CN102652365A - 具有改进雾度的硅薄膜太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

Abstract

提高使用化学气相沉积涂布法提高具有顶层（18）和底涂层（16）的涂层堆叠体的雾度的方法，包括下列至少之一：提高提高前体流动速率；降低载气流动速率；提高基材温度；提高水流动速率；降低废气流动速率；和提高顶层或底涂层中至少之一的厚度。

Description

具有改进雾度的硅薄膜太阳能电池及其制备方法

技术领域

本发明总体涉及太阳能电池，以及在一个特定实施方式中，涉及具有改进雾度特性的非晶硅薄膜太阳能电池。

背景技术

常规的非晶硅薄膜太阳能电池典型地包括一个玻璃基材，其上有透明的导电氧化物（TCO）接触层和具有p-n结的非晶硅薄膜活性层。背面的金属层起反射体和背接触的作用。TCO具有无规的表面以增加光散射。在太阳能电池中，光散射或“雾度”用于捕获电池活性区域中的光。电池中捕获的光越多，能够获得的效率越高。但是，雾度不能大到不利地影响光通过TCO的透明度。因此，光的捕获是试图改进太阳能电池的效率时的重要课题，并且在薄膜电池设计中尤其重要。但是，在薄膜器件中，光捕获更加困难，因为层的厚度比先前已知的单晶器件中的层厚度要薄得多。随着膜厚度减小，它们趋向于具有大体上平行的表面。这样的平行表面典型地不能提供显著的光散射。这对于通过常规的化学气相沉积（CVD）涂布法沉积的涂层来说特别明显。虽然常规的CVD涂布法在产量和成本方面具有优势，但是常规的CVD沉积趋向于在基材上形成雾度低于0.5%的光滑均匀的涂层。这样的光滑涂层典型地不能提供具有足以显著提高太阳能电池效率的光散射的层。

因此，希望提供一种具有改进的光散射特性的太阳能电池及制造该太阳能电池的方法，尤其是通过CVD法。

发明概述

提供一种控制例如提高或减小涂层堆叠体的雾度的方法。提高具有顶层和底涂层的涂层堆叠体的雾度的方法包括：沉积具有表面粗糙度的底涂层；和通过化学气相沉积在该底涂层上沉积顶层使得所述顶层的表面粗糙度大于所述底涂层的表面粗糙度。

使用化学气相沉积涂布法提高具有顶层和底涂层的涂层堆叠体的雾度的另一个方法包括下列至少之一：提高前体流动速率；降低载气流动速率；提高基材温度；提高水流动速率；降低废气流动速率；和提高顶层或底涂层中至少之一的厚度。

薄膜太阳能电池包含具有至少一个主表面的透明基材。第一涂层形成在主表面的至少一部分上，第一涂层包含选自硅、钛、铝、锡、锆和/或磷的氧化物中的一种或多种氧化物。第二涂层形成在第一涂层的至少一部分上，第二涂层包含选自Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金的一种或多种的氧化物中的一种或多种氧化物材料。

