CN109576646B - 一种镀膜装置和镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种镀膜装置和镀膜方法。本发明提供的镀膜装置，包括镀膜腔室和基板，所述镀膜腔室包括：至少两个加热区；所述基板依序通过所述至少两个加热区；其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。本发明所提供的镀膜装置，解决了铜铟镓硒薄膜受限于浮法玻璃玻璃化转变温度的限制，铜铟镓硒薄膜结晶性不佳的问题，实现了非均匀加热，提高了铜铟镓硒薄膜的性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种镀膜装置和镀膜方法。
背景技术
铜铟镓硒薄膜太阳能电池由于其具有光电转换效率高，弱光性能好和温度系数低等优良性能，得到了广泛关注和研究，并已初步实现了产业化，是最具有潜力的薄膜太阳能电池之一。铜铟镓硒作为电池的核心吸收层，其制备工艺是得到高性能铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的最核心技术。目前铜铟镓硒薄膜太阳能电池的基底主要有不锈钢、聚酰亚胺薄膜和浮法玻璃等，其中浮法玻璃由于其低廉的价格和玻璃光伏组件的普适性，成为了目前大规模产业化生产和应用的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件最主要的基板材料。
共蒸发方法是制备高质量铜铟镓硒吸收层的主流方法之一。生产线利用共蒸发方法制备铜铟镓硒的主要过程是：镀有金属钼层的浮法玻璃通过自动线或者传输轮传动，由外部(可以是其它工艺腔室)传输至铜铟镓硒镀膜设备，铜铟镓硒镀膜设备是一个高真空、高温设备，设备由多个腔室构成。浮法玻璃基板首先传输通过一些非镀膜腔室，逐渐加热基板至镀膜温度，然后基板被传输至镀膜腔室。镀膜腔室中，铜、铟、镓、硒四种物质利用电阻加热至熔化并持续产生蒸发。基片流经镀膜腔室时，蒸发出来的铜、铟、镓、硒粒子不断发生碰撞、化合，并在基板钼层表面发生沉积、化合，形成铜铟镓硒薄膜材料。最后镀有铜铟镓硒薄膜材料的浮法玻璃基板传输出镀膜腔室，逐渐降温并传输出整个铜铟镓硒镀膜设备，完成铜铟镓硒薄膜制备。
目前铜铟镓硒薄膜太阳能电池选用浮法玻璃作为基底，浮法玻璃由于其成分和制备工艺决定了其玻璃化转变温度为550±20℃，如果长时间处于玻璃化转变温度以上，浮法玻璃很容易发生软化，受重力作用产生形变，影响铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的后续生产工艺和最终的电池组件性能。另外，生产线上铜铟镓硒镀膜设备的镀膜腔室通常只有一个，而且铜铟镓硒薄膜的生长需要一定的时间(10-25min)，因此生产线制备铜铟镓硒的温度只能控制在低于550℃的温度条件，即低于浮法玻璃基底的玻璃化转变温度，否则很容易造成浮法玻璃基板形变，严重影响组件制备工艺和性能。因此，铜铟镓硒薄膜受限于浮法玻璃玻璃化转变温度的限制，铜铟镓硒薄膜存在结晶性不佳的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中，铜铟镓硒薄膜受限于浮法玻璃玻璃化转变温度的限制，铜铟镓硒薄膜结晶性不佳的问题，进而提供一种镀膜装置和镀膜方法。该装置通过在镀膜腔室的加热区域增加高温加热区域，实现非均匀加热，从而达到改善铜铟镓硒薄膜性能的目的。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种镀膜装置，包括镀膜腔室和基板，所述镀膜腔室包括：至少两个加热区；所述基板依序通过所述至少两个加热区；
其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；
所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。
可选地，所述低温加热区至少两个，且所述高温加热区设置于至少两个所述低温加热区之间。
可选地，所述高温加热区包括：第一高温加热区和第二高温加热区，所述第一高温加热区的镀膜温度高于所述第二高温加热区的镀膜温度。
可选地，所述高温加热区的长度小于所述低温加热区的长度。
可选地，所述高温加热区与所述低温加热区之间安装有隔热板，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。
