CN102870250A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种发光器件及其制造方法。所述发光器件包括有机发光二极管结构(10),包括具有至少一个第一无机层(31)、一个有机层(32)以及一个第二无机层(33)的光透射窗(30)的封装(20,30),所述有机层(32)包括嵌有第二组分的分散的第一有机组分的区域,所述第一和第二组分具有彼此不同的折射率,所述有机层(32)夹在所述第一和第二无机层(31,33)之间。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件。
本发明还涉及用于制造发光器件的方法。
背景技术
有机发光器件(“OLED”),包括聚合物和小分子OLED两者,它们是各种各样虚拟型和直观型显示器的潜在候选对象,例如笔记本电脑、电视、电子表、电话、寻呼机、移动电话、计算器等。与无机半导体发光器件不同,有机发光器件通常较简单,而且制造相对容易并且廉价。而且,OLED自身易于应用于需要广泛多样颜色的应用中,以及涉及较大面积器件的应用中。
当OLED发光层中电子和空穴结合产生光子时,OLED发光。导致在发光层中产生光子的结合的电子和空穴的百分比称为“内部电致发光量子效率”(internal electroluminescence quantum efficiency)。透射或“耦合”(coupled)到器件外面的产生的光子的百分比称为器件的“外部电致发光量子效率”(external electroluminescence quantum efficiency)或“外部耦合”(out-coupling)效率。模型预测仅约20%以下的产生的光子透射到器件外面。据认为,这至少部分是由于以下事实:通过OLED内界面处的内部反射将产生的光子捕获在OLED器件内,导致将光子波导在OLED内,并且由OLED吸收这些捕获的光子。吸收可以发生在OLED器件的任何部件中,如在ITO阳极层内或在基板内。当特定部件的折射率大于临近部件的折射率时,发生内部反射。这些现象导致外部电致发光量子效率下降,以及从器件表面向外延伸方向上的发光或亮度降低。
US 2003127973说明了配备有布置在活性区(有源区,active region)上和/或基板表面上的复合阻挡层(barrier layer)的OLED。所述复合阻挡层包括交替系列的一个或多个聚合物平面亚层以及一个或多个高密度亚层。所述至少一个聚合物平面亚层将微粒结合在其中。这优选包括与活性区最接近的聚合物平面亚层。这些微粒有效地增加了OLED的外部耦合效率。这些微粒优选地由透明材料组成,优选无极材料,如金属、金属氧化物,例如TiO2,或其他具有较高折射率的陶瓷材料,优选地,这些微粒可以具有大于约1.7的折射率。优选地,这些微粒显著地小于包括本发明的OLED器件的显示器中的任何活性区(有源区)或像素的最大尺寸。优选地,这些微粒可以具有大于由OLED产生的光的波长λ的尺寸。因此,优选地,这些微粒可以具有大于约0.4μm至0.7μm的粒径。优选地,这些微粒可以具有从约0.4μm至约10μm或更大范围的尺寸。微粒的存在降低了平面层的平坦化作用。
应当指出的是,US2009/302744A1公开了OLED器件及其制造方法。有机发光二极管元件布置在基板上。在具有有机发光二极管元件的基底上,布置了具有微透镜(micro-lens)部分的密封层,由此将有机发光二极管元件与外部的湿气和/或氧屏蔽开(shielding)。所述密封层是由包括液体预聚合物(pre-polymer)的预组分(pre-composition)形成的。在一个实施方式中,所述密封层夹在两个辅助密封层之间。辅助密封层可以是二氧化硅膜和氮化硅(膜),或其迭层之一。
应当进一步指出的是,在US2005/194896A1公开了具有由分散有其折射率与透明介质的折射率不同的细小透明物质的透明介质形成的光提取层(light extraction layer)的发光器件。
发明内容
本发明的一个目的是至少部分地克服现有技术的缺点。
根据本发明的第一方面,提供了一种发光器件,包括:
-有机发光二极管结构,
-包括具有至少一个第一无机层、一个有机层以及一个第二无机层的光透射窗(light-transmitting window)的封装,所述有机层包括嵌有第二组分的分散的第一有机组分的区域,所述第一和第二组分具有彼此不同的折射率,所述有机层夹在所述第一和第二无机层之间。
根据本发明的第二方面,提供了一种用于制造发光器件的方法,包括以下步骤:
-提供发光结构,
-提供封装,包括通过下面各项提供光透射窗的步骤:
-提供至少一个第一无机层,
-提供由具有彼此不同的折射率的至少一种第一和一种第二有机组分组成的有机层,其中所述至少第一组分分散为在复合有机层中嵌有至少第二组分的区域,
-固化所述有机层以及
-提供第二无机层。
鉴于下面讨论,所要求保护的器件和方法不是显而易见的。
因为从US2009/0302744中已知的OLED器件已经具有带有旨在提高光输出效率的微透镜部分的层,本领域技术人员没有动机使用如US2005/194896中公开的光提取层。
此外,根据后面专利公开的§218,219,所述光提取层的结构具有将光散射的作用。相反,US2009/0302744目的是避免模糊现象(影像位移现象,blurring phenomenon)。参见例如§50,51,55。因此,这些专利公开具有与其彼此冲突的教导内容,从而阻碍技术人员将US2005/194896的光提取层应用到US2009/0302744的器件上。
有机层典型地具有5μm至200μm之间的厚度。在实践中无机层显著地薄于有机层。显著地薄于5μm(例如,1μm)的有机层不能提供足够的平面化(平坦化,planarization)。显著地厚于200μm(例如,厚于500μm)的有机层可能导致不必要的辐射吸收。无机层典型地具有100nm至300nm范围的厚度。显著地薄于100nm(例如小于10nm)的无机层可能需要沉积高密度无机层,这需要专门的沉积技术。显著地厚于300nm(例如,厚于1000nm)的无机层的沉积可能需要不必要的长沉积时间,因为它对阻挡层结构的功能性提供了不显著的改善。此外,较厚的无机层对于阻挡层结构的半透明性是不利的。
