CN102644110A - 一种金属光子晶体材料的制备方法 - Google Patents
一种金属光子晶体材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102644110A CN102644110A CN2012101576847A CN201210157684A CN102644110A CN 102644110 A CN102644110 A CN 102644110A CN 2012101576847 A CN2012101576847 A CN 2012101576847A CN 201210157684 A CN201210157684 A CN 201210157684A CN 102644110 A CN102644110 A CN 102644110A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photonic crystal
- antitemplate
- vinylbenzene
- dioxide
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
一种金属光子晶体材料的制备方法,属于无机纳米材料制备领域。本发明以胶体微球为模板材料,进而制得二氧化硅反模板材料,通过共组装法制备出二氧化硅反蛋白石结构,然后利用氯金酸和氯铂酸的乙醇溶液为金源和铂源,二甲胺基甲硼烷的蒸气来进行还原反应,合成金属光子晶体材料。本发明技术方案设计新颖合理,适用范围广,操作简单,反应易控,重复性好,无污染,安全性好。所制得的金属光子晶体材料能够在几百个微米内均匀有序,光学性能良好。
Description
技术领域
本发明涉及一种金属光子晶体材料的制备方法,属于无机纳米材料制备工艺技术领域。
背景技术
光子晶体材料具有光子禁带的特性,能够阻止光在各个方向上的传播,具有优良的光学性能。特别是金属光子晶体材料,已经通过模拟的方法证明了存在完全的光子带隙,是替代半导体材料的新型材料。光子带隙的存在使得实现光子在特定频率下的自发传播成为可能。在三维有序光子晶体中,这种能够控制光传播的能力在量子光学及其器件上有广泛的应用。例如可以修正黑体辐射,将光限制在一定区域,这就能够实现单一光发射的发光二极管。光子晶体也能够用于一定频率的反射镜,只能通过一定频率的光波滤镜和光波谐振器。通过在光子晶体中引入线缺陷或者是点缺陷来控制光的传播能够合成用于能够90°弯曲的光子电路和无损耗棱镜的平面波导。 就像半导体技术一样,光子晶体的相关技术也会给人们的生活乃至人类的科学技术史上的带来一次重大的变革。
目前制备金属光子晶体材料的方法主要分为刻蚀技术和模板法。
刻蚀技术,是在半导体过制备程中对表面薄膜或者半导体衬底表面按照设计进行选择性的腐蚀从而去除的技术。上述方法本身有其独特的优势,比如可以制备任何表面形貌的完全带隙三维有序光子晶体也可以很轻松的引入我们想要的缺陷结构。然而,其本身的造价昂贵,制作过程耗时较长并且这些技术对设备的要求较高等都限制了他们的应用。最主要的是通过上述方法制备在可见光区和紫外光区的光子晶体很难实现。
模板法主要是用胶体微球组成的胶体晶体模板或其反模板。模板法反应条件温和且合成过程的可控性好,并且能够制备大面积有序的光子晶体材料。然而由于模板本身存在缺陷,限制了利用电沉积等方法制备大面积有序的金属光子晶体材料。
我们结合前人的工作,将模板法与化学还原的方法结合起来,既发挥了模板法本身的长处又避免了其局限性。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种金属光子晶体材料的制备方法。
一种金属光子晶体材料的制备方法,其特征在于,步骤如下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球:将苯乙烯加水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护;将温度设定在70~75℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应;
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液;然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1;并放入60~65℃的烘箱中生长2-3天,完成后在450℃的条件下通过煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板;
3)然后配制氯金酸或氯铂酸的乙醇溶液,并将二氧化硅胶反模板浸泡其中;取出在空气中干燥,待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h;重复浸泡与还原过程0~2次;
4)还原反应完成后,用0.1~1 mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
产物的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)照片显示,光学性能用红外/可见光/紫外光分光度计表征,采用日本日立公司S-4700型扫描电镜和Perkin Elmer 公司的Lamda 950红外/可见光/紫外光分光度计。
本发明利用一种简便的方法合成高质量的金属光子晶体材料,设计合理,操作简单,反应容易控制,重复性好,无污染,安全性好。
附图说明
图1为本发明之实施例1所制的聚苯乙烯微球的扫描电镜图;
图2为本发明之实施例1所制的二氧化硅网的扫描电镜图;
图3为本发明之实施例1所制的铂光子晶体的扫描电镜图;
图4为本发明之实施例2所制的铂光子晶体的扫描电镜图;
图5为本发明之实施例2所制的铂光子晶体的反射光谱图。
图6为本发明之实施例3所制的金光子晶体的扫描电镜图。
图7为本发明之实施例4所制的金光子晶体的扫描电镜图。
具体实施方式
下面实施例对本发明做进一步说明,但不限于此。
以下实施例制备的金属光子晶体的形貌通过扫描电子显微镜(SEM)显示,光学性能用红外/可见光/紫外光分光度计表征,采用日本日立公司S-4700型扫描电镜和Perkin Elmer 公司的Lamda 950红外/可见光/紫外光分光度计。
实施例1:铂光子晶体的制备方法,步骤如下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球,将苯乙烯加入水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护。将温度设定在71℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应。
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液。然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1。并放入65℃的烘箱中生长2天,完成后在450℃的条件下煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板。
3)然后配制浓度为50wt%氯铂酸的乙醇溶液,并将二氧化硅反模板浸泡其中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。
4)还原反应完成后,用0.5mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
图1所示为本实例制得290nm的聚苯乙烯微球的SEM照片,从图中看到聚苯乙烯微球大小均匀,球形度良好。图2所示为本实例制得的二氧化硅反模板的SEM照片,可以看出其孔径大小与聚苯乙烯微球基本相同,无明显收缩。图3所示为本实例制得的铂光子晶体的SEM照片。
实施例2
