CN101452846B - 厚铝成膜工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种厚铝成膜工艺方法，在厚铝成膜过程中，包括以下步骤：在硅片上淀积一部分厚度的铝膜；将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却；将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜；多次重复上述淀积、冷却过程，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。采用该方法能降低厚铝成膜须状缺陷。

Description

厚铝成膜工艺方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种厚铝成膜工艺方法。
背景技术
半导体产品中，功率器件一般使用厚铝(一般2个微米以上)作为顶层布线。现有的工艺中，一般淀积方式是不出工艺腔连续成膜。在淀积过程中，由于氩离子对靶材的轰击而产生的能量随着粒子到达硅片表面，使硅片的温度升高。淀积的膜厚越厚，硅片温度越高。这时铝膜内的能量很高，如果得不到有效而及时的释放，就会通过铝的异常生长的方式释放能量，这种异常生长就是须状缺陷(whisker)。由于须状缺陷可能导致布线的短路，所以会影响产品的成品率和可靠性。厚铝成膜产生须状缺陷(whisker)的问题一直是工艺中比较难以解决的问题，业界一般做法是通过降低功率解决，这样会大大降低生产吞吐量，而且效果不够理想。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种厚铝成膜工艺方法，采用该方法能降低厚铝成膜须状缺陷。
为解决上述技术问题，本发明的厚铝成膜工艺方法，采用的技术方案是，在厚铝成膜过程中，包括以下步骤：
(1)在硅片上淀积一部分厚度的铝膜；
(2)将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却；
(3)将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜；
(4)多次重复上述淀积、冷却过程，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。
本发明的厚铝成膜工艺方法，分多次成膜，中间到冷却腔冷却，从而充分释放铝膜的能量，避免因铝膜内的能量过高得不到有效而及时的释放而异常生长须状缺陷，降低了须状缺陷的产生，可以使须状缺陷较常规厚铝成膜工艺减少数量90％。
附图说明
下面结合附图及具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明的厚铝成膜工艺方法的一实施方式示意图；
图2是本发明的厚铝成膜工艺方法的一实施例示意图。
具体实施方式
本发明的厚铝成膜工艺方法的一实施方式如图1所示，在厚铝成膜过程中，首先在硅片上淀积一部分厚度的铝膜(通常为掺有少量铜的铝铜合金)，然后将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却，再将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。
本发明的一实施例如图2所示，硅片经过载入载出腔11进入Endura5500设备后，到对准腔12对准。再到一个铝铜淀积腔13淀积一半的铝铜合金，然后进入冷却腔14冷却约1分钟，随后到另外一个铝铜淀积腔13继续淀积铝铜合金到要求的厚度。
上述为一具体实施例，也可以利用厚铝成膜设备的铝铜淀积腔和冷却腔进行多次淀积、冷却最终形成要求厚度的厚铝膜。
本发明的厚铝成膜工艺方法，分多次成膜，中间到冷却腔冷却，从而充分释放铝膜的能量，避免因铝膜内的能量过高得不到有效而及时的释放而异常生长须状缺陷，降低了须状缺陷的产生，可以使须状缺陷较常规厚铝成膜工艺减少数量90％。

Claims (2)

1.一种厚铝成膜工艺方法，其特征在于，在厚铝成膜过程中，包括以下步骤：
(1)在硅片上淀积一部分厚度的铝膜；
(2)将已淀积了一部分厚度铝膜的硅片送到冷却腔冷却；
(3)将冷却后的已淀积了一部分厚度铝膜的硅片继续淀积铝膜；
(4)多次重复上述淀积、冷却过程，最终在硅片上形成要求厚度的铝膜。
2.根据权利要求1所述的厚铝成膜工艺方法，其特征在于，先淀积要求厚度的一半厚度的铝膜，然后进入冷却腔冷却，再淀积另外一半厚度的铝膜在硅片上形成要求厚度的铝膜。
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