可以通过制备将至少第一液体有机物质分散在至少一种第二液体有机物质中的分散体来得到具有嵌有第二组分的第一组分的分散区域的有机层,其中液体有机物质是互不混溶的,并且将所述分散体涂覆在至少一个第一无机层上。不混溶的有机物质被认为是基本上不溶于彼此中的有机物质。在该方法的这个实施方式中,在将第一有机物质涂覆在无机层上之前,例如,通过搅拌将第一有机物质分散在第二有机物质中。这具有以下优点:当形成分散体时,可以控制由所述第一组分形成的区域的平均尺寸以及由此带来的有机层的光学性质。有机层中两种互不混溶的物质可以包括一种极性有机物质和一种非极性物质。此外,两种或更多种有机物质可以存在于用于提供有机层的组分中。
在本方法的另一个实施方式中,固化有机层的步骤引起相分离,导致形成嵌有第二组分的第一组分的区域。在这种情况下,用于制备有机层的有机物质可以是相互混溶的。这具有以下优点:它们可以制备成可以立即用于该制造过程的稳定的混合物。该混合物甚至可以储存在用于涂覆(施加)有机层的印刷单元中,由此避免当不使用时清洗印刷单元的需要。当固化由E.Arévalo et al.“Epoxy/poly(benzyl methacrylate)blends:miscibility,phase separation on curing and morphology”,in Proceedings of the 8thPolymers for Advanced Technologies International Symposium,Budapest,Hungary,13-16 September 2005所描述时,这类可相互混溶的物质的实例导致形成彼此不同相的区域。
包括嵌有第二组分的分散的第一有机组分的区域,具有彼此不同折射率的第一和第二组分的有机层,引起从有机发光二极管结构中发出的辐射在这些组分的界面处被折射。另外地可以被全内部反射的反射的辐射现在分布在一定范围的角度上,使得它可以至少部分地通过光透射窗逸出。这种有机层的使用导致了OLED输出增强40%。通过应用具有散射颗粒的有机层的增强作用限于约25%,参见例如R.Bathelt et al.Organic Electronics 8(2007),p.p.293-299。
此外,一个优点是,由于使用的物质是有机物,分散体能够以液体形式使用。例如,这些物质可以处于溶解状态或熔融状态。可替代地,例如可以使用随后通过聚合作用进行固化的液体有机物质。如果希望的话,有机物质中的一种可以保持液体形式,就像在由其他物质形成的固态海洋中的岛。因为分散体能够以液体形式使用,与由固态颗粒组成的混合物相反,它可以容易地平面化(平坦化)。此外,使用分散体对于制造过程是有利的,例如,印刷,因为它较不易粘到制造机器上。
因而,互不混溶的有机材料的多种组合是已知的,特别是用于获得改善的机械性能,但是,它们作为阻挡层结构中一对无机层之间的有机层用来提高有机发光二极管的光外部耦合的用途至今是未知的。例如,EP0488374公开了包括环氧树脂以及固化剂的复合物,所述固化剂与浸渍有有机硅化合物的热塑性树脂混合,从而提供环氧树脂组合物,该环氧树脂组合物固化成具有改善的粘附性以及热冲击性的产物,并且适合封装半导体器件。EP0488374观察到“具有高玻璃化转变温度、低膨胀系数以及高抗裂性的环氧树脂组合物的获得,很大程度上是由于环氧硅树脂共聚物可与(可固化的)环氧树脂不混溶,但是假定在环氧树脂组合物中有海-岛结构。”
用于其间布置由至少两种互不混溶的透明有机物质的分散体组成的有机层的第一和第二无机层的适当材料包括,但不限于,金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、以及它们的组合。所述金属氧化物优选地选自氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铟、氧化锡、铟锡氧化物、氧化钽、氧化锆、氧化铌、以及它们的组合。所述金属氮化物优选地选自氮化铝、氮化硅、氮化硼、以及它们的组合。金属氮氧化物优选地选自氮氧化铝、氮氧化硅、氮氧化硼、以及它们的组合。在单侧发光器件(unilateral light-emitting device)中,可以将不透明的阻挡层用于器件的非发射侧。不透明阻挡层无机材料包括,但不限于,金属、陶瓷、聚合物、以及金属陶瓷。不透明金属陶瓷的实例包括,但不限于,氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氮化铌、二硅化钨、二硼化钛、以及二硼化锆。
应当指出的是,US7,109,651公开了包括至少一个有机层和一对电极的有机电致发光电池。所述有机层包括夹在该对电极之间的发光层。这对电极包括一个反射电极和一个透明电极。形成该有机电致发光电池用来满足表达式:B0<Bθ,其中B0是从光提取表面到观察者辐射的发光的前面亮度值,而Bθ是在从50DEG(度)至70DEG(度)的角度下发光的亮度值。提供了反射/折射角度干扰区域,从而当发光通过透明电极从发光层输出到观察者一侧时,发光的反射/折射角度被干扰。所述有机电致发光电池配备有用于干扰发光层与观察者一侧的输出介质之间的光的反射/折射角度的区域。在一个实施方式中,该区域包括微区(microdomains)的分散体。从微区分散/分布的观点看,优选例如带来相分离的组合。基于结合材料的相互溶解性可以控制所述分散/分布。可以使用适当的方法来进行相分离,例如将互不溶解的材料溶解在溶剂中的方法或当热溶解互不溶解的材料时混合互不溶解的材料的方法。US7109651并没有认识到该区域可以作为第一和第二无机层之间的平面层用于阻挡层结构中。
附图说明
参考附图,更细致地说明这些和其他方面。
其中:
图1显示根据本发明的第一方面,通过发光器件的第一实施方式的截面,
图2显示相应于根据图1中II-II的截面的SEM照片,
图2A更示意性地显示根据图1中II-II的截面,
图3显示相应于图1中截面II-II的AFM照片,
图3A是相应于图1中视图III的EEDX照片,
图4A、4B和4C说明了用于测量发光器件外部耦合效率的第一、第二和第三测量方式,
图5A至5L显示根据本发明的第二方面的方法的一个实施方式。
具体实施方式
在下面详细说明中,给出了多个具体详细说明以提供对本发明全面的理解。然而,本领域技术人员应当理解的是,没有这些具体详细说明,也可以实践本发明。在其他实例中,未详细说明熟知的方法、步骤以及组分,以不使本发明的多个方面不清楚。
