物等。在另一示例性的实施例中，抗静电剂350或者所述抗静电层可以包含：磺酸盐类化合物、硫酸盐类化合物、磷酸盐类化合物、这些化合物的混合物等。根据再一示例性的实施例，抗静电剂350或者所述抗静电层还可以包含如一氧化铁、三氧化二铁等具有磁性的金属氧化物。
有机转印层340可以设置于绝缘层330上或者所述抗静电层上。有机转印层340可以包含与参考图1进行说明的供体基板100的有机转印层140基本上相同或者基本上类似的物质。
根据本发明示例性的实施例，由于供体基板300具有包含用作抗静电部件的抗静电剂350的绝缘层330或者具有在绝缘层330上设置的抗静电层，因此可以有效地防止用于在显示基板上形成有机层图案的激光热转印工序期间在供体基板300产生静电的现象。从而，不需要如离子发生器等进一步的静电发生防止装置，从而可以降低有机发光显示装置的制造费用，并可以在所述显示基板上通过供体基板300的有机转印层340均匀地形成有机层图案，且提高所述有机层图案的发光特性，从而可以改善有机发光显示装置的影像质量。
图4为图示根据本发明再一示例性实施例的供体基板的截面图。在图4所示的供体基板400中，衬底基板410、光热转换层420、绝缘层430以及有机转印层440的构成与参考图1进行说明的衬底基板110、光热转换层120、绝缘层130以及有机转印层140的构成基本上相同或者基本上类似。
如图4所示，供体基板400可以包括：衬底基板410、光热转换层420、绝缘层430、有机转印层440以及透明导电层450等，透明导电层450用作抗静电部件。
衬底基板410可以包括：透明树脂基板、玻璃基板、石英基板等。衬底基板410的第一面上可以设置有光热转换层420。例如，光热转换层420可以包含：金属、金属氧化物、金属硫化物、含碳物质等。
绝缘层430可以设置于光热转换层420上。例如，绝缘层430可以包含：丙烯酸树脂、醇酸树脂、硅氧化物、铝氧化物、镁氧化物等。有机转印层440可以位于绝缘层430上。有机转印层440可以包括：有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。
根据示例性的实施例，与所述抗静电部件相应的透明导电层450可以设置于衬底基板410的第二面上。其中，衬底基板410的第二面基本上可以与所述第一面相对。即，透明导电层450和光热转换层420可以分别设置于衬底基板410的相对面上。
透明导电层450是透明的，并且其可以包含具有透明性的导电性金属氧化物或者具有透明性的传导性高分子物质，以便于其在激光热转印工序期间能够使激光透射。例如，透明导电层450可以包含聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩(polythiophene)、聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)[poly(3，4-ethylenedioxythiophene)]等透明传导性高分子物质。在另一示例性的实施例中，透明导电层450可以包含如锑锡氧化物(antimony tin oxide，简称为ATO)、铟锡氧化物(indiumtin oxide，简称为ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，简称为IZO)、铌氧化物(NbOx)、锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)等透明无机物质。
根据本发明示例性的实施例，供体基板400可以将设置于衬底基板410的一面的、使激光透射的、具有导电性的透明导电层450作为抗静电部件，因此可以防止由有机转印层440在显示基板上形成有机层图案的期间在供体基板400上产生的静电。所以，不需要如离子发生器等额外的静电发生防止装置，从而可以降低有机发光显示装置的制造费用，并且可以有效地在所述显示基板上形成均匀的有机层图案。
图5至图7用于说明根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的制造方法的示意图。在图5至图7中示例性的示出的有机发光显示装置的制造方法中使用了具有与参考图1进行说明的供体基板100基本上相同或者基本上类似的构成的供体基板；但是应当理解：在图5至图7中示例性的示出的有机发光显示装置的制造方法中使用参考图2至图4进行说明的供体基板200、供体基板300、供体基板400，也可以得到具有基本上相同或者基本上类似的构成的有机发光显示装置。
如图5所示，可以将具有与参考图1进行说明的供体基板100基本上相同的构成的供体基板贴紧于有机发光显示装置的显示基板上。
在示例性的实施例中，所述显示基板可以包括：形成于基板510上的晶体管、第一层间绝缘膜550、第二层间绝缘膜555、第一电极560、像素限定膜570等。
根据示例性的实施例，在包含透明绝缘物质的基板510上可以形成包括沟道区域521、源区域523以及漏区域525的半导体图案520。可以通过使用非晶硅、包含杂质的非晶硅、多晶硅、包含杂质的多晶硅、半结晶硅和/或包括微结晶的硅等来形成半导体图案520。可以通过向半导体图案520的两侧注入杂质来形成源区域523和漏区域525；根据源区域523和漏区域525的形成，可以限定沟道区域521。
可以在基板510上形成覆盖半导体图案520的栅绝缘膜530之后在栅绝缘膜530上形成栅电极541。可以通过使用硅化合物和/或金属氧化物等来形成栅绝缘膜530，可以通过使用金属、合金、金属氮化物和/或导电性金属氧化物等来形成栅电极541。在栅绝缘膜530中，栅电极541可以设置于下部设置有沟道区域521的部分上。
栅绝缘膜530上可以形成有覆盖栅电极541的第一层间绝缘膜550。可以通过使用硅化合物来形成第一层间绝缘膜550。第一层间绝缘膜550上可以形成有贯通第一层间绝缘膜550和栅绝缘膜530从而与源区域523以及漏区域525接触的源电极543以及漏电极545。由此，基板510上可以提供有：如包括半导体图案520、栅绝缘膜530、栅电极541、源电极543和漏电极545的薄膜晶体管(TFT)等开关器件。源电极543和漏电极545分别可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物等而得以形成。
第一层间绝缘膜550上可以形成有覆盖源电极543和漏电极545的第二层间绝缘膜555。可以通过使用透明有机绝缘物质来形成第二层间绝缘膜555。为了后续形成的所述有机发光显示装置的组成要素，第二层间绝缘膜555可以具有基本上平坦的上面。
第二层间绝缘膜555上可以形成有贯通第二层间绝缘膜555而与漏电极545连接的第一电极560。第一电极560可以相当于所述有机发光显示装置的像素电极。根据所述有机发光显示装置的发光方式，可以使用具有反射性的物质或者透明导电性物质来形成第一电极560。