可选地，所述镀膜腔室的加热区内的边缘区域设置辅助加热装置。
可选地，所述镀膜腔室为铜铟镓硒镀膜腔室，所述基板为浮法玻璃。
可选地，所述高温加热区的镀膜温度为600-650℃。
可选地，所述第一高温加热区的镀膜温度为600-650℃；所述第二高温加热区的镀膜温度为550-600℃。
本发明还提供一种镀膜方法，包括：将基板依次通过镀膜腔室内的至少两个加热区，以在所述基板上镀膜；
其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；
所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。
本发明的有益效果：
本发明所提供的镀膜装置，首创性地改进铜铟镓硒镀膜腔室的加热方式，将现有技术中镀膜腔室单一的加热方式，变为多组加热方式，也即将镀膜腔室分为至少两个加热区；所述基板依序通过所述至少两个加热区；其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。通过上述设置解决了铜铟镓硒薄膜受限于浮法玻璃玻璃化转变温度的限制，铜铟镓硒薄膜结晶性不佳的问题，实现了非均匀加热，提高了铜铟镓硒薄膜的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明镀膜腔室加热区示意图。
图2为浮法玻璃基板制备铜铟镓硒薄膜过程中的温度变化示意图。
图1中，1、第一加热区，2、第二加热区，3、第三加热区。
具体实施方式
提供下述实施例是为了更好地进一步理解本发明，并不局限于所述最佳实施方式，不对本发明的内容和保护范围构成限制，任何人在本发明的启示下或是将本发明与其他现有技术的特征进行组合而得出的任何与本发明相同或相近似的产品，均落在本发明的保护范围之内。
实施例中未注明具体实验步骤或条件者，按照本领域内的文献所描述的常规实验步骤的操作或条件即可进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规试剂产品。
考虑铜铟镓硒薄膜的生长需要较高的工艺温度，600-650℃温度区间内制备的铜铟镓硒薄膜性能要比500-550℃制备的薄膜质量更高，本发明实施例提供了一种用于改善铜铟镓硒薄膜的性能的镀膜装置。
本发明实施例提供的一种镀膜装置，包括镀膜腔室和基板，所述镀膜腔室包括：至少两个加热区；所述基板依序通过所述至少两个加热区；
其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；
所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。
可选地，高温加热区的镀膜温度高于基板的玻璃化转变温度50-100℃，低温加热区的镀膜温度低于基板的玻璃化转变温度1-70℃。
本发明实施例提供的镀膜装置，通过在镀膜腔室内增加镀膜温度高于基板的玻璃化转变温度的高温加热区，实现了基板非均匀加热，提高了铜铟镓硒薄膜的性能。
可选地，所述低温加热区至少两个，且所述高温加热区设置于至少两个所述低温加热区之间。例如，低温加热区有两个：第一加热区和第三加热区，高温加热区有一个：第二加热区。这样，基板可以依次通过第一加热区、第二加热区和第三加热区。通过第三加热区的设置，可以使基板由第二加热区的高温状态过渡到低温加热区的低温状态，便于控制基板处于高温状态的时间，以进一步提高铜铟镓硒薄膜的性能。
本发明的一些实施例中，所述高温加热区包括：第一高温加热区和第二高温加热区，所述第一高温加热区的镀膜温度高于所述第二高温加热区的镀膜温度。
本发明的一些实施例中，镀膜腔室内包括两个低温加热区：第一加热区和第三加热区，两个高温加热区：第二加热区和第四加热区。其中，第二加热区为第一高温加热区，第四加热区为第二高温加热区；第二加热区的镀膜温度高于第四加热区的镀膜温度。这样，基板可以依次通过第一加热区、第二加热区、第四加热区和第三加热区。通过设置不同镀膜温度的高温加热区，可实现高温镀膜的温度过渡，进一步提高铜铟镓硒薄膜的性能。
本发明的一些实施例中，第一高温加热区位于多个第二高温加热区之间。例如，镀膜腔室内包括一个第一高温加热区和两个第二高温加热区，其中，一个第一高温加热区位于两个第二高温加热区之间。
一方面，考虑基板长时间处于高于玻璃化转变温度的环境中会存在变形，另一方面，考虑腔室内基板的运行速度和镀膜时间的稳定，因此，为了控制基板处于高温状态的时间，可以通过高温加热区的长度控制来实现。
