CN102637604B - 侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法 - Google Patents

Abstract

一种侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法，形成侧墙的方法包括：提供具有栅极结构的基底，栅极结构包括栅极、位于栅极和基底之间的栅介质层；形成第一介质层，覆盖基底和栅极结构；第一介质层为单层或叠层结构；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层对形成自对准金属硅化物块工艺中使用的刻蚀液的耐腐蚀性大于第一介质层的最外层材料对刻蚀液的耐腐蚀性；依次刻蚀第二介质层和第一介质层在栅极四周形成侧墙。本发明中形成的侧墙对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大，这样可以减小在形成自对准金属硅化物块的工艺中侧墙的损失，相应的侧墙宽度增大，可以避免侧墙太小而造成的场效应晶体管失效的问题。

Description

侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及形成侧墙以及半导体器件的方法。

背景技术

现有技术的半导体器件中，通常形成在栅极周围的侧墙结构为ONO(oxide-nitride-oxide)结构，然而由于ONO结构中氮化硅的介电常数k较大，在某些器件例如射频器件的栅极和源极、漏极之间需要小电容时，栅极周围的侧墙不能使用ONO结构的侧墙，需要使用材料均为氧化硅的侧墙。

现有技术的半导体工艺中，形成材料均为氧化硅的半导体器件的方法的工艺步骤为：

参考图1，提供基底10；在该基底10上形成栅介质层11；在栅介质层11上形成栅极12；形成栅极12后，对基底10进行离子注入形成LDD区(图中未示出LDD区)。

参考图2，接着依次沉积形成垫衬氧化硅(Liner oxide)层13和在低压条件下由正硅酸乙酯(LP TEOS)形成的氧化硅层14。

参考图3，依次对垫衬氧化硅层13和氧化硅层14进行刻蚀形成包括内层侧墙131和外层侧墙141的侧墙。

参考图4，形成侧墙后，对基底10进行离子注入形成源极15、漏极16。

参考图5，形成源极15和漏极16后，形成自对准金属硅化物阻挡块(Silicide areablock，简称SAB)17，遮挡基底10上不用形成金属硅化物的区域且暴露出栅极12、源极15和漏极16。

参考图6，在栅极12、源极15和漏极16上形成金属硅化物18，例如硅化镍、硅化钴或硅化钛等，该金属硅化物18用于减少之后形成的接触插栓与栅极、源极和漏极之间的接触电阻。

之后，形成层间介质层，覆盖基底以及其上形成的结构，接着对层间介质层进行图形化，在层间介质层中形成接触孔(contact)，在接触孔中填充导电材料形成接触插栓，所述接触插栓分别与栅极12、源极15和漏极16电连接。

然而，现有技术中，对侧墙的材料全为氧化硅的场效应晶体管的性能进行检测时，发现场效应晶体管失效。

现有技术中，有许多关于形成侧墙的方法，例如公开号为CN 101599429A的专利文献中公开的形成侧墙的方法，然而均没有解决以上技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术的半导体器件中，在侧墙的材料全为氧化硅的场效应晶体管失效。

为解决上述问题，本发明具体实施例提供一种形成侧墙的方法，包括：

提供具有栅极结构的基底，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层；

形成第一介质层，覆盖所述基底和栅极结构，所述第一介质层为单层或叠层结构；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；

依次刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层在所述栅极四周形成侧墙。

可选的，所述清洗工艺为离子注入形成源极、漏极之后去除光刻胶层的清洗工艺、形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、或形成金属硅化物工艺中沉积金属之前的清洗工艺。