铂光子晶体的制备方法,步骤同下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球,将苯乙烯加入水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护。将温度设定在71℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应。
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液。然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1。并放入烘箱中生长2天,完成后在450℃的条件下煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板。
3)然后配制浓度为50wt%氯铂酸的乙醇溶液,并将二氧化硅反模板浸泡其中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。还原后在空气中放置0.5h。然后继续将其继续浸泡在浓度为50wt%氯铂酸的乙醇溶液中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。
4)待最终还原反应完成后,用0.5mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
图4所示为本实施例制得的铂光子晶体的SEM照片,从图中可以看出其表面形貌较好,微球排列均匀,球径大小均一且大面积有序,球径相对据聚苯乙烯微球无明显的收缩。图5为本实例制得的铂光子晶体的反射光谱图片,可以看出铂光子晶体有464nm和506nm两个特征峰出现,反射率达到了10.2%,光学性能较好。相对于实施例1,本施例能够保证铂的填充率,从而制得具有良好光学性能的产品。利用此方法合成铂光子晶体材料,相对于传统的电沉积等方法简单,易行,且能够节省成本。
实施例3 金光子晶体的制备方法,步骤如下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球,将苯乙烯加入水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护。将温度设定在71℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应。
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液。然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1。并放入烘箱中生长3天,完成后在450℃的条件下煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板。
3)然后配制浓度为50wt%氯金酸的乙醇溶液,并将二氧化硅反模板浸泡其中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。
4)待最终还原反应完成后,用0.5 mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
图6所示为本实施例制得的金光子晶体和二氧化硅网复合物的SEM照片。
实施例4 金光子晶体的制备方法,步骤如下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球,将苯乙烯加入水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护。将温度设定在71℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应。
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液。然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1。并放入65℃烘箱中生长3天,完成后在450℃的条件下煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板。
3)然后配制浓度为50wt%氯金酸的乙醇溶液,并将二氧化硅反模板浸泡其中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。还原后在空气中放置0.5h。然后继续将其继续浸泡在浓度为50wt%氯金酸的乙醇溶液中,约0.5h后取出在空气中干燥。待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h。
4)待最终还原反应完成后,用0.5 mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
图7所示为本实施例制得的金光子晶体的SEM照片,从图中可以看出其表面形貌较好,微球排列均匀,球径大小均一且大面积有序,球径相对据聚苯乙烯微球无明显的收缩。相对于实施例3,本实施例能够保证金的填充率,从而制得具有良好表面形貌的产品。利用此方法合成金光子晶体材料,相对于传统的电沉积等方法简单,易行,且能够节省成本。
Claims (1)
1.一种金属光子晶体材料的制备方法,其特征在于,步骤如下:
1)通过无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球:将苯乙烯加水和乙醇混合溶液中,其中苯乙烯、水和乙醇的体积比为1:6:14,并用氮气进行保护;将温度设定在70~75℃之间,待温度稳定后加入与加入体系中苯乙烯等体积的0.02g/ml的过硫酸钾溶液,进行反应;
2)以正硅酸乙酯、乙醇、0.1M的盐酸按照质量比为1:1.5:1的比例配制二氧化硅前驱液;然后将其与1)所制备聚苯乙烯微球乳液加入溶液中混合,其中聚苯乙烯微球乳液和前驱液的体积比为100:1;并放入60~65℃的烘箱中生长2-3天,完成后在450℃的条件下通过煅烧5h除去聚苯乙烯微球,得到二氧化硅反模板;
3)然后配制氯金酸或氯铂酸的乙醇溶液,并将二氧化硅胶反模板浸泡其中;取出在空气中干燥,待其干燥完成后放入盛有二甲氨基甲硼烷的烧杯中还原12h;重复浸泡与还原过程0~2次;
4)还原反应完成后,用0.1~1 mol/L HF溶液溶解二氧化硅反模板,然后用乙醇及去离子水清洗干净,得到样品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101576847A CN102644110A (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种金属光子晶体材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012101576847A CN102644110A (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种金属光子晶体材料的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102644110A true CN102644110A (zh) | 2012-08-22 |
Family
ID=46657181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101576847A Pending CN102644110A (zh) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | 一种金属光子晶体材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102644110A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105601266A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-25 | 同济大学 | 气液界面法制备磷酸银二维有序纳米网薄膜及其方法 |