本发明的一些实施例中，为了避免基板长时间处于高温状态，所述高温加热区的长度小于所述低温加热区的长度。关于高温加热区的长度的具体设置可根据实际情况调整，本申请不做具体限定。
可选地，所述高温加热区的长度占镀膜腔室内所有高温加热区和低温加热区的总长度的7-13％；所述基板的运动速率为30-40cm/min。
为减少高温加热区对低温加热区的温度影响，可选地，本发明的一些实施例中，所述高温加热区与所述低温加热区之间安装有隔热板，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。
为了实现镀膜腔室内在各个加热区的均匀加热，可选地，本发明的一些实施例中，镀膜腔室的加热区内的边缘区域设置辅助加热装置。
本发明的一些实施例中，镀膜装置适用于铜铟镓硒薄膜的形成，所述镀膜腔室为铜铟镓硒镀膜腔室，所述基板为浮法玻璃。
考虑浮法玻璃的玻璃化转变温度，所述高温加热区的镀膜温度为600-650℃。
本发明的一些实施例中，所述第一高温加热区的镀膜温度为600-650℃；所述第二高温加热区的镀膜温度为550-600℃。
基于上述镀膜装置，本发明实施例还提供了一种镀膜方法，包括：将基板依次通过镀膜腔室内的至少两个加热区，以在所述基板上镀膜。其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。
以下将以不同的实施例来说明本发明的方案。
本发明实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的镀膜方法，包括如下步骤：将基板依次通过镀膜腔室的第一加热区、第二加热区和第三加热区，以在所述基板上镀膜；
所述第二加热区的温度高于所述第一加热区和第三加热区的温度。
本发明所提供的改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，首创性地改进铜铟镓硒镀膜腔室的加热方式，将现有技术中镀膜腔室单一的加热方式，变为多组加热方式；同时，第二加热区的温度高于第一加热区和第三加热区的温度，也即通过增加高温加热区(即第二加热区)，实现非均匀加热，提高了铜铟镓硒薄膜的性能。
可选地，所述基板在所述第二加热区的温度高于所述基板的玻璃化转变温度；
所述基板在所述第一加热区和第三加热区的温度均低于所述基板的玻璃化转变温度。
可选地，所述基板在第二加热区的温度高于所述基板的玻璃化转变温度50-100℃；
所述基板在第一加热区和第三加热区的温度均低于所述基板的玻璃化转变温度1-70℃。
本发明通过控制基板在第二加热区的温度高于基板的玻璃化转变温度，并且控制基板在第一加热区和第三加热区的温度均低于基板的玻璃化转变温度，进一步地，基板在第二加热区的温度高于基板的玻璃化转变温度50-100℃，基板在第一加热区和第三加热区的温度均低于基板的玻璃化转变温度1-70℃，这样可使基板只有在第二加热区内温度发生短时间快速上升，但在其它区域温度尽量维持稳定，减少基板(如浮法玻璃基板)处于高温状态的时间，从而减弱基板因温度升高所带来的形变。
可选地，所述第二加热区内的加热功率为3000-4000W；
所述第一加热区的加热功率为2000-2500W；
所述第三加热区的加热功率为2000-2500W。
本发明通过将第二加热区的加热功率设置为3000-4000W，可实现短时间高温加热，使该区域温度达到600-650℃，从而短时间增加基板温度至该温度，最终提高铜铟镓硒薄膜的结晶质量。
可选地，沿基板运动方向，所述第二加热区的长度占所述第一加热区、第二加热区和第三加热区总长度的7-13％；
所述基板的运动速率为30-40cm/min。
本发明通过优化第二加热区的长度占第一加热区、第二加热区和第三加热区总长度的比例及基板的运动速率，能进一步地保证铜铟镓硒薄膜有效的结晶时间，提高薄膜结晶质量。
在本发明中所述基板包括但不限于浮法玻璃基板，此外所述基板还可为钠钙玻璃基板。
可选地，所述基板为浮法玻璃，
可选地，所述第二加热区的温度为600-650℃。
可选地，所述第三加热区的温度低于所述第一加热区的温度；
可选地，所述第一加热区的温度为500-549℃；
可选地，所述第三加热区的温度为480-530℃。