以下,参考附图对本发明进行更充分地说明,在附图中显示了本发明的实施方式。然而,本发明能够以多种不同形式体现,并且不应理解成限于在此给出的实施方式。相反地,提供这些实施方式使得本公开可以是充分的和完整的,并且可以完全将本发明的范围传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚的目的,可能将层和区域的尺寸和相对尺寸放大。在此参考截面图对本发明的实施方式进行说明,这些截面图是本发明理想实施方式(以及中间结构)的示意性说明。这样,由于例如制造技术和/或公差(tolerances),这些图的形状的变化应当是希望的。因此,本发明的实施方式不应解释为限于在此说明的区域的特定形状,而是应该包括例如从制造得到的形状的偏差。因此,图中所示的这些区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在说明器件的区域的实际形状,也不旨在限制本发明的范围。
如在此使用的,给定材料的“层”包括与该材料的长度和宽度两者相比较,其厚度较小的材料的区域。层的实例包括薄片(sheet)、箔(foil)、薄膜(film)、分层(lamination)、涂层(coating)等等。如在此使用的,层不必是平的,而可以是例如弯曲的、折叠的或者另外地波状的(contoured),以便至少部分包封另一个组分。如在此使用的,层还可以包括多个亚层(sub-layer)。层还可以由离散部分(discrete portions)的集合组成,例如,包括单独像素的离散活性区的层。
图1显示包括有机发光二极管结构10的发光器件。所述发光二极管结构10由第一和第二阻挡层结构20,30封装。例如所述发光二极管结构随后包括以下的层,由具有约120nm厚度的铟锡氧化物(ITO)层、具有约100nm厚度的PEDOT层、具有80nm厚度的发光聚合物层(LEP)形成的阳极,以及具有钡亚层(5nm)和铝亚层(100nm)的阴极层。第一阻挡层结构20包括第一无机层21、有机层22以及第二无机层23。第二阻挡层结构30包括第一无机层31、有机层32以及第二无机层33。发光器件通过第一和第二中间层21,51安装在基板50上。如果希望的话,可以移开基板。
具有封装20,30的第一无机层31、有机层32以及第二无机层33的第二阻挡层结构30形成光透射窗口。第二阻挡层结构的有机层32由至少两种互不混溶的有机物质的分散体组成。在这个实例中,无机层31,33具有150nm的厚度,并且由SiN形成。有机层32具有100μm的厚度。
图2显示相应于根据图1的II-II,通过有机层32的截面的SEM照片。
在显示的这个实施方式中,分散体包括两种环氧硅树脂(90.5w%)和一种脂环族环氧树脂(7.5w%)的混合物。此外,分散体包括2w%的光引发剂。在这个组合物中,这两种硅环氧树脂是可混溶的(它们给出了清澈的溶液和薄膜),环氧树脂1不能与脂环族环氧树脂混溶(给出了白色溶液和薄膜),而环氧硅树脂2能够与脂环族环氧树脂混溶(给出了清澈的溶液和薄膜)。例如可以在欧洲专利申请10161452.7中找到适合用于生产有机层32的材料。
有机层中的透明有机物质形成具有彼此不同折射率的微米尺寸的相分离区域,使得光在这些相分离区域之间的界面处被折射。
也如在图2A中示意性地显示的,第一和第二有机物质形成具有岛相32a(图中深灰色)和海相32b(图中浅灰色)的海-岛结构。
图3显示有机层32的AFM照片。在这个照片中,仅显示岛相32a。从这个照片中可以清楚的是,岛相32a形成透镜样元件。
进行表面分析来确定有机层中多个相的组成。图3A说明了Si在层表面上的分布。其中,较亮的区域具有较高的Si含量,而较暗的区域具有较低的Si含量。
以质量百分比指示的针对岛相(ID1)和海相(ID2)元素C、O和Si的下面分布的更详细的测量,如下表中显示。
表1:在有机层的相中元素C、O和Si的分布
光谱 | C | O | Si |
ID1 | 54.33 | 29.51 | 16.15 |
ID2 | 37.38 | 35.25 | 27.36 |
从表中可以得出结论:与岛相相比较,海相是相对Si富集的。
将具有包括彼此不混溶的透明有机物质的分散体的有机层的发光器件的光输出改善与没有这样层的同样发光器件的光输出进行比较。还将光输出与具有可商购的、装备有微透镜的光外部耦合箔的发光器件的光输出进行比较。
将在色点A(colour point A)(暖白色)下具有非常好的均匀性的混合白色OLED用于测试。白色OLED(O)的光学输出在来自InstrumentSystems的50cm直径的积分球ISB 500中专用的底座(mount)上进行测量,并且用CAS 140B分光光度计进行分析。在平面的情况下,仅考虑来自OLED前面的辐射,来自侧面的发射被阻挡。为了获得射入基板中的光,将半球型大型提取器(half-sphere macro extractor)(直径100nm)附连到具有折射率匹配的液体的基板上。在平面(空白)情况下,在亮度约1000cd/m2下,在相同电流下,针对图4的所有3种测量模式,进行测量。图4A显示侧面封闭的平面模式。图4B显示具有表面散射结构(S)的模式,在此显示为在玻璃上或直接地在OLED上的波状层,而图4C显示具有半球型大型提取器(H)的测量装置。OLED的发射面积是10.65cm2。以相应的发光相对于未发射到侧面的空白参考的比例的形式给出改进。由此,以与参考的相对差的形式得到ILO(以%计)。外部耦合效率OE是在玻璃基板中耦合到空气中的光的百分率(用半球型大型提取器测量)。结果示于表2中。
表2:测量结果
在这个测量中,使用表示为JB2-10B的箔片,它具有与根据本发明的器件的第二阻挡层结构里的有机层相同的组分,光学地与糖水(n=1.4,但是为双折射的)或与折射率匹配的流体Cargille Series A;n=1.53附连;还使用来自3M的双面粘性箔,但是在0.7mm厚的浮法玻璃板的顶部。如在该表中可见,与参考情况的输出效率(52.3%)相比较,装备有箔片JB2-10B的OLED的输出效率显著地提高到约70%。这样得到的输出效率比得上可商购的使用微透镜的外部耦合箔片(outcouple foil)的输出效率。
图5A至图5L说明了制造根据本发明的器件的可能的方法。
在图5A中所示的步骤S1中,提供了基板50。根据本发明,该基板由无机材料制成。无机材料可以包括例如陶瓷材料、玻璃或金属。
在步骤5B中,将释放层(脱模层,release layer)51涂覆在基板50上。上述用于涂覆有机层的方法适用于这个目的。
