CN102713744B - 硅类液晶取向剂、液晶取向膜及液晶显示元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可形成液晶取向性良好、膜的稳定性高的液晶取向膜和具有该液晶取向膜的不易受来自外部的水分影响、电特性良好的液晶显示元件的硅类液晶取向剂。所述液晶取向剂的特征在于，包含1种或2种以上的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基以及含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基，上述的前一种烃基和后一种烃基可都与同一聚硅氧烷结合，或者分别与不同的聚硅氧烷结合。

Description

硅类液晶取向剂、液晶取向膜及液晶显示元件
技术领域
本发明涉及包含将烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷的硅类液晶取向剂及由所述液晶取向剂得到的液晶取向膜以及具有该液晶取向膜的液晶显示元件。
背景技术
已知液晶显示元件一般具有将在透明电极上设有以聚酰胺酸和/或聚酰亚胺为主要成分的液晶取向膜的2块基板相对配置并在其间隙内填充液晶物质的结构。最常见的方式为TN(扭转向列，TwistedNematic)型液晶显示元件，还开发出了可实现比它更高的对比度的STN(超扭转向列，SuperTwistedNematic)型、视角依赖性低的IPS(面内切换，In-PlaneSwitching)型、垂直取向(VA:VerticalAlignment)型等。
商业用途和家庭影院用的液晶投影仪的用途中，光源采用照射强度大的金属卤化物灯，所以需要既具有高耐热性又具有高耐光性的液晶取向膜材料。
在这样的情况下，不仅是以往一直采用的聚酰亚胺等有机类的液晶取向膜材料，无机类的液晶取向膜材料也受到关注。
例如，作为涂布型的无机类取向膜的材料，提出有包含四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷与醇和乙二酸的反应生成物的取向剂组合物，有报道称其在液晶显示元件的电极基板上形成垂直取向性、耐热性和均匀性良好的液晶取向膜。(参照专利文献1)
此外，还提出有包含四烷氧基硅烷、特定的三烷氧基硅烷和与水的反应生成物以及特定的二醇醚类溶剂的液晶取向剂组合物，有报道称所形成的液晶取向膜可防止显示缺陷，长时间驱动后残像特性也很好，使液晶取向的能力不会下降，且对于光和热的电压保持率的下降少。(参照专利文献2)
此外，近年来以液晶电视机为代表的液晶显示元件的技术革新非常迅猛，为了实现技术的进步，特别是元件的长期可靠性的提高比以往更加受到重视，成为一大课题。因此，需要在再现性良好地获得均质的液晶取向膜的同时，获得长期稳定的膜。
特别是在制造液晶显示元件的过程中，不受环境的影响，再现性良好地获得均质的液晶取向膜在确保元件的可靠性方面是非常重要的。
此外，为了确保长期可靠性，对于从液晶显示元件外部侵入的水分的耐受性也是很重要的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平09-281502号公报
专利文献2:日本专利特开2005-250244号公报
发明的概要
发明所要解决的技术问题
上述的无机类液晶取向膜在使用液晶取向剂成膜时如果残存烷氧基或硅烷醇基，则容易受到存在于空气中的水分的影响。因此，一直以来难以获得均质的液晶取向膜，因而导致液晶显示元件的可靠性下降，所以成为一大课题。
另外，从液晶显示元件外部侵入的水分、例如从密封构件等侵入的水分也会对液晶取向膜造成影响，因此可能会导致液晶显示元件的可靠性下降。
因此，在使液晶显示元件的可靠性提高方面，使液晶取向膜对于水分的耐受性提高是重要的课题。
本发明的课题是提供可形成液晶取向性良好、膜的稳定性高且不易受来自外部的水分影响、液晶显示元件的电特性良好的液晶取向膜的硅类液晶取向剂、由该硅类液晶取向剂得到的液晶取向膜以及具有该液晶取向膜的液晶显示元件。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明可解决上述的课题，具有下述技术内容。
[1]液晶取向剂，其特征在于，包含1种或2种以上的聚硅氧烷，所述聚硅氧烷具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基以及含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基，上述的前一种烃基和后一种烃基可都与同一聚硅氧烷结合，或者分别与不同的聚硅氧烷结合。
[2]如[1]所述的液晶取向剂，其特征在于，包含同时具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基以及含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基的1种聚硅氧烷，或者包含分别具有前一种烃基和后一种烃基的2种聚硅氧烷。
[3]如上述[1]或[2]所述的液晶取向剂，包含将包括以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷(AB)；
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基，X2是碳原子数1～5的烷基，R1是碳原子数1～5的烷基，p表示0～2的整数；
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3是含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基，R2是碳原子数1～5的烷基，q表示1或2的整数。
[4]如上述[1]或[2]所述的液晶取向剂，包含下述的聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)；
聚硅氧烷(A)是将包括以式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基，X2是碳原子数1～5的烷基，R1是碳原子数1～5的烷基，p表示0～2的整数；
聚硅氧烷(B)是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3是含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基，R2是碳原子数1～5的烷基，q表示1或2的整数。
[5]如上述[3]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(AB)是将还包括以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
[6]如上述[4]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(A)是将包括以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
[7]如上述[4]或[6]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(B)是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
[8]如上述[1]～上述[7]中的任一项所述的液晶取向剂，含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基是含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烷基或亚烷基。
[9]如上述[8]所述的液晶取向剂，含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烷基或亚烷基是以式(S1)表示的基团；
-P1-N-P2P3(S1)
式中，P1是可含氧原子或硫原子的碳原子数1～5的亚烷基，P2是氢原子或者可含氧原子或硫原子的碳原子数1～5的烷基，P3是可含氧原子或硫原子的碳原子数1～5的亚烷基或者可含氧原子或硫原子的碳原子数1～10的烷基。
[10]如上述[1]～[9]中的任一项所述的液晶取向剂，聚硅氧烷的含量以SiO2换算浓度计为0.5～15质量％。
[11]如上述[5]～[10]中的任一项所述的液晶取向剂，所述以式(3)表示的烷氧基硅烷是式(3)中的n为0的四烷氧基硅烷。
[12]由上述[1]～[11]中的任一项所述的液晶取向剂得到的液晶取向膜。
[13]具备上述[12]所述的液晶取向膜的液晶显示元件。
[14]如上述[5]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(AB)通过包括下述工序的方法制成：使以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
[15]如上述[6]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(A)通过包括下述工序的方法制成：使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(1)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
[16]如上述[7]所述的液晶取向剂，所述聚硅氧烷(B)通过包括下述工序的方法制成：使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
发明的效果
如果采用本发明，则能够获得可形成显示良好的液晶取向性且膜的稳定性高的液晶取向膜、可得到电特性良好的液晶显示元件的硅类液晶取向剂。此外，本发明的液晶取向膜不易受来自外部的水分影响，因此可获得可靠性高的液晶显示元件，特别是电特性的可靠性高、具备稳定的高画质液晶显示元件。