当所述基板为浮法玻璃时，通过优化第一加热区、第二加热区和第三加热区的温度，使得浮法玻璃基板只有在第二加热区内温度发生短时间快速上升，但在其它区域温度尽量维持稳定，减少了浮法玻璃基板处于高温状态的时间，从而减弱浮法玻璃基板因温度升高所带来的形变。克服了目前生产线制备铜铟镓硒薄膜受限于浮法玻璃玻璃转化温度的限制，只能使用550℃以下的温度制备铜铟镓硒薄膜，无法改善铜铟镓硒结晶性能的现状。
可选地，所述相邻加热区之间安装有隔热板，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。所述隔热板可以采用钼热反射板和碳碳复合纤维材料制成。所述隔热板安装在不同加热区之间，以减少第二加热区对第一加热区域和第三加热区的热扩散。具体的所述隔热板安装在第一加热区和第二加热区的交界处，和/或，第二加热区和第三加热区的交界处。
本发明所述镀膜腔室的加热区至少为三个，但不限于三个。当本发明所述加热区为三个以上加热区时，则在镀膜腔室加热区中间设置多组高温加热区，沿基板运动方向，各组高温加热区的加热温度逐渐降低，以减弱因温度骤降对基板造成的影响(如应力等的变化)。例如当本发明所述镀膜腔室的加热区为四个时，沿基板运动方向，依次为第一加热区、第二加热区、第四加热区和第三加热区，此时，所述第一加热区的温度为500-549℃，所述第二加热区的温度为600-650℃，所述第四加热区的温度为550-600℃，所述第三加热区的温度为480-530℃。如此设置使得基板在经过短时间高温加热之后，温度可以缓慢降低，减弱了因温度骤降对基板造成的影响(如应力等的变化)。
可选地，所述镀膜腔室的加热区内设置加热装置，所述加热装置侧壁设置辅助加热装置。所述加热装置可位于镀膜腔室的中间位置，也可偏离镀膜腔室的中间位置，其加热装置的加热功率受加热装置的种类和安装位置等原因的影响，以实现基板温度位于加热区设定温度为原则。所述辅助加热装置位于镀膜腔室的两侧，通过单独控制辅助加热装置的加热温度，以减少因镀膜腔室两侧基板温度的降低对基板玻璃的影响。
本发明所述基板在传输过程中，其传输速度可以是匀速的也可以是非匀速的。基板在传输过程中可利用测温装置(如在基板不同位置粘贴热电偶，并连接数据记录仪(datalogger))测量并记录基板在镀膜腔室传输过程中不同位置的温度变化。然后根据基板温度的变化来调整各个加热装置的加热功率，使得基板在每个加热区的温度分布基本保持一致。
本发明还提供一种镀膜装置，包括镀膜腔室，沿基板运动方向，所述镀膜腔室内依次设置第一加热区、第二加热区和第三加热区。
可选地，所述第二加热区的长度占所述第一加热区、第二加热区和第三加热区总长度的7-13％。
可选地，所述相邻加热区之间安装有隔热板，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。
可选地，所述镀膜腔室的加热区至少为三个。
可选地，所述镀膜腔室的加热区内设置加热装置，所述加热装置侧壁设置辅助加热装置。
实施例一：
本实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，如图1所示，包括如下步骤：将浮法玻璃基板依次通过镀膜腔室的第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3，以在所述基板上镀膜；
所述第一加热区1的加热功率为2000W；
所述第二加热区内2的加热功率为3000W；
所述第三加热区3的加热功率为2000W；
所述第一加热区1的温度为500℃；
所述第二加热区2的温度为600℃；
所述第三加热区3的温度为480℃；
沿基板运动方向，所述第二加热区2的长度占所述第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3总长度的13％；
所述基板的运动速率为30cm/min。
浮法玻璃基板只有在第二加热区2及其附近，其温度会发生短时间的快速上升，但在第一和第三加热区，其温度波动不大，减少了浮法玻璃基板处于高温状态的时间，减弱了浮法玻璃因为温度升高带来的形变。
经测试，通过本实施例方法处理得到的铜铟镓硒薄膜，相比于现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜(现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜的方法为：将浮法玻璃基板通过镀膜腔室的加热区，以在所述基板上镀膜，该加热区的加热功率为2000W，温度为500℃，所述基板在加热区的运动速率为30cm/min)，其最终使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率提高0.22％。