释放层51可以包括基于聚合物的有机硅,如聚二甲基硅氧烷(PDMS),但是可替代地可以包括另一种成分,在制造过程中该成分提供工件在基板50上的足够的粘附力,但是一旦完成,允许容易地释放工件。出人意料地,用于OLED器件的活性层的材料,像PEDOT和LEP,也变成适用于这个目的。当从基板50释放最终产品时,释放层51可以与产品在一起,或者可以与基板50在一起。如果释放层51与基板50在一起,它可以再利用或移除。
在图5D至5F中对应地显示的步骤S3至S5中,将包括层21、22、23的第一阻挡层结构20,涂覆在释放层51上。在显示的这个实施方式中,这些步骤包括:
步骤S4,显示在图5D中,其中涂覆第一无机层22,
步骤S5,显示在图5E中,其中将第一有机层23涂覆在第一无机层22上,以及
步骤S6,显示在图5F中,其中将第二无机层24涂覆在第一有机层23上。
在这种情况下,一个另外的步骤S3在S4之前,显示在图5C中,其中将另外的有机层21涂覆在释放层51上,从而将第一无机层22涂覆在在该另外的有机层21上。
在步骤S7中,显示在图5G中,构建了有机发光二极管10。这样,其构造是技术人员熟知的,因此在此不详细说明。
在步骤S8至S11中,将第二阻挡层结构30涂覆在有机薄膜电子器件的顶部。
这些步骤包括:
步骤S8,显示在图5H中,其中涂覆第三无机层31,
步骤S9,显示在图5I中,其中将第二有机层32涂覆在第三无机层31上。将第二有机层32用作第一和第二彼此不混溶的透明有机物质的分散体。在这种分散体中,第一透明有机物质包括两种环氧硅树脂(90.5w%)的混合物并且第二透明有机物质是脂环族环氧树脂(7.5w%)。此外,分散体包括2w%的光引发剂。通过用磁力搅拌器(Heidolph MR Hei-End)在500rpm下搅拌约10min将这些组分同时混合。随后使用塑料移液管将该配制品(formulation)应用在棒式涂布机(RK Control coater)上,然后使用100微米线锭涂覆成薄膜。在搅拌之后,将具有较低硅含量的岛相32a良好地分布在具有较高硅含量的海相32b中。良好分布的岛相32a形成具有1至10μm范围直径的微透镜。通过搅拌更长时间,可以得到更良好的分布。搅拌较短时间,导致更差的分布(courser distribution)。
如图5J中所示,在下个步骤S10中,通过用提供3J/cm2辐射计量的UVA源辐射来固化所涂覆的有机层32。
在步骤S11中,显示在图5K中,将第四无机层33涂覆在第一有机层32上。
在随后的步骤S12中,显示在图2L中,从基板50释放在前面步骤中形成的产物。由此,得到如图1中所示的封装的电子器件。如图1A中所示,在单个基板50上可以构建更多的器件。
在上述制造方法中,可以通过所有类型的物理气相沉积方法(例如热蒸发、电子束蒸发、溅射、磁控管溅射、反应溅射、反应蒸发等)以及所有类型的化学气相沉积方法(例如热化学气相沉积(CVD)、光辅助化学气相沉积(PACVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等)来涂覆无机层。
可以通过所有类型的涂层技术(例如旋涂、狭缝式模头挤出涂覆(slot-die coating)、吻合涂布、热熔涂布、喷涂等)以及所有类型的印刷技术(例如喷墨印刷、凹版印刷、胶版印刷、丝网印刷、旋转丝网印刷等)来涂覆有机层。还可以通过这些方法之一来涂覆包括彼此不混溶的透明有机物质的分散体的第二有机层32。由此一个优点是,分散体不包括固体颗粒,从而抵消(阻碍,counteracted)了有机物质中组分的沉积作用。
为了清楚的目的,图中并未说明电子器件10如何电连接到外部导体上。优选地,例如,以具有位于随后的无机层24,21之间的钼涂层的铝导体的形式提供连接到电子器件上的电导体。其中的钼涂层用作粘附层。根据上述方法,可以将涂覆电导体的步骤应用在步骤S7与S8之间。在一个可替代的实施方式中,以后(例如,在步骤2K之后)提供与外部导体的电连接。这有可能通过穿过至少一个阻挡层朝向电子器件的电连接器钻相应的孔,并且用导电材料填充这些孔来实现。
尽管,在所示的实施方式中,从基板50释放发光器件,在另一个实施方式中,有可能将发光器件保持在基板上。在这种情况下,可以省略释释放51。也可以省略另外的有机层21。在一个实施方式中,第一阻挡层结构20可替代地或另外地配备有包括彼此不混溶的透明有机物质的分散体的有机层23。在又另一个实施方式中,阻挡层结构20被例如金属箔或玻璃板替换。
不必首先提供发光结构。在一个实施方式中,首先提供光透射窗,并且将发光结构应用在该光透射窗上。
应当理解的是,当用于本说明书中时,术语“包括”和/或“包括了”,是指存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或成分,但并不排除存在或添加一种或多种其他特征、整数、步骤、操作、元件、成分、和/或它们的组。在权利要求中,词语“包括”并不排除其他元件或步骤,并且不定冠词“一”或“一个”并不排除复数。一个单个成分或其他单元可以完成权利要求中所述的几个事物的功能。在彼此不同的权利要求中说明的某些措施的仅有的事实并不表明这些措施的组合不能用来产生益处。权利要求中的任何参考符号不应解释为限制范围。
此外,除非清楚地说明存在矛盾,否则“或”是指包括性的或,而不是排他性的或,例如,条件A或B满足下面任何一项:A是真(或存在)而B是假(或不存在),A是假(或不存在)而B是真(或存在),以及A和B都是真(或存在)。
Claims (10)
1.一种发光器件,包括
-有机发光二极管结构(10),
-包括具有至少一个第一无机层(31)、一个有机层(32)以及一个第二无机层(33)的光透射窗(30)的封装(20,30),所述有机层(32)包括嵌有第二组分(32b)的分散的第一有机组分(32a)的区域,所述第一和第二组分具有彼此不同的折射率,所述有机层(32)夹在所述第一和第二无机层(31,33)之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述区域(32a)形成透镜样元件。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述透镜样元件(32a)基本上具有0.5至20μm范围的直径,优选1至10μm。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述有机层(32)具有5至100μm之间的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述无机层(31,33)具有10至1000nm范围内的厚度。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其中所述无机层(31,33)具有100至300nm范围内的厚度。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述有机层包括以下有机物质:
