CN102686880B - 低温泵及真空排气方法 - Google Patents

低温泵及真空排气方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102686880B
CN102686880B CN201080050597.0A CN201080050597A CN102686880B CN 102686880 B CN102686880 B CN 102686880B CN 201080050597 A CN201080050597 A CN 201080050597A CN 102686880 B CN102686880 B CN 102686880B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cryopump
cryopanel
process gas
baffle plate
surface roughness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080050597.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102686880A (zh
Inventor
田中秀和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Publication of CN102686880A publication Critical patent/CN102686880A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102686880B publication Critical patent/CN102686880B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/10Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
    • F04B37/14Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
    • F04B37/16Means for nullifying unswept space
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/06Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
    • F04B37/08Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

本发明提供一种低温泵及真空排气方法。本发明的低温泵(10)具备:第1低温板,具备具有屏蔽件开口(20)的放射屏蔽件(18)和配置于屏蔽件开口(20)的百叶窗(23);第2低温板(24),被第1低温板包围;及制冷机(14),将第1低温板冷却至第1冷却温度,并将第2低温板冷却至低于第1冷却温度的第2冷却温度。百叶窗(23)上形成有粗糙面(42)。

Description

低温泵及真空排气方法
技术领域
本发明涉及一种低温泵及真空排气方法。
背景技术
低温泵为通过冷凝或吸附将气体分子捕捉到冷却至超低温的低温板来排气的真空泵。低温泵一般为了实现半导体电路制造工艺等所需的清洁的真空环境而被利用。
例如专利文献1中记载有如下低温泵,其在低温泵的除挡板以外应容纳于泵壳体内的部件外面形成除氟系树脂以外的树脂的薄膜。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭60-8481号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在真空工艺中,有反复进行工艺气体向真空腔室的供给和停止供给的情况。例如在溅射中典型地以设定流量供给设定时间的工艺气体而在基板上形成薄膜。而且,溅射处理结束后停止工艺气体的供给,进行更换完成处理的基板和新的被处理基板等附带作业。需要真空腔室内还原到所希望的真空度以备开始下一个溅射处理。从提高生产率的观点考虑,优选尽可能缩短还原所需时间。
本发明的目的在于提供一种能够在短时间内使排气对象容积恢复到所希望的真空度的低温泵及真空排气方法。
用于解决技术课题的手段
本发明的一个方式的低温泵具备:第1低温板,具备具有开口部的放射屏蔽件和配置于开口部的挡板;第2低温板,被第1低温板包围;及制冷机,将第1低温板冷却至第1冷却温度,并将第2低温板冷却至低于第1冷却温度的第2冷却温度,挡板上形成有粗糙面。