可选的，所述清洗工艺中使用的溶液为氢氟酸或硫酸。

可选的，所述清洗工艺为形成自对准金属硅化物块工艺中的湿法刻蚀工艺，所述溶液为所述湿法刻蚀中使用的刻蚀液。

可选的，所述刻蚀液为氢氟酸溶液或缓冲二氧化硅蚀刻溶液。

可选的，所述第二介质层为热氧化非晶硅层而形成的氧化硅层。

可选的，所述氧化硅层的形成方法包括：

在所述第一介质层上形成非晶硅层；

热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层。

可选的，所述热氧化的温度范围为600℃至1100℃。

可选的，形成非晶硅层的方法为气相沉积。

可选的，所述第一介质层的材料为氧化硅。

可选的，所述叠层结构的第一介质层包括：覆盖所述基底和栅极结构的垫衬氧化硅层，位于所述垫衬氧化硅层上在低压条件下由正硅酸乙酯形成的氧化硅层。

可选的，所述垫衬氧化硅层的形成方法为气相沉积。

可选的，在低压条件下由正硅酸乙酯形成氧化硅层的方法为气相沉积。

可选的，所述单层结构的第一介质层为垫衬氧化硅层。

可选的，所述垫衬氧化硅层的形成方法为气相沉积。

可选的，刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层的方法为回刻。

本发明还提供一种形成半导体器件的方法，包括：

利用所述的方法在所述栅极四周形成侧墙；

对所述基底进行离子注入在所述基底内、栅极两侧形成源极和漏极；

形成自对准金属硅化物块，遮盖所述基底上无需形成金属硅化物层的区域且暴露出所述栅极、源极和漏极；

在所述源极、漏极和栅极上形成金属硅化物层。

可选的，形成金属硅化物层后，还包括：

形成层间介质层，覆盖所述侧墙、栅极、金属硅化物层和自对准金属硅化物块；

在所述层间介质层中形成接触插栓，所述接触插栓与所述源极、漏极和栅极上的金属硅化物层接触。

本发明还提供一种侧墙，位于基底上，且位于基底上的栅极结构的周围，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层，包括：第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙为单层结构或叠层结构，所述第一侧墙位于所述栅极结构和第二侧墙之间，所述第二侧墙对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一侧墙层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性。

可选的，所述清洗工艺为离子注入形成源极、漏极之后去除光刻胶层的清洗工艺、形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、或形成金属硅化物工艺中沉积金属之前的清洗工艺。

可选的，所述清洗工艺中使用的溶液为氢氟酸或硫酸。

可选的，所述清洗工艺为形成自对准金属硅化物块工艺中的湿法刻蚀工艺，所述溶液为所述湿法刻蚀中使用的刻蚀液。

可选的，所述刻蚀液为氢氟酸溶液或缓冲二氧化硅蚀刻溶液。

可选的，所述第二侧墙的材料为热氧化非晶硅而形成的氧化硅。

可选的，所述第一侧墙的材料为氧化硅。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明技术方案形成侧墙的方法，先形成一层覆盖基底和栅极结构的第一介质层，该第一介质层为单层或叠层结构，该第一介质层相当于现有技术中用于形成侧墙的介质层；然后在第一介质层上形成第二介质层，该第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；之后，依次刻蚀第二介质层和第一介质层，在栅极四周形成侧墙。由于第一介质层相当于现有技术中用于形成侧墙的介质层，第二介质层对形成侧墙后的清洗工艺，特别是形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、湿法刻蚀工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性，因此相对于现有技术，本发明中形成的侧墙对形成侧墙后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大，这样可以减小清洗工艺对侧墙的损失，相应的侧墙宽度增大，不会出现由于侧墙宽度减小造成场效应晶体管失效的问题。

在具体实施例中，第二介质层为氧化硅层；该氧化硅层的形成方法为在第一介质层上形成非晶硅层；之后，热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层。该实施例，工艺简单，易于实现，不会对半导体器件的工艺流程造成大的影响。

本发明具体实施例形成的半导体器件，由于侧墙的宽度相对于现有技术增大，因此可以避免现有技术中场效应晶体管失效的问题。

附图说明

图1～图6为现有技术中形成场效应晶体管的方法的剖面结构示意图；

图7为本发明具体实施方式的形成侧墙的方法的流程示意图；

图8～图11为本发明第一具体实施例的形成侧墙的方法的剖面结构示意图；

图12～图13为本发明第二具体实施例的形成侧墙的方法的剖面结构示意图。

具体实施方式

现有技术中，形成场效应晶体的过程中，具体的形成金属硅化物的工艺为：提供硅基底，在硅基底上形成一层硅的氧化物；接着，在硅的氧化物上形成光刻胶层；之后，对光刻胶层进行曝光、显影，在光刻胶层中形成图形，该图形定义出即将刻蚀的硅的氧化物的图形；之后，以图形化后的光刻胶层为掩膜湿法刻蚀硅的氧化物，将光刻胶层的图形转移到硅的氧化物层形成自对准金属硅化物块；接着，去除图形化的光刻胶层，并以自对准金属硅化物块为掩膜在栅极、源极和漏极上将钴、镍、钛等金属与硅反应形成金属硅化物。在湿法刻蚀硅的氧化物形成SAB的过程中，由于湿法刻蚀中用到的刻蚀液例如HF溶液或BOE(Buffered Oxide Etchant，缓冲二氧化硅蚀刻)溶液对侧墙的腐蚀性大，造成侧墙损失，相应的侧墙的宽度减小。在侧墙的宽度减小到一定程度时，会造成晶体管失效。