-聚合物质A,选自(甲基)丙烯酸酯、环氧树脂、氧杂环丁烷
-聚合物质B,选自硅(甲基)丙烯酸酯、硅环氧树脂、氟化(甲基)丙烯酸酯、氟化环氧树脂,优选硅环氧树脂。
8.一种用于制造发光器件的方法,包括以下步骤:
-提供(S7)发光结构,
-提供封装,包括通过下面各项提供光透射窗的步骤,
-提供(S8)至少一个第一无机层,
-提供(S9)由具有彼此不同折射率的至少一种第一和一种第二有机组分组成的有机层,其中所述至少第一组分分散为在复合有机层中嵌有所述至少第二组分的区域,
-固化(S10)所述有机层以及
-提供(S11)第二无机层。
9.根据权利要求8所述的方法,其中提供有机层的步骤(S9)包括制备至少第一液体有机物质分散到至少一种第二液体有机物质中的分散体,所述液体有机物质互不混溶,并且将所述分散体应用在所述至少一个第一无机层上。
10.根据权利要求8所述的方法,其中固化所述有机层的步骤(S10)引起相分离,导致形成嵌有所述第二组分的第一组分的区域。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107195800A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-09-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 |
CN107331790A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法、oled显示装置 |
WO2018082168A1 (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法 |
US10305064B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-05-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN111466037A (zh) * | 2017-12-19 | 2020-07-28 | 科迪华公司 | 具有改进光输出耦合的发光装置 |
CN112310302A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 一种有机发光器件 |
CN115038727A (zh) * | 2020-02-07 | 2022-09-09 | 3M创新有限公司 | 用于形成光散射层的可固化组合物 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2924757A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-09-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Barrier film laminate and electronic device comprising such a laminate |
US10680194B2 (en) * | 2015-01-12 | 2020-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Transparent luminescent displays enabled by electric-field-induced quenching of photoluminescent pixels |
DE102015103742A1 (de) * | 2015-03-13 | 2016-09-15 | Osram Oled Gmbh | Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements |
KR101893245B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2018-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR101882559B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2018-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR101943689B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2019-01-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR101943688B1 (ko) | 2015-06-19 | 2019-01-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
KR102486876B1 (ko) | 2015-07-07 | 2023-01-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US10608205B2 (en) | 2016-03-07 | 2020-03-31 | Pioneer Corporation | Sealing structure and light emitting device |
CN105789257A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜封装结构及显示装置 |