根据该方式,通过在挡板上具有粗糙面,能够提高与冷凝的冰层的粘附性。由此,能够抑制冰层的剥离。抑制由剥离区域的冷却不良引起的该区域的局部升温,进而抑制通过低温捕获现象吸附于该剥离区域的冰层上的气体分子的再放出。由此,能够抑制恢复到所希望的真空度所需的时间的增大。
本发明的其他方式为真空排气方法。该方法在反复进行工艺气体向真空腔室的供给和停止供给的真空工艺中,通过低温泵对包含该工艺气体和水分的气体进行排气,通过冷却设置于低温泵的吸气口且表面被粗糙化的挡板来形成粘附于该表面的冰层,抑制停止供给工艺气体时再放出在供给工艺气体时通过低温捕获现象捕捉于冰层上的工艺分子。
发明效果
根据本发明能够在短时间内使排气对象容积恢复到所希望的真空度。
附图说明
图1是用于原理性说明冰层在低温板表面上的剥离及其影响的图。
图2是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的低温泵的一部分的图。
图3是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的排气运行中的百叶窗的截面的放大图。
图4是示意地表示本发明的其他的实施例所涉及的排气运行中的百叶窗的截面的放大图。
符号的说明:
10-低温泵,12-泵容器,14-制冷机,16-低温板结构体,18-放射屏蔽件,20-屏蔽件开口,21-第1冷却台,22-第2冷却台,23-百叶窗,24-低温板,26-连接部件,40-百叶窗安装部,41-百叶窗板,42-粗糙面,43-基材,44-无光泽镀层。
具体实施方式
本发明的一实施方式所涉及的低温泵在放射屏蔽件的开口部具备形成有粗糙面的低温板。低温板例如为挡板。粗糙面例如通过对挡板的基材实施无光泽镀来形成。并且,也可以与无光泽镀一同或代替无光泽镀对挡板表面进行粗糙化来形成粗糙面。粗糙化处理例如可以为喷砂处理。
本申请发明人发现,典型的低温泵中,停止供给工艺气体时恢复到所希望的真空度所需的复原时间随着增加向泵的气体存储量而变长。并且发现,每当冰层在挡板表面局部剥离时,复原时间阶段性地增加。可认为冰层的剥离原因在于典型的低温泵的挡板表面的平坦度变高。沉积的冰层在挡板表面的粘附性较低,因此由于随着冰层变厚而变大的内部应力,冰层容易从挡板剥落。冰层与挡板的接触面积因剥离变小,冰层的温度升高。其结果,通过低温捕获现象而吸附到冰层的工艺气体分子变得容易再放出。
在典型的低温泵中,对挡板表面实施光泽镀镍。因此,挡板表面的平坦度较高。在挡板上实施光泽镀是为了降低欲进入低温泵的放射屏蔽件内部的辐射热。
与该技术思想不同,本申请发明人提供一种通过在第1级低温板的表面形成粗糙面来抑制增加向所希望的真空度复原的时间的低温泵。通过对板表面进行粗糙化,能够提高与冰层的粘附性。冰层通过所谓锚定效果粘附到板表面。因此,冰层变得不易剥离,且抑制工艺气体分子的再放出。由此,能够抑制向所希望的真空度的复原时间的增大。
图1是用于原理性说明冰层在低温板表面上的剥离及其影响的图。参考图1,对作为冰层剥离的结果的向所希望的真空度复原的时间变长的现象进行详细说明。图1中,示意地表示有反复工艺气体的供给和停止供给时的气体分子112、114对冰层116的作用。
图中用附加斜线的白圆表示水分子112,用白圆表示工艺气体分子114。水分子112为气氛中所包含的水蒸气。通常工艺气体114为在低于水分的温度中冷凝的气体。第1段低温板110冷却至水分的冷凝温度与工艺气体的冷凝温度之间的温度。由此,主要由水分子112冷凝到低温板110上形成冰层116。
低温泵通过图示的状态100至108工作。状态100、102表示工艺气体供给时,状态104、106表示停止供给时。状态108表示下一个工艺气体供给时。在真空腔室中,在工艺气体的供给期间进行工艺。工艺气体的停止供给期间进行将真空腔室排气成下一个工艺开始时所需的所希望的真空度的复原处理。由此,工艺状态100、102成为比较高压的真空状态,复原状态104、106成为低压的真空状态。
真空工艺例如为溅射处理,但也可为使用工艺气体的其他成膜处理。另外溅射处理一般为如下处理,即放电用工艺气体导入至真空气氛的腔室内,并在电极间外加电压来产生基于辉光放电的等离子体,使等离子体中的正离子与阴极上的靶表面碰撞,在阳极上加热成预定温度的基板表面形成薄膜。工艺气体分子可仅物理性作用于靶分子,也可通过与靶分子进行化学反应来在基板表面形成其反应物的薄膜。工艺气体例如包含氩气。并且,工艺气体也可进一步包含氮气或氧气。
图1中状态100中,气氛中的水分子112及工艺气体分子114从真空腔室向低温板110上的冰层116飞来。气氛中所含的水分子112例如来自上一次复原处理或真空腔室的维护处理。为了更换基板或维护而打开真空腔室,从而腔室周围的外气进入。该外气未完全干燥,有可能含有湿气。并且,也可认为吸附于搬入的基板表面的水分向真空腔室内放出。