对于通过使用本发明的液晶取向剂为何能够获得液晶取向性良好、特别是不易受来自外部的水分影响的可靠性高的液晶取向膜的机理并不清楚。但是，根据后述的本发明的实施例与比较例的对比可知，本发明的实施例中，即使在特定的条件下进行水处理的情况下，也可获得与未进行该水处理的情况同等的高耐水性且电特性良好的液晶盒，因而认为是由于本发明的液晶取向剂所含的聚硅氧烷同时具有特定的碳原子数的烃基和含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且含氧原子或硫原子的特定碳数的烃基。
实施发明的方式
本发明的液晶取向剂具有可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基(以下也称第一特定有机基团)以及含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基(以下也称第二特定有机基团)。
本发明的液晶取向剂包含具有上述第一特定有机基团和第二特定有机基团的1种或2种以上的聚硅氧烷，第一特定有机基团和第二特定有机基团可都与同一聚硅氧烷结合，或者分别与不同的聚硅氧烷结合。其中，本发明的液晶取向剂较好是包含同时具有第一特定有机基团和第二特定有机基团的1种聚硅氧烷，或者包含分别具有前一种烃基和后一种烃基的2种聚硅氧烷。
其中，第一特定有机基团优选可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数较好是8～22、更好是8～18的烃基。
第一特定有机基团主要具有使液晶朝一个方向取向的效果，作为其例子，可例举烷基、氟代烷基、烯基、苯乙基、乙烯基苯基烷基、萘基、氟代苯基烷基等。第一特定有机基团所具有的氧原子、磷原子或硫原子中，较好是氧原子，作为其例子，可例举烯丙氧基烷基、苯甲酰氧基烷基、烷氧基苯氧基烷基、环氧基环烷基等。特别是第一特定有机基团为烷基或氟代烷基的烷氧基硅烷由于价格便宜，容易作为市售品获得，因此优选。
此外，第二特定有机基团优选含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子，碳原子数较好是2～12、更好是2～10的烃基。
第二特定有机基团中，氮原子为伯氮原子是指像-NH2这样氮原子与2个氢原子结合的情况。氮原子为仲氮原子是指像-NHR这样氮原子与氢原子和R结合的情况。氮原子为叔氮原子是指像-NRR’这样氮原子与R和R’结合的情况。在这里，R和R’表示可含氧原子或硫原子的1价烃基。
第二特定有机基团较好是以下式(S1)表示的基团。
-P1-N-P2P3(S1)
在这里，P1是可含氧原子或硫原子的碳原子数为1～5的亚烷基，P2是氢原子或者可含氧原子或硫原子的碳原子数1～5的烷基，P3是可含氧原子或硫原子的碳原子数1～5的亚烷基或者可含氧原子或硫原子的碳原子数1～10的烷基。
作为以式(S1)表示的基团的具体例子，可以例举以下基团：
氨基丙基、2-氨基乙基硫基乙基、N,N-二乙基-3-氨基丙基、3-(N,N-二甲基氨基丙基)、二乙基氨基甲基、N-甲基氨基丙基、N-乙基氨基异丁基、正丁基氨基丙基、
叔丁基氨基丙基、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基、3-(N-烯丙基氨基)丙基、3-(叔丁氧基羰基氨基)丙基、3-(乙氧基羰基氨基)丙基、3-(4-羟基丁酰胺基)丙基、N-苯基氨基丙基、
3-环己基氨基丙基、N-(3-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基、3-((2-甲基丙烯酰氧基)乙氧基)羰基氨基)丙基、3-((乙烯氧基甲氧基)羰基氨基)丙基、(E)-3-(3-羧基丙烯酰胺基)丙基、-CH2-CH2-CH2-NH-CH2-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-N(CH3)-CH2-CH2-CH2-等。
以下，对作为本发明的液晶取向剂的优选形态的第一种形态和第二种形态进行说明。
[本发明的第一种形态]
包含将包括以下述的式(1)表示的烷氧基硅烷和以下述的式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷(AB)的液晶取向剂。
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
式(1)中的X1是第一特定有机基团，其定义包括优选形态在内如上所述。
式(1)中的X2是碳原子数1～5、较好是1～3的烷基。更好是甲基或乙基。
式(1)中的R1是碳原子数1～5、较好是1～3的烷基，更好是甲基或乙基。式(1)中的p是0～2、较好是0～1的整数。
其中，以式(1)表示的烷氧基硅烷较好是以下述的式(1-1)表示的烷氧基硅烷。
R4Si(OR5)3(1-1)
R4是可被氟原子取代的碳原子数8～30的烃基，R5表示碳原子数1～5的烷基。
下面例举上述以式(1)表示的烷氧基硅烷的具体例子，但并不仅限于此。
例如，可例举辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十九烷基三甲氧基硅烷、十九烷基三乙氧基硅烷、十一烷基三乙氧基硅烷、十一烷基三甲氧基硅烷、21-二十二碳烯基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷、异辛基三乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、五氟苯基丙基三甲氧基硅烷、间乙烯基苯基乙基三甲氧基硅烷、对乙烯基苯基乙基三甲氧基硅烷、(1-萘基)三乙氧基硅烷、(1-萘基)三甲氧基硅烷、烯丙氧基十一烷基三乙氧基硅烷、苯甲酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-(4-甲氧基苯氧基)丙基三甲氧基硅烷、1-[(2-三乙氧基甲烷基)乙基]-3,4-环氧环己烷、2-(二苯基膦基)乙基三乙氧基硅烷、二乙氧基甲基十八烷基硅烷、二甲氧基甲基十八烷基硅烷、二乙氧基十二烷基甲基硅烷、二甲氧基十二烷基甲基硅烷、二乙氧基癸基甲基硅烷、二甲氧基癸基甲基硅烷、二乙氧基辛基甲基硅烷、二甲氧基辛基甲基硅烷、乙氧基二甲基十八烷基硅烷、甲氧基二甲基十八烷基硅烷等。其中，较好是辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十九烷基三甲氧基硅烷、十九烷基三乙氧基硅烷、十一烷基三乙氧基硅烷、十一烷基三甲氧基硅烷、二乙氧基甲基十八烷基硅烷或二乙氧基十二烷基甲基硅烷。
上述具有第一特定有机基团的以式(1)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于获得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中低于0.1摩尔％时，可能会无法获得良好的液晶取向性，因此较好是在0.1摩尔％以上，更好是在0.5摩尔％以上，进一步更好是在1摩尔％以上。此外，高于30摩尔％时，所形成的液晶取向膜可能会无法充分固化，因此较好是在30摩尔％以下，更好是在22摩尔％以下，进一步更好是在15摩尔％以下。
X3{Si(OR2)3}q(2)
上述式(2)中的X3是第二特定有机基团，其定义包括优选形态在内如上所述。式(2)中的R2如上述所定义，较好是碳原子数为1～3的烷基，更好是甲基或乙基。
以式(2)表示的烷氧基硅烷中，q为1时是以式(2-1)表示的烷氧基硅烷。
X3Si(OR2)3(2-1)
此外，q为2时是以式(2-2)表示的烷氧基硅烷。
(R2O)3Si-X3-Si(OR2)3(2-2)
下面例举以上述式(2-1)和式(2-2)表示的烷氧基硅烷的具体例子，但并不仅限于这些例子。
X3为伯胺时的具体例子：2-氨基乙基三甲氧基硅烷、2-氨基乙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基甲氧基硅烷、2-(2-氨基乙基硫基乙基)三乙氧基硅烷、2-(2-氨基乙基硫基乙基)三甲氧基硅烷、
2-氨基乙基氨基甲基三甲氧基硅烷、2-氨基乙基氨基乙基三乙氧基硅烷、2-氨基乙基氨基乙基三甲氧基硅烷、2-氨基乙基氨基乙基三乙氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基丙基)三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基丙基)二甲氧基甲基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基丙基)二甲氧基甲基硅烷、3-[2-(氨基乙基氨基乙基氨基)丙基]三甲氧基硅烷、3-[2-(氨基乙基氨基乙基氨基)丙基]三乙氧基硅烷；
X3为仲胺或叔胺时的具体例子：(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、3-(N,N-二甲基氨基丙基)三乙氧基硅烷、3-(N,N-二甲基氨基丙基)三甲氧基硅烷、二乙基氨基甲基三乙氧基硅烷、二乙基氨基甲基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三乙氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙基氨基异丁基三乙氧基硅烷、N-乙基氨基异丁基三甲氧基硅烷、正丁基氨基丙基三乙氧基硅烷、正丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、叔丁基氨基丙基三乙氧基硅烷、叔丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-烯丙基氨基)丙基三乙氧基硅烷、3-(N-烯丙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酯、
