CN102883116A - 低功耗emccd倍增信号驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。本发明通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,从而减小输出级的同时导通时间,增强驱动能力,有效降低驱动电路自身的功耗,解决EMCCD倍增信号驱动电路在高频率、高电压下的高功耗问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,属于CCD驱动技术领域。
背景技术
目前,用于EMCCD(电子倍增CCD,Electron Multiplying CCD)倍增信号驱动的方法多采用高速高压MOS管等分离器件构成专用驱动电路,但这种驱动电路存在功耗高、效率低等缺陷。传统的倍增信号驱动电路的电路如图1所示,该驱动方法采用单输入信号经放大增强后驱动输出级输出,但随着电压的升高,输出级的漏电流开始增大,驱动电路本身将产生很大的功耗。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法。
为解决上述技术问题,本发明提供一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。
所述输入信号由一锁相环输出两个具有相位差和不同占空比的信号。
所述输入信号通过门电路延迟和组合逻辑电路产生。
一原始输入信号经门电路延迟后,分别与原始输入信号通过与、或逻辑门,产生两个脉冲宽度不同的输入信号,即宽幅脉冲和窄幅脉冲。
所述NMOS管和PMOS管的漏极输出的信号驱动EMCCD。
所述输入信号经放大增强后驱动输出级。
所述输入信号经门电路放大增强后驱动输出级。
本发明所达到的有益效果:
本发明通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,从而减小输出级的同时导通时间,增强驱动能力,有效降低驱动电路自身的功耗,解决EMCCD倍增信号驱动电路在高频率、高电压下的高功耗问题。
附图说明
图1传统的EMCCD倍增信号驱动电路原理图;
图2 低功耗EMCCD倍增信号驱动原理图;
图3输入信号产生的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图2所示,本发明的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,利用不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,从而减小输出级的同时导通时间,增强驱动能力,有效降低驱动电路自身的功耗,可以通过分离器件实现,也可以集成到ASIC驱动电路中。
两个不同脉冲宽度、非交叠的输入信号由逻辑电路产生。两个输入信号分别经高速门电路增强驱动能力后,宽幅脉冲驱动输出级的PMOS管,窄幅脉冲驱动输出级的NMOS管。因此,PMOS管在NMOS管开启前关断,NMOS管关断后PMOS管再导通,从而实现低功耗EMCCD倍增信号驱动。
输入信号的产生,可以通过锁相环直接输出两路相应相位差、占空比的信号,也可以通过多级门电路延迟和组合逻辑电路产生两路脉冲宽度、非交叠的输入信号。
较佳的输入信号的产生电路如图3所示。输入信号经门电路1延迟后与原始信号通过与或关系即可分别通过与门2、或门3,产生一个宽幅脉冲和窄幅脉冲,作为信号驱动电路的输入。
输入信号产生后,经高速门电路增强驱动能力,分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。
2.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号由一锁相环输出两个具有相位差和不同占空比的信号。
3.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号通过门电路延迟和组合逻辑电路产生。
4.根据权利要求3所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,一原始输入信号经门电路延迟后,分别与原始输入信号通过与、或逻辑门,产生两个脉冲宽度不同的输入信号。
5.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述NMOS管和PMOS管的漏极输出的信号驱动EMCCD。
6.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经放大增强后驱动输出级。
7.根据权利要求6所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经门电路放大增强后驱动输出级。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN (1) | CN102883116A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117498854A (zh) * | 2023-09-20 | 2024-02-02 | 北京芯可鉴科技有限公司 | Igbt驱动电路及芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070229685A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Driving apparatus for solid-state image pickup element and driving method therefor |
CN102158661A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-08-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种emccd特有信号的驱动系统 |
CN102158658A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-08-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种实现emccd特有驱动信号的系统 |
CN102447849A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-05-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高压运放实现emccd信号驱动的系统 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070229685A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Driving apparatus for solid-state image pickup element and driving method therefor |
CN102158661A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-08-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种emccd特有信号的驱动系统 |
CN102158658A (zh) * | 2011-01-26 | 2011-08-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种实现emccd特有驱动信号的系统 |
CN102447849A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-05-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高压运放实现emccd信号驱动的系统 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117498854A (zh) * | 2023-09-20 | 2024-02-02 | 北京芯可鉴科技有限公司 | Igbt驱动电路及芯片 |
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