JP6885055B2 (ja) | 2016-12-26 | 2021-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP7037034B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 充填材、樹脂組成物、パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
CN108630732B (zh) * | 2018-04-25 | 2020-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
US11156790B2 (en) * | 2018-06-07 | 2021-10-26 | University College Cork | Fiber-less photonic system in an integrated package |
WO2020039304A1 (en) | 2018-08-22 | 2020-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Curable compositions for forming light scattering layers |
US11953737B2 (en) * | 2020-05-01 | 2024-04-09 | Smiths Interconnect Canada Inc. | Systems and methods for coupling light |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1665361A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | 株式会社日立显示器 | 发光元件、发光型显示装置和照明装置 |
CN101218659A (zh) * | 2005-02-22 | 2008-07-09 | 康宁股份有限公司 | 提取光的耦合波导 |
US20080284320A1 (en) * | 2005-06-15 | 2008-11-20 | Braggone Oy | Optical Device Structure |
CN100457443C (zh) * | 2004-05-26 | 2009-02-04 | 日产化学工业株式会社 | 面发光体 |
US20090052195A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Fujifilm Corporation | Scattering member and organic electroluminescent display device using the same |
US20090302744A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display device and manufacturing method thereof |
CN101630720A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 富士胶片株式会社 | 发光装置及其制备方法 |
CN101647316A (zh) * | 2007-03-30 | 2010-02-10 | 松下电工株式会社 | 面发光体 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0747622B2 (ja) | 1990-11-30 | 1995-05-24 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
CA2353506A1 (en) | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
JP4399887B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2010-01-20 | 凸版印刷株式会社 | 反射型液晶表示装置用電極基板の製造方法およびそれを用いた反射型液晶表示装置用電極基板 |
US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US7233026B2 (en) | 2000-03-23 | 2007-06-19 | Emagin Corporation | Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices |
EP1419286A1 (en) * | 2001-08-20 | 2004-05-19 | Nova-Plasma Inc. | Coatings with low permeation of gases and vapors |
US7012363B2 (en) | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
TW576124B (en) | 2002-05-28 | 2004-02-11 | Ritdisplay Corp | Full color organic light-emitting display device |
TW587395B (en) | 2002-05-28 | 2004-05-11 | Ritdisplay Corp | Full color organic light-emitting display device |
US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
JP4350996B2 (ja) | 2002-11-26 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 |
WO2004084323A1 (de) | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische leuchtdiode mit verbesserter lichteffizienz |