像素限定膜570可以形成于第一电极560的一部分之上。可以通过使用有机物质或者无机物质来形成像素限定膜570。所述有机发光显示装置的发光区域I可以限定于像素限定膜570上。即，被像素限定膜570所露出的部分的第一电极560可以相当于发光区域I。
再次参考图5，可以将所述供体基板和所述显示基板排列成使所述供体基板的有机转印层140与所述显示基板的像素限定膜570的上面接触。在这种情况下，由于像素限定膜570从发光区域I的第一电极560上突出，因此有机转印层140和第一电极560可以间隔有第一间隔D1。例如，当像素限定膜570的厚度约为1μm左右时，有机转印层140和第一电极560之间的第一间隔D1可以约为1μm左右。
如图6所示，可以向位于发光区域I上部的所述供体基板上照射激光。其中，激光被光热转换层120吸收并被转换为热量，从而可以将有机转印层140转印至发光区域I的第一电极上。当所述供体基板具有膨胀层150时，通过光热转换层120所吸收的热量，膨胀层150可以发生部分膨胀。例如，包含热膨胀系数相对大的热塑性树脂的膨胀层150在发光区域I上部发生膨胀，从而其厚度可以得以增加；由此有机转印层140和第一电极560之间的第一间隔D1的减少量相当于膨胀层150的厚度的增加量，从而可以减少为第二间隔D2。由于第二间隔D2比第一间隔D1实质上小，因此即使照射具有相对而言较小能量的激光，也可以有效地将有机转印层140向第一电极560上转印。另一方面，根据膨胀层150的热膨胀系数、厚度等和像素限定膜570的厚度来调节有机转印层140和第一电极560之间的间隔，则可以提高有机转印层140的转印效率。根据另一示例性的实施例，当所述供体基板包括用作抗静电部件的抗静电剂、抗静电层或者透明导电层等时，可以防止在所述供体基板上产生的静电，因此可以将有机转印层均匀地转印至第一电极560上。
如图7所示，可以将所述供体基板从所述显示基板分离出，从而可以在发光区域I的第一电极560和像素限定膜570的侧壁上形成有机层图案580。
在像素限定膜570和有机层图案580上形成第二电极590之后，在第二电极590上设置保护层(未图示)、上部基板等，从而可以制造所述有机发光显示装置。根据所述有机发光显示装置的发光方式，第二电极590也可以通过使用具有反射性的物质或者透明导电性物来得以形成。
根据本发明示例性的实施例的有机发光显示装置的制造方法中，可以使用具有膨胀层150的供体基板来形成有机层图案580。所述供体基板的有机转印层140中，在转印至第一电极560上的部分膨胀层150的厚度是增加的，因此可以减少有机转印层140和第一电极560之间的距离。由此可以从所述供体基板有效地分离出有机转印层140。并且，即使照射输出较小的激光，也可以转印有机转印层140，因此可以在第一电极560上有效地形成有机层图案580。另一方面，由于所述供体基板可以包括用作抗静电部件的抗静电剂、抗静电层或者透明导电层，因此可以防止在将所述供体基板的有机转印层向所述显示基板上转印的期间在所述供体基板产生的静电。从而可以由所述供体基板的有机转印层均匀地形成所述显示装置的有机层图案，因此可以改善所述有机层图案的发光特性，并且可以提高所述有机发光显示装置所显示的影像的质量。
以上，说明了本发明的示例性的实施例，但是所属技术领域的技术人员能够明白，在不脱离所述权利要求书中说明的本发明的技术思想和技术领域的范围内能够对本发明进行多种修改和变形。
工业可利用性
根据本发明的实施例，供体基板包括膨胀层、抗静电剂、抗静电层或者透明导电层，从而可以由所述供体基板的有机转印层在显示基板上有效且均匀地形成发光性质得以提高的有机层图案。包括这种有机层图案的有机发光显示装置可以呈现出质量改善的影像，因此可以适用于如HD电视、智能手机、移动通信器械等要求高分辨率影像的多种电子器械中。
Claims (27)
1.一种供体基板，包括：
衬底基板；
膨胀层，设置于所述衬底基板上；
光热转换层，设置于所述膨胀层上；
绝缘层，设置于所述光热转换层上；以及
有机转印层，设置于所述绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的供体基板，其特征在于，
所述膨胀层包含热膨胀系数在1.5×10-5/℃以上的物质。
3.根据权利要求2所述的供体基板，其特征在于，
所述膨胀层包含热塑性树脂。
4.根据权利要求3所述的供体基板，其特征在于，
所述膨胀层包含选自聚苯乙烯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丙酯、聚丙烯酸异丙酯、聚丙烯酸正丁酯、聚丙烯酸仲丁酯、聚丙烯酸异丁酯、聚丙烯酸叔丁酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸正丁酯、聚甲基丙烯酸正癸酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯以及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物中的任意一种。
5.根据权利要求3所述的供体基板，其特征在于，
所述衬底基板包含热塑性树脂，并且所述衬底基板和所述膨胀层形成为一体。
6.一种供体基板，包括：
衬底基板；
光热转换层，设置于所述衬底基板的第一面上；
绝缘层，设置于所述光热转换层上；
有机转印层，设置于所述绝缘层上；以及
抗静电部件，设置于所述衬底基板或所述绝缘层。
7.根据权利要求6所述的供体基板，其特征在于，
所述抗静电部件包含分散于所述衬底基板内的抗静电剂。
8.根据权利要求7所述的供体基板，其特征在于，
所述抗静电剂的含量为以所述衬底基板的重量为基准时的0.1％至2.0％。
9.根据权利要求7所述的供体基板，其特征在于，
所述抗静电剂包含选自甘油单体硬脂酸酯类抗静电物质、胺类抗静电物质以及具有磁性的金属氧化物的一种。
10.根据权利要求6所述的供体基板，其特征在于，所述抗静电部件包含分散于所述绝缘层内的抗静电剂。
11.根据权利要求6所述的供体基板，其特征在于，所述抗静电部件包括设置于所述衬底基板的第二面上的透明导电层。
12.根据权利要求11所述的供体基板，其特征在于，
所述透明导电层包含导电性金属氧化物或者传导性高分子物质。
13.根据权利要求12所述的供体基板，其特征在于，
所述透明导电层包含选自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)、锑锡氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铌氧化物、锌氧化物、镓氧化物、锡氧化物以及铟氧化物的一种。