如状态102所示,飞来的水分子112沉积到冰层116上,逐渐增加冰层116的厚度。与此并行,工艺气体分子114通过低温捕获现象吸附到冰层116的表面。低温捕获现象是指在冷凝到低温板上的气体分子层上通过吸附来捕捉在低于该气体的温度中冷凝的其他气体分子的现象。作为低温捕获现象,已知有对氩和氢的混合气体,在氩冷凝层上捕捉氢分子的现象。可以认为对水分与工艺气体(例如氩气)的混合气体也同样产生低温捕获现象。由此,低温板110的冷却温度下,本不会冷凝到其表面的工艺气体114通过低温捕获现象吸附于低温板110上的冰层116上而被捕捉。
工艺结束后过渡到复原状态104。通过低温捕获现象吸附的工艺气体分子114被捕捉于冰层116上。若冰层116的厚度变大,则在冰层116上局部产生龟裂118及剥离120。可认为这是由冰层116的内部应力增加引起的。另外,在此为了便于说明,设为在复原状态104中产生龟裂118及剥离120,但希望理解为通过冰层116的厚度增大,在工艺中也可引起龟裂118及剥离120。
若在冰层116上产生剥离120,则在剥离区域中冰层116远离低温板110而在冰层116与低温板110之间产生间隙。即,冰层116和低温板110成非接触。因此,冰层116的剥离区域中基于低温板110的冷却变得不充分而温度升高。并且,在复原状态104、106与工艺中不同,未供给工艺气体114,因此气氛气压变低。其结果,如状态106所示,导致吸附到冰层116的工艺气体114被再度放出。再放出工艺气体114的冰层116中形成多个空孔122。即,因复原时的工艺气体114的再放出,在冰层116的剥离区域上形成多个空孔122。
真空度因再放出的工艺气体114而恶化。向所希望的真空度的还原,需要工艺气体114向冰层116的未剥离区域的再吸附,或工艺气体114向温度低于低温板110的第2段低温板(未图示)的冷凝。因此,若在低温板110的表面产生冰层116的剥离,则导致向所希望的真空度的复原时间变长。
如状态108所示,若达到容许开始工艺的真空度则开始下一个工艺。与状态100、102相同,飞来的水分112沉积在冰层116上,工艺气体分子114通过低温捕获现象逐渐吸附到冰层116的空孔122及其周围的表面。并且,在随后的复原状态中,工艺气体114同样从冰层116的剥离区域被再放出。
这样,反复工艺气体在基于低温捕获现象的工艺中的吸附和工艺气体在复原中的再放出。可认为工艺气体114的再放出对迅速恢复到高真空带来不良影响。冰层116的厚度随着低温泵排气的气体存储量增加而增加,局部分散的剥离区域逐渐向挡板表面整个区域扩大。这样,被再放出的工艺气体也增加,最坏的情况下有可能很难在容许时间内恢复到所希望的真空度。
图2是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的低温泵10的一部分的图。低温泵10例如安装于离子注入装置或溅射装置等真空腔室,为了将真空腔室内部的真空度提高到所希望的工艺所需的水平而使用。
低温泵10包含泵容器12、制冷机14、低温板结构体16及放射屏蔽件18而构成。图2所示的低温泵10为所谓卧式低温泵。卧式低温泵10一般为如下低温泵10:沿着与筒状的放射屏蔽件18的中心轴方向交叉的方向(通常为正交方向)在放射屏蔽件18的内部插入配置有制冷机14的第2冷却台22。另外,本发明同样也可应用于所谓立式低温泵。立式低温泵是指沿着放射屏蔽件18的中心轴方向插入配置有制冷机14的低温泵。
低温泵10具备:第1低温板,冷却至第1冷却温度水平;及第2低温板,冷却至温度低于第1冷却温度水平的第2冷却温度水平。在第1低温板上,在第1冷却温度水平中通过冷凝来捕捉蒸汽压较低的气体并排气。例如,蒸汽压低于基准蒸汽压(例如10-8Pa)的气体被排气。在第2低温板上,在第2冷却温度水平中通过冷凝来捕捉蒸汽压较低的气体并排气。为了捕捉因蒸汽压较高而即使在第2温度水平中也不冷凝的非冷凝性气体,在第2低温板表面形成吸附区域。吸附区域例如通过在板表面设置吸附剂而形成。非冷凝性气体吸附于冷却至第2温度水平的吸附区域而被排气。第1低温板例如包含放射屏蔽件18及百叶窗23,第2低温板例如包含低温板结构体16。
图2示意地表示基于包含泵容器12及放射屏蔽件18的中心轴A及制冷机14的中心轴的平面的截面。在图2中,以箭头E表示气体从泵外部的排气对象容积即真空腔室进入低温泵内部的方向。另外,气体进入方向E应理解为从低温泵外部朝向内部的方向。图中设为气体进入方向E与放射屏蔽件18的中心轴A平行,只不过是为了便于说明。在低温泵处理中,进入低温泵内部的气体分子的实际进入方向当然不与图示的气体进入方向E严密一致,反而一般为与气体进入方向E交叉的方向。