US20050023974A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-03 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
KR20050029426A (ko) | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라필터층 또는 색변환층을 갖는 풀칼라 유기전계발광소자 |
US7052355B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
KR100556086B1 (ko) | 2003-11-15 | 2006-03-07 | 한국전자통신연구원 | 엔캡슐레이션된 유기 발광 디스플레이 판넬 및 그의 제작방법 |
EP1548856A3 (en) * | 2003-12-26 | 2012-08-08 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
US7733011B2 (en) | 2004-05-17 | 2010-06-08 | Thomson Licensing | Organic light-emitting diode with relief patterns |
KR20070085321A (ko) | 2004-10-12 | 2007-08-27 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 광원 |
KR100635575B1 (ko) | 2004-11-17 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
JP4736433B2 (ja) | 2005-01-11 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、その製造方法、画像形成装置、および画像読み取り装置 |
US7420323B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent apparatus having a structured luminescence conversion layer |
US7321193B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer |
US8330348B2 (en) | 2005-10-31 | 2012-12-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Structured luminescence conversion layer |
US20070201056A1 (en) | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Eastman Kodak Company | Light-scattering color-conversion material layer |
US7791271B2 (en) | 2006-02-24 | 2010-09-07 | Global Oled Technology Llc | Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion |
EP2091096A1 (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-19 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Encapsulated electronic device and method of manufacturing |
EP2281420B1 (en) * | 2008-04-09 | 2014-10-15 | Agency for Science, Technology And Research | Multilayer film for encapsulating oxygen and/or moisture sensitive electronic devices |
KR101002659B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5736033B2 (ja) | 2010-04-29 | 2015-06-17 | ハンツマン・アドヴァンスト・マテリアルズ・(スイッツランド)・ゲーエムベーハー | 硬化性組成物 |
EP2445028A1 (en) * | 2010-10-25 | 2012-04-25 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Opto-electric device and method of manufacturing an opto-electric device |
KR20120115841A (ko) * | 2011-04-11 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2010
- 2010-04-29 EP EP10161526A patent/EP2383817A1/en not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-04-26 TW TW100114374A patent/TWI556472B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-04-29 KR KR1020127031391A patent/KR101843481B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-29 CA CA2797840A patent/CA2797840A1/en not_active Abandoned
