CN102668375B - 弹性表面波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种弹性表面波装置，其能够提高机电耦合系数，在用作频带滤波器的情况下，能够减小通频带内最大插入损耗。该弹性表面波装置在压电基板(2)上层叠有电极(3)以及电介质层(10)，电极(3)具有由Pt、Au、Ag或者Cu构成的第1电极膜(3a)、和由Al构成的第2电极膜(3b)，第1电极膜(3a)的标准化膜厚h/λ在Pt的情况下为0.005以上0.015以下，Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06以上0.185以下，电介质层(10)的标准化膜厚h/λ被设为0.2以下。

Description

弹性表面波装置
技术领域
本发明涉及使用于谐振器和频带滤波器等的弹性表面波装置，更详细来说，涉及在压电基板上形成有IDT电极以及电介质膜的弹性表面波装置。 
背景技术
以往，弹性表面波装置被广泛用作通信设备的谐振器或频带滤波器。 
例如，在下述的专利文献1中，公开了一种在压电基板上层叠IDT电极以及由SiO2构成的电介质膜而形成的弹性表面波装置。在此，通过按照覆盖IDT电极的方式形成SiO2膜，能够减小频率温度系数TCF的绝对值从而改善温度特性。此外，由于IDT电极具有层叠了各种金属膜的构造，因此通过使各金属膜的膜厚处于特定的范围，能够调整表面波的反射强度。另外，由SiO2构成的电介质膜的膜厚被设为弹性表面波的波长λ的20～40％程度。 
(在先技术文献) 
(专利文献) 
专利文献1：JP特表2008-522514号公报 
(发明的概要) 
(发明要解决的课题) 
但是，在专利文献1中记载的弹性表面波装置中，由于插入损耗不小，因此希望更进一步减小插入损耗。此外，电介质膜的厚度比较厚，为波长的20％～40％程度。因此，机电耦合系数并不那么大，在用作频带滤波器的情况下，难以实现宽频带化。 
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够消除上述的现有技术的缺点，充分 减小插入损耗的弹性表面波装置。 
(解决课题的手段) 
本申请的第1发明所涉及的弹性表面波装置，具备：压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Pt膜、和层叠在Pt膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化(normalization)膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.185，所述Pt膜的标准化膜厚h/λ为0.005≤h/λ≤0.015，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2。 
本申请的第2发明所涉及的弹性表面波装置，具备：压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Au膜、和层叠在Au膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.183，所述Au膜的标准化膜厚h/λ为0.0056≤h/λ≤0.017，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2。 
本申请的第3发明所涉及的弹性表面波装置，具备：压电基板；IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Ag膜、和层叠在Ag膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.17，所述Ag膜的标准化膜厚h/λ为0.01≤h/λ≤0.03，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2。 
本申请的第4发明所涉及的弹性表面波装置，具备：压电基板；IDT电极，其形成在所述压电基板上，具有Cu膜、和层叠在Cu膜上的Al膜；和电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置。在此，当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.164，所述Cu膜的标准化膜厚h/λ为0.012≤h/λ≤0.036，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2。 
在第1～第4发明所涉及的弹性表面波装置中，优选，压电基板由LiTaO3构成，电介质层由氧化硅构成。在此情况下，能够减小频率温度系数的绝对值，能够改善温度特性。 
优选，LiTaO3的切割角处于36°～49°的范围。因此，能够更进一步减小传播损耗，例如在作为频带滤波器来使用的情况下能够更进一步改善滤波器特性。 