(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酯、三乙氧基甲硅烷基丙基乙基氨基甲酸酯、三甲氧基甲硅烷基丙基乙基氨基甲酸酯、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-4-羟基丁酰胺、N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)-4-羟基丁酰胺、N-苯基氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-环己基氨基丙基三乙氧基硅烷、3-环己基氨基丙基三甲氧基硅烷、双(三乙氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三乙氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、双(三甲氧基甲硅烷基丙基)-N-甲基胺、双(甲基二乙氧基甲硅烷基丙基)胺、双(甲基二甲氧基甲硅烷基丙基)胺、N-(3-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(3-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、O-(甲基丙烯酰氧基乙基)-N-(三乙氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸乙酯、O-(甲基丙烯酰氧基乙基)-N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸乙酯、O-(乙烯氧基乙基)-N-(三乙氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸乙酯、O-(乙烯氧基乙基)-N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)氨基甲酸乙酯、三乙氧基甲硅烷基丙基马来酰胺酸、三甲氧基甲硅烷基丙基马来酰胺酸等。
本发明中使用的聚硅氧烷(AB)可分别使用以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(2)表示的烷氧基硅烷各1种，也可以使用多种。
上述具有第二特定有机基团的以式(2)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于获得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中低于0.5摩尔％时，可能会无法获得良好的对水的可靠特性，因此较好是在0.5摩尔％以上，更好是在1摩尔％以上。高于50摩尔％时，聚硅氧烷溶液的稳定性可能会较差，因此较好是在50摩尔％以下，更好是在40摩尔％以下。
对于聚硅氧烷(AB)，以式(1)表示的烷氧基硅烷的含量在所用的全部烷氧基硅烷中较好是0.1～30摩尔％，特别好是0.5～22摩尔％，且以式(2)表示的烷氧基硅烷的含量在所用的全部烷氧基硅烷中较好是0.5～50摩尔％，特别好是1.0～30摩尔％。
本发明的聚硅氧烷(AB)除了以式(1)和式(2)表示的烷氧基硅烷以外，还可优选使用以下述式(3)表示的烷氧基硅烷来获得。以式(3)表示的烷氧基硅烷可赋予聚硅氧烷(AB)各种特性，因此可根据所需特性选择一种或多种使用。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
在这里，X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基(以下也称第三特定有机基团)，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
X4为第三特定有机基团时，该第三特定有机基团可具有脂肪族烃、脂肪族环、芳香族环、杂环等环结构或者分支结构，还可含有不饱和键或氧原子、硫原子、磷原子等杂原子等。此外，第三特定有机基团可如上所述被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基、丙烯酰氧基等取代。
式(3)中的R3如上述所定义，较好是碳原子数为1～3的烷基，更好是甲基或乙基。式(3)中的n如上述所定义，较好是表示0～2的整数。
下面例举上述以式(3)表示的烷氧基硅烷的具体例子，但并不仅限于此。
作为式(3)的烷氧基硅烷中X4为氢原子时的烷氧基硅烷的具体例子，可例举三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三丁氧基硅烷等。
此外，作为式(3)的烷氧基硅烷中X4为第三特定有机基团时的烷氧基硅烷的具体例子，可例举甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、巯基甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、氯丙基三乙氧基硅烷、溴丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、间乙烯基苯基三甲氧基硅烷、对乙烯基苯基三甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷等。
本发明中使用的聚硅氧烷(AB)以改善与基板的密合性、与液晶分子的亲合性等为目的，只要不破坏本发明的效果，可具有一种或多种上述的第三特定有机基团。
作为式(3)的烷氧基硅烷中n为0的烷氧基硅烷，更好是四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷或四丁氧基硅烷，特别好是四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。四烷氧基硅烷容易与以式(1)和式(2)表示的烷氧基硅烷缩合，所以在获得本发明的聚硅氧烷时优选。
并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情况下，以式(3)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于获得聚硅氧烷(AB)的全部烷氧基硅烷中较好是20～99.4摩尔％，更好是45～99.4摩尔％。进一步更好是以式(3)表示的烷氧基硅烷为50～99.8摩尔％。
[本发明的第二种形态]
本发明的第二种形态是包含下述的聚硅氧烷(A)和下述的聚硅氧烷(B)的液晶取向剂。
聚硅氧烷(A)是将包括以式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1、X2、R1、p分别与上述的定义相同。
聚硅氧烷(B)是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3、R2、q分别与上述的定义相同。
[聚硅氧烷(A)]
聚硅氧烷(A)是将包括以下述式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
这里的式(1)的X1(第一特定有机基团)、X2、R1和p与上述的定义相同，各自的优选形态也与上述相同。
上述以式(1)表示的烷氧基硅烷的说明包括其优选形态在内与上述聚硅氧烷(AB)的项中的以式(1)表示的烷氧基硅烷的说明相同。此外，本发明中使用的聚硅氧烷(A)可具有多种第一特定有机基团。
具有第一特定有机基团的以式(1)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于获得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中低于0.2摩尔％时，可能会无法获得良好的液晶取向性，因此较好是在0.2摩尔％以上，更好是在0.5摩尔％以上，进一步更好是在1摩尔％以上。此外，高于30摩尔％时，所形成的液晶取向膜可能会无法充分固化，因此较好是在30摩尔％以下，更好是在25摩尔％以下，进一步更好是在20摩尔％以下。
本发明中使用的聚硅氧烷(A)较好是将在包含以式(1)表示的烷氧基硅烷的同时包含至少1种以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。以式(3)表示的烷氧基硅烷可赋予聚硅氧烷各种特性，因此可根据需要从以式(3)表示的烷氧基硅烷中选择一种或多种使用。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
这里的式(3)的X4和R3包括其优选形态在内与聚硅氧烷(AB)的项的式(3)中的记载相同，且对于以式(3)表示的烷氧基硅烷的具体例子，也与聚硅氧烷(AB)的项中的记载相同。
本发明中的聚硅氧烷(A)以改善与基板的密合性、与液晶分子的亲合性等为目的，只要不破坏本发明的效果，可具有一种或多种第三特定有机基团。
获得聚硅氧烷(A)时，并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情况下，在用于获得聚硅氧烷(A)的全部烷氧基硅烷中，以式(3)表示的烷氧基硅烷较好是70～99.8摩尔％，更好是75～99.8摩尔％，进一步更好是80～99.8摩尔％。
本发明中，聚硅氧烷(A)较好是将以式(1)表示的烷氧基硅烷和选自以式(3)表示的烷氧基硅烷的至少1种化合物缩聚而得的聚硅氧烷。
[聚硅氧烷(B)]
聚硅氧烷(B)是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。
X3{Si(OR2)3}q(2)
这里的式(2)的X3(第二特定有机基团)、R2和q与上述的定义相同，各自的优选形态也与上述相同。
此外，以式(2)表示的烷氧基硅烷的说明与上述聚硅氧烷(AB)的项中记载的以式(2)表示的烷氧基硅烷的说明相同，也包括其优选形态在内适用所有的说明。此外，本发明中使用的聚硅氧烷(B)可具有多种第二特定有机基团。
本发明中使用的聚硅氧烷(B)可具有多种以式(2)表示的烷氧基硅烷。
具有第二特定有机基团的以式(2)表示的烷氧基硅烷的使用量在用于获得聚硅氧烷(B)的全部烷氧基硅烷中低于1摩尔％时，可能会无法获得良好的对水的可靠特性，因此较好是在1摩尔％以上，更好是在2摩尔％以上。高于60摩尔％时，聚硅氧烷溶液的稳定性可能会较差，因此较好是在60摩尔％以下，更好是在50摩尔％以下。
此外，本发明中使用的聚硅氧烷(B)可以将在包含以式(2)表示的烷氧基硅烷的同时包含至少1种以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