泵容器12具有如下部位,其形成为一端具有开口且另一端闭塞的圆筒状的形状。泵容器12的内部配设有低温板结构体16及放射屏蔽件18。泵容器12的开口作为应被排气的气体所进入的吸气口而设置,并由泵容器12的筒状侧面的上端部内面划定。在泵容器12的上端部朝向径向外侧延伸有安装法兰30。低温泵10使用安装法兰30而安装于排气对象容积即离子注入装置等真空腔室。另外,垂直于泵容器12的中心轴A的截面并非局限于圆形状,也可以是其他的形状例如椭圆形状或多边形形状。
制冷机14例如为吉福德-麦克马洪式制冷机(所谓GM制冷机)。另外,制冷机14为2段式制冷机,具有第1冷却台21及第2冷却台22。第2冷却台22被泵容器12及放射屏蔽件18包围,配置于泵容器12及放射屏蔽件18的内部空间的中心部。第1冷却台21被冷却至第1冷却温度水平,第2冷却台22被冷却至温度低于第1冷却温度水平的第2冷却温度水平。第2冷却台22例如被冷却至10K至20K左右,第1冷却台21例如被冷却至80K至100K左右。
低温板结构体16以热连接于制冷机14的第2冷却台22的状态固定,被冷却至和第2冷却台22同程度的温度。低温板结构体16具备多个低温板24和连接部件26。多个低温板24例如分别具有圆锥台侧面的形状,譬如具有伞状的形状。低温板24也可以是其他的任意形状。各板24上通常设置有活性炭等吸附剂(未图示)。吸附剂例如粘接于板24的里面。连接部件26作为用于将低温板结构体16热连接于第2冷却台22且机械性支承的连结部件而设置。制冷机14的第2冷却台22上安装连接部件26,连接部件26上安装多个低温板24。低温板24及连接部件26均由例如铜等材质形成。可以使用以铜作为基材而表面镀镍的物品。并且,也可以代替铜以铝形成低温板24等。重视导热率时使用铜即可,重视轻量化进而重视再生时间的缩短时也可使用铝。
放射屏蔽件18以热连接于制冷机14的第1冷却台21的状态固定,被冷却至和第1冷却台21同程度的温度。放射屏蔽件18作为从周围的辐射热保护低温板结构体16及第2冷却台22的辐射屏蔽件而设置。放射屏蔽件18也和泵容器12相同地形成为一端具有屏蔽件开口20且另一端闭塞的圆筒状的形状。放射屏蔽件18形成为杯状的形状。泵容器12及放射屏蔽件18均大致形成为圆筒状,并在同轴上配设。泵容器12的内径少许超出放射屏蔽件18的外径,放射屏蔽件18在与泵容器12的内面之间保持稍微间隔而以与泵容器12为非接触的状态配置。并且,在图1所示的实施例中,放射屏蔽件18的闭塞部以越接近中心轴A越远离屏蔽件开口20的方式弯曲形成为圆顶状。泵容器12的闭塞部也同样弯曲形成为圆顶状。
放射屏蔽件18的内部空间的中心部配置有制冷机14的第2冷却台22。制冷机14从放射屏蔽件18的侧面开口插入,在其开口部安装第1冷却台21。这样,制冷机14的第2冷却台22在放射屏蔽件18的中心轴上配置于屏蔽件开口20与最深部的中间。
另外,放射屏蔽件18的形状并非局限于圆筒形状,也可以是棱柱形状或椭圆筒形状等任何截面的筒形状。典型的放射屏蔽件18的形状通常成为与泵容器12的内面形状相似的形状。并且,放射屏蔽件18可以不构成为图示般的一体的筒状,也可以以通过多个零件整体上呈筒状形状的方式构成。这些多个零件也可以相互保持间隙而配设。
并且,在放射屏蔽件18的开口20上配置有百叶窗23。百叶窗23作为挡板发挥作用。即,百叶窗23捕捉在比较高温下冷凝的水分等气体来抑制进入放射屏蔽件内部,并且也抑制辐射热的入射。
百叶窗23与放射屏蔽件18在同轴上配置。百叶窗23和低温板结构体16在放射屏蔽件18的中心轴方向上隔开间隔而设置。百叶窗23遍及整个屏蔽件开口20而设置。另外,百叶窗23也可以实际上从放射屏蔽件18的开口20具有偏移(例如在从屏蔽件开口20进入屏蔽件内部的位置)而配置。即使在这种情况下,也以占据垂直于放射屏蔽件18的中心轴A的截面的方式设置。另外,也可以在百叶窗23和真空腔室之间设置有闸阀(未图示)。该闸阀例如在再生低温泵10时设为闭,通过低温泵10对真空腔室进行排气时设为开。
百叶窗23通过百叶窗安装部40安装于放射屏蔽件18上。百叶窗安装部40从中心轴A的方向观察,具有向放射方向延伸的多个臂部,例如具有4个臂部时,从中心轴方向观察时为十字状的形状。向百叶窗安装部40的放射方向延伸的臂部的末端安装于放射屏蔽件18的开口附近的内面。百叶窗安装部40为十字形状时,例如在以每隔90度的4处安装于放射屏蔽件18上。百叶窗安装部40将百叶窗23机械地固定于放射屏蔽件18上的同时,热连接放射屏蔽件18和百叶窗23。由此,百叶窗安装部40还作为从放射屏蔽件18向百叶窗23的传热路径发挥作用,百叶窗23被冷却至和放射屏蔽件18同程度的温度。
百叶窗23由多个百叶窗板41形成,各百叶窗板41分别形成为不同直径的圆锥台侧面形状并排列成同心圆状。另外,百叶窗23也可形成为格子状等其他形状。各百叶窗板41对开口面20倾斜相同角度(例如45度)而安装于百叶窗安装部40上。
