CN102738087A - 晶片接线结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 40
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- LCJRHAPPMIUHLH-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-azanylhexan-1-one Chemical compound [CH]CCCCC([N])=O LCJRHAPPMIUHLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001074 Lay pewter Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- -1 has neck Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950001919 policapram Drugs 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
一种晶片接线结构包含基板、导线以及晶片。导线设置于基板上，具有颈部，导线于颈部具有第一宽度的线宽，导线于颈部以外具有第二宽度的线宽，第二宽度大于第一宽度。晶片包含接点，接点具有耦接表面，导线通过焊料跨接于耦接表面，且颈部位于耦接表面上，其中耦接表面的面宽大于第二宽度。
Description
技术领域
本发明是关于一种晶片接线结构。具体而言，本发明是关于一种与覆晶薄膜封装有关的晶片接线结构。
背景技术
由于现今电子产品不断朝小型化、高速化以及高脚数等特性发展，晶片的封装技术也朝此一方向不断演进，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)上的驱动晶片亦不例外。其中，覆晶薄膜封装工艺可以提供上述功能并且可用于软性电路板，适合使用于液晶显示器的驱动晶片封装。
覆晶封装技术泛指将晶片翻转后，以面朝下的方式通过金属导体与基板进行接合。当应用于可挠性基板时，其晶片可固定于薄膜上，仅靠金属导体与可挠性基板电性连接，因此称为覆晶薄膜封装(Chip On Film，COF)。随着液晶显示器驱动晶片导电接点的增加，晶片导电接点的焊接面也随之变小。然而，因为导线至少需具备一定大小以上的线宽以获得足够的强度，所以当焊接面变小时，导线在焊接面上所占的比例也因而增加。
如图1A所示的已知晶片接线结构80，当导电接点51较大时，焊接面52在导线30两侧有较多的空间可容置自导线30表面熔融的焊料20。换言之，当导线30跨接于焊接面52，焊料20溢流至导线30两侧，并且在焊接面52的范围内。然而，如图1B所示，当导电接点51较小时，焊接面52在导线30两侧的空间较少，此时，自导线30表面熔融的焊料20可能会如图1B所示溢流超过焊接面52的范围，导致制造良率下降。
发明内容
本发明的主要目的为提供一种晶片接线结构，具有较佳的制造良率。
本发明的另一目的为提供一种晶片接线结构，可减少接点的材料成本。
本发明的晶片接线结构包含基板、导线以及晶片。导线设置于基板上，具有颈部，导线于颈部具有第一宽度的线宽，导线于颈部以外具有第二宽度的线宽，第二宽度大于第一宽度。晶片包含接点，接点具有耦接表面，导线通过焊料跨接于耦接表面，且颈部位于耦接表面上，其中耦接表面的面宽大于第二宽度。
基板包含为可挠性基板。接点的耦接表面于该颈部两侧形成溢流空间。当导线跨接于耦接表面，焊料溢流至溢流空间。在较佳实施例中，导线的两相对侧内缩形成颈部。在不同实施例中，导线的一侧内缩形成颈部。
颈部的两侧与耦接表面的侧缘的距离介于2μm至5μm。第一宽度与耦接表面面宽的比值介于0.5至0.8。第二宽度与第一宽度的比值介于1.2至2。导线跨接于耦接表面部分的长度与颈部的长度的比值介于0.1至1。
附图说明
图1A及1B为已知技术示意图；
图2A为本发明实施例剖面示意图；
图2B为本发明较佳实施例示意图；
图2C为本发明较佳实施例中导线通过焊料跨接于耦接表面的示意图；以及
图3至图6为本发明不同实施例示意图。
主要元件符号说明
20焊料 100基板
30导线 200焊料
51导电接点 300导线
52焊接面 301轴线
80已知晶片接线结构 30 310颈部
311侧边 530溢流空间
312侧边 10 800晶片接线结构
500晶片 L1长度
510接点 L2长度
520耦接表面 W1第一宽度
521凹部 W2第二宽度
521侧缘 15 W3面宽
522侧缘
具体实施方式
如图2A所示，本发明的晶片接线结构800包含基板100、导线300以及晶片500。具体而言，本发明的晶片接线结构800较佳是用于覆晶薄膜封装结构，但不以此为限。基板100较佳为使用聚乙酰胺(Polyimide)等制成的具有弹性的基板。导线300设置于基板100上，是选自锡、镍、银、铜、金、钯、钴、铬、钛、铂、钽、钨及钼，且较佳为铜。晶片500包含接点510，接点510具有耦接表面520，导线300通过焊料200跨接于耦接表面520。焊料200较佳为合金，例如但不限于锡铅合金、锡铅银合金或锡银铜合金。金属或非金属及其氧化物可为氧化铝、氮化硼、氮化铝、碳化硅或奈米碳管等。在较佳实施例中，当导线300跨接于耦接表面520，耦接表面520会因导线300下压而自然形成对应的凹部521，耦接表面520与导线300间夹设有焊料200。然而在不同实施例中，例如导线300跨接于耦接表面520时受到较小的压力，则耦接表面520可保持平整(未绘示)。
