CN102689918A - 硫化铜纳米片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硫化铜纳米片的制备方法,包括以下步骤:1)将氯化铜和表面活性剂溶于去离子水中配成溶液A;将硫代乙酰胺溶于去离子水中配成溶液B;2)将溶液A和溶液B两种溶液混合作为反应溶液进行水浴反应,得到六边形硫化铜纳米片;通过控制反应条件,可控制硫化铜纳米片的边长在55~140nm之间,厚度在8~20nm之间;本发明具有原料易得、设备简易、成本低廉、操作简单、高效快捷等特点,制备的硫化铜纳米片形貌规整、分散性好、尺寸可控、产率高、稳定性好,适合大规模工业生产;本发明制备的硫化铜纳米材料在发光二极管、光催化剂、荧光材料、电化学电池、传感器、激光器和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及一种硫化铜纳米片的制备方法。
背景技术
硫化铜是一种重要的过渡金属硫化物,也是一种化学稳定性好的多功能半导体材料。纳米硫化铜粉体粒径小、比表面积大,由于量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,其半导体纳米晶体在分子实体和微晶粒之间有传导电子的媒介作用,具有其块体材料无法比拟的光电特性,因此硫化铜纳米粉体是一种重要的光电导材料,被广泛应用于发光二极管、光催化剂、荧光材料、电致发光器件、电化学电池、传感器、激光器和太阳能电池等领域,受到人们广泛的关注,成为研究的热点。
目前硫化铜半导体纳米材料的制备方法很多,如化学沉淀法、微波辐射法、气相沉积法、同相法、溶胶一凝胶法、微乳液法、水热合成法、喷雾热解法和超声合成法等。这些方法在一定程度上存在不足,譬如产物尺寸、形貌难于控制;产率不高;高温反应条件苛刻或是制备过程比较复杂、成本相对较高等。因此,如何制备高产率、高分散、尺寸可控、形貌规整的硫化铜半导体纳米材料仍然是一个关键的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种硫化铜纳米片的制备方法,制备的硫化铜纳米片形貌规整、分散性好、产率高、稳定性好。
本发明的硫化铜纳米片的制备方法,包括以下步骤:
1)将氯化铜利表面活性剂溶于去离子水中配成溶液A;将硫代乙酰胺溶于去离子水中配成溶液B;
2)将溶液A和溶液B两种溶液混合作为反应溶液进行水浴反应,得到硫化铜纳米片。
进一步,所述溶液A中,氯化铜的摩尔浓度为0.01~0.03mol/L;
进一步,所述表面活性剂为聚乙烯吡咯炕酮、β-环糊精或十二烷基苯磺酸钠;
进一步,所述溶液A中,表面活性剂的用量为0.01~0.15g/100ml;
进一步,所述溶液B中,硫代乙酰胺的摩尔浓度为0.05~0.25mol/L;
进一步,所述反应溶液中,氯化铜与硫代乙酰胺的摩尔比为1∶2~1∶5;
进一步,所述水浴反应的水浴温度为80~100℃,反应时间为1~4小时;
进一步,还包括以下步骤:
3)水浴反应后,将悬浊反应液进行离心分离,然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物;
4)将沉淀物放在真空干燥箱内40~60℃下干燥,烘干时间为4~6小时,最终得到黑色硫化锌粉末。
本发明的有益效果在于:本发明以常见的氯化铜、硫代乙酰胺为反应原料,在表面活性剂的辅助下进行水浴反应,得到硫化铜纳米片;通过控制反应条件,可控制硫化铜纳米片的边长在55~140nm之间,厚度在8~20nm之间;因此,本发明具有原料易得、设备简易、成本低廉、操作简单、高效快捷等特点,制备的硫化铜纳米片形貌规整、分散性好、产率高、稳定性好,适合大规模工业生产;本发明制备的硫化铜纳米材料在发光二极管、光催化剂、荧光材料、电致发光器件、电化学电池、传感器、激光器和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述,其中:
图1为本发明实施例1制备的硫化铜纳米片SEM图;
图2为本发明实施例2制备的硫化铜纳米片SEM图;
图3为本发明实施例3制备的硫化铜纳米片SEM图。
具体实施方式
以下将参照附图,对本发明的优选实施例进行详细的描述。
实施例1
本实施例硫化铜纳米片的制备方法,包括以下步骤:
1)称取0.45g氯化铜和0.1g聚乙烯吡咯烷酮溶于100ml去离子水中配成溶液A;称取0.6g硫代乙酰胺溶于50ml去离子水中配成溶液B;
2)将100ml溶液A和50ml溶液B混合作为反应溶液,将反应溶液放入90℃水浴中反应2小时,得到硫化铜纳米片;
3)水浴反应后,将悬浊反应液进行离心分离,然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物;
4)将沉淀物放在真空干燥箱内50℃下干燥,烘干时间为5小时,最终得到黑色硫化铜粉末。
在氯化铜溶液中加入一定量的表面活性剂聚乙烯吡咯炕酮,目的是控制产物的形貌,同时还起到防止发生粒子团聚的作用;步骤3)和步骤4)的目的是将制备的硫化铜纳米片从悬浊反应液中分离出来;本实施例制备的硫化铜纳米片SEM图如图1所示,平均边长为140nm,平均厚度为10nm。