如图2所示，图2为浮法玻璃基板制备铜铟镓硒薄膜过程中的温度变化示意图，可见浮法玻璃基板仅在中间相对短的时间内温度高于玻璃化转变温度，不会明显加剧浮法玻璃弯曲形变。
实施例二：
本实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，包括如下步骤：将浮法玻璃基板依次通过镀膜腔室的第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3，以在所述基板上镀膜；
所述第一加热区1的加热功率为2500W；
所述第二加热区内2的加热功率为4000W；
所述第三加热区3的加热功率为2500W；
所述第一加热区1的温度为549℃；
所述第二加热区2的温度为650℃；
所述第三加热区3的温度为530℃；
沿基板运动方向，所述第二加热区2的长度占所述第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3总长度的7％；
所述基板的运动速率为40cm/min。
经测试，通过本实施例方法处理得到的铜铟镓硒薄膜，相比于现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜(现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜的方法为：将浮法玻璃基板通过镀膜腔室的加热区，以在所述基板上镀膜，该加热区的加热功率为2500W，温度为549℃，所述基板在加热区的运动速率为40cm/min)，其最终使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率提高0.34％。
实施例三：
本实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，包括如下步骤：将浮法玻璃基板依次通过镀膜腔室的第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3，以在所述基板上镀膜；
所述第一加热区1的加热功率为2300W；
所述第二加热区内2的加热功率为3600W；
所述第三加热区3的加热功率为2350W；
所述第一加热区1的温度为530℃；
所述第二加热区2的温度为620℃；
所述第三加热区3的温度为520℃；
沿基板运动方向，所述第二加热区2的长度占所述第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3总长度的10％；
所述基板的运动速率为35cm/min。
经测试，通过本实施例方法处理得到的铜铟镓硒薄膜，相比于现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜(现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜的方法为：将浮法玻璃基板通过镀膜腔室的加热区，以在所述基板上镀膜，该加热区的加热功率为2300W，温度为530℃，所述基板在加热区的运动速率为35cm/min)，其最终使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率提高0.44％。
实施例四：
本实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，包括如下步骤：将浮法玻璃基板依次通过镀膜腔室的第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3，以在所述基板上镀膜；
所述第一加热区1的加热功率为2300W；
所述第二加热区内2的加热功率为3600W；
所述第三加热区3的加热功率为2100W；
所述第一加热区1的温度为530℃；
所述第二加热区2的温度为620℃；
所述第三加热区3的温度为500℃；
沿基板运动方向，所述第二加热区2的长度占所述第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3总长度的10％；
所述基板的运动速率为35cm/min。
所述相邻加热区之间安装有隔热板，以减少第二加热区2由于温度高对两边加热区产生的影响，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。