这里的式(3)的X4、R3和n包括其优选形态在内如聚硅氧烷(AB)的项中所记载，且对于以式(3)表示的烷氧基硅烷的具体例子，也与聚硅氧烷(AB)的项中的记载相同。
本发明中使用的聚硅氧烷(B)以改善与基板的密合性、与液晶分子的亲合性等为目的，只要不破坏本发明的效果，可具有一种或多种第三特定有机基团。
对于聚硅氧烷(B)，并用以式(3)表示的烷氧基硅烷的情况下，在用于获得聚硅氧烷(B)的全部烷氧基硅烷中，以式(3)表示的烷氧基硅烷较好是40～99摩尔％，更好是50～99摩尔％。
本发明中，聚硅氧烷(B)较好是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷。
[聚硅氧烷(AB)的制造方法]
获得用于本发明的聚硅氧烷(AB)的方法无特别限定。本发明中，使将上述的式(1)和式(2)作为必需成分的烷氧基硅烷在有机溶剂中缩合而得。通常，聚硅氧烷(AB)通过将上述烷氧基硅烷缩聚而作为均匀溶解于有机溶剂的溶液获得。
作为将烷氧基硅烷缩聚的方法，可例举例如将烷氧基硅烷在醇或二醇等溶剂中进行水解、缩合的方法。
这时，水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下，理论上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可，但通常较好是加入超过0.5倍摩尔的过量的水。
本发明中，上述反应中使用的水量可以根据需要适当选择，但通常较好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5～2.5倍摩尔。
此外，为了促进水解缩合反应，通常可使用下述催化剂：盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、甲酸、乙二酸、马来酸、富马酸等酸，氨、甲胺、乙胺、乙醇胺、三乙胺等碱，盐酸、硫酸、硝酸等的金属盐等。除此之外，通过加热溶解有烷氧基硅烷的溶液来进一步促进水解缩合反应也是常用的方法。这时，加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如，可例举在50℃加热搅拌24小时的方法、在回流下加热搅拌1小时的方法等。
此外，作为其它方法，可例举例如加热烷氧基硅烷、溶剂和乙二酸的混合物来进行缩聚的方法。具体来说，是预先在醇中加入乙二酸而制成乙二酸的醇溶液后，在加热该溶液的状态下混合烷氧基硅烷的方法。这时，乙二酸的使用量相对于烷氧基硅烷所具有的全部烷氧基1摩尔较好是0.2～2摩尔。该方法中的加热可在50～180℃的液温下进行。较好是在不发生液体的蒸发、挥散等的条件下在回流下加热数十分钟～十数小时的方法。
获得本发明的聚硅氧烷(AB)时，使用多种烷氧基硅烷的情况下，可作为烷氧基硅烷预先混合而得的混合物进行混合，也可以依次混合多种的烷氧基硅烷。
将烷氧基硅烷缩聚是所用的溶剂(以下也称聚合溶剂)只要是溶解烷氧基硅烷的溶剂即可，无特别限定。此外，即使烷氧基硅烷不溶解的情况下，只要是可在烷氧基硅烷的缩聚反应进行的同时溶解的溶剂即可。通常，通过烷氧基硅烷的缩聚反应生成醇，因此可使用醇类、二醇类、二醇醚类或与醇类的相容性良好的有机溶剂。
作为上述聚合溶剂的具体例子，可例举甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、双丙酮醇等醇类；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、己二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、2,3-丁二醇、1,2-戊二醇、1,3-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、2,3-戊二醇、1,6-己二醇等二醇类；乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚等二醇醚类；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、γ-丁内酯、二甲亚砜、四甲基脲、六甲基磷酰三胺、间甲酚等。
本发明中，上述的聚合溶剂可多种混合使用。
另外，作为用于获得本发明的聚硅氧烷(AB)的其它方法，可例举包括下述工序的聚硅氧烷(AB)的制造方法：使以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1、X2、R1和p分别与上述的定义相同。
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3、R2和q分别与上述的定义相同。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4、R3和n分别与上述的定义相同。
这时，以式(1)和式(3)表示的烷氧基硅烷的水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下，理论上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可，但通常较好是加入超过0.5倍摩尔的过量的水。
本发明中，上述反应中使用的水量可以根据需要适当选择，但通常较好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5～2.5倍摩尔。
此外，为了促进水解缩合反应，通常可使用下述催化剂：盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、甲酸、乙二酸、马来酸、富马酸等酸，氨、甲胺、乙胺、乙醇胺、三乙胺等碱，盐酸、硫酸、硝酸等的金属盐等。除此之外，通过加热溶解有烷氧基硅烷的溶液来进一步促进水解缩合反应也是常用的方法。这时，加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如，可例举在50℃加热搅拌24小时的方法、在回流下加热搅拌1小时的方法等。
通过在将以上述的方法得到的以式(1)表示的烷氧基硅烷和以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、缩合而得的溶液中加入以式(2)表示的烷氧基硅烷并持续搅拌，可制成聚硅氧烷(AB)的溶液。这时，也可通过加热该溶液来进一步促进水解缩合反应。这时，加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如，可例举在50℃加热搅拌24小时的方法、在回流下加热搅拌1小时的方法等。
将烷氧基硅烷缩聚时所用的溶剂(以下也称聚合溶剂)与上述的[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中记载的聚合溶剂相同，具体例子也相同，这些溶剂可使用多种。
通过上述的方法得到的聚硅氧烷的聚合溶液(以下也称聚合溶液)中，将作为原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子换算为SiO2而得的浓度(以下称为SiO2换算浓度)较好是在20质量％以下，更好是5～15质量％。通过在该浓度范围内选择任意的浓度，可抑制凝胶的生成，获得均质的溶液。
[聚硅氧烷(A)的制造方法]
获得用于本发明的聚硅氧烷(A)的方法无特别限定，本发明中，使将上述的式(1)的烷氧基硅烷作为必需成分的烷氧基硅烷在有机溶剂中缩合而得。通常，聚硅氧烷(A)通过将上述烷氧基硅烷缩聚而作为均匀溶解于有机溶剂的溶液获得。
作为本发明中的缩聚方法，可例举例如将上述烷氧基硅烷在醇或二醇等溶剂中进行水解、缩合的方法。这时，水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下，理论上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可，但通常较好是加入超过0.5倍摩尔的过量的水。
本发明中，上述反应中使用的水量可以根据需要适当选择，但通常较好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5～2.5倍摩尔。
此外，获得聚硅氧烷(A)时，使用多种烷氧基硅烷的情况下，可作为烷氧基硅烷预先混合而得的混合物进行混合，也可以依次混合多种的烷氧基硅烷。
用于获得聚硅氧烷(A)的缩聚方法、聚合溶剂等与聚硅氧烷(AB)的制造方法的项中的记载相同，其优选范围也相同。
作为制造聚硅氧烷(A)的其它方法，可例举包括下述工序的聚硅氧烷(A)的制造方法：使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(1)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1、X2、R1和p分别与上述的定义相同。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4、R3和n分别与上述的定义相同。
这时，以式(3)表示的烷氧基硅烷的水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下，理论上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可，但通常较好是加入超过0.5倍摩尔的过量的水，更好是0.5倍～2.5倍摩尔。
此外，通常为了促进水解缩合反应所用的催化剂或加热的方法等与[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中记载的催化剂或加热的方法相同。
通过在将以上述的方法得到的以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、缩合而得的溶液中加入以式(1)表示的烷氧基硅烷并持续搅拌，可制成聚硅氧烷(A)的溶液。这时，可通过加热该溶液来进一步促进水解缩合反应。这时，加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如，可例举在50℃加热搅拌24小时或者在回流下加热搅拌1小时等方法。