实施例2
本实施例硫化铜纳米片的制备方法,包括以下步骤:
1)称取0.45g氯化铜和0.05g β-环糊精溶于100ml去离子水中配成溶液A;称取0.6g硫代乙酰胺溶于50ml去离子水中配成溶液B;
2)将100ml溶液A和50ml溶液B混合作为反应溶液,将反应溶液放入80℃水浴中反应2小时,得到硫化铜纳米片;
3)水浴反应后,将悬浊反应液进行离心分离,然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物;
4)将沉淀物放在真空干燥箱内50℃下干燥,烘干时间为5小时,最终得到黑色硫化铜粉末。
在氯化铜溶液中加入一定量的表面活性剂β-环糊精,目的是控制产物的形貌,同时还起到防止发生粒子团聚的作用;步骤3)和步骤4)的日的是将制备的硫化铜纳米片从恳浊反应液中分离出米;本实施例制备的硫化铜纳米片SEM图如图2所示,平均边长为55nm,平均厚度为20nm。
实施例3
本实施例硫化铜纳米片的制备方法,包括以下步骤:
1)称取0.45g氯化铜和0.75g十二烷基苯磺酸钠溶于100ml去离子水中配成溶液A;称取0.6g硫代乙酰胺溶于50ml去离子水中配成溶液B;
2)将100ml溶液A和50ml溶液B混合作为反应溶液,将反应溶液放入90℃水浴中反应2小时,得到六边形硫化铜纳米片;
3)水浴反应后,将悬浊反应液进行离心分离,然后用去离子水和无水乙醇洗涤沉淀物;
4)将沉淀物放在真空干燥箱内40℃下干燥,烘干时间为6小时,最终得到黑色硫化铜粉末。
在醋酸锌溶液中加入一定量的表面活性剂十二炕基苯磺酸钠,目的是控制产物的形貌,同时还起到防止发生粒子团聚的作用;步骤3)和步骤4)的目的是将制备的硫化铜纳米片从悬浊反应液中分离出来;本实施例制备的硫化铜纳米片SEM图如图3所示,平均边长为85nm,平均厚度为8nm。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管通过参照本发明的优选实施例已经对本发明进行了描述,但本领域的普通技术人员应当理解,可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变,而不偏离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。
Claims (8)
1.一种硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)将氯化铜和表面活性剂溶于去离子水中配成溶液A;将硫代乙酰胺溶于去离子水中配成溶液B;
2)将溶液A和溶液B两种溶液混合作为反应溶液进行水浴反应,得到硫化铜纳米片。
2.根据权利要求1所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述溶液A中,醋酸锌的摩尔浓度为0.01~0.03mol/L。
3.根据权利要求1所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮、β-环糊精或十二烷基苯磺酸钠。
4.根据权利要求3所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述溶液A中,表面活性剂的用量为0.01~0.15g/100ml。
5.根据权利要求1所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述溶液B中,硫代乙酰胺的摩尔浓度为0.05~0.25mol/L。
6.根据权利要求1所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述反应溶液中,氯化铜与硫代乙酰胺的摩尔比为1∶2~1∶5。
7.根据权利要求1所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:所述水浴反应的水浴温度为80~100℃,反应时间为1~4小时。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的硫化铜纳米片的制备方法,其特征在于:还包括以下步骤:
3)水浴反应后,将悬浊反应液进行离心分离,然后用去离子水利无水乙醇洗涤沉淀物;
4)将沉淀物放在真空干燥箱内40~60℃下干燥,烘干时间为4~6小时,最终得到黑色硫化铜粉末。
Priority Applications (1)
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CN2012100601998A Pending CN102689918A (zh) | 2012-03-04 | 2012-03-04 | 硫化铜纳米片的制备方法 |
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