CN102751239A - 通孔优先铜互连制作方法 - Google Patents

通孔优先铜互连制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102751239A
CN102751239A CN2012102645420A CN201210264542A CN102751239A CN 102751239 A CN102751239 A CN 102751239A CN 2012102645420 A CN2012102645420 A CN 2012102645420A CN 201210264542 A CN201210264542 A CN 201210264542A CN 102751239 A CN102751239 A CN 102751239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
copper
manufacture method
dielectric layer
connection manufacture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012102645420A
Other languages
English (en)
Inventor
毛智彪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2012102645420A priority Critical patent/CN102751239A/zh
Publication of CN102751239A publication Critical patent/CN102751239A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

一种通孔优先铜互连制作方法，包括：在衬底上沉积介质层，以及在该介质层上涂布能够形成硬膜的第一光刻胶，并在该第一光刻胶中形成通孔结构；在该第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料以固化所述通孔结构，并加热使该化学微缩材料与第一光刻胶表面反应，在该第一光刻胶表面形成隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶，其中，上述隔离膜不溶于该第二光刻胶，在该第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构；将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中；继续后续的导线金属和通孔金属填充。本发明利用可形成硬膜的光刻胶材料，减少了一步刻蚀步骤，大大地减少了制作成本，有效地提高了产能。