通过上述的方法得到的聚硅氧烷(A)的聚合溶液(以下也称聚合溶液)中，将作为原料加入的全部烷氧基硅烷的硅原子换算为SiO2而得的浓度(以下称为SiO2换算浓度)通常在20质量％以下，更好是5～15质量％。通过在该浓度范围内选择任意的浓度，可抑制凝胶的生成，获得均质的溶液。
[聚硅氧烷(B)的制造方法]
获得本发明的聚硅氧烷(B)的方法无特别限定，本发明中与上述的[聚硅氧烷(A)的制造方法]相同。
获得聚硅氧烷(B)时，使用多种烷氧基硅烷的情况下，可作为烷氧基硅烷预先混合而得的混合物进行混合，也可以依次混合多种的烷氧基硅烷。
作为其它方法，可例举包括下述工序的聚硅氧烷(B)的制造方法：使以式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以式(2)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3、R2和q分别与上述的定义相同。
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4、R3和n分别与上述的定义相同。
这时，以式(3)表示的烷氧基硅烷的水解缩合反应可以是部分水解和完全水解中的任一种。完全水解的情况下，理论上加入烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5倍摩尔的水即可，但通常较好是加入超过0.5倍摩尔的过量的水。
本发明中，上述反应中使用的水量可以根据需要适当选择，但通常较好是烷氧基硅烷中的全部烷氧基的0.5～2.5倍摩尔。
此外，通常为了促进水解缩合反应所用的催化剂或加热的方法等与[聚硅氧烷(AB)的制造方法]中记载的催化剂或加热的方法相同。
通过在将以上述的方法得到的以式(3)表示的烷氧基硅烷水解、缩合而得的溶液中加入以式(2)表示的烷氧基硅烷并持续搅拌，可制成聚硅氧烷(B)的溶液。这时，也可通过加热该溶液来进一步促进水解缩合反应。这时，加热温度和加热时间可根据需要适当选择。例如，可例举在50℃加热搅拌24小时或者在回流下加热搅拌1小时等方法。
将烷氧基硅烷缩聚时所用的溶剂(以下也称聚合溶剂)与上述的[聚硅氧烷(A)的制造方法]中记载的聚合溶剂相同，具体例子也相同，这些溶剂可使用多种。
[聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液]
本发明中，可将通过上述的方法得到的聚合溶液直接作为聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液，也可以根据需要将通过上述的方法得到的溶液浓缩或者加溶剂稀释或置换成其它溶剂后作为聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液。
这时使用的溶剂(以下也称添加溶剂)可与聚合溶剂相同，也可以是其它溶剂。该添加溶剂只要可均匀溶解聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)即可，无特别限定，可任意选择一种或多种使用。
作为上述添加溶剂的具体例子，除了上述作为聚合溶剂的例子例举的溶剂之外，还可以例举丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯等酯类。
这些溶剂可实现液晶取向剂的粘度调整或者提高通过旋涂、胶版印刷、喷墨等将液晶取向剂涂布于基板上时的涂布性。
[其它成分]
本发明的液晶取向剂中，只要不破坏本发明的效果，可包含聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)以外的其它成分，例如无机微粒、金属氧烷(metaloxane)低聚物、金属氧烷聚合物、均平剂、表面活性剂等成分。
作为无机微粒，较好是二氧化硅微粒、氧化铝微粒、氧化钛微粒或氟化镁微粒等微粒，特别好是呈胶体溶液状态的微粒。该胶体溶液可以是将无机微粒分散于分散介质而得的溶液，也可以是市售品的胶体溶液。本发明中，通过包含无机微粒，可赋予所形成的固化被膜的表面形状及其它功能。作为无机微粒，其平均粒径较好是0.001～0.2μm，更好是0.001～0.1μm。无机微粒的平均粒径大于0.2μm的情况下，使用所制成的涂布液形成的固化被膜的透明性可能会下降。
作为无机微粒的分散介质，可例举水和有机溶剂。作为胶体溶液，从被膜形成用涂布液的稳定性的角度来看，较好是pH或pKa调整至1～10，更好是2～7。
作为用于上述胶体溶液的分散介质的有机溶剂，可例举甲醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇、二乙二醇、二丙二醇、乙二醇单丙醚等醇类，甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类，甲苯、二甲苯等芳香烃类，二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类，乙酸乙酯、乙酸丁酯、γ-丁内酯等酯类，四氢呋喃、1,4-二烷等醚类等。其中，较好是醇类或酮类。这些有机溶剂可单独或者将2种以上混合后作为分散介质使用。
作为上述金属氧烷低聚物、金属氧烷聚合物，可使用硅、钛、铝、钽、锑、铋、锡、铟、锌等的单独的氧化物前体或复合氧化物前体。作为金属氧烷低聚物、金属氧烷聚合物，可以是市售品，也可以是由金属醇盐、硝酸盐、盐酸盐、羧酸等单体通过水解等常规方法得到的化合物。
作为金属氧烷低聚物及金属氧烷聚合物的具体例子，可例举作为市售品的柯尔扣特株式会社(コルコート社)制的硅酸甲酯51、硅酸甲酯53A、硅酸乙酯40、硅酸乙酯48、EMS-485、SS-101等硅氧烷低聚物或硅氧烷聚合物，关东化学株式会社(関東化学社)制的正丁氧基钛四聚物等钛氧烷低聚物。它们可单独使用或2种以上混合使用。
此外，上述均平剂和表面活性剂等可使用公知的试剂，特别是市售品因容易获得而优选。
此外，在聚硅氧烷中混合上述的其它成分的方法可以是与聚硅氧烷同时混合，也可以在其后混合，无特别限定。
[液晶取向剂]
本发明的液晶取向剂是包含上述的聚硅氧烷(AB)或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)以及根据需要采用的其它成分的溶液。这时，作为溶剂，可使用选自上述的聚合溶剂和添加溶剂的至少1种溶剂。液晶取向剂中的聚硅氧烷(AB)的含量或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的总含量分别以聚硅氧烷(AB)的SiO2换算浓度或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的硅原子总量的SiO2换算浓度计较好是0.5～15质量％，更好是1～6质量％。如果是上述的SiO2换算浓度的范围，则容易通过一次涂布获得所需的膜厚，易于获得足够的溶液的使用期限。
本发明中，液晶取向剂中的聚硅氧烷(A)与聚硅氧烷(B)的混合比较好是相对于聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)所含的硅原子总量，聚硅氧烷(A)所含的硅原子总量在5摩尔％以上。聚硅氧烷(A)所含的硅原子总量少于5摩尔％时，难以获得良好的垂直取向性。此外，如果聚硅氧烷(A)所含的硅原子总量多于99.5摩尔％，则聚硅氧烷(B)的含有比例降低，难以获得良好的对于水的可靠性，因此较好是在99.5摩尔％以下。
制备本发明的液晶取向剂的方法无特别限定。只要是本发明中使用的聚硅氧烷(AB)或者聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)以及根据需要加入的其它成分均匀混合的状态即可。通常，聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)在溶剂中缩聚，所以直接使用聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的溶液或者根据需要在该溶液中添加其它成分的方法较为简便。另外，直接使用所述的聚合溶液的方法最为简便。
此外，调整聚硅氧烷(AB)、聚硅氧烷(A)和聚硅氧烷(B)的含量时，可以使用选自上述的聚合溶剂和添加溶剂的至少1种溶剂。
[液晶取向膜]
本发明的液晶取向膜使用本发明的液晶取向剂得到。例如，也可以直接使用通过将本发明的液晶取向剂涂布于基板后进行干燥、烧成而得的固化膜作为液晶取向膜。此外，也可以对该固化膜进行摩擦处理，或照射偏振光或特定波长的光等，或进行离子束等的处理等，从而制成液晶取向膜。
作为涂布液晶取向剂的基板，只要是透明性高的基板即可，无特别限定，较好是基板上形成有用于驱动液晶的透明电极的基板。
若例举具体例子，可例举玻璃板或聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚氨酯、聚砜、聚醚、聚醚酮、三甲基戊烯、聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、(甲基)丙烯腈、三乙酰基纤维素、二乙酰基纤维素、醋酸丁酸纤维素等的塑料板等上形成有透明电极的基板。
作为液晶取向剂的涂布方法，可例举旋涂法、印刷法、喷墨法、喷涂法、辊涂法等，从生产性的角度来看工业上广泛采用转印印刷法，本发明中也优选使用。
涂布液晶取向剂后的干燥工序并不一定需要，但从涂布后到烧成为止的时间对于各基板不恒定或者涂布后不立即烧成的情况下，较好是包括干燥工序。该干燥只要除去溶剂至涂膜形状不会因基板搬运等而发生变形的程度即可，对于其干燥方法无特别限定。例如，可例举在温度为40℃～150℃、较好是60℃～100℃的热板上干燥0.5～30分钟、较好是1～5分钟的方法。
通过上述的方法涂布液晶取向剂而形成的涂膜可进行烧成而制成固化膜。这时，烧成温度可以是100℃～350℃的任意温度，较好是140℃～300℃，更好是150℃～230℃，进一步更好是160℃～220℃。烧成时间可以是5分钟～240分钟的任意时间。较好是10～90分钟，更好是在20～90分钟。加热可以使用通常公知的方法，例如热板、热风循环烘箱、IR炉、带式炉等。