经测试，通过本实施例方法处理得到的铜铟镓硒薄膜，相比于现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜(现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜的方法为：将浮法玻璃基板通过镀膜腔室的加热区，以在所述基板上镀膜，该加热区的加热功率为2300W，温度为530℃，所述基板在加热区的运动速率为35cm/min)，其最终使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率提高0.48％。
实施例五：
本实施例提供一种改善铜铟镓硒薄膜性能的方法，包括如下步骤：将浮法玻璃基板依次通过镀膜腔室的第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3，以在所述基板上镀膜；
所述第一加热区1的加热功率为2300W；
所述第二加热区内2的加热功率为3600W；
所述第三加热区3的加热功率为2350W；
所述第一加热区1的温度为530℃；
所述第二加热区2的温度为620℃；
所述第三加热区3的温度为520℃；
沿基板运动方向，所述第二加热区2的长度占所述第一加热区1、第二加热区2和第三加热区3总长度的10％；
所述基板的运动速率为40cm/min。
所述镀膜腔室的加热区内设置加热装置，所述加热装置侧壁设置辅助加热装置。
经测试，通过本实施例方法处理得到的铜铟镓硒薄膜，相比于现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜(现有技术中使用单一加热区对基板进行加热处理得到的铜铟镓硒薄膜的方法为：将浮法玻璃基板通过镀膜腔室的加热区，以在所述基板上镀膜，该加热区的加热功率为2300W，温度为530℃，所述基板在加热区的运动速率为40cm/min)，其最终使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率提高0.45％。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (4)
1.一种镀膜装置，包括镀膜腔室和基板，其特征在于，所述镀膜腔室包括：至少两个加热区；所述基板依序通过所述至少两个加热区；其中，至少一个加热区为高温加热区，至少一个加热区为低温加热区；所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度；
所述低温加热区至少两个，且所述高温加热区设置于至少两个所述低温加热区之间；
所述高温加热区包括：第一高温加热区和第二高温加热区，所述第一高温加热区的镀膜温度高于所述第二高温加热区的镀膜温度；
所述高温加热区的长度小于所述低温加热区的长度；
所述镀膜腔室为铜铟镓硒镀膜腔室，所述基板为浮法玻璃；
所述第一高温加热区的镀膜温度为600-650℃；所述第二高温加热区的镀膜温度为550-600℃；
镀膜腔室内包括两个低温加热区：第一加热区和第三加 热区，两个高温加热区：第二加热区和第四加热区；其中，第二加热区为第一高温加热区，第 四加热区为第二高温加热区；第二加热区的镀膜温度高于第四加热区的镀膜温度；基板依次通过第一加热区、第二加热区、第四加热区和第三加热区。
2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述高温加热区与所述低温加热区之间安装有隔热板，所述隔热板下部开设用于所述基板通过的通道。
3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜腔室的加热区内的边缘区域设置辅助加热装置。
4.一种镀膜方法，采用如权利要求1所述的镀膜装置，其特征在于，包括：将基板依次通过镀膜腔室内的至少两个加热区，以在所述基板上镀膜；其中，至少一个加热区为低温加热区；
所述低温加热区至少两个，且所述高温加热区设置于至少两个所述低温加热区之间；所述高温加热区包括：第一高温加热区和第二高温加热区，所述第一高温加热区的镀膜温度高于所述第二高温加热区的镀膜温度；所述高温加热区的镀膜温度高于所述基板的玻璃化转变温度；所述低温加热区的镀膜温度低于所述基板的玻璃化转变温度。
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