Description

通孔优先铜互连制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺，且特别涉及通孔优先铜互连制作方法。
背景技术
随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小。进入到130纳米技术节点之后，由于受到铝的高电阻特性的限制，铜互连技术逐渐替代铝互连成为金属互连的主流。由于铜硬度较大，干法刻蚀工艺不易实现，制作铜导线无法像制作铝导线那样通过刻蚀金属层而实现。现在广泛采用的铜导线的制作方法是称作大马士革工艺的镶嵌技术。
大马士革工艺镶嵌结构的铜互连可以通过多种工艺方法实现。其中，通孔优先的双大马士革工艺是实现通孔和金属导线铜填充一次成形的方法之一。在该工艺中，参考图1，首先，在衬底硅片101上沉积具有低介电系数(k)值的介质层102，并在该低k值的介质层102上涂布第一光刻胶103；接着，参考图2，通过第一光刻和刻蚀，在上述低k值介质层102中形成通孔104结构；接下来，参考图3，在该低k值介质层102上涂布第二光刻胶105；接着，参考图4，通过第二光刻和刻蚀，在上述低k值介质层102的通孔104结构上形成金属槽106结构。最后，参考图5，继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨等工艺，以完成导线金属107和通孔金属108的填充。
在器件尺寸微缩进入到32纳米技术节点后，单次光刻曝光无法满足制作密集线阵列图形所需的分辨率，继而双重图形(doublepatterning)成形技术被大量研究并广泛应用于制作32纳米以下技术节点的密集线阵列图形。在该双重图形成形技术中，首先，参考图6，在需要制作密集线阵列图形的衬底硅片201上，沉积衬底膜209和硬掩膜210，然后涂布第一光刻胶203；参考图7，通过曝光、显影、刻蚀后，在硬掩膜210中形成第一光刻图形211，其中，线条和沟槽的特征尺寸比例为1:3。接着，参考图8，在硅片201上涂布第二光刻胶205，并参考图9，通过曝光和显影，在第二光刻胶205膜中形成第二光刻图形212，其中，线条和沟槽的特征尺寸比例也是1:3，但位置与第一光刻图形211交错。参考图10，继续刻蚀在衬底硅片201上形成与第一光刻图形211交错的第二光刻图形212。第一光刻图形211与第二光刻图形211的组合组成了目标线条和沟槽特征尺寸比例为1:1的密集线阵列图形。
然而，由于双重图形成形工艺过程中需要进行两次光刻和刻蚀，即光刻---刻蚀---光刻---刻蚀，其成本远远大于传统的单次曝光成形技术。此外，应用双重图形成形技术实现通孔优先双大马士革金属互联工艺时，必须分别进行通孔光刻---通孔刻蚀---沟槽光刻---沟槽刻蚀，既增加了工艺成本，也减少了生产产出量。
发明内容
本发明提供了一种通孔优先铜互连制作方法，通过减少了双大马士革金属互连的工艺中的刻蚀步骤，从而降低制作成本以及提高产能。
为了实现上述技术目的，本发明提出一种通孔优先铜互连制作方法，其中包括：在衬底硅片上沉积介质层，并在所述介质层上涂布第一光刻胶，以及在所述第一光刻胶中形成通孔结构，所述第一光刻胶能够形成硬膜；在同一显影机台内，在所述第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料使得所述第一光刻胶中的通孔结构固化，并通过加热使所述化学微缩材料与所述第一光刻胶表面反应，从而在所述第一光刻胶表面形成隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶，其中，上述步骤所形成的隔离膜不溶于所述第二光刻胶，并在所述第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构；通过刻蚀，将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中；继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺，以完成导线金属和通孔金属填充。
可选的，所述介质层具有低介电常数。
可选的，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5：1。
可选的，所述第一光刻胶采用含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷之一或组合的光刻胶。
可选的，所述化学微缩材料为含烷基氨基的高分子材料。
可选的，所述化学微缩材料为含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
可选的，所述加热的温度为80摄氏度至180摄氏度之间的任一值。
可选的，所述加热的温度为90摄氏度至170摄氏度之间的任一值。
可选的，生成隔离膜之后，通过去离子水或表面活性剂的去离子水溶液将多余的化学微缩材料去除。
相较于现有技术，本发明通孔优先铜互连制作方法利用可形成硬膜的光刻胶材料，减少了双大马士革金属互连的工艺中的刻蚀步骤，并且将通孔刻蚀和沟槽刻蚀两道工序结合成一道工序，不仅大大地减少了制作成本，还有效地提高了产能。
附图说明
图1至图5为现有通孔优先双大马士革工艺制作过程中器件的剖面示意图；
图6至图10为现有双重图形成形技术制作密集线阵列图形过程中器件的剖面示意图；
图11为本发明通孔优先铜互连制作方法实施方式的流程示意图；
图12至图18为本发明通孔优先铜互连制作方法一种具体实施方式过程中器件的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合具体实施例和附图，对本发明通孔优先铜互连制作方法进行详细阐述。
参考图11，本发明提供了一种通孔优先铜互连制作方法，包括：
步骤S1，在衬底硅片上沉积介质层，并在所述介质层上涂布第一光刻胶，以及在所述第一光刻胶中形成通孔结构，所述第一光刻胶能够形成硬膜；
步骤S2，在同一显影机台内，在所述第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料使得所述第一光刻胶中的通孔结构固化，并通过加热使所述化学微缩材料与所述第一光刻胶表面反应，从而在所述第一光刻胶表面形成隔离膜；
步骤S3，在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶，其中，上述步骤所形成的隔离膜不溶于所述第二光刻胶，并在所述第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构；
步骤S4，通过刻蚀，将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中；
步骤S5，继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺，以完成导线金属和通孔金属填充。
在本发明通孔优先铜互连制作方法的一种具体实施方式中，参考图12，首先，在衬底硅片301上沉积介质层302，该介质层302具有低介电常数。
接着，在该介质层302上涂布可形成硬膜的第一光刻胶303。其中，所述第一光刻胶303的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。在具体实施例中，所述第一光刻胶303可采用例如，含硅烷基(silyl)、硅烷氧基(siloxyl)和笼形硅氧烷(silsesquioxane)之一或组合的光刻胶。
接着，参考图13，通过曝光和显影，在该第一光刻胶303中形成通孔结构304。
接着，参考图14，在同一显影机台内，在第一光刻胶303上涂布化学微缩材料使得第一光刻胶303中的通孔结构304固化，该化学微缩材料可为含烷基氨基的高分子材料。在具体实施例中，该化学微缩材料可为含烷基氨基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
接下来，进行加热使得所述化学微缩材料与第一光刻胶303表面产生反应，以形成隔离膜313，该隔离膜313不溶于后续涂布的第二光刻胶。其中，加热的温度可为80摄氏度至180摄氏度之间的任意值。在具体的实施例中，加热的温度范围可在90摄氏度至170摄氏度之间。
生成隔离膜313之后，可通过去离子水或表面活性剂的去离子水溶液将多余的化学微缩材料去除。
接着，参考图15，在固化后的第一光刻胶303上涂布第二光刻胶305。其中，所述第二光刻胶305的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。
接着，参考图16，通过曝光和显影工艺，在所述第二光刻胶305中形成沟槽结构306，所述沟槽结构306位于所述通孔结构304的上层。
接着，参考图17，通过刻蚀工艺，将所述通孔结构304和沟槽结构306转移到介质层302中。
最后，参考图18，继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺，完成导线金属307和通孔金属308的填充。
相较于现有技术，本发明采用了可形成硬膜的光刻胶材料作为第一光刻胶，并在第一光刻胶表面通过涂布化学微缩材料并加热以形成隔离膜的方式，减少了双大马士革金属互连的工艺中的刻蚀步骤，有效地将通孔刻蚀和沟槽刻蚀两道工序结合成一道工序，不仅大大地减少了制作成本，还有效地提高了产能。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (9)