液晶取向膜中的聚硅氧烷在烧成工序中进行缩聚。但是，本发明中，只有不破坏本发明的效果，不需要使其完全缩聚。其中，较好是在比液晶盒制造工序中所需的密封剂固化等的热处理温度高10℃以上的温度下进行烧成。
该固化膜的厚度可根据需要选择，较好是5nm以上、更好是10nm以上的情况下，易于获得液晶显示元件的可靠性，所以优选。此外，固化膜的厚度较好是300nm以下、更好是150nm以下的情况下，液晶显示元件的耗电量不会过高，所以优选。
上述固化膜也可直接用作液晶取向膜，但也能对该固化膜进行摩擦处理，或照射偏振光或特定波长的光等，或进行离子束等的处理等，从而制成液晶取向膜。
[液晶显示元件]
本发明的液晶显示元件可通过上述的方法在基板上形成液晶取向膜后以公知的方法制作液晶盒来获得。若例举液晶盒制作的一例，通常为将形成有液晶取向膜的1对基板夹着间隔物用密封剂固定后注入液晶并密封的方法。这时使用的间隔物的尺寸为1～30μm，较好是2～10μm。
注入液晶的方法无特别限定，可例举使制成的液晶盒内呈减压状态后注入液晶的真空法、滴加液晶后进行密封的滴加法等。
作为用于液晶显示元件的基板，只要是透明性高的基板即可，无特别限定，通常是基板上形成有用于驱动液晶的透明电极的基板。
具体例子与上述[液晶取向膜]的项中记载的基板相同。
此外，像TFT型元件等高功能元件中，采用在用于驱动液晶的电极与基板之间形成有如晶体管等元件的基板。
透射型的液晶元件的情况下，一般采用如上所述的基板，而反射型的液晶显示元件中，也可以仅单侧的基板采用硅晶片等不透明的基板。这时，形成于基板的电极也可以采用反射光的铝等材料。
此外，使用含聚合性化合物的液晶的PSA型显示元件中,也可以通过在对液晶盒施加电压的同时照射紫外线或偏振紫外线等能量射线来形成液晶的预倾角。
实施例
以下，示出合成例以及实施例和比较例，对本发明进行具体说明，但本发明并不仅限于下述的实施例进行解释。
本实施例中的缩写的说明如下。
TEOS:四乙氧基硅烷
TBC:(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)叔丁基氨基甲酸酯
BISA:双(三甲氧基甲硅烷基丙基胺)
DMAPS:3-(N,N-二甲基氨基丙基)三甲氧基硅烷
C12:十二烷基三乙氧基硅烷
C18:十八烷基三乙氧基硅烷
F13:十三氟辛基三甲氧基硅烷
MC18:二乙氧基甲基十八烷基硅烷
MTES:甲基三乙氧基硅烷
Phe:苯乙基三甲氧基硅烷
Ben:苯甲酰氧基丙基三甲氧基硅烷
ACPS:(3-丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷
MAPS:3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷
HG:己二醇(别名:2-甲基-2,4-戊二醇)
BCS:丁基溶纤剂(别名:乙二醇单丁醚)
PGME:丙二醇单乙醚
PB:丙二醇单丁醚
EtOH:乙醇
APS:γ-氨基丙基三乙氧基硅烷
<合成例1>
在装有温度计和回流管的200mL(毫升)的四口反应烧瓶中，将HG:22.52g、BCS:7.51g、TEOS:39.17g、C18:4.17g和TBC:0.64g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.26g、BCS:3.75g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.68g、BCS:11.32g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K1)。
<合成例2>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.5g、BCS:7.17g、TEOS:35.42g、C18:4.17g和TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.75g、BCS:3.58g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.65g、BCS:11.35g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K2)。
<合成例3>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.11g、BCS:7.04g、TEOS:38.75g和C18:4.17g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.55g、BCS:3.52g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流30分钟后，加入BISA:1.37g、1.97HG:01.97g、BCS:0.66g的混合溶液。再在回流下加热30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.65g、BCS:11.35g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K3)。
<合成例4>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.69g、BCS:7.23g、TEOS:38.75g和C18:4.17g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.85g、BCS:3.62g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.9g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流30分钟后，加入DMAPS:0.83g、HG:0.88g、BCS:0.29g的混合溶液。再在回流下加热30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.65g、BCS:11.35g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K4)。
<合成例5>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:18.88g、BCS:6.29g、TEOS:27.08g、C18:4.17g和TBC:19.29g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:9.44g、BCS:3.15g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.57g、BCS:11.43g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K5)。
<合成例6>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.10g、BCS:7.37g、TEOS:36.67g、MC18:1.55g和TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.05g、BCS:3.68g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.36g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.66g、BCS:11.34g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K6)。
<合成例7>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.10g、BCS:7.37g、TEOS:35.42g、Phe:2.26g和TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.05g、BCS:3.68g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.66g、BCS:11.34g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K7)。
<合成例8>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.81g、BCS:7.27g、TEOS:35.42g、Ben:2.84g和TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.90g、BCS:3.63g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.9g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.65g、BCS:11.35g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K8)。
<合成例9>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.29g、BCS:7.43g、TEOS:37.08g、F13:0.94g、TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.14g、BCS:3.71g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.67g、BCS:11.33g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K9)。