(发明的效果) 
在第1发明所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Pt膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。 
在第2发明所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Au膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。 
在第3发明所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Ag膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。 
在第4发明所涉及的弹性表面波装置中，形成有将上述特定的膜厚的Cu膜、和上述特定的膜厚的Al膜层叠而成的IDT电极。并且，电介质层的标准化膜厚被设为上述特定的范围。因此，能够充分增大机电耦合系数k2，例如在作为频带滤波器来使用的情况下，能够实现滤波器特性的改善，尤其能够实现宽频带化。而且，能够充分减小插入损耗，并且能够提高IDT电极的反射系数。 
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的弹性表面波装置的电极构造的示意剖面图。 
图2是在本发明的第1实施方式的弹性表面波装置中，去掉电介质膜，示意性地表示下方的电极构造的俯视图。 
图3是表示本发明的一个实施方式的弹性表面波装置的衰减特性的图。 
图4是表示在关于本发明的第1实施方式的实验例中，使Al膜的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的衰减特性的变化的图。 
图5是表示在本发明的第1实施方式中，使构成IDT电极的Al膜的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的通频带内的最大损耗的变化的图。 
图6是表示在本发明的第2实施方式的弹性表面波装置中，使构成IDT电极的Pt的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的衰减特性的变化的图。 
图7是表示在本发明的第2实施方式中，使构成IDT电极的Pt膜的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的通频带内的最大损耗的变化的图。 
图8是表示在本发明的第2实施方式中，使构成IDT电极的Pt膜的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的反射系数的变化的图。 
图9是表示在本发明的第3实施方式的弹性表面波装置中，使SiO2的标准化膜厚变化的情况下的弹性表面波装置的衰减特性的变化的图。 
图10是表示在本发明的第3实施方式中，使SiO2的标准化膜厚h/λ(％)变化的情况下的机电耦合系数k2％以及频率温度系数TCF的变化的图。 
图11是表示在本发明的第3实施方式的弹性表面波装置中，使LiTaO3的切割角变化的情况下的集中度以及通频带内最大损耗的变化的图。 
图12是在本发明的第3实施方式的弹性表面波装置中，使LiTaO3的切割角变化的情况下的衰减特性的变化的图。 
图13是表示为了得到图11以及图12所示的特性而使用的弹性表面波装置的电极构造的示意俯视图。 
图14是表示图16所示的1端口型弹性表面波谐振器中的、LiTaO3基板的切割角与弹性表面波的集中度以及通频带内最大插入损耗之间的关系的图。 
图15是表示图16所示的1端口型弹性表面波谐振器中的、使LiTaO3基板的切割角变化的情况下的阻抗特性的变化的图。 
图16是表示为了得到图14以及图15所示的特性而使用的1端口型弹性表面波谐振器的电极构造的示意俯视图。 
具体实施方式
以下，通过参照附图对本发明的具体实施方式进行说明，来明确本发明。 
图1是本发明的一个实施方式所涉及的弹性表面波装置的示意剖面图，图2是表示其电极构造的示意俯视图。 
如图1所示，本实施方式的弹性表面波装置1具有压电基板2。在本实施方式中，压电基板2由44.5°Y-X的LiTaO3基板构成。在压电基板2上形成有电极3。作为电极3，形成有图2所示的电极构造。即，在弹性表面波传播方向上依次设置有第1～第3IDT电极4、5、6。各IDT电极4、5或6，具有相互间插合的电极指。在设置了IDT电极4～6的区域的弹性表面波传播方向两侧形成有反射器7、8。由此，构成了3IDT型的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器。 
在图1中，上述电极构造中的IDT电极5的1条电极指，为了示出其剖面构造，作为电极3的代表而被示出。 
电极3由从压电基板侧依次层叠了Pt膜3a和Al膜3b的层叠金属膜构成。当假设由IDT电极5的间距所决定的波长为λ时，Pt膜3a的标准化膜厚h/λ被设为0.01，Al膜3b的标准化膜厚被设为h/λ为0.07。 