- 2011-04-29 US US13/643,153 patent/US9093666B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-29 JP JP2013507900A patent/JP5972260B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-29 MA MA35382A patent/MA34241B1/fr unknown
- 2011-04-29 WO PCT/NL2011/050294 patent/WO2011136653A1/en active Application Filing
- 2011-04-29 CN CN201180021214.1A patent/CN102870250B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-29 EP EP11720203A patent/EP2564444A1/en not_active Ceased
- 2011-04-29 SG SG2012080065A patent/SG185093A1/en unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1665361A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | 株式会社日立显示器 | 发光元件、发光型显示装置和照明装置 |
CN100457443C (zh) * | 2004-05-26 | 2009-02-04 | 日产化学工业株式会社 | 面发光体 |
CN101218659A (zh) * | 2005-02-22 | 2008-07-09 | 康宁股份有限公司 | 提取光的耦合波导 |
US20080284320A1 (en) * | 2005-06-15 | 2008-11-20 | Braggone Oy | Optical Device Structure |
CN101647316A (zh) * | 2007-03-30 | 2010-02-10 | 松下电工株式会社 | 面发光体 |
US20090052195A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Fujifilm Corporation | Scattering member and organic electroluminescent display device using the same |
US20090302744A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display device and manufacturing method thereof |
CN101630720A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 富士胶片株式会社 | 发光装置及其制备方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018082168A1 (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法 |
US10263215B2 (en) | 2016-11-07 | 2019-04-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | OLED device packaged by thin film and thin film packaging method of OLED device |
CN107195800A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-09-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 |
US10305064B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-05-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
CN107331790A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法、oled显示装置 |
CN111466037A (zh) * | 2017-12-19 | 2020-07-28 | 科迪华公司 | 具有改进光输出耦合的发光装置 |
CN112310302A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 陕西坤同半导体科技有限公司 | 一种有机发光器件 |
CN115038727A (zh) * | 2020-02-07 | 2022-09-09 | 3M创新有限公司 | 用于形成光散射层的可固化组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130207083A1 (en) | 2013-08-15 |
CA2797840A1 (en) | 2011-11-03 |
KR20130106767A (ko) | 2013-09-30 |
SG185093A1 (en) | 2012-12-28 |
MA34241B1 (fr) | 2013-05-02 |
KR101843481B1 (ko) | 2018-05-14 |
CN102870250B (zh) | 2017-04-05 |
TWI556472B (zh) | 2016-11-01 |
JP2013527570A (ja) | 2013-06-27 |
EP2383817A1 (en) | 2011-11-02 |
JP5972260B2 (ja) | 2016-08-17 |
EP2564444A1 (en) | 2013-03-06 |
WO2011136653A1 (en) | 2011-11-03 |
TW201205887A (en) | 2012-02-01 |
US9093666B2 (en) | 2015-07-28 |
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