<合成例10>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.16g、BCS:7.39g、TEOS:32.50g、ACPS:4.69g、C18:1.67g和TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.08g、BCS:3.69g、水:10.21g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:26.68g、BCS:4.01g、PB:29.32g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K10)。
<合成例11>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.02g、BCS:7.34g、TEOS:32.50g、MAPS:4.97g和C18:1.67g、TBC:6.43g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.01g、BCS:3.67g、水:10.21g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.66g、BCS:11.34g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K11)。
<合成例12>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.69g、BCS:7.23g、TEOS:38.75g和C18:4.17g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.85g、BCS:3.62g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流30分钟后，加入APS:0.89g、HG:0.83g、BCS:0.28g的混合溶液。再在回流下加热30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.66g、BCS:11.34g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(K12)。
<比较合成例1>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.63g、BCS:7.54g、TEOS:39.58g和C18:4.17g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.32g、BS:3.77g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:56.04g、BCS:3.96g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的液晶取向剂(L1)。
合成例1～12和比较合成例1中的烷氧基硅烷的配比示于表1。
[表1]
液晶盒的制作方法、液晶取向性的评价方法和电特性测定方法如下所述。
[液晶盒的制作方法]
将液晶取向剂用孔径0.45μm的膜滤器加压过滤后，通过旋涂法在带ITO透明电极的玻璃基板上成膜。将该基板在80℃的热板上干燥5分钟后，用210℃的热风循环式洁净烘箱进行60分钟的烧成，形成膜厚约80nm的液晶取向膜。准备2块该基板，在一块基板的液晶取向膜面散布粒径6μm的间隔物后，在基板的外缘部通过丝网印刷法涂布环氧类粘接剂。然后，以液晶取向膜相向的方式将基板贴合并压接后，使其固化而制成空盒。将该空盒在室温23℃、湿度98％的环境下放置20小时，使水分吸附(水处理)后，通过真空注入法注入液晶(默克株式会社(メルク社)制MLC-6608(商品名))。这时，液晶注入前的空盒进行5分钟的脱气。然后，通过UV固化树脂将注入孔密封而制成液晶盒(有水处理)。
另一方面，将通过与上述同样的方法制成的空盒在室温23℃、湿度43％的环境下放置20小时，通过真空注入法注入液晶(默克株式会社制MLC-6608(商品名))后，通过UV固化树脂将注入孔密封而制成液晶盒(无水处理)。
[液晶取向性]
通过偏振显微镜观察通过上述[液晶盒的制作]中记载的方法制成的液晶盒(有水处理)，确认液晶的取向状态。呈现液晶盒整体无缺陷的均匀取向状态的情况评价为〇，液晶盒的一部分可见取向缺陷的情况和未垂直取向的情况评价为×。
[电特性]
测定对于通过上述[液晶盒的制作]中记载的方法制成的液晶盒施加电压±10V、频率0.01Hz的三角波时的离子密度。测定温度为80℃。测定装置使用东阳科技株式会社(東陽テクニカ社)制6245型液晶物性评价装置。
<实施例1～12>
使用合成例1～12中得到的液晶取向剂K1～K12，通过上述的方法制成液晶盒，观察液晶取向性，测定电特性。其结果示于表2。
<比较例1>
使用比较合成例1中得到的液晶取向剂L1，通过上述的方法制成液晶盒，观察液晶取向性，测定电特性。其结果示于表2。
[表2]
由表2可知，实施例1～12的液晶盒即使在有水处理的情况下，与无水处理的情况相比，离子密度也没有上升。另一方面，比较例1的液晶盒在有水处理的情况下，与无水处理的情况相比，离子密度大幅上升。
<合成例21>
在装有温度计和回流管的1L(升)的四口反应烧瓶中，将HG:113.17g、BCS:37.72g、TEOS:197.91g和C18:20.84g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:56.59g、BS:18.86g、水:54.0g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:56.04g和BCS:3.96g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K21)。
<合成例22>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.99g、BCS:7.66g、TEOS:27.78g和C12:11.09g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.50g、BS:3.83g、水:15.0g和作为催化剂的乙二酸:0.15g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后在67℃加热30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为10质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:36.69g和BCS:8.31g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K22)。
<合成例23>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.26g、BCS:7.42g、TEOS:38.33g、C18:4.17g和C12:2.00g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.13g、BS:3.71g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.67g和BCS:11.33g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K23)。
<合成例24>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:23.54g、BCS:7.85g、TEOS:27.08g、C18:4.17g和MTES:10.7g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.77g、BS:3.92g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.71g和BCS:11.29g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K24)。
<合成例25>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.79g、BCS:7.60g、TEOS:39.58g和MC18:3.87g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.39g、BS:3.80g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:60.0g、HG:97.37g和BCS:22.63g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K25)。
<合成例26>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，投入HG:23.42g、BCS:7.81g、TEOS:41.25g和F13:0.94g并搅拌，制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.71g、BS:3.90g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:60.0g、EtOH:84.00g和PGME:36.00g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K26)。
<合成例27>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，投入HG:23.59g、BCS:7.86g、TEOS:39.58g和Phe:2.26g并搅拌，制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.79g、BS:3.93g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:60.0g、HG:97.42g和BCS:22.58g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K27)。