附图说明

通过下列说明并结合附图将得到对本发明的完整理解。

图1是包括本发明的特征的太阳能电池的侧视截面图（未按比例）。

优选实施方式的说明

如本文所用，空间或方向术语，例如“左”、“右”、“内”、“外”、“上”、“下”等涉及本发明时如附图中所示。但是，应理解本发明可以具有各种另外的方位，因此，该术语不应理解为限制。此外，如本文所用，说明书和权利要求书中所用的所有表示尺寸、物理特征、加工参数、组分数量、反应条件等的数字应理解为在所有情形下都由术语“约”修饰。因此，除非相反地指出，以下说明书和权利要求书中给出的数值可以根据本发明寻求获得的所需性能而改变。即便如此，并且不试图限制对权力要求的范围适用等同原则，各个数值应至少根据记录的有效数字并通过适用常用的舍入法来解释。此外，本文公开的所有范围应理解为涵盖范围起始和结束的值和所有包含在该范围中的任何和全部子范围。例如，所述的“1至10”的范围应视为包括在最小值1和最大值10之间（且包含该最小值和最大值）的任何和所有子范围；即，以最小值1或更大起始并以最大值10或更小结束的所有子范围，例如1至3.3、4.7至7.5、5.5至10等。此外，如本文所用，术语“在…上形成”、“在…上沉积”、或“在…上提供”表示在表面上形成、沉积或提供，但不必直接接触该表面。例如，“在基材…上形成”的涂料层不排除在所形成的涂布层和所述基材之间存在一层或多层具有相同或不同组成的其它涂料层或膜。如本文所用，术语“聚合物”或“聚合物的”包括低聚物、均聚物、共聚物、和三元共聚物，例如两种或更多种类型的单体或聚合物形成的聚合物。术语“可见区”或“可见光”指波长范围为380nm至760nm的电磁辐射。术语“红外区”或“红外辐射”指波长范围大于760nm至100000nm的电磁辐射。术语“紫外区”或“紫外辐射”是指波长范围为200nm至低于380nm的电磁能量。术语“微波区”或“微波辐射”指频率范围为300兆赫至300千兆赫的电磁辐射。此外，本文提及的所有文献，例如，但不限于，颁布的专利和专利申请，应视为其全部内容“通过引用并入”。在以下讨论中，折射率值是对于参比波长为550纳米（nm）而言的那些。术语“膜”指具有希望的或选择的组成的涂层的区域。“层”包含一层或多层“膜”。“涂层”或“涂层堆叠体”包含一个或多个“层”。

包括本发明特征的示例性的太阳能电池10示于图1中。太阳能电池10包含具有至少一个主表面14的基材12。本发明的第一涂层16（底涂层）形成在主表面14的至少一部分上。第二涂层18（透明的导电氧化物或“TCO”）形成在第一涂层16的至少一部分上。非晶硅的层20形成在第二涂层18的至少一部分上。金属或含金属层22形成在非晶硅层20的至少一部分上。

在本发明的广泛实践中，基材12可包含具有任意所需特性的任意所需材料。例如，基材可以是对可见光透明的或半透明的。“透明”是指可见光透射率大于0%至高达100%。或者，基材12可以是半透明的。“半透明”是指允许电磁能量（例如可见光）通过但是使该能量扩散，使得观察者相对侧的物体不能清晰可见。适合的材料的例子包括，但不限于，塑料基材（例如丙烯酸类聚合物，例如聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸烷基酯，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丙酯等；聚氨酯；聚碳酸酯；聚对苯二甲酸烷基酯，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等；含聚硅氧烷的聚合物；或用于制备这些的任意单体的共聚物；或它们的任意混合物）；玻璃基材；或上述任意的混合物或组合。例如，基材12可包含常规的碳酸钠-石灰-硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、或铅玻璃。玻璃可以是纯净的玻璃。“纯净的玻璃”是指没有染色或没有着色的玻璃。或者，玻璃可以是染色的或以其它方式着色的玻璃。玻璃可以是退火的或热处理的玻璃。如本文所用，术语“热处理的”表示回火的或至少部分回火的。玻璃可以是任意类型，例如常规浮法玻璃，并且可以是具有任意光学性能的任意组成，所述学性能例如可见光透射率、紫外光透射率、红外光透射率、和/或总的太阳能透射率的任意值。“浮法玻璃”是指通过常规浮法工艺形成的玻璃，其中将熔融的玻璃沉积到熔融的金属浴上并可控地冷却以形成浮法玻璃带。不限制本发明，适合于基材的玻璃的例子在美国专利4746347、4792536、5030593、5030594、5240886、5385872和5393593中描述。可用于本发明实施的玻璃的非限制性例子包括

GL-35^TM、

和

所有的都可购自宾夕法尼亚州匹茨堡的PPG Industries Inc.。

基材12可以具有任意所需的尺寸，例如长度、宽度、形状、或厚度。例如，基材12可以是平面的，曲面的，或同时具有平面和曲面部分。在一个非限制性实施方式中，基材12的厚度可以是1mm至10mm，例如1mm至5mm，例如2mm至4mm，例如3mm至4mm。

基材12可以具有在参比波长550纳米（nm）处的高可见光透射率。“高可见光透射率”是指在550nm处的可见光透射率大于或等于85%，例如大于或等于87%，例如大于或等于90%，例如大于或等于91%，例如大于或等于92%。