此外，虽然不一定是必须，但在电极3与压电基板2的界面上，在设置有电极3的区域的下方，形成有密合层9。密合层9由Ti构成，其标准化膜厚h/λ被设为0.005。密合层9为了使电极3牢固地密合于压电基板2而设置。密合层9也可不必设置。密合层9可以由与电极3相比能够提高对压电基板2的密合性的合适的材料、例如Ti、Ni、NiCr、Cr、Cu等 形成。另外，如后述的变形例那样，在使用了Cu膜位于下方的电极3的情况下，密合层9只要由Cu以外的材料形成即可。 
此外，虽然将Pt膜3a作为下方的电极层来使用，但也可以使用Au、Ag、Cu、Ta、W或Mo等其他的金属或者以这些金属为主体的合金。 
此外，按照覆盖电极3的方式，形成有电介质层10。电介质层10，在本实施方式中由SiO2构成。当假设由IDT电极5的间距所决定的波长为λ时，作为电介质层10的SiO2膜的标准化膜厚h/λ被设为0.12。不过，既可以使用SiO2以外的氧化硅，而且除了氧化硅以外，也可以使用SiOxNy等。SiOxNy的x以及y是整数。 
另外，虽然不是必须，但在IDT电极4和IDT电极5相邻的部分以及IDT电极5和IDT电极6相邻的部分，IDT电极4、5、6的端部的多条电极指的间距与其余的电极指的间距相比，相对较窄。这样的间距相对较窄的电极指部，被称作窄间距电极指部N。在图2中，窄间距电极指部N也可以不必设置。 
本实施方式的弹性表面波装置1的特征在于，在包含IDT电极4～6以及反射器7、8的电极构造中，如电极3中代表性地所示那样，利用了上述Pt膜3a和Al膜3b的层叠构造，并且上述Pt膜3a的标准化膜厚、Al膜3b的标准化膜厚以及电介质层10的标准化膜厚被设为上述特定的值。由此，能够充分减小插入损耗，并且，能够充分增大机电耦合系数k2。对此，基于具体的实验例进行说明。 
图3是表示上述弹性表面波装置1的衰减特性的图。图3所示的特性，是如下表1那样设计了IDT电极4～6以及反射器7、8的情况下的特性。 
[表1] 
从图3可知，通频带中的最大插入损耗为约1.4dB，能够减小通频带内的插入损耗。另外，频率温度系数TCF为约-26ppm/℃，与在一般的 LiTaO3基板上形成了IDT电极的弹性表面波装置中的TCF的值约-35ppm/℃相比，能够减小TCF的绝对值。 
如上所述，能够减小通频带内的插入损耗，是由于将上述电极3的Pt膜3a以及Al膜3b的标准化膜厚以及电介质层10的标准化膜厚设为上述特定的值。对此，基于具体的实验例进行说明。 
图4是表示与上述实施方式同样，但将Al膜3b的标准化膜厚h/λ设为0.015、0.030、0.045、0.060、0.075、0.085或者0.100的情况下的各弹性表面波装置的衰减特性的图。此外，图5是表示Al膜3b的标准化膜厚h/λ为上述各个值的情况下的弹性表面波装置中的通频带内最大插入损耗与Al膜的标准化膜厚h/λ之间的关系的图。图5的A1～A7与图4中的A1～A7相对应。 
从图4以及图5可知，随着Al膜3b的标准化膜厚h/λ变小，通频带内的最大插入损耗逐渐变大。这可以认为是由于IDT电极的电极指电阻逐渐变大。尤其是，可知若Al膜3b的标准化膜厚h/λ变得小于0.06，则通频带内的最大插入损耗显著恶化，并且针对Al膜的膜厚的变化，最大插入损耗恶化的程度变大。因此，可知为了得到良好的滤波器特性，Al膜3b的标准化膜厚h/λ需要为0.06以上。 
图6是表示与上述实施方式的弹性表面波装置同样地构成，但将Pt膜3a的标准化膜厚h/λ设为0.005、0.010、0.015或者0.020的情况下的弹性表面波装置的衰减特性的图，图7是表示Pt膜3a的标准化膜厚h/λ与通频带内最大插入损耗之间的关系的图。此外，图8是表示Pt膜的标准化膜厚h/λ与反射系数之间的关系的图。另外，图7以及图8中的B1～B4与图6中的B1～B4相对应。 
从图6以及图7可知，若Pt膜3a的标准化膜厚h/λ变厚，则通频带内最大插入损耗变大。这可以认为是由于弹性表面波的声速降低，从而通频带内最大插入损耗恶化。尤其是，若Pt膜3a的标准化膜厚h/λ变得大于0.015，则通频带内最大插入损耗显著变差。因此，为了得到良好的滤波器特性，Pt膜3a的标准化膜厚h/λ需要为0.015以下。 
另一方面，从图8可知，若Pt膜3a的标准化膜厚h/λ变薄，则反射系数下降。在将纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器用作为频带滤波器的情 况下，求出了电极指的反射系数大于0.04。因此，从图8可知，只要将Pt膜的标准化膜厚h/λ设为0.005以上，则能够充分增大反射系数。因此，可知为了得到良好的滤波器特性，Pt膜3a的标准化膜厚只要设为0.005≤h/λ≤0.015的范围即可。 
