CN102826844A - 一种超低温烧结微波介质材料 - Google Patents

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张兵
张曦
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Abstract

本发明提供一种超低温烧结微波介质材料,其组成式为:(Li0.5xBi1-0.5x)(MoXV1-X)O4,其中x=0.05-0.25,以Li2CO3、Bi2O3、MoO3、V2O5为原料并且纯度在99.9%以上;制备方法为:首先,采用球磨机将原料预混合,然后采用高能砂磨机进行分散及研磨,然后经干燥、煅烧合成相应的主晶相材料;然后,混合相应的主晶相材料,经研磨、喷雾造粒获得微波介质材料;优点是:能实现低温烧结,获得的微波介质陶瓷,既能实现常规谐振器、滤波器、双工器等微波元器件的制作,又符合制作片式微波器件、微波集成电路基片等,实现小型化要求。

Description

一种超低温烧结微波介质材料
技术领域
本发明涉及一种微波介质材料、制备方法及用途,特别涉及一种超低温烧结微波介质材料。 
背景技术
微波介质陶瓷是应用于微波频段(300MHz~300GHz)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷材料。用微波介质陶瓷制作的谐振器、滤波器、振荡器、衰减器、微波集成电路基片等元器件,在移动通讯、卫星通信、军用雷达、全球卫星定位系统、蓝牙技术、无线局域网等现代通信技术得到了广泛应用,而随着现代通信技术的飞速发展,小型化、轻量化的微波器件受到广泛的重视。为了减少微波器件的体积,适应通信系统小型化的要求,多层片式微波器件如滤波器、天线、双工器等研究开发日趋活跃,同时多层片式微波器件在网络无线接人、卫星定位系统等领域具有重要的应用前景。金属谐振腔构成的滤波器、微带线滤波器、块状介质滤波器等,在微波电路与系统中得到了广泛应用,但体积太大,不能适应小型化的要求。为实现移动通信终端电子产品进一步向短、小、轻、薄方向发展,以低温共烧陶瓷(low-temperatureco-fired ceramics,LTCC)技术为基础的多层片式元件是实现器件微型化的主要途径。微波元器件的片式化,要求微波介质材料必须具有较低的烧结温度,以便与熔点较低、电导率高的贱金属Cu(熔点1 080 ℃)或Ag(熔点960 ℃)的电极共烧。并且LTCC微波介质陶瓷能集成各种无源元件(如电阻、电容、电感等),因此,多种元器件的集成,可获得各种功能模块,以适应市场发展需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超低温烧结微波介质材料。
本发明的技术内容是:一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于组成式为: (Li0.5xBi1-0.5x)(MoXV1-X)O4,其中x=0.05-0.25。
原料为Li2CO3  0.0125-0.0625mol,Bi2O3  0.4375-0.4875mol, MoO0.05-0.25mol, V2O5 0.375-0.475mol,纯度在99.9%以上。
其制备方法包括如下步骤,1)将组成分原料,混合至少两种或两种以上,研磨、干燥并煅烧;2)将煅烧后的粉末或其余组成分一起混合、研磨、干燥、再煅烧等工艺,因此获得微波介质材料。
煅烧温度为550℃-650℃,最高温度保持2-3小时。
所述的微波介质材料,加入聚乙烯醇水溶液混合、造粒、压制、烧结获得微波介质陶瓷。
所述微波介质陶瓷在700-800℃烧结,并且在烧结的最高温度保持3-5小时。
所述微波介质陶瓷, 其介电常数在60-85之间,品质因素Q*f值在6500-9500之间,且频率温度系数τf为0±10ppm/℃,能与银或铜电极匹配共烧,且在烧结温度范围内与电极没有不良反应。
本发明的有益效果是:所述微波介质材料能实现低温烧结,获得的微波介质陶瓷,既能实现常规谐振器、滤波器、双工器等微波元器件的制作,又符合制作片式微波器件、微波集成电路基片等,实现小型化要求。
具体实施方式
因此,本发明一种超低温烧结微波介质材料, 其组成式为: (Li0.5xBi1-0.5x)(MoXV1-X)O4,其中x=0.05-0.25,以Li2CO3、Bi2O3、MoO3、V2O5为原料并且纯度在99.9%以上。
下面是对一种超低温烧结微波介质材料的制备方法进行说明。
首先,采用球磨机将原料预混合,然后采用高能砂磨机进行分散及研磨,然后经干燥、煅烧合成相应的主晶相材料。
然后,混合相应的主晶相材料,经研磨、喷雾造粒获得微波介质材料。
下面是对一种超低温烧结微波介质材料的检测、评价进行说明。
首先,将微波介质材料压制成一定规格的圆柱,然后在700-800℃烧结获得微波介质陶瓷,按如下方法进行检测、评价。
采用SEM扫描电镜,随机拍片4000倍,使用圆周-直径法测量照片上的晶粒尺寸,所有测量晶粒尺寸总数对测量晶粒数量总数的比值,即得平均晶粒尺寸。
采用网络分析仪及谐振腔体法,测试介质的谐振频率f、空载Q值,并通过软件计算获得介质的介电常数。
采用绝缘电阻仪,测试介质的绝缘电阻并通过计算获得介质的体积电阻率。
采用网络分析仪及谐振腔体法,测试介质的谐振频率f、有载Q值,并通过计算获得品质因素Qf值。
采用网络分析仪及谐振腔体法,测试介质在-40℃、25℃、85℃的谐振频率,计算相对25℃时振频率的变化率。
下面详细举例说明本发明微波介质材料。
首先,选择纯度在99.9%以上的Li2CO3、Bi2O3、MoO3、V2O5为原料,按组成式(Li0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4, 其中x=0.05-0.25,选择不同的配比,如表1所示。预先,采用球磨机将原料预混合,然后采用高能砂磨机进行分散及研磨,然后干燥, 然后在550℃-650℃煅烧合成相应的主晶相材料。然后,混合相应的主晶相材料,经研磨、喷雾造粒获得微波介质材料。
表1、原料配比
Figure 2012103269326100002DEST_PATH_IMAGE001
然后,将微波介质材料压制成一定规格的圆柱,然后,在760℃烧结,保温4小时,获得微波介质陶瓷, 然后检测介质陶瓷的各项性能,如表2所示。
编号 介电常数 体积电阻率ρ 品质因素Q*f 谐振频率温度系数τf,(ppm/℃)
1 70.5 >1013Ω.cm 9571 -4.8
2 72.6 >1013Ω.cm 9436 -3.9
3 73.9 >1013Ω.cm 9234 -2.7
4 75.2 >1013Ω.cm 9187 -1.1
5 78.6 >1013Ω.cm 9068 -0.3
6 80.1 >1013Ω.cm 8815 0.6
7 82.3 >1013Ω.cm 8763 1.9
8 81.1 >1013Ω.cm 8597 2.3
9 79.2 >1013Ω.cm 8412 2.8
10 77.9 >1013Ω.cm 8259 3.6
11 76.3 >1013Ω.cm 8017 3.9
12 74.6 >1013Ω.cm 7936 4.3
13 73.8 >1013Ω.cm 7849 4.9
14 72.8 >1013Ω.cm 7691 5.4
15 71.9 >1013Ω.cm 7518 5.8
16 70.3 >1013Ω.cm 7427 6.3
17 68.4 >1013Ω.cm 7319 6.9
18 67.9 >1013Ω.cm 7159 7.3
19 65.5 >1013Ω.cm 7038 7.9
20 63.1 >1013Ω.cm 6821 8.7
21 61.3 >1013Ω.cm 6659 9.6
从表2,本发明一种超低温烧结微波介质材料, 在760℃烧结,保温4小时,获得优良微波介质陶瓷, 其介电常数在60-85之间,品质因素Q*f值在6500-9500之间,且频率温度系数τf满足0±10ppm/℃。