如图2B所示的较佳实施例，导线300具有颈部310，导线300于颈部310具有第一宽度W1的线宽，导线300于颈部310以外具有第二宽度W2的线宽，第二宽度W2大于第一宽度W1。颈部310位于耦接表面520上，耦接表面520的面宽W3大于第二宽度W2。具体而言，颈部310较佳是由导线300的两相对侧(亦即相对的侧边311、312)内缩形成。换言之，在制作过程中，导线300可经由蚀刻、激光切割等方式去除两相对侧的部分以形成颈部310，亦可由两相对侧向中央挤压以形成颈部310。其中，颈部310的第一宽度W1较佳是指颈部310最狭窄部位的线宽，然而在不同实施例中，第一宽度W1亦可指颈部310任一特定截面的线宽。另一方面，接点510较佳为方块，面宽W3较佳是指耦接表面520与导线300跨接方向垂直的方向的宽度。
如图2C所示，本发明的晶片接线结构800因为具有颈部310，所以当导线300热压焊接于接点510时，耦接表面520上有较多的空间可容置自导线300表面熔融的焊料200。换言之，接点510的耦接表面520于颈部310两侧形成溢流空间530。当导线300跨接于耦接表面520，焊料200溢流至溢流空间530。由此，可减少焊料200溢流超过耦接表面520的侧缘521、522，具有较佳的制造良率。另一方面，与接点510的耦接表面520焊接的主要是导线300的颈部310，通过颈部310的设置，导线300在颈部310以外的部分可保持原有的线宽以维持一定的结构强度，耦接表面520则因为颈部310具有较窄的线宽而可减少面宽，进一步可使接点510的体积减小以节省接点的材料成本。
颈部310的两侧与耦接表面520的侧缘的距离介于2μm至5μm，亦即如图2B所示，侧边311与侧缘521、侧边312与侧缘522的距离介于2μm至5μm。其中，颈部310的两侧与耦接表面520的侧缘分别的距离较佳为相等，亦即颈部310较佳是位于耦接表面520的中央。然而在如图3所示的不同实施例中，颈部310的两侧与耦接表面520的侧缘分别的距离可为相异，亦即颈部310可向耦接表面520的一侧偏移设置。由此，可增加线路设计的弹性。
如图2B所示的较佳实施例，第一宽度W1与耦接表面520面宽W3的比值介于0.5至0.8。第二宽度W2与第一宽度W1的比值介于1.2至2。导线300跨接于耦接表面520部分的长度L1与颈部310的长度L2的比值介于0.1至1。具体而言，可通过改变第一宽度W1与面宽W3、第二宽度W2与第一宽度W1、长度L1与长度L2的比值的其中之一或其组合，调整耦接表面520上供焊料200溢流的空间的大小，以符合使用需求。
在如图2B所示的较佳实施例中，导线300的两相对侧内缩形成颈部310。然而在不同实施例中，颈部310可依设计需求而有不同的设置。在如图4所示的实施例中，导线300的一侧内缩形成颈部310。换言之，导线300仅靠近侧缘522的一侧内缩，另一侧则维持原状，如此可形成相对于导线300的轴线301不对称的颈部310。
在如图5所示的实施例中，颈部310是相对于导线300的轴线301以斜向设置。换言之，颈部310是自轴线301的一侧往另一侧延伸。在图6所示的实施例中，导线300的两相对侧内缩形成颈部310的位置相互错开，且内缩的形状为半圆形。换言之，导线300的两相对侧可交错内缩以形成颈部310。具体而言，可通过改变颈部310的形状，调整耦接表面520上供焊料200溢流的空间的大小与形状，以符合使用需求。
虽然前述的描述及图式已揭示本发明的较佳实施例，必须了解到各种增添、许多修改和取代可能使用于本发明较佳实施例，而不会脱离如所附权利要求书所界定的本发明原理的精神及范围。本领域普通技术人员将可体会，本发明可使用于许多形式、结构、布置、比例、材料、元件和组件的修改。因此，本文于此所揭示的实施例应被视为用以说明本发明，而非用以限制本发明。本发明的范围应由后附权利要求书所界定，并涵盖其合法均等物，并不限于先前的描述。
Claims (10)
1.一种晶片接线结构，包含：
一基板；
一导线，设置于该基板上，该导线具有一颈部，该导线于该颈部具有一第一宽度的线宽，该导线于该颈部以外具有一第二宽度的线宽，该第二宽度大于该第一宽度；以及
一晶片，包含一接点，该接点具有一耦接表面，该导线通过一焊料跨接于该耦接表面，且该颈部位于该耦接表面上，其中该耦接表面的面宽大于该第二宽度。
2.如权利要求1所述的晶片接线结构，基板包含为可挠性基板。
3.如权利要求1所述的晶片接线结构，其中该接点的耦接表面于该颈部两侧形成一溢流空间。
4.如权利要求2所述的晶片接线结构，当该导线跨接于该耦接表面，该焊料溢流至该溢流空间。
5.如权利要求1所述的晶片接线结构，其中该导线的两相对侧内缩形成该颈部。
6.如权利要求1所述的晶片接线结构，其中该导线的一侧内缩形成该颈部。
7.如权利要求1所述的晶片接线结构，该颈部的两侧与该耦接表面的侧缘的距离介于2μm至5μm。
8.如权利要求1所述的晶片接线结构，该第一宽度与该耦接表面面宽的比值介于0.5至0.8。
9.如权利要求1所述的晶片接线结构，其中该第二宽度与该第一宽度的比值介于1.2至2。
10.如权利要求1所述的晶片接线结构，其中该导线跨接于该耦接表面部分的长度与该颈部的长度的比值介于0.1至1。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100111236A TWI455254B (zh) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | 晶片接線結構 |
| TW100111236 | 2011-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102738087A true CN102738087A (zh) | 2012-10-17 |
