CN102745717A - 一种减小小晶粒zsm-5分子筛孔径的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可减小小晶粒ZSM-5分子筛孔径的方法,是将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T:A:H2O=(40~500):1:(10~80):(大于0~10):(100~2000),在室温搅拌均匀后在100~200℃条件下晶化6~72小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。本方法所述的方法是加入A类添加剂后,可以直接合成可控的孔径减小的小晶粒ZSM-5分子筛,省去后改性减小ZSM-5分子筛孔径的处理步骤,缩短催化剂制备的工艺过程,提高ZSM-5分子筛的择形选择性,用于甲醇转化制丙烯、苯烷基化等领域,优化了小晶粒ZSM-5分子筛在上述领域的催化性能。
Description
技术领域
本发明属于分子筛的制备和应用领域,具体来说是直接减小小晶粒ZSM-5分子筛孔径的新方法。
背景技术
ZSM-5分子筛是由美国Mobil公司于1972年首次公开的(US3702886),属于正交晶系,晶胞参数分别为a=2.017 nm,b=1.996 nm,c=1.343 nm。ZSM-5分子筛的孔道结构由椭圆形的直孔道(孔道尺寸为0.54 nm×0.56 nm)和Z字型孔道(孔道尺寸为0.52 nm×0.58 nm)交叉组成,两种通道交叉处的尺寸为0.9 nm。其具有独特的孔道结构、可调变的酸性位、优异的热稳定性和水热稳定性,广泛用于催化裂化、芳构化、烷基化、歧化、甲醇转化制丙烯等领域。
为了提高ZSM-5分子筛的催化性能,常常对其酸性和孔道做必要的修饰和改性。ZSM-5分子筛孔径一般在0.52~0.54nm之间,平均值为0.53nm。ZSM-5分子筛的孔径大小是影响其择形选择性的重要因素,可以明显影响分子筛的吸附、扩散、离子交换和催化性能。其孔道修饰主要是将孔径尺寸调变为不高于0.51nm或不低于0.55nm。
目前,ZSM-5分子筛的孔道修饰主要集中在三个方面:其一、在合成过程中增加介孔分布,Haldor Topsoe公司(Van Donk S et al Generation,characterization and impact of mesoperes in zeolite catalyst[J]catal rev,2003,45:297~319)曾报道一种以纳米碳颗粒为硬模板剂来合成介孔ZSM-5沸石分子筛的方法,该方法容易控制ZSM-5分子筛的组成和形貌,存在的问题是介孔分布不均匀且其被微孔包裹。为此,李玉平等(李玉平等,双模板条件下介孔结构ZSM-5沸石的合成[J]石油学报,2008,188~192)采用聚乙烯醇 (PVA)和有机胺做复合模板剂,在分子筛晶体内直接植入尺寸和数量可控的介孔。其二、对常规ZSM-5分子筛进行后处理改性,通过脱除ZSM-5分子筛骨架中的部分硅或铝,达到调变ZSM-5分子筛的孔径。美国专利(US5389 357)和美国专利(US5952259)分别报道了高温和水蒸气处理脱硅ZSM-5分子筛,可以形成孔径大小为0.49nm新微孔,然而上述新生成的微孔热稳定性差,在温度高于350℃时,其孔径转变为0.55~0.56nm,其实际应用受到很大限制。为了提高脱硅分子筛的热稳定性,美国专利(US6184167)首先采用碳酸钠或碳酸钠与氢氧化钠的混合溶液跟NaZSM-5分子筛在80℃反应4小时,得脱硅NaZSM-5分子筛(NaDZSM-5);然后将洗涤后的NaDZSM-5在120℃干燥过夜,最后采用适量的原硅酸钠或焦硅酸钠溶液处理干燥后NaDZSM-5分子筛,在分子筛的骨架中植入硅并对其进行高温稳定化处理,可获得高热稳定性的新生孔径为0.49nm或0.54~0.57nm的改性ZSM-5分子筛。其三,通过金属氧化物或非金属氧化物改性减小ZSM-5分子筛的孔道(葛欣等,改性ZSM-5分子筛催化甲苯、甲醇苯环烷基化反应的研究进展[J]无机化学学报,2001,17:17~26)。然而,这类方法大多存在制备过程繁琐、反应条件苛刻等难题。
可以看出,在本发明之前的现有技术中,对调变ZSM-5分子筛的孔径大小已经做了很多工作,受到业内人士的关注,但所提出的方法针对性是:在ZSM-5分子筛晶体中引入孔道大于0.55nm的新生孔道(扩孔)或通过后改性处理减小ZSM-5分子筛的孔道(缩孔)。
发明内容
本发明的目的是提供一种可减小小晶粒ZSM-5分子筛孔径的方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种减小小晶粒ZSM-5分子筛孔径的方法,将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=(40~500):1:(10~80):(大于0~10):(100~2000),在室温搅拌均匀后在100~200℃条件下晶化6~72小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物,其中,添加剂(A)是氟化钠、氟化铵、氟硅酸钠、氟硅酸钾和冰晶石中的一种或多种的组合。
做为优选的方案,所述的模板剂是四丙级氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、乙二胺、正丁胺和己二胺中的一种或多种的组合。
做为优选的方案,所述的硅源是正硅酸乙酯、硅溶胶、硅酸钠、白炭黑和硅酸中的一种或多种的组合。