在本发明实践中，第一涂层16（底涂层）可以用于影响，例如提高，后续施加的第二涂层18的粗糙度（“雾度”），如下所述。已经发现，有意地向底涂层16引入轻微的雾度或粗糙度（例如，表面粗糙度），该雾度在第二涂层18的表面放大。据信这是因为底涂层16上的第二层18的晶体结构不匹配。

下面将描述提高第一涂层16和/或第二涂层18的粗糙度的方法。在一个非限制性实施方式中，第一涂层16包含选自硅、钛、铝、锡、锆和/或磷的氧化物中的一种或多种氧化物。该氧化物可以以任意所需比例存在。例如，第一涂层16可以包含二氧化硅。或者，第一涂层16可以包含二氧化硅和二氧化钛的混合物，其中二氧化硅占0.1重量百分比（wt.%）至99.9wt.%和二氧化钛占99.9wt.%至0.1wt.%。第一涂层16可以是均质涂层。或者，第一涂层16可以是例如二氧化硅或二氧化钛的组分的相对比例沿涂层变化的梯度涂层。例如，第一涂层16可以在与基材12表面相邻的区域中主要是二氧化硅，而在第一涂层16的外部区域（即，远离基材12的表面）处主要是二氧化钛。例如，第一涂层16可以是二氧化硅，且厚度为80nm至90nm。

如上所述，第一涂层16可以包含具有选自硅、钛、铝、锡、锆和/或磷的元素的至少两种氧化物的混合物。这样的混合物包括，但不限于，二氧化钛和氧化磷；二氧化硅和氧化铝；二氧化钛和氧化铝；二氧化硅和氧化磷；二氧化钛和氧化磷；二氧化硅和氧化锡，氧化锡和氧化磷，二氧化钛和氧化锡，氧化铝和氧化锡，二氧化硅和氧化锆；二氧化钛和氧化锆；氧化铝和氧化锆；氧化铝和氧化磷；氧化锆和氧化磷；或上述材料的任意组合。各氧化物的相对比例可以是任意所需量，例如0.1wt%至99.9wt%的一种材料和99.9wt%至0.1wt%的另一材料。

此外，第一涂层16可以包含至少三种氧化物的混合物，例如但不限于，三种或更多种具有选自硅、钛、铝、锡、锆和/或磷的元素的氧化物。例子包括，但不限于，包含以下的混合物：二氧化硅、二氧化钛和氧化磷；二氧化硅、氧化锡和氧化磷；二氧化硅、二氧化钛和氧化铝；和二氧化硅、二氧化钛和氧化锆。例如，第一涂层16可以包含二氧化硅和二氧化钛以及选自氧化铝、氧化锆和氧化磷的至少一种其它氧化物的混合物。再例如，第一涂层16可以包含二氧化硅和氧化锡以及选自氧化铝、氧化锆和氧化磷的至少一种其它氧化物的混合物。氧化物的相对比例可以是任意所需量，例如0.1wt.%至99.9wt.%的一种材料，99.9wt.%至0.1wt.%的第二种材料，和0.1wt%至99.9wt.%的第三种材料。

本发明一种特定的第一涂层16包括二氧化硅、二氧化钛和氧化磷的混合物。二氧化硅可以占30体积百分比（vol.%）至80vol.%。二氧化钛可以占5vol.%至69vol.%。氧化磷可以占1vol.%至15vol.%。

在另一个非限制性实施方式中，第一层16可以包含锐钛型二氧化钛。已经发现，使用锐钛型二氧化钛的第一层16可以提高第二层18的雾度。据信这是因为二氧化钛底涂层16和在底涂层16上形成的第二层18之间的结晶不匹配。

第一涂层16可以具有任意所需的厚度，例如但不限于，10nm至120nm，例如30nm至100nm，例如30nm至90nm，例如40nm至90nm，例如50nm至90nm，例如70nm至90nm，例如80nm至90nm。

在一个非限制性实施方式中，第二涂层18包含至少一个导电氧化物层，例如掺杂质的氧化物层。例如，第二涂层18可以包含一种或多种氧化物材料，例如但不限于，Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中一种或多种的一种或多种氧化物，例如锡酸锌。第二涂层18还可以包含一种或多种掺杂剂材料，例如但不限于，F、In、Al、P和/或Sb。在一个非限制性实施方式中，第二涂层18是氟掺杂的氧化锡涂层，其中氟在涂层前体材料中存在的量低于20wt.%，基于该前体材料的总重量，例如低于15wt.%，例如低于13wt.%，例如低于10wt.%，例如低于5wt.%。第二涂层18可以是非晶的、结晶的或至少部分结晶的。

第二涂层18的厚度可以大于200nm，例如大于250nm，例如大于350nm，例如大于380nm，例如大于400nm，例如大于420nm，例如大于500nm，例如大于600nm。在一个非限制性实施方式中，第二涂层18包含氟掺杂的氧化锡并且厚度如上所述，例如350nm至1000nm，例如400nm至800nm，例如500nm至700nm，例如600nm至700nm，例如650nm。

第二涂层18（例如，氟掺杂的氧化锡）的表面电阻率可以为低于15欧姆/每平方（Ω/□），例如低于14Ω/□，例如低于13.5Ω/□，例如低于13Ω/□，例如低于12Ω/□，例如低于11Ω/□，例如低于10Ω/□。

第二涂层18的表面粗糙度（RMS）可以为5nm至60nm，例如5nm至40nm，例如5nm至30nm，例如10nm至30nm，例如10nm至20nm，例如10nm至15nm，例如11nm至15nm。第一涂层16的表面粗糙度将低于第二涂层18的表面粗糙度。

非晶硅层20的厚度可以为200nm至1000nm，例如200nm至800nm，例如300nm至500nm，例如300nm至400nm，例如350nm。

含金属层22可以是金属的或可以包含一种或多种金属氧化物材料。适合的金属氧化物材料的例子包括，但不限于，Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金中一种或多种的氧化物，例如锡酸锌。含金属层22的厚度可以为50nm至500nm，例如50nm至300nm，例如50nm至200nm，例如100nm至200nm，例如150nm。

第一涂层16和/或第二涂层18可以通过任意常规方法在基材12的至少一部分上形成，所述常规方法例如但不限于，喷雾热解、化学气相沉积（CVD）、或磁控管溅射真空沉积（MSVD）。各层可以都通过相同方法形成，或不同层可以通过不同方法形成。在喷射热解法中，将具有一种或多种氧化物前体材料（例如二氧化钛和/或二氧化硅和/或氧化铝和/或氧化磷和/或氧化锆的前体材料）的有机或含金属前体组合物承载在悬浮液例如水性或非水性溶液中，并且在基材处于高到足以引起前体组合物分解和在基材上形成涂层的温度时引导到基材的表面。组合物可包括一种或多种掺杂剂材料。在CVD法中，将前体组合物承载在载气例如氮气中，并引导到加热的基材上。在MSVD法中，将一个或多个含金属的阴极靶在减压下在惰性或含氧气氛中溅射以在基材上沉积溅射涂层。在涂布过程中或之后可以加热基材以使溅射的涂层结晶而形成涂层。

在本发明的一种非限制性实践中，在常规浮法玻璃带制造工艺中可以在一个或多个位置使用一个或多个CVD涂布设备。例如，可以在浮法玻璃带穿过锡浴时、它从锡浴出来之后、它进入退火炉之前、它穿过退火炉时、或它从退火炉出来之后使用CVD涂布设备。因为CVD法可以涂布移动的浮法玻璃带，并承受与制造浮法玻璃带相关的恶劣环境，所以CVD法特别适合在熔融的锡浴中的浮法玻璃带上沉积涂层。美国专利4853257、4971843、5536718、5464657、5714199和5599387描述了可以用于本发明实践中的CVD涂布设备和方法以在熔融的锡浴中涂布浮法玻璃带

在一个非限制性实施方式中，一个或多个CVD涂布机可以位于熔融的锡池上的锡浴中。当浮法玻璃带移动穿过锡浴时，可将气化的前体组合物加入到载气中并引导到带的上表面上。前体组合物分解以在带上形成涂层（例如，第一涂层16和/或第二涂层18）。涂布组合物可在带温度低于1300°F（704℃）、例如低于1250°F（677℃）、例如低于1200°F（649℃）、例如低于1190°F（643℃）、例如低于1150°F（621℃）、例如低于1130°F（610℃）、例如1190°F至1200°F（643℃至649℃）的区域沉积到带上。这在沉积具有降低的表面电阻率的第二涂层18（例如氟掺杂的氧化锡）时特别有用，因为沉积温度越低，所得表面电阻率越低。