调整各百叶窗板41的间隙,以使从泵外部向中心轴方向观察时,邻接的百叶窗板41相互重叠而从各百叶窗板41之间看不到泵内部(例如低温板24)。即,以邻接的2个百叶窗板41中内侧的百叶窗板41的外周端比外侧的百叶窗板41的内周端更靠近放射方向内侧的方式调整各百叶窗板41的间隙。由此,向中心轴方向观察时,百叶窗23没有开放区域,譬如说光学地闭塞放射屏蔽件18的内部空间。
另外,可以以光学地开放放射屏蔽件18的内部空间的方式构成百叶窗23。例如,可以在百叶窗23的周缘部的各百叶窗板41之间形成环状的开放区域。或者可通过不在接近放射屏蔽件18侧壁的周缘部设置百叶窗板41而形成环状的开放区域。此时,以低温泵10的排气速度(例如工艺气体的排气速度)实现要求规格的方式设定开放区域的面积及位置。
百叶窗23的表面中朝向放射屏蔽件18外侧的面上形成有粗糙面42。粗糙面例如指形成有肉眼无法识别的微小凹凸的面。各百叶窗板41的表侧的面上具有预定的表面粗糙度。粗糙面42的表面粗糙度可以考虑对冰层的粘附性而根据经验或实验性地适当设定。通过无光泽镍镀形成有该粗糙面42。通过在无光泽镀工序中的晶体生长而形成有微小的凹凸。
另外,也可以在百叶窗23的表面中冰层沉积相对厚的部位形成粗糙面,冰层沉积相对薄的部位不形成粗糙面而设为平滑面。例如,可以在百叶窗23的中心区域的百叶窗板表面形成粗糙面,将百叶窗23的周缘区域的百叶窗板表面设为平滑面。
并且,可以在百叶窗23的表面中朝向放射屏蔽件18内侧的里面也形成有粗糙面42。也可以在放射屏蔽件18的内面及外面的至少一方形成有粗糙面。
用于形成粗糙面42的粗糙化处理并非局限于对挡板基材的无光泽镀处理。粗糙化处理例如可以是对挡板基材的喷砂处理(例如玻璃珠喷砂处理,所谓GBB处理)或蚀刻处理等促进挡板表面中的锚定效果的任意种处理。并且,粗糙化处理可以对挡板基材进行镀处理后的表面(即镀层的表面)进行来代替对挡板基材的表面进行。例如可以在对挡板基材实施光泽镀之后,将去除光泽镀层的光泽的消光处理作为粗糙化处理来进行。这样,粗糙面42具有按照所采用的粗糙化处理来规定的预定范围的表面粗糙度。
以下说明基于上述结构的低温泵10的动作。当低温泵10工作时,首先在其工作前使用其他适当的粗抽泵将真空腔室内部粗抽至1Pa左右。之后使低温泵10工作。通过制冷机14的驱动冷却第1冷却台21及第2冷却台22,也冷却热连接于它们的放射屏蔽件18、百叶窗23及低温板24。
被冷却的百叶窗23冷却从真空腔室朝向低温泵10内部飞来的气体分子,使在其冷却温度下蒸汽压充分变低的气体(例如水分等)通过在表面冷凝来排气。在百叶窗23的冷却温度下蒸汽压无法充分变低的气体通过百叶窗23进入放射屏蔽件18内部。进入的气体分子中在低温板24的冷却温度下蒸汽压充分变低的气体冷凝在低温板24的表面而被排气。蒸汽压在其冷却温度下也无法充分变低的气体(例如氢等)通过粘接于低温板24的表面并被冷却的吸附剂吸附并被排气。这样,低温泵10能够使真空腔室的真空度到达所希望的水平。
图3是示意地表示排气运行中的百叶窗23的截面的放大图。如上所述,一实施例所涉及的百叶窗23的百叶窗板41在基材43的表面具有无光泽镀层44。基材43的材质例如为铜,无光泽镀层44例如为镍。无光泽镀层44的表面具有细微凹凸的粗糙面42。形成粗糙面42的细微凹凸具有按照所选择的无光泽镀处理来规定的预定范围的表面粗糙度。因此,冰层116通过粗糙面42的锚定效果粘附于百叶窗板41上。由此,抑制工艺气体分子114的再放出,能够抑制增加向所希望的真空度复原的时间。
在本实施方式中,与典型的低温泵不同,敢于将挡板表面粗糙化。由此,冰层变得难以剥离,能够抑制通过低温捕获现象吸附的工艺气体分子的再放出。由此,能够在短时间内将真空腔室恢复到所希望的真空度。并且,挡板表面的反射率通过形成粘附于百叶窗板41表面的冰层来变高,还能获得降低吸收所入射的辐射热之类的派生效果。由此,能够缓和由对挡板表面进行粗糙化引起的辐射热的影响。
在优选的一实施例中,粗糙面42可以具有分形双重结构。即,粗糙面42可以在具有相对较大的表面粗糙度的第1粗糙面上形成有具有较小的表面粗糙度的第2粗糙面。宏观地观察低温板表面时的每单位面积的表面积因第2粗糙面的微小凹凸而变大。能够更加促进板表面中的锚定效果,并能够使冰层强有力地粘附于板表面上。
图4是示意地表示其他实施例所涉及的排气运行中的百叶窗23的截面的放大图。在百叶窗23的百叶窗板41的表面形成有第1凹凸结构45。在第1凹凸结构45的表面形成有比第1凹凸结构45更细微的第2凹凸结构46。在第1凹凸结构45的各凹凸表面形成有第2凹凸结构46的多个凹凸。即,粗糙面42具有如下表面结构:在以低倍率测定表面粗糙度时可得到第1表面粗糙度,而在以高倍率测定时可得到比第1表面粗糙度更细微的第2表面粗糙度。另外,图中为了便利以规则地排列凹凸的方式图示,但并非局限于此。也可以不规则地排列凹凸。