Claims (7)

1.一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于组成式为: (Li0.5xBi1-0.5x)(MoXV1-X)O4,其中x=0.05-0.25。
2.根据权利要求1所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:原料为Li2CO3  0.0125-0.0625mol,Bi2O3  0.4375-0.4875mol,MoO30.05-0.25mol,V2O5 0.375-0.475mol,纯度在99.9%以上。
3.根据权利要求1所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:其制备方法包括如下步骤,1)将组成分原料,混合至少两种或两种以上,研磨、干燥并煅烧;2)将煅烧后的粉末或其余组成分一起混合、研磨、干燥、再煅烧等工艺,因此获得微波介质材料。
4.根据权利要求3所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:煅烧温度为550℃-650℃,最高温度保持2-3小时。
5.根据权利要求1所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:所述的微波介质材料,加入聚乙烯醇水溶液混合、造粒、压制、烧结获得微波介质陶瓷。
6.根据权利要求5所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:所述微波介质陶瓷在700-800℃烧结,并且在烧结的最高温度保持3-5小时。
7.根据权利要求5所述的一种超低温烧结微波介质材料,其特征在于:所述微波介质陶瓷, 其介电常数在60-85之间,品质因素Q*f值在6500-9500之间,且频率温度系数τf为0±10ppm/℃,能与银或铜电极匹配共烧,且在烧结温度范围内与电极没有不良反应。
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