例如，为了形成包含二氧化硅和二氧化钛的第一涂层16，该组合物同时包含二氧化硅前体和二氧化钛前体。二氧化硅前体的一个非限制性例子是四乙基原硅酸酯（TEOS）。

二氧化钛前体的例子包括，但不限于，钛的氧化物、低价氧化物或过氧化物。在一个实施方式中，二氧化钛前体材料可以包括一种或多种钛醇盐，例如但不限于，甲醇钛、乙醇钛、丙醇钛、丁醇钛等；或其异构体，例如异丙醇钛、四乙醇钛等。适合于本发明实践的示例性的前体材料包括，但不限于，钛酸四异丙酯（TPT）。或者，二氧化钛前体材料可以是四氯化钛。氧化铝前体的例子包括，但不限于，二甲基异丙醇铝（DMAP）和三仲丁醇铝（ATSB）。二甲基异丙醇铝可以通过在惰性气氛中和室温下将三甲基铝和异丙醇铝以摩尔比2:1混合来制备。氧化磷前体的例子包括，但不限于，亚磷酸三乙酯。氧化锆前体的例子包括，但不限于，锆醇盐。

具有二氧化硅和二氧化钛组合的第一涂层16比以前的氧化物组合有优势。例如，低折射率材料例如二氧化硅（550nm处折射率为1.5）与高折射率材料例如二氧化钛（锐钛型二氧化钛在550nm处的折射率为2.48）的组合使得第一层16的折射率可以通过改变二氧化硅和二氧化钛的量在两个极值之间变化。这对于为第一层16提供抑制颜色或虹彩性能方面特别有用。

但是，二氧化钛的沉积速率典型地比二氧化硅的沉积速率快得多。在典型的沉积条件下，这将二氧化硅的量限制到不超过约50wt.%，这既而又限制了所得二氧化硅/二氧化钛涂层的折射率的较低范围。因此，可以向二氧化硅和二氧化钛前体组合物加入掺杂剂材料以加速二氧化硅的沉积。掺杂剂形成所得氧化物混合物的一部分，因而可以选择以提供改善的表现性能。用于实施本发明的掺杂剂的例子包括，但不限于，含磷、铝和锆中一种或多种的材料以在所得涂层中形成这些材料的氧化物。氧化磷前体材料的例子包括亚磷酸三乙酯。氧化铝前体材料的例子包括仲丁醇铝（ATSB）和二甲基异丙醇铝（DMAP）。氧化锆前体的例子包括锆醇盐。

在一种特定的非限制性实施方式中，使用化学气相沉积涂布法施加第一和/或第二涂层。已经确定可以用CVD涂布法的参数可以用于调节沉积的涂层的雾度。例如，为了提高特定涂层的雾度，可以按照如下改变一个或多个下列参数：（1）提高前体组合物的流动速率；（2）降低载气的流动速率；（3）提高基材温度；（4）提高水流动速率；（5）降低废气流动速率；和（6）提高涂层、尤其是顶层的厚度。

提供下列实施例阐述本发明的各非限制性方面。但是，应理解本发明不受限于这些具体实施例。

实施例1

该实施例说明降低废气流动对所得涂层的雾度的影响。

在该实施例中，在玻璃制造过程中，使用常规的化学气相沉积涂布机沉积氟掺杂的氧化锡涂层（标准）。标准试样的雾度低于0.5%。接着，使用化学气相沉积涂布机沉积氟掺杂的氧化锡涂层，不同之处在于将废气鼓风机完全停止，仅保留通风系统的废气流动。从该试样测得的雾度为16.6%，示于表1。可以看到，降低化学气相沉积涂布机的废气流动显著地提高了试样1的雾度。