基于以上发现，本发明技术方案提出了一种形成侧墙的方法。本发明的形成侧墙的方法，先形成一层覆盖基底和栅极结构的第一介质层，该第一介质层为单层或叠层结构，该第一介质层相当于现有技术中用于形成侧墙的介质层；然后在第一介质层上形成第二介质层，该第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；之后，依次刻蚀第二介质层和第一介质层在栅极四周形成侧墙。由于该第一介质层相当于现有技术中用于形成侧墙的介质层，第二介质层对侧墙后的清洗工艺，特别是形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、湿法刻蚀工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性，因此相对于现有技术，本发明中形成的侧墙对形成侧墙后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大，这样可以减小清洗工艺中对侧墙的损失，相应的侧墙宽度增大，不会出现由于侧墙宽度减小造成场效应晶体管失效的问题。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

图7为本发明具体实施例的形成侧墙的方法的流程示意图，参考图7，本发明具体实施例的形成侧墙的方法包括：

步骤S11，提供具有栅极结构的基底，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层；

步骤S12，形成第一介质层，覆盖所述基底和栅极结构，所述第一介质层为单层或叠层结构；

步骤S13，在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；

步骤S14，依次刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层在所述栅极四周形成侧墙。

图8～图11为本发明第一具体实施例的形成侧墙的方法的剖面结构示意图，下面结合参考图7和图8～图11详细说明本发明第一具体实施例形成侧墙的方法。

结合参考图7和图8，执行步骤S11，提供具有栅极结构的基底20，所述栅极结构包括栅极22、位于所述栅极22和基底20之间的栅介质层21。在第一实施例中，基底20的材料可以为单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)或绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。栅极22的材料为多晶硅，但不限于多晶硅，也可以为本领域技术人员公知的其他可用作栅极的材料。栅介质层21的材料为氧化硅，但不限于氧化硅，也可以为本领域技术人员公知的其他介质材料。在该第一实施例中，基底20中、栅极22的两侧还有轻掺杂漏区(LDD区)，该轻掺杂漏区可以减小源极和漏极之间的漏电流。在该第一实施例中，也可以没有LDD区。

结合参考图7和图9，执行步骤S12，形成第一介质层23，覆盖所述基底20和栅极结构，即覆盖基底20和栅极22、栅介质层21。在该第一实施例中，第一介质层23为叠层结构，该叠层结构的第一介质层23包括：覆盖所述基底20和栅极结构的垫衬氧化硅层231，位于所述垫衬氧化硅层(Liner oxide)231上在低压条件下由正硅酸乙酯(LP TEOS)形成的氧化硅层232。其中，垫衬氧化硅层231的形成方法为气相沉积，在低压条件下由正硅酸乙酯(LPTEOS)形成氧化硅层232的方法为气相沉积。

由于垫衬氧化硅层231和氧化硅层232对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液，特别是形成自对准金属硅化物块工艺过程中的清洗工艺中使用的溶液、湿法蚀刻工艺中使用的刻蚀液的耐腐性较差，因此会导致刻蚀垫衬氧化硅层231和氧化硅层232形成的侧墙在形成SAB工艺中被腐蚀，造成侧墙的损失，导致晶体管失效。为了克服该问题，如果简单增加氧化硅层232或垫衬氧化硅层231的厚度，为了形成侧墙，回刻的时间需要增加，这就导致侧墙(Spacer)形成后宽度基本不会增加。因此，需要在氧化硅层232上形成一层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液耐腐性较好的介质层。