1.一种通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，包括：
在衬底硅片上沉积介质层，并在所述介质层上涂布第一光刻胶，以及在所述第一光刻胶中形成通孔结构，所述第一光刻胶能够形成硬膜；
在同一显影机台内，在所述第一光刻胶图形上涂布化学微缩材料使得所述第一光刻胶中的通孔结构固化，并通过加热使所述化学微缩材料与所述第一光刻胶表面反应，从而在所述第一光刻胶表面形成隔离膜；
在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶，其中，上述步骤所形成的隔离膜不溶于该第二光刻胶，并在所述第二光刻胶中形成位于所述通孔结构上方的沟槽结构；
将所述通孔结构和所述沟槽结构转移到所述介质层中；
继续后续的金属沉积和金属化学机械研磨工艺，以完成导线金属和通孔金属填充。
2.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述介质层具有低介电常数。
3.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5：1。
4.如权利要求3所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶采用含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷之一或组合的光刻胶。
5.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述化学微缩材料为含烷基氨基的水溶性高分子材料。
6.如权利要求5所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述化学微缩材料为烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
7.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述加热的温度为80摄氏度至180摄氏度之间的任一值。
8.如权利要求7所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述加热的温度为90摄氏度至170摄氏度之间的任一值。
9.如权利要求1所述的通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，还包括：生成隔离膜之后，通过去离子水或表面活性剂的去离子水溶液将多余的化学微缩材料去除。
CN2012102645420A 2012-07-27 2012-07-27 通孔优先铜互连制作方法 Pending CN102751239A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012102645420A CN102751239A (zh) 2012-07-27 2012-07-27 通孔优先铜互连制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012102645420A CN102751239A (zh) 2012-07-27 2012-07-27 通孔优先铜互连制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102751239A true CN102751239A (zh) 2012-10-24

Family

ID=47031305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012102645420A Pending CN102751239A (zh) 2012-07-27 2012-07-27 通孔优先铜互连制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102751239A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931135A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 通孔优先铜互连制作方法
CN102938391A (zh) * 2012-11-02 2013-02-20 上海华力微电子有限公司 一种铜互联线的制作工艺
CN103268866A (zh) * 2013-05-23 2013-08-28 上海华力微电子有限公司 降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040180528A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Ching-Yu Chang Method of forming a dual-layer resist and application thereof
CN101154623A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双镶嵌结构的形成方法
CN101556437A (zh) * 2008-02-08 2009-10-14 台湾积体电路制造股份有限公司 图案化方法
CN101571674A (zh) * 2009-06-09 2009-11-04 上海集成电路研发中心有限公司 一种双重曝光方法
CN102610563A (zh) * 2012-04-06 2012-07-25 上海集成电路研发中心有限公司 制备铜双大马士革结构的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040180528A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Ching-Yu Chang Method of forming a dual-layer resist and application thereof
CN101154623A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双镶嵌结构的形成方法
CN101556437A (zh) * 2008-02-08 2009-10-14 台湾积体电路制造股份有限公司 图案化方法
CN101571674A (zh) * 2009-06-09 2009-11-04 上海集成电路研发中心有限公司 一种双重曝光方法
CN102610563A (zh) * 2012-04-06 2012-07-25 上海集成电路研发中心有限公司 制备铜双大马士革结构的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102938391A (zh) * 2012-11-02 2013-02-20 上海华力微电子有限公司 一种铜互联线的制作工艺
CN102938391B (zh) * 2012-11-02 2015-01-21 上海华力微电子有限公司 一种铜互联线的制作工艺
CN102931135A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 上海华力微电子有限公司 通孔优先铜互连制作方法
CN103268866A (zh) * 2013-05-23 2013-08-28 上海华力微电子有限公司 降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法
CN103268866B (zh) * 2013-05-23 2016-05-11 上海华力微电子有限公司 降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10388565B2 (en) Chamferless via structures
CN104051257A (zh) 用于集成电路设计的间隔蚀刻工艺
CN102760696A (zh) 通孔优先铜互连制作方法
JPS633437A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102315157A (zh) 一种tsv通孔形成方法和tsv通孔修正方法
TW202133285A (zh) 具有矽穿孔插塞的半導體元件及其製備方法
US8518825B1 (en) Method to manufacture trench-first copper interconnection
CN102738076A (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN102751239A (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN104465508B (zh) 空气隙的形成方法
CN103606534B (zh) 半导体结构的形成方法
JP2001024060A (ja) デュアル・ダマシン法のためのシルセスキオキサン誘電体の一時酸化
CN102881645B (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN102931135A (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN102751238A (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN102810510A (zh) 一种铜互连制作方法
CN103268866A (zh) 降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法
JP2018056238A (ja) 半導体装置の製造方法
CN104112702A (zh) 在半导体制造中降低超低k介电层损伤的方法
CN102339790A (zh) 半导体器件制作方法
CN114446904A (zh) 基于纳米级散热器的晶圆封装结构及方法
CN109346419B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN103268865A (zh) 降低冗余金属耦合电容的沟槽优先双大马士革铜互连方法
CN102832168A (zh) 一种沟槽优先铜互连制作方法
US9960081B1 (en) Method for selective etching using dry film photoresist

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20121024