表1

实施例2

在该实施例中，调节化学气相沉积体系的各种沉积参数以确定对所得涂层的雾度的影响。表2显示各种沉积参数和测得的性能。

表2

如表2所示，降低鼓风机速度对于雾度的影响看起来比提高水流动速率大。

实施例3

该实施例说明入口载气流动速率对所得涂层的雾度的影响。如表3所示，使用不同的入口载气流动速率制备试样5和6。用相同的化学流动速率、相同的5英寸/分钟的皮带速度、相同的废气鼓风机速度、和相同的水/MBTC比率沉积样品5和6。唯一改变的参数是入口载气流动速率。如表3所示，具有较高载气流动速率的样品5的雾度（3.21%）比具有较低流动速率的试样低。通过降低入口流动速率约一半，涂层厚度仅增加约25%，表面电阻率降低约6.6%，但雾度提高三倍。

表3

研究试样5和6的原子力显微镜图像，试样6的表面比试样5粗糙得多。如表4所示，试样6比试样5粗糙约29%至40%。试样5和6的扫描电子显微镜图像显示，试样5比试样6的晶粒尺寸小。并且根据X-射线衍射结果，试样5与试样6相比还有明显的（101）峰变化，表明对于较高雾度的试样6（101）空间上的显著生长。

表4

本领域技术人员将容易地领会，在不出离上述说明中公开的原理的条件下可对本发明作出改变。例如，上述讨论主要集中于提高涂层的雾度。应意识到通过颠倒上述工艺也可以降低雾度。因此，本文中详细描述的特定实施方式仅是示例性的，而不用于限制本发明的范围，本发明的范围由下述权利要求以及其任意和所有等同物给出完整的范围。

Claims (15)

1.提高具有顶层和底涂层的涂层堆叠体的雾度的方法，包括：

沉积具有表面粗糙度的底涂层；和

通过化学气相沉积在所述底涂层上沉积顶层，使得所述顶层的表面粗糙度大于所述底涂层的表面粗糙度。

2.权利要求1的方法，其中所述顶层的雾度水平为5%至30%。

3.权利要求1的方法，其中所述底涂层包含选自硅、钛、锆、锡、铝、磷和它们的混合物中的一种或多种材料的氧化物。

4.权利要求3的方法，其中钛的氧化物是锐钛型二氧化钛，且厚度为20nm至25nm。

5.使用化学气相沉积涂布法提高具有顶层和底涂层的涂层堆叠体的雾度的方法，包括下列至少之一：

提高前体流动速率；

降低载气流动速率；

提高基材温度；

提高水流动速率；

降低废气流动速率；和

提高顶层或底涂层中至少之一的厚度。

6.权利要求5的方法，其中涂布制品的可见光透射率为大于80%并且表面电阻率为低于15Ω/□。

7.权利要求6的方法，其中所述表面电阻率为低于10Ω/□。

8.权利要求6的方法，其中所述表面电阻率为5Ω/□至9Ω/□。

9.权利要求5的方法，包括降低废气流动速率以得到粒状膜沉积。

10.提高包含顶层和底涂层的涂层堆叠体的雾度的方法，包括：

提供锐钛型二氧化钛底涂层；和

在所述底涂层的至少一部分上沉积氟掺杂的氧化锡层。

11.一种薄膜太阳能电池，包含：

具有至少一个主表面的透明基材；

形成在所述主表面的至少一部分上的第一涂层，该第一涂层包含选自硅、钛、铝、锡、锆和/或磷的氧化物中的一种或多种氧化物；

形成在第一涂层的至少一部分上的第二涂层，该第二涂层包含选自Zn、Fe、Mn、Al、Ce、Sn、Sb、Hf、Zr、Ni、Zn、Bi、Ti、Co、Cr、Si或In、或两种或更多种这些材料的合金的一种或多种的氧化物中的一种或多种氧化物材料。

12.权利要求11的太阳能电池，其中第一涂层包含二氧化硅。

13.权利要求11的太阳能电池，其中第一涂层包含硅、钛、铝、锡、锆和磷中至少两种的氧化物。

14.权利要求11的太阳能电池，其中第二涂层进一步包含选自F、In、Al、P和Sb的一种或多种掺杂剂材料。

15.权利要求11的太阳能电池，其中第二涂层包含氟掺杂的氧化锡。

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