| CN102738087B CN102738087B (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=46993316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110103214.8A Expired - Fee Related CN102738087B (zh) | 2011-03-31 | 2011-04-18 | 晶片接线结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102738087B (zh) |
| TW (1) | TWI455254B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679733A (zh) * | 2013-07-12 | 2016-06-15 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 高良率整流芯片封装结构 |
| CN105826290A (zh) * | 2013-07-12 | 2016-08-03 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 低功耗半导体整流器件 |
| CN110867636A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 一种氮化铝微型负载片 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1267180A (zh) * | 1999-03-16 | 2000-09-20 | 卡西欧计算机株式会社 | 其上将连接电子部件的端子结构 |
| JP2002208608A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| TW200739846A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-16 | Chipmos Technologies Inc | Semiconductor chip having fine pitch bumps and bumps thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101049252B1 (ko) * | 2004-08-23 | 2011-07-13 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판, 그 테이프 배선 기판을 포함하는반도체 칩 패키지 및 그 반도체 칩 패키지를 포함하는액정 표시 장치 |
| TWI267971B (en) * | 2005-12-30 | 2006-12-01 | Advanced Semiconductor Eng | Packing structure and method forming the same |
-
2011
- 2011-03-31 TW TW100111236A patent/TWI455254B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-04-18 CN CN201110103214.8A patent/CN102738087B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1267180A (zh) * | 1999-03-16 | 2000-09-20 | 卡西欧计算机株式会社 | 其上将连接电子部件的端子结构 |
| JP2002208608A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| TW200739846A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-16 | Chipmos Technologies Inc | Semiconductor chip having fine pitch bumps and bumps thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679733A (zh) * | 2013-07-12 | 2016-06-15 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 高良率整流芯片封装结构 |
| CN105826290A (zh) * | 2013-07-12 | 2016-08-03 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 低功耗半导体整流器件 |
| CN106409804A (zh) * | 2013-07-12 | 2017-02-15 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 高可靠性半导体器件 |
| CN110867636A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-06 | 苏州市新诚氏通讯电子股份有限公司 | 一种氮化铝微型负载片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102738087B (zh) | 2016-03-23 |
| TW201240024A (en) | 2012-10-01 |
| TWI455254B (zh) | 2014-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160323 Termination date: 20180418 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |