CN102810504A - 厚铝生长工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种厚铝生长工艺方法，其包括如下步骤：(1)在晶片上进行Ti/TIN淀积以形成底层；(2)在底层上淀积一定厚度的铝膜；(3)将晶片移动并冷却；(4)重复(2)、(3)步骤N次(N＞1)直至铝膜达到要求的厚度；(5)将晶片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层；(6)进行晶片冷却。本发明将原来的厚铝生长工艺分为多步，可以在不增加外部设备的情况下有效地控制腔体温度的上升，另外，让晶片在生长一定厚度后移动一下，更不容易产生粘片。

Description

厚铝生长工艺方法
技术领域
本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种厚铝生长工艺方法。
背景技术
半导体产品中，功率器件一般使用厚铝作为顶层布线。目前一般采用如图1所示的厚铝生长工艺方法来完成厚铝生长，并且在现有的工艺中，一般淀积方式是不出工艺腔体连续成膜。在淀积过程中，由于腔体内的直流电源长时间开启来轰击靶材，导致腔体的温度不断升高。一旦温度超过机台设定的范围机台将报警，从而导致晶片工艺停止。更为重要的是，若晶片工艺停止后再次开启，厚铝的生长方式可能会发生异常，有可能会导致布线的短路，从而影响产品的成品率和可靠性。并且，厚铝在较高的温度下生长还容易发生粘片，这将导致晶片的报废甚至机台的故障。目前一般采用在晶片工艺结束后加入冷水将热量带走，但是这样需要提前准备冷水，并且巨大的温差将影响机台内管道的使用寿命。
为了解决上述问题，很有必要提供一种改进的厚铝生长工艺方法。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种改进的厚铝生长工艺方法，能有效控制厚铝生长过程中腔体内的温度。
本发明的目的通过提供以下技术方案实现：一种厚铝生长工艺方法，其包括如下步骤：(1)在晶片上进行Ti/TIN淀积以形成底层；(2)在底层上淀积一定厚度的铝膜；(3)将晶片移动并冷却；(4)重复(2)、(3)步骤N次(N＞1)直至铝膜达到要求的厚度；(5)将晶片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层；(6)进行晶片冷却。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：将原来的厚铝生长工艺分为多步，可以在不增加外部设备的情况下有效地控制腔体温度的上升，另外，让晶片在生长一定厚度后移动一下，更不容易产生粘片。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明：
图1是目前厚铝生长工艺方法的实施方法示意图。
图2是本发明厚铝生长工艺方法的实施方法示意图。
具体实施方式
以下参照附图用优选实施方式来说明本发明的实现过程和本质内容所在。
如图2所示，本发明的厚铝生长工艺方法包括如下步骤：晶片进入机台腔体后首先在晶片上先后进行Ti/TIN淀积以形成底层，然后在晶片的底层上淀积一部分厚度的铝膜，将淀积了一部分厚度的铝膜的晶片进行移动并冷却，之后再次在晶片上淀积一部分厚度的铝膜，该步骤可以重复N次(N＞1)直到铝膜厚度达到要求，然后将形成厚铝的硅片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层，最后再进行晶片冷却。
本发明将原来的厚铝生长工艺拆成两步或多部，其中在分成两步时即N＝2时，整个厚铝生长工艺效率最高。本发明不需要外加任何外部设备，可以有效地控制腔体温度的上升，使工艺温度更趋于稳定。另外，让晶片在生长一定厚度后移动一下，更不容易产生粘片。
尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。

Claims (2)

1.一种厚铝生长工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在晶片上进行Ti/TIN淀积以形成底层；
(2)在底层上淀积一定厚度的铝膜；
(3)将晶片移动并冷却；
(4)重复(2)、(3)步骤N次(N＞1)直至铝膜达到要求的厚度；
(5)将晶片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层；
(6)进行晶片冷却。
2.如权利要求1所述的厚铝生长工艺方法，其特征在于：N＝2。
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