14.一种供体基板的制造方法，包括：
形成衬底基板；
在所述衬底基板上形成膨胀层；
在所述膨胀层上形成光热转换层；
在所述光热转换层上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成有机转印层。
15.根据权利要求14所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
通过旋涂工序、狭缝涂布工序或者凹印涂布工序，将热塑性树脂涂覆于所述衬底基板上，从而形成所述膨胀层。
16.根据权利要求14所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
使用包含热塑性树脂的聚对苯二甲酸乙二酯树脂来形成所述膨胀层。
17.根据权利要求16所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
通过实施双轴拉伸工序来形成所述膨胀层。
18.一种供体基板的制造方法，包括：
形成衬底基板；
在所述衬底基板的第一面上形成光热转换层；
在所述光热转换层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成有机转印层；以及
在所述衬底基板或所述绝缘层或者所述衬底基板的第二面上形成抗静电部件。
19.根据权利要求18所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
形成所述抗静电部件的步骤包括将抗静电剂分散于所述衬底基板内。
20.根据权利要求18所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
形成所述抗静电部件的步骤包括将抗静电剂分散于所述绝缘层内。
21.根据权利要求18所述的供体基板的制造方法，其特征在于，
形成所述抗静电部件的步骤包括在所述衬底基板的第二面上形成透明导电层。
22.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成下部电极；
在所述下部电极上形成限定像素区域的像素限定膜；
形成供体基板，所述供体基板包括：
衬底基板；
膨胀层，形成于所述衬底基板上；
光热转换层，形成于所述膨胀层上；以及
有机转印层，形成于所述光热转换层上；
使所述有机转印层对应于所述基板的像素区域并且将所述供体基板贴合于所述基板；以及
向与所述像素区域对应的所述供体基板照射激光，从而由所述有机转印层在所述像素区域上形成有机层图案。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述供体基板还包括形成于所述光热转换层和所述有机转印层之间的绝缘层。
24.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成下部电极；
在所述下部电极上形成限定像素区域的像素限定膜；
形成供体基板，所述供体基板包括：
衬底基板；
光热转换层，形成于所述衬底基板的第一面上；
绝缘层，形成于所述光热转换层上；
有机转印层，形成于所述绝缘层上；以及
抗静电部件，形成于所述衬底基板或所述绝缘层或者所述衬
底基板的第二面；
使所述有机转印层对应于所述基板的像素区域并且将所述供体基板贴合于所述基板；以及
向与所述像素区域对应的所述供体基板照射激光，从而由所述有机转印层在所述像素区域上形成有机层图案。
25.根据权利要求24所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述抗静电部件包括形成于所述衬底基板的第二面上的透明导电层，。
26.根据权利要求24所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述抗静电部件包含分散于所述绝缘层内的抗静电剂。
27.根据权利要求24所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，
所述抗静电部件包含
分散于所述衬底基板内的抗静电剂。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20110071375A KR20130010624A (ko) | 2011-07-19 | 2011-07-19 | 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR10-2011-0071375 | 2011-07-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102891263A true CN102891263A (zh) | 2013-01-23 |
Family
ID=47534710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100846656A Pending CN102891263A (zh) | 2011-07-19 | 2012-03-27 | 供体基板及其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130023071A1 (zh) |
| KR (1) | KR20130010624A (zh) |
| CN (1) | CN102891263A (zh) |
| TW (1) | TW201306344A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104175738A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 三星显示有限公司 | 供体衬底及制造方法和使用供体衬底形成转印图案的方法 |
| CN104275955A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 供体膜及使用该供体膜的热成像方法 |
| CN107818756A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 传感器及其驱动方法、oled器件及显示装置 |
| CN108198955A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 全彩硅基oled微显示器件的真空贴合方法 |
| CN110893928A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 卡西欧计算机株式会社 | 立体造形物及其制造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102081209B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트 |