CN108099433A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-01 | 苏州中科纳福材料科技有限公司 | 反蛋白石结构防伪转印膜的制备方法 |
CN108217661A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-29 | 北京化工大学 | 一种合成多级有序孔道材料的普适方法 |
CN110344038A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-18 | 江苏省肿瘤医院 | 一种基于光子晶体模板金或银反蛋白石微球及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101752094A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-06-23 | 上海交通大学 | 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法 |
-
2012
- 2012-05-18 CN CN2012101576847A patent/CN102644110A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101752094A (zh) * | 2010-02-26 | 2010-06-23 | 上海交通大学 | 纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
CHENG-YU KUO: "《Stop band shift based chemical sensing with three-dimensional opal and inverse opal structures》", 《SENSORS AND ACTUATORS B》 * |
林雪晶: "《有序介孔二氧化硅薄膜的制备及性能》", 《过程工程学报》 * |
胡杰: "《乙醇-水介质中单分散聚甲基丙烯酸甲酯微球的制备》", 《高分子学报》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105601266A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-25 | 同济大学 | 气液界面法制备磷酸银二维有序纳米网薄膜及其方法 |
CN108099433A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-01 | 苏州中科纳福材料科技有限公司 | 反蛋白石结构防伪转印膜的制备方法 |
CN108217661A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-29 | 北京化工大学 | 一种合成多级有序孔道材料的普适方法 |
CN110344038A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-18 | 江苏省肿瘤医院 | 一种基于光子晶体模板金或银反蛋白石微球及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100396826C (zh) | 一种图案化二氧化钛反蛋白石光子晶体的制备方法 | |
Sivakov et al. | Roughness of silicon nanowire sidewalls and room temperature photoluminescence | |
Carlos et al. | White-light emission of amine-functionalized organic/inorganic hybrids: emitting centers and recombination mechanisms | |
CN102644110A (zh) | 一种金属光子晶体材料的制备方法 | |
Oener et al. | Perovskite nanowire extrusion | |
Chen et al. | Geopolymer-supported photocatalytic TiO2 film: Preparation and characterization | |
Bayles et al. | Localized surface plasmon effects on the photophysics of perovskite thin films embedding metal nanoparticles | |
CN104959168A (zh) | 一种Cu2O/CH3NH3PbI3/TiO2复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
JP4430488B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
Liang et al. | Bio-inspired flexible fluoropolymer film for all-mode light extraction enhancement | |
Nishimura et al. | Effect of cross-linking and organic groups on the visible photoluminescence characteristics of n-octadecylsiloxanes | |
CN109665720B (zh) | 一种超低折射率SiO2减反射膜的制备方法 | |
CN103367577A (zh) | 一种高亮度GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
Zhang et al. | CsPbX3 (X= Cl, Br, and I) Nanocrystals in substrates toward stable photoluminescence: Nanoarchitectonics, properties, and applications | |
CN110280274A (zh) | 一种基于TiO2阵列光波导的宽光谱响应光催化材料及其制备方法与应用 | |
CN104371732A (zh) | 一种采用疏水性半导体量子点制成荧光凝胶玻璃的方法 | |
CN106298450A (zh) | 一种纳米级图形化蓝宝石衬底及其制备方法和应用 | |
CN113439069B (zh) | 气凝胶及其制造方法 | |
CN105537621A (zh) | 一种以蛋白质为还原剂的金纳米粒子制备方法 | |
CN103204538A (zh) | 一种多孔ZnO和ZnO/Ag纳米自支持膜的制备方法 | |
CN101804989A (zh) | 一种透明介孔二氧化硅凝胶独石的制备方法 | |
CN102593245B (zh) | 一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法 | |
CN102646764B (zh) | 纳米级图案化蓝宝石衬底的全湿化学制备方法 | |
Khan et al. | Light emitting composite rods based on porous silicon in ormosils and polymer matrices for optical applications | |
CN204891889U (zh) | 一种Cu2O/CH3NH3PbI3/TiO2复合结构光催化剂 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120822 |