<合成例28>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，投入HG:23.30g、BCS:7.77g、TEOS:39.58g和Ben:2.84g并搅拌，制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.65g、BS:3.88g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:60.0g、HG:97.40g和BCS:22.60g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K28)。
<合成例29>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，投入HG:21.41g、BCS:7.14g、TEOS:33.33g和TBC:12.86g并搅拌，制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.71g、BCS:3.57g、水:10.8g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.64g和BCS:11.36g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L21)。
<合成例30>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:32.70g、BCS:10.90g和TEOS:18.75g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:16.35g、BCS:5.45g、水:5.40g和作为催化剂的乙二酸:0.45g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后在85℃加热30分钟后，加入预先将BISA:1.71g、HG:6.22g、BCS:2.07g混合而得的溶液。再在85℃加热30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为6质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:60.0g、HG:25.96g和BCS:4.04g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L22)。
<合成例31>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.88g、BCS:7.63g、TEOS:38.75g和MTES:1.78g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.44g、BCS:3.81g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流30分钟后，加入预先将DMAPS:0.83g、HG:0.88g、BCS:0.29g混合而得的溶液。再回流30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.69g和BCS:11.31g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L23)。
<合成例32>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:17.65g、BCS:5.89g、TEOS:20.83g和TBC:32.15g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:8.83g、BCS:2.94g、:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.53g和BCS:27.11.47g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L24)。
<合成例33>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:21.15g、BCS:7.05g和TEOS:29.17g、ACPS:4.69g和TBC:12.86g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:10.58g、BCS:3.53g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.18g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流1小时后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.63g和BCS:11.37g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L25)。
<合成例34>
在装有温度计和回流管的200mL的四口反应烧瓶中，将HG:22.88g、BCS:7.63g、TEOS:38.75g和MTES:1.78g混合而制成烷氧基硅烷单体的溶液。在室温下向该溶液中用30分钟滴加预先将HG:11.44g、BCS:3.81g、水:10.80g和作为催化剂的乙二酸:0.90g混合而得的溶液。将该溶液搅拌30分钟后使其回流30分钟后，加入预先将APS:0.89g、HG:0.83g、BCS:0.29g混合而得的溶液。再回流30分钟后放冷，获得SiO2换算浓度为12质量％的聚硅氧烷溶液。
将所得的聚硅氧烷溶液:30.0g、HG:48.69g和BCS:11.31g混合，获得SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L26)。
上述合成例21～34中的烷氧基硅烷的配比示于下述的表3和表4。
[表3]
[表4]
<实施例21～实施例35>
将与合成例21～合成例34同样地进行操作而得的SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(K21～K28)和SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液(L21～L26)按表5所示的比例混合，获得作为SiO2换算浓度为4质量％的聚硅氧烷溶液的液晶取向剂(KL1～KL15)。
使用所得的液晶取向剂，通过上述的方法制成液晶盒，观察液晶取向性，测定电特性。其结果示于表5。
[表5]
<比较例21>
使用合成例21中得到的聚硅氧烷溶液(K21)，通过上述的方法制成液晶盒，观察液晶取向性，测定电特性。其结果示于表6。
[表6]
由表6可知，实施例21～35的液晶盒即使在有水处理的情况下，与无水处理的情况相比，离子密度也没有上升。另一方面，比较例21的液晶取向盒在有水处理的情况下，与无水处理的情况相比，确认离子密度大幅上升。
产业上利用的可能性
使用本发明的液晶取向处理剂制成的液晶显示元件可制成可靠性高、特别是电特性的可靠性高且高画质的液晶显示器件，适合用于TN型、STN型、IPS型、VA型、OCB型、PSA型等的液晶显示元件等采用各种方式的显示元件。
在这里引用2009年12月01日提出申请的日本专利申请2009-273775号的说明书、权利要求书和说明书摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。

Claims (5)

1.液晶取向剂，其特征在于，包含下述的聚硅氧烷A和聚硅氧烷B；
聚硅氧烷A是将包括以式(1)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
X1(X2)pSi(OR1)3-p(1)
X1是可被氟原子取代且可含氧原子、磷原子或硫原子的碳原子数8～30的烃基，X2是碳原子数1～5的烷基，R1是碳原子数1～5的烷基，p表示0～2的整数；
聚硅氧烷B是将包括以式(2)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
X3{Si(OR2)3}q(2)
X3是含一个氮原子且该氮原子为伯氮原子、仲氮原子或叔氮原子且可含氧原子或硫原子的碳原子数2～20的烃基，R2是碳原子数1～5的烷基，q表示1或2的整数。
2.如权利要求1所述的液晶取向剂，其特征在于，所述聚硅氧烷A是将包括以上述式(1)表示的烷氧基硅烷和以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
3.如权利要求2所述的液晶取向剂，其特征在于，所述聚硅氧烷A通过包括下述工序的方法制成：使以上述式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以上述式(1)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液晶取向剂，其特征在于，所述聚硅氧烷B是将包括以上述式(2)表示的烷氧基硅烷和以下述式(3)表示的烷氧基硅烷的烷氧基硅烷缩聚而得的聚硅氧烷；
(X4)nSi(OR3)4-n(3)
X4是氢原子或者可被卤素原子、乙烯基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代且可含杂原子的碳原子数1～6的烃基，R3是碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
5.如权利要求4所述的液晶取向剂，其特征在于，所述聚硅氧烷B通过包括下述工序的方法制成：使以上述式(3)表示的烷氧基硅烷在有机溶剂中水解、缩合后，加入以上述式(2)表示的烷氧基硅烷进行水解、缩合。
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