| US9324587B2 (en) * | 2014-02-19 | 2016-04-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for manufacturing semiconductor structure |
| KR101842763B1 (ko) * | 2016-03-11 | 2018-05-14 | 경희대학교 산학협력단 | 구리 나노구조물의 제조방법 |
| CN113644203B (zh) * | 2021-08-09 | 2024-02-27 | 天津大学 | 一种基于热塑性弹性体的有机太阳能电池及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1468910A (zh) * | 2002-06-12 | 2004-01-21 | ��˹���´﹫˾ | 针状基材上的导电聚合物 |
| CN1607880A (zh) * | 2003-08-18 | 2005-04-20 | 三星Sdi株式会社 | 全色有机电致发光显示器用的施主膜、制法和显示器 |
| US20050158930A1 (en) * | 2001-02-23 | 2005-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US20050164102A1 (en) * | 2002-05-13 | 2005-07-28 | Taylor Harvey W.Jr. | Imaging process and products providing durable assemblages |
| US20060043881A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Byung-Doo Chin | Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method of fabricating organic light emitting display device using the same |
| KR20060020042A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| CN1758818A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于激光转写的施主基板及制造有机发光显示器的方法 |
| US20070082288A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Wright Robin E | Radiation curable thermal transfer elements |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228555B1 (en) * | 1999-12-28 | 2001-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Thermal mass transfer donor element |
| KR100611767B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 필름을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| KR100667067B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
| CN100506553C (zh) * | 2004-10-20 | 2009-07-01 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于热转移的供体元件 |
| KR101009644B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 |
-
2011
- 2011-07-19 KR KR20110071375A patent/KR20130010624A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-03-27 CN CN2012100846656A patent/CN102891263A/zh active Pending
- 2012-04-17 US US13/449,264 patent/US20130023071A1/en not_active Abandoned
- 2012-05-24 TW TW101118549A patent/TW201306344A/zh unknown
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050158930A1 (en) * | 2001-02-23 | 2005-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US20050164102A1 (en) * | 2002-05-13 | 2005-07-28 | Taylor Harvey W.Jr. | Imaging process and products providing durable assemblages |
| CN1468910A (zh) * | 2002-06-12 | 2004-01-21 | ��˹���´﹫˾ | 针状基材上的导电聚合物 |
| CN1607880A (zh) * | 2003-08-18 | 2005-04-20 | 三星Sdi株式会社 | 全色有机电致发光显示器用的施主膜、制法和显示器 |
| US20060043881A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Byung-Doo Chin | Donor substrate for laser induced thermal imaging method and method of fabricating organic light emitting display device using the same |