图9表示与上述实施方式同样，但将由SiO2构成的电介质层10的标准化膜厚h/λ设为0.11、0.16、0.20、0.25、0.30或者0.35的情况下的弹性表面波装置的衰减特性。此外，图10是表示如上述那样使SiO2膜变化的情况下的SiO2膜的标准化膜厚h/λ与机电耦合系数k2以及频率温度系数TCF之间的关系的图。图10的C1～C6分别与图9中的C1～C6相对应。 
从图9可知，通过使SiO2膜的标准化膜厚h/λ变化，尤其是若使标准化膜厚h/λ变厚，则弹性表面波装置的通频带转移到低频侧，并且频带宽度逐渐稍微变窄。这是由于，如图10所示，若SiO2膜的标准化膜厚变厚，则机电耦合系数k2变低。此外，从图10可知，若SiO2膜的标准化膜厚h/λ超过0.20，则机电耦合系数降低的程度稍微变高。因此，为了得到足够大的机电耦合系数，并使频带宽度成为足够的宽度，需要将SiO2膜的标准化膜厚h/λ设定为0.20以下，并由此将机电耦合系数k2设定为6.9％以上。 
另一方面，可知若SiO2膜的标准化膜厚h/λ变薄，则频率温度系数TCF的绝对值变大。这是由于，因为SiO2膜的频率温度系数TCF为正的值，LiTaO3的频率温度系数TCF为负的值，所以，通过层叠SiO2膜来减小TCF的绝对值的效果因SiO2膜的标准化膜厚h/λ变薄而降低。因此，虽然优选根据所求出的温度特性，来选择SiO2膜的膜厚，但通过将SiO2膜层叠为电介质层10，与不具有SiO2膜的弹性表面波装置相比，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。即，能够改善温度特性。 
此外，若SiO2膜的膜厚变得比IDT电极4～6的膜厚薄，则在SiO2膜的上表面，在下方设置有IDT电极的部分和没有设置IDT电极的部分之间产生级差。因此，存在损耗增大，或者频率温度特性劣化的可能性。因此，SiO2膜的膜厚，需要比IDT电极的膜厚厚。如上所述，在SiO2膜的标准化膜厚设定为0.2以下的情况下，Pt的标准化膜厚为0.015以下，因 此Al的标准化膜厚需要设为0.185以下。 
从图4～图10可知，在电极3由Pt膜3a和Al膜3b构成的情况下，Al膜3b的标准化膜厚需要为0.06以上、0.185以下。并且，可知通过使Pt膜3a的标准化膜厚为0.005以上、0.015以下，使由SiO2膜构成的电介质层10的标准化膜厚h/λ为0.20以下，能够得到良好的滤波器特性以及频率温度特性。 
图11是表示在具有图13所示的电极构造的弹性表面波装置中，使LiTaO3基板的切割角变化的情况下的切割角与弹性表面波的集中度以及通频带内最大插入损耗之间的关系的图。此外，图12是表示使LiTaO3基板的切割角变化的情况下的弹性表面波装置的衰减特性的图。在图13的电极构造中，弹性表面波谐振器R1～R3是1端口型的弹性波谐振器。此外，在弹性表面波滤波器F1、F2中，分别在弹性表面波传播方向上依次设置有第1～第3IDT电极。在设置有第1～第3IDT电极的区域的弹性表面波传播方向两侧形成有反射器。由此，构成了3IDT型的纵耦合谐振器型的弹性表面波滤波器。此外，在第1～第3IDT电极中，在IDT电极彼此相邻的部分，设置有：端部的多条电极指的间距与其余的电极指的间距相比相对较窄的、窄间距电极指部N1、N21、N23、N3。图13所示的弹性表面波装置，在输入端口与输出端口间，在输入端口串联连接有弹性表面波谐振器R1，并在弹性表面波谐振器R1上分别并联连接有弹性表面波滤波器F1、F2。并且，在弹性表面波滤波器F1与输出端口间的连接点、以及弹性表面波滤波器F2与另一个输出端口间的连接点、与接地之间，分别连接有弹性表面波谐振器R2以及弹性表面波谐振器R3。由此，构成了具有不平衡-平衡变换功能的弹性表面波滤波器。另外，图13的构造的设计参数如下。 
[表2] 
[表3] 
[表4] 
(N1是第1IDT电极中的窄间距电极指部分，N21是第2IDT电极中的第1IDT电极侧的窄间距电极指部分) 
(N23是第2IDT电极中的第3IDT电极侧的窄间距电极指部分，N3是第3IDT电极中的窄间距电极指部分) 
从图11和图12可知，在切割角为42°附近，通频带内最大插入损耗最小，越小于42°，或者越大于42°，则通频带内最大插入损耗越大。此外可知，弹性表面波的集中度，在切割角为42°附近最高，随着远离42°，集中度降低。 
从图11可知，为了得到良好的滤波器特性，即为了使通频带内最大插入损耗为1.8dB以下，只要使切割角处于36°～49°的范围即可。因此可知，在本发明中，在将LiTaO3基板用作压电基板的情况下，优选将切割角设为36°～49°的范围。 
图14是表示在具有图16所示的电极构造的1端口型弹性表面波谐振器R4中，使LiTaO3基板的切割角变化的情况下的切割角与弹性表面波的集中度以及通频带内最大插入损耗之间的关系的图。此外，图15是表示使LiTaO3基板的切割角变化的情况下的弹性表面波谐振器的阻抗特性的图。图16所示的构造的设计参数如下。 
[表5] 
从图14和图15可知，在切割角为44.5°附近，阻抗特性最好，越小于44.5°，或者越大于44.5°，则阻抗特性越劣化。此外可知，弹性表面波的集中度，在切割角为42°附近最高，随着远离42°而集中度降低。 