优选第1凹凸结构45的中心线平均粗糙度Ra为数μm至数十μm,第2凹凸结构46的中心线平均粗糙度Ra为数nm至数十nm。具体而言,优选第1凹凸结构45的中心线平均粗糙度Ra为0.5μm至100μm,第2凹凸结构46的中心线平均粗糙度Ra为1nm至400nm。更优选第1凹凸结构45的中心线平均粗糙度Ra为0.5μm至20μm,第2凹凸结构46的中心线平均粗糙度Ra为10nm至100nm。
优选通过在挡板基材上进行第1粗糙化处理形成第1凹凸结构45,并通过在第1粗糙化处理后进行第2粗糙化处理形成第2凹凸结构46。第1粗糙化处理可以是机械加工处理。第2粗糙化处理可以是化学处理。基于机械加工的粗糙化处理例如可以是上述喷砂处理。基于化学处理的粗糙化处理例如可以是上述无光泽镀处理。
产业上的可利用性
本发明可在低温泵及真空排气方法领域上利用。

Claims (8)

1.一种低温泵,其特征在于,具备:
第1低温板,具备具有开口部的放射屏蔽件和配置于所述开口部的挡板;
第2低温板,被所述第1低温板包围;及
制冷机,将所述第1低温板冷却至第1冷却温度,并将所述第2低温板冷却至低于第1冷却温度的第2冷却温度,
在所述挡板上形成有粗糙面,
所述粗糙面在具有第1表面粗糙度的面上形成有小于该第1表面粗糙度的第2表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的低温泵,其特征在于,
通过对所述挡板的基材进行无光泽镀来形成所述粗糙面。
3.如权利要求1所述的低温泵,其特征在于,
通过粗糙化所述挡板的表面来形成所述粗糙面。
4.如权利要求2所述的低温泵,其特征在于,
通过粗糙化所述挡板的表面来形成所述粗糙面。
5.如权利要求1至4中任一项所述的低温泵,其特征在于,
在所述挡板的表面中朝向所述放射屏蔽件外侧的面上形成有所述粗糙面。
6.如权利要求1至4中任一项所述的低温泵,其特征在于,
通过机械加工形成所述第1表面粗糙度,通过化学处理形成所述第2表面粗糙度。
7.如权利要求5所述的低温泵,其特征在于,
通过机械加工形成所述第1表面粗糙度,通过化学处理形成所述第2表面粗糙度。
8.一种真空排气方法,在反复进行向真空腔室供给工艺气体和停止供给工艺气体的真空工艺中,通过低温泵排出含有该工艺气体和水分的气体,其特征在于,
冷却设置于低温泵的吸气口且表面被粗糙化的挡板来形成粘附于该表面的冰层,从而抑制在停止供给工艺气体时再放出在供给工艺气体时通过低温捕获现象捕捉于所述冰层上的工艺气体分子,
所述挡板的粗糙面在具有第1表面粗糙度的面上形成有小于该第1表面粗糙度的第2表面粗糙度。
CN201080050597.0A 2009-11-09 2010-02-16 低温泵及真空排气方法 Active CN102686880B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009256193 2009-11-09
JP2009-256193 2009-11-09
PCT/JP2010/000944 WO2011055465A1 (ja) 2009-11-09 2010-02-16 クライオポンプ、及び真空排気方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102686880A CN102686880A (zh) 2012-09-19
CN102686880B true CN102686880B (zh) 2015-05-13

Family

ID=43969708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080050597.0A Active CN102686880B (zh) 2009-11-09 2010-02-16 低温泵及真空排气方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9032741B2 (zh)
JP (1) JP5679218B2 (zh)
KR (1) KR101385887B1 (zh)
CN (1) CN102686880B (zh)
WO (1) WO2011055465A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5822747B2 (ja) * 2012-02-02 2015-11-24 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ
JP6013886B2 (ja) * 2012-11-13 2016-10-25 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ
JP6053551B2 (ja) * 2013-02-18 2016-12-27 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ、及びクライオポンプの運転方法
JP6057782B2 (ja) * 2013-03-05 2017-01-11 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ
JP6076843B2 (ja) 2013-06-14 2017-02-08 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ
JP6338403B2 (ja) * 2013-03-25 2018-06-06 住友重機械工業株式会社 クライオポンプ及び真空排気方法
TWI580865B (zh) * 2013-03-25 2017-05-01 Sumitomo Heavy Industries Low temperature pump
CN207111346U (zh) 2017-07-03 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 低温泵
JP7490085B2 (ja) 2021-03-31 2024-05-24 寧徳時代新能源科技股▲分▼有限公司 電池、電力消費装置、電池を製造する方法と装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215591A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Kobe Steel Ltd 平版印刷支持体の粗面化方法
US5231840A (en) * 1991-03-28 1993-08-03 Daikin Industries, Ltd. Cryopump
JP2005256771A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd コールドトラップおよび真空排気装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS608481A (ja) 1983-06-27 1985-01-17 Arubatsuku Kuraio Kk クライオポンプ
JPS6027790A (ja) * 1983-07-27 1985-02-12 Toshiba Corp クライオポンプ装置
US4763483A (en) * 1986-07-17 1988-08-16 Helix Technology Corporation Cryopump and method of starting the cryopump
JPS63183279A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Toshiba Corp クライオポンプ
JP2795031B2 (ja) * 1991-03-28 1998-09-10 ダイキン工業株式会社 真空クライオポンプ
JPH04121479U (ja) * 1991-04-18 1992-10-29 株式会社日本製鋼所 クライオポンプ
JP3228789B2 (ja) 1992-07-11 2001-11-12 新光電気工業株式会社 樹脂用インサート部材の製造方法
JP2975487B2 (ja) 1992-09-14 1999-11-10 東京応化工業株式会社 平版印刷版用支持体の製造方法
JPH10183400A (ja) 1996-11-07 1998-07-14 Fuji Photo Film Co Ltd アルミニウム板の粗面化方法
WO2000077398A1 (en) 1999-06-11 2000-12-21 Whelan Francis J Baffles for cryopump
JP3291486B2 (ja) * 1999-09-06 2002-06-10 三井金属鉱業株式会社 整面電解銅箔、その製造方法およびその用途
JP4371010B2 (ja) 2004-08-27 2009-11-25 富士電機ホールディングス株式会社 コールドトラップおよび真空排気装置
US7313922B2 (en) * 2004-09-24 2008-01-01 Brooks Automation, Inc. High conductance cryopump for type III gas pumping
JP2006307274A (ja) 2005-04-27 2006-11-09 Optrex Corp 真空装置
JP2006103343A (ja) * 2005-12-21 2006-04-20 Sony Corp 液体吐出装置、プリンタ及び液体吐出装置の製造方法