本发明具体实施例中，形成自对准金属硅化物块工艺过程中的清洗工艺使用的溶液为氢氟酸或硫酸。湿法刻蚀工艺中使用的刻蚀液为氢氟酸溶液或缓冲二氧化硅蚀刻溶液。

本发明具体实施例中的清洗工艺还可以是离子注入形成源极、漏极之后去除光刻胶层的清洗工艺、或形成金属硅化物工艺中沉积金属之前的清洗工艺，清洗工艺中使用的溶液为氢氟酸或硫酸。

接着，结合参考图7和图10，执行步骤S13，在所述第一介质层23上形成第二介质层24，所述第二介质层24对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层23的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性。在该具体实施例中，第二介质层24为热氧化非晶硅层而形成的氧化硅层。在第一介质层23上形成第二介质层24具体为：在低压正硅酸乙酯层232上形成氧化硅层；该氧化硅层的形成方法为：在所述第一介质层23上形成非晶硅层，也就是说在氧化硅层232上形成非晶硅层；之后，热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层，所述热氧化的温度范围为600℃度到1200℃之间。在该第一实施例中，非晶硅层的厚度为50埃到500埃之间。形成非晶硅层的方法为气相沉积。

在具体实施例中，第二介质层为热氧化非晶硅层而形成的氧化硅层，该氧化硅层的致密度大于第一介质层各层材料、尤其是最外层材料的致密度，因此，对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液具有较大的耐腐性，可以减小侧墙的损失，相对现有技术增加侧墙的宽度。该氧化硅层的形成方法为在第一介质层上形成非晶硅层；之后，热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层。该实施例，工艺简单，易于实现，不会对半导体器件的工艺流程造成大的影响。

之后，结合参考图7和图11，执行步骤S14，依次刻蚀所述第二介质层24和所述第一介质层23在所述栅极22四周形成侧墙25。在该第一实施例中，依次刻蚀所述第二介质层24和所述第一介质层23在所述栅极22四周形成侧墙25具体为：依次刻蚀垫衬氧化硅层231、氧化硅层层232和第二介质层24形成侧墙25，该侧墙25包括由内层侧墙251和中间层侧墙252构成的第一侧墙以及第二侧墙253。刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层的方法为回刻。

图12～图13为本发明第二实施例的形成侧墙的方法的剖面结构示意图，结合参考图7和图12～图13详细说明本发明第二实施例的形成侧墙的方法。

结合参考图7和图12，执行步骤S11，提供具有栅极结构的基底30，所述栅极结构包括栅极32、位于所述栅极32和基底30之间的栅介质层31。该步骤S11与第一实施例相同，在此不做赘述。

结合参考图7和图12，执行步骤S12，形成第一介质层33，覆盖所述基底30和栅极结构，即覆盖基底30和栅极32、栅介质层31。在该第二实施例中，第一介质层33为单层结构，该单层结构的第一介质层33为垫衬氧化硅层。该垫衬氧化硅层的厚度范围为20埃到200埃。

结合参考图7和图12，执行步骤S13，在所述第一介质层33上形成第二介质层34，所述第二介质层34对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层33的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性。在第二实施例中，第二介质层的材料以及形成方法与第一实施例相同。

结合参考图7和图13，执行步骤S14，依次刻蚀所述第二介质层34和所述第一介质层33在所述栅极32四周形成侧墙35。刻蚀方法为现有技术中的回刻(etch back)工艺。形成的侧墙35包括第一侧墙351和第二侧墙352。

以上仅列举出两个具体实施例的形成侧墙的方法，本发明中形成侧墙的方法不限于以上所举具体实施例，在现有技术中的侧墙容易被侧墙形成后的清洗工艺，特别是被形成自对准金属硅化物块过程中的清洗工艺、湿法刻蚀中使用的溶液腐蚀时，均可以利用本发明中的方法形成侧墙。

本发明还提供一种形成半导体器件的方法，包括：

步骤S21，利用以上所述的方法在栅极四周形成侧墙；

步骤S22，之后，对所述基底进行离子注入在所述基底内、栅极两侧形成源极和漏极；

步骤S23，形成自对准金属硅化物块，遮盖所述基底上无需形成金属硅化物层的区域且暴露出所述栅极、源极和漏极；

步骤S24，在所述源极、漏极和栅极上形成金属硅化物层。

形成金属硅化物层后，还包括：形成层间介质层，覆盖所述侧墙、栅极、金属硅化物层和自对准金属硅化物块；在所述层间介质层中形成接触插栓，所述接触插栓与所述源极、漏极和栅极上的金属硅化物层接触。