做为优选的方案,所述的铝源是偏铝酸钠、硫酸铝、硝酸铝、氢氧化铝、拟薄水合铝和异丙醇铝中的一种或多种的组合。
做这优选的方案,晶化温度为130~170℃、晶化时间为12~36小时。
本方法所述的方法是加入A类添加剂后,可以直接合成可控的孔径减小的小晶粒ZSM-5分子筛,省去后改性减小ZSM-5分子筛孔径的处理步骤,缩短催化剂制备的工艺过程,提高ZSM-5分子筛的择形选择性,用于甲醇转化制丙烯、苯烷基化等领域,优化了小晶粒ZSM-5分子筛在上述领域的催化性能。
具体实施方式
实施例1
以正硅酸乙酯为硅源,硫酸铝为铝源,四丙基氢氧化铵为模板剂(T),氟化钠为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=40:1:10:1:100,在室温搅拌均匀后,在100℃条件下晶化6小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例2
以硅溶胶为硅源,偏铝酸钠为铝源,四乙基氢氧化铵为模板剂(T),氟化铵为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=500:1:80:10:2000,在室温搅拌均匀后,在200℃条件下晶化72小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例3
以硅酸钠和硅酸的混合物为硅源,硝酸铝、氢氧化铝和异丙醇铝的混合物为铝源,乙二胺、正丁胺和己二胺中的混合物为模板剂(T),氟硅酸钠和氟硅酸钾的混合物为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=100:1:50:6:500,在室温搅拌均匀后,在120℃条件下晶化12小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例4
以白炭黑为硅源,拟薄水合铝为铝源,四乙基氢氧化铵为模板剂(T),氯化钠为添加剂(A)。将铝源和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=200:1:30:0.01 1000,在室温搅拌均匀后,在180℃条件下晶化60小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例5
以硅溶胶为硅源,硫酸铝和硝酸铝的混合物为铝源,四丙级氢氧化铵和乙二胺的混合物为模板剂(T),氟硅酸钾为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=400:1:70:4:200,在室温搅拌均匀后,在130℃条件下晶化12小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例6
以硅酸为硅源,异丙醇铝为铝源,正丁胺为模板剂(T),氟化钠、氟化铵、氟硅酸钠、氟硅酸钾和冰晶石的混合物为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=350:1:40:5:1500,在室温搅拌均匀后,在170℃条件下晶化36小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
实施例7
以正硅酸乙酯和硅溶胶的混合物为硅源,氢氧化铝为铝源,四丙级氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、乙二胺和正丁胺的混合物为模板剂(T),氟化钠和氟硅酸钾的混合物为添加剂(A)。将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=80:1:60:2:1200,在室温搅拌均匀后,在150℃条件下晶化20小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物。
Claims (5)
1.一种减小小晶粒ZSM-5分子筛孔径的方法,其特征在于:将铝源、添加剂(A)和模板剂(T)配成溶液,混合均匀后加入硅源,使各组份的摩尔比SiO2:Al2O3:T: A:H2O=(40~500):1:(10~80):(大于0~10):(100~2000),在室温搅拌均匀后在100~200℃条件下晶化6~72小时,晶化完成后冷却、离心分离、洗涤后干燥即得产物,其中,添加剂(A)是氟化钠、氟化铵、氟硅酸钠、氟硅酸钾和冰晶石中的一种或多种的组合。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:模板剂是四丙级氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、乙二胺、正丁胺和己二胺中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的硅源是正硅酸乙酯、硅溶胶、硅酸钠、白炭黑和硅酸中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的铝源是偏铝酸钠、硫酸铝、硝酸铝、氢氧化铝、拟薄水合铝和异丙醇铝中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于:晶化温度为130~170℃、晶化时间为12~36小时。
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