| KR20060020042A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
| CN1758818A (zh) * | 2004-08-30 | 2006-04-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于激光转写的施主基板及制造有机发光显示器的方法 |
| US20070082288A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Wright Robin E | Radiation curable thermal transfer elements |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104175738A (zh) * | 2013-05-28 | 2014-12-03 | 三星显示有限公司 | 供体衬底及制造方法和使用供体衬底形成转印图案的方法 |
| CN104275955A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 三星显示有限公司 | 供体膜及使用该供体膜的热成像方法 |
| CN107818756A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 传感器及其驱动方法、oled器件及显示装置 |
| CN108198955A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-22 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 全彩硅基oled微显示器件的真空贴合方法 |
| CN110893928A (zh) * | 2018-09-13 | 2020-03-20 | 卡西欧计算机株式会社 | 立体造形物及其制造方法 |
| CN110893928B (zh) * | 2018-09-13 | 2021-09-28 | 卡西欧计算机株式会社 | 立体造形物及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201306344A (zh) | 2013-02-01 |
| US20130023071A1 (en) | 2013-01-24 |
| KR20130010624A (ko) | 2013-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102891263A (zh) | 供体基板及其制造方法以及有机发光显示装置的制造方法 | |
| CN100565962C (zh) | 小分子有机场致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN103972261B (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| KR101599575B1 (ko) | 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스, 및 그 제조 방법, 및 정공 주입 수송층 형성용 잉크 | |
| US7399536B2 (en) | Organic electroluminescent device driven at low voltage | |
| US10043869B2 (en) | Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same | |
| US20050208332A1 (en) | White-light-emitting organic electroluminescent device and organic electroluminescent display having the same | |
| CN101379884A (zh) | 有机电致发光元件 | |
| KR20030072355A (ko) | 유기층을 갖는 발광 소자 | |
| CN103137879A (zh) | 含有多层空穴传输层的有机发光二极管和平板显示装置 | |
| CN103360862A (zh) | 功能层形成用油墨、发光元件的制造方法、发光装置及电子设备 | |
| EP1943322A1 (en) | Organic electronic device | |
| CN102218870A (zh) | 用于激光诱致热成像方法的供体基板及其制造方法 | |
| CN103367650A (zh) | 发光元件及显示装置 | |
| CN104078485A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法及供体基底和供体基底组 | |
| TW200948178A (en) | Organic electroluminescence device and fabricating method thereof | |
| TWI511340B (zh) | Organic electroluminescent element and manufacturing method thereof | |
| CN106104840A (zh) | 制造堆叠的有机发光二极管的方法和设备及堆叠的oled装置 | |
| CN101894919A (zh) | 有机发光装置和制造该有机发光装置的方法 | |
| TW200950175A (en) | Organic electroluminescence device and method of fabricating the same, and illuminator | |
| CN104218049A (zh) | 有机发光显示装置及制造该有机发光显示装置的方法 | |
| CN105990529A (zh) | 有机发光器件 | |
| CN113555510A (zh) | 有机电致发光器件、显示面板及显示装置 | |
| TW201014451A (en) | Method for making an organic electroluminsecent element, light emitting device, and display device | |
| CN105265023B (zh) | 有机el显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20170721 |