JP2008130299A (ja) 2006-11-17 2008-06-05 Sumitomo Electric Ind Ltd アース部材および接続構造
JP2008218064A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Sumitomo Electric Ind Ltd グランドバー部材及びその製造方法並びに同軸フラットケーブル
JP2009190035A (ja) * 2009-06-04 2009-08-27 Canon Anelva Corp トラップ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215591A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Kobe Steel Ltd 平版印刷支持体の粗面化方法
US5231840A (en) * 1991-03-28 1993-08-03 Daikin Industries, Ltd. Cryopump
JP2005256771A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd コールドトラップおよび真空排気装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120222431A1 (en) 2012-09-06
JP5679218B2 (ja) 2015-03-04
CN102686880A (zh) 2012-09-19
KR20120080252A (ko) 2012-07-16
US9032741B2 (en) 2015-05-19
KR101385887B1 (ko) 2014-04-15
JPWO2011055465A1 (ja) 2013-03-21
WO2011055465A1 (ja) 2011-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102686880B (zh) 低温泵及真空排气方法
TW569344B (en) Insulation-film etching system
JP2009500812A5 (zh)
JP5553638B2 (ja) コールドトラップ、及び真空排気装置
TW201030797A (en) Plasma processing apparatus and constituent part thereof
JP2008251742A (ja) 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台
CN102743894B (zh) 冷阱及真空排气装置
US11557464B2 (en) Semiconductor chamber coatings and processes
JP4318504B2 (ja) 成膜装置の基板トレイ
JP2006307274A (ja) 真空装置
US20110005925A1 (en) Target backing tube, cylindrical target assembly and sputtering system
US11365475B2 (en) Physical vapor deposition chamber cleaning processes
JP5194534B2 (ja) 真空処理装置
US8609241B2 (en) Coated article and method of making the same
KR101045364B1 (ko) 고방열 금속판을 이용한 피씨비 제조방법
JP5506275B2 (ja) 熱線遮蔽フィルム
CN110846620A (zh) 一种树脂基碳纤维复合材料柔性天线表面金属化方法
TWI585837B (zh) 濺鍍蝕刻室及濺鍍方法
JP4670613B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置、並びに成膜用ターゲット
KR101241093B1 (ko) 콜드트랩 및 진공배기장치
TW202231896A (zh) 用於使用應力釋放層防止部件破裂的方法及設備
JP2014065961A (ja) 機能性膜及びその成膜装置、成膜方法
JP6310678B2 (ja) スパッタリング方法
JP2010080989A (ja) 絶縁膜エッチング装置
JP2010080990A (ja) 絶縁膜エッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant