CN204131473U - 一种高精密度石英晶片溅镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高精密度石英晶片溅镀装置，它包括两个相连的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2），溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）相连处设置有一隔板（3），隔板（3）上开设有一通孔（4），通孔（4）的大小允许溅镀夹具（5）通过，溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）内均充满氩气，所述的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）内均设置有电场发生器（6）和磁场发生器（7），所述的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）上均设置有靶材（8）。本实用新型的有益效果是：通过调整在不同溅镀腔体的速度来控制镀层厚度，使石英晶体两面溅镀镀层厚度不同，从而达到经过后期离子蚀刻工艺后石英晶体两面镀层厚度一致的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及溅镀装置，特别是一种高精密度石英晶片溅镀装置。
背景技术
现有的石英晶体谐振器生产过程中，石英晶片镀膜时将镀膜腔充满氩气，在高电场的激发下，通过磁场的引导氩离子轰击在靶材上形成原子自由溅射，靶材原子溅射粘附在晶片表面即完成电镀。
上述传统的石英晶片溅镀方法中，石英晶片双面电镀是在同一个电磁场环境下进行，通过石英晶片溅镀夹具移动速度控制镀层厚度，所以石英晶片的两个表面的镀层厚度相同。但是在晶体振荡器生产的后续工艺中，需要通过离子蚀刻的方法对晶片一侧的电极进行蚀刻，通过调节镀层厚度的方法校准晶体振荡器的最终频率。在离子蚀刻工艺后会造成晶体两个表面的镀层厚度不一致，从而对晶体后续的电性测试参数和温频特性造成影响。
所以，传统的石英晶片电镀方法，都存在石英晶片两表面镀层会不一致的情况，导致石英晶片在后续电性测试中存在以下缺陷：
1、 石英晶片两表面镀层厚度不一致，因为靶材和石英晶片成分及膨胀系数不同导致的在晶体振荡器在不同的温度下的频率表现会不一致。
2、 因为石英晶片两侧镀层厚度相同，所以在离子蚀刻进行频率调节时频率调节范围会受到影响，调节能力较弱。因为镀层有极限厚度的要求，镀层厚度过薄时会影响到晶体的电性特性。
以上几种缺陷可导致产品的报废及人工成本增加，更有可能导致石英晶体谐振器在使用过程中频率和温频特性发生偏移，影响客户需求量量及公司信誉。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种高精密度石英晶片溅镀装置。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种高精密度石英晶片溅镀装置，它包括两个相连的溅镀腔体A和溅镀腔体B，溅镀腔体A和溅镀腔体B相连处设置有一隔板，隔板将溅镀腔体A和溅镀腔体B隔开，所述的隔板上开设有一通孔，通孔的大小允许溅镀夹具通过，溅镀腔体A和溅镀腔体B内均充满氩气，所述的溅镀腔体A和溅镀腔体B内均设置有电场发生器和磁场发生器，电场和磁场分别充满对应的溅镀腔体A和溅镀腔体B，所述的溅镀腔体A和溅镀腔体B上均设置有靶材。
所述的溅镀腔体A上的靶材位于溅镀腔体A的上中央。
所述的溅镀腔体B上的靶材位于溅镀腔体B的下中央。
所述的靶材为铜材。
本实用新型具有以下优点：本实用新型采用两个独立溅镀腔体对石英晶体的两个表面实行分阶段的溅镀，通过对石英晶片溅镀夹具移动速度的控制，调节石英晶片两个表面的镀层厚度。从而使离子蚀刻后石英晶体两个表面的厚度一致，使其电性特性及温频特性相较于之前电镀方法有了提高。另外因为对晶片镀层较厚的镀层进行频率离子蚀刻调节所以频率可调节范围也比之前扩大。对于减少镀层厚度节约成本的需求打好基础。
附图说明
图1 为本实用新型的结构示意图
图中，1-溅镀腔体A，2-溅镀腔体B，3-隔板，4-通孔，5-溅镀夹具，6-电场发生器，7-磁场发生器，8-靶材。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，本实用新型的保护范围不局限于以下所述：
如图1所示，一种高精密度石英晶片溅镀装置，它包括两个相连的溅镀腔体A1和溅镀腔体B2，溅镀腔体A1和溅镀腔体B2相连处设置有一隔板3，隔板3将溅镀腔体A1和溅镀腔体B2隔开，所述的隔板3上开设有一通孔4，通孔4的大小允许溅镀夹具5通过，放置在溅镀夹具5上的石英晶片在通过溅镀腔体A1和溅镀腔体B2时，实现石英晶片分段电镀，溅镀腔体A1和溅镀腔体B2内均充满氩气，所述的溅镀腔体A1和溅镀腔体B2内均设置有电场发生器6和磁场发生器7，电场和磁场分别充满对应的溅镀腔体A1和溅镀腔体B2，所述的溅镀腔体A1和溅镀腔体B2上均设置有靶材8，其中溅镀腔体A1上的靶材8位于溅镀腔体A1的上中央，溅镀腔体B2上的靶材8位于溅镀腔体B2的下中央，在本实施例中的靶材8为铜材，石英晶体放置在溅镀夹具5上，溅镀夹具按照计算出的不同速度依次通过溅镀腔体A1和溅镀腔体B2，通过调整溅镀夹具的速度来控制镀层厚度，使石英晶片两面溅镀层厚度不同，从而达到经过后期离子蚀刻工艺后石英晶体两面镀层厚度一致的目的。
Claims (4)
1.一种高精密度石英晶片溅镀装置，其特征在于：它包括两个相连的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2），溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）相连处设置有一隔板（3），隔板（3）将溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）隔开，所述的隔板（3）上开设有一通孔（4），通孔（4）的大小允许溅镀夹具（5）通过，溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）内均充满氩气，所述的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）内均设置有电场发生器（6）和磁场发生器（7），电场和磁场分别充满对应的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2），所述的溅镀腔体A（1）和溅镀腔体B（2）上均设置有靶材（8）。
2.根据权利要求1所述的一种高精密度石英晶片溅镀装置，其特征在于：所述的溅镀腔体A（1）上的靶材（8）位于溅镀腔体A（1）的上中央。
3.根据权利要求1所述的一种高精密度石英晶片溅镀装置，其特征在于：所述的溅镀腔体B（2）上的靶材（8）位于溅镀腔体B（2）的下中央。
4.根据权利要求1所述的一种高精密度石英晶片溅镀装置，其特征在于：所述的靶材（8）为铜材。
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| CN201420573418.7U CN204131473U (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种高精密度石英晶片溅镀装置 |
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| CN (1) | CN204131473U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111074227A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-28 | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法 |
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2014
- 2014-09-30 CN CN201420573418.7U patent/CN204131473U/zh not_active Expired - Fee Related
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