因此，从图14以及图15可知，为了得到良好的阻抗特性，即为了使阻抗特性为57dB以上，只要将切割角设定为38°～49°的范围即可。因此，在使用1端口谐振器作为本发明中的弹性表面波装置的情况下，在将LiTaO3基板作为压电基板时，优选将切割角设定为38°～49°的范围。 
此外，即使在电极3中使用了Au膜、Ag膜以及Cu膜的任意一者的情况下，只要按照与Pt膜的电极密度成比例的方式来调整Au膜厚、Ag膜厚以及Cu膜厚，则能够得到本发明的效果。 
具体来说，由于Pt的密度为21.45kg/m3，Au的密度为19.32kg/m3，因此与Pt的标准化膜厚的范围0.005≤h/λ≤0.015相当的Au的标准化膜厚范围为0.0056≤h/λ≤0.017。 
同样，由于Ag的密度为10.5kg/m3，因此Ag的标准化膜厚范围为0.01≤h/λ≤0.03，由于Cu的密度为8.96kg/m3，因此Cu的标准化膜厚范围为0.012≤h/λ≤0.036。 
另外，在上述实施方式中，对3IDT型的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器和1端口型弹性表面波谐振器进行了说明，但也可以是在5IDT型的纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器、或纵耦合谐振器型弹性表面波滤波器上串联连接了弹性表面波谐振器的构造。此外，也可以是使用了上述1端口型弹性波谐振器的梯型滤波器。 
(符号说明) 
1...弹性表面波装置 
2...压电基板 
3...电极 
3a...Pt膜 
3b...Al膜 
4～6...第1～第3IDT电极 
7，8...反射器 
9...密合层 
10...电介质层 

Claims (5)

1.一种弹性表面波装置，其具备：
压电基板；
IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Pt膜、和层叠在Pt膜上的Al膜；和
电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置，
当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.185，所述Pt膜的标准化膜厚h/λ为0.005≤h/λ≤0.015，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2，
所述压电基板由LiTaO3构成，所述LiTaO3的切割角处于36°～49°的范围。
2.一种弹性表面波装置，其具备：
压电基板；
IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Au膜、和层叠在Au膜上的Al膜；和
电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置，
当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.183，所述Au膜的标准化膜厚h/λ为0.0056≤h/λ≤0.017，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2，
所述压电基板由LiTaO3构成，所述LiTaO3的切割角处于36°～49°的范围。
3.一种弹性表面波装置，其具备：
压电基板；
IDT电极，其形成于所述压电基板上，具有Ag膜、和层叠在Ag膜上的Al膜；和
电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置，
当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.17，所述Ag膜的标准化膜厚h/λ为0.01≤h/λ≤0.03，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2，
所述压电基板由LiTaO3构成，所述LiTaO3的切割角处于36°～49°的范围。
4.一种弹性表面波装置，其具备：
压电基板；
IDT电极，其形成在所述压电基板上，具有Cu膜、和层叠在Cu膜上的Al膜；和
电介质层，其在所述压电基板上按照覆盖所述IDT电极的方式设置，
当假设弹性表面波的波长为λ时，所述Al膜的标准化膜厚h/λ为0.06≤h/λ≤0.164，所述Cu膜的标准化膜厚h/λ为0.012≤h/λ≤0.036，所述电介质层的标准化膜厚h/λ被设为所述IDT电极的标准化膜厚≤h/λ≤0.2，
所述压电基板由LiTaO3构成，所述LiTaO3的切割角处于36°～49°的范围。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的弹性表面波装置，其中，
所述电介质层由氧化硅构成。
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