在该形成半导体器件的方法中，步骤S21与本发明形成侧墙的方法相同，步骤S22、S23、S24以及形成层间介质层、接触插栓的方法均为现有技术，在此不做赘述。

本发明具体实施例形成的半导体器件，由于侧墙的宽度相对于现有技术增大，因此可以避免现有技术中场效应晶体管失效的问题。

参考图11，本发明还提供一种侧墙25，位于基底20上，且位于基底20上的栅极结构的周围，所述栅极结构包括栅极22、位于所述栅极22和基底20之间的栅介质层21，该侧墙25包括：第一侧墙和第二侧墙253，在第一实施例中，第一侧墙为叠层结构，包括内层侧墙251和中间侧墙252，所述第一侧墙位于所述栅极结构和第二侧墙253之间，所述第二侧墙253对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一侧墙的最外层材料即中间侧墙252对所述溶液的耐腐蚀性。

关于清洗工艺的具体细节可以参见第一实施例形成侧墙的方法中的具体描述。

第二侧墙的材料为热氧化非晶硅而形成的氧化硅。所述第一侧墙的材料为氧化硅。本发明第一实施例的形成侧墙的方法中关于结构和材料的内容可以援引于此，在此不做赘述。

参考图13，本发明第二实施例的侧墙35，位于基底30上，且位于基底30上的栅极结构的周围，所述栅极结构包括栅极32、位于所述栅极32和基底30之间的栅介质层31，该侧墙35包括：第一侧墙351和第二侧墙352，在第二实施例中，第一侧墙为单层结构，所述第一侧墙351位于所述栅极结构和第二侧墙352之间，所述第二侧墙352对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一侧墙351对所述溶液的耐腐蚀性。

关于清洗工艺的具体细节可以参见第一实施例形成侧墙的方法中的具体描述。

第二侧墙的材料为热氧化非晶硅而形成的氧化硅。第一侧墙的材料为氧化硅。本发明第二实施例的形成侧墙的方法中关于结构和材料的内容可以援引于此，在此不做赘述。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (19)

1.一种形成全氧化硅侧墙的方法，其特征在于，包括：

提供具有栅极结构的基底，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层；

形成第一介质层，覆盖所述基底和栅极结构，所述第一介质层为单层或叠层结构；所述第一介质层的材料为氧化硅；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一介质层的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；所述第二介质层的材料为氧化硅；

依次刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层在所述栅极四周形成侧墙；

所述第二介质层的形成方法包括：在所述第一介质层上形成非晶硅层；热氧化所述非晶硅层，形成氧化硅层；所述热氧化的温度范围为600℃至1100℃，非晶硅层的厚度为50埃到500埃之间。

2.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述清洗工艺为离子注入形成源极、漏极之后去除光刻胶层的清洗工艺、形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、或形成金属硅化物工艺中沉积金属之前的清洗工艺。

3.如权利要求2所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述清洗工艺中使用的溶液为氢氟酸或硫酸。

4.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述清洗工艺为形成自对准金属硅化物块工艺中的湿法刻蚀工艺，所述溶液为所述湿法刻蚀中使用的刻蚀液。

5.如权利要求4所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述刻蚀液为氢氟酸溶液。

6.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，形成非晶硅层的方法为气相沉积。

7.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述叠层结构的第一介质层包括：覆盖所述基底和栅极结构的垫衬氧化硅层，位于所述垫衬氧化硅层上在低压条件下由正硅酸乙酯形成的氧化硅层。

8.如权利要求7所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述垫衬氧化硅层的形成方法为气相沉积。

9.如权利要求7所述的形成侧墙的方法，其特征在于，在低压条件下由正硅酸乙酯形成氧化硅层的方法为气相沉积。

10.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述单层结构的第一介质层为垫衬氧化硅层。

11.如权利要求10所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述垫衬氧化硅层的形成方法为气相沉积。

12.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和所述第一介质层的方法为回刻。

13.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：

利用权利要求1～12任一项所述的方法在所述栅极四周形成侧墙；

对所述基底进行离子注入在所述基底内、栅极两侧形成源极和漏极；

形成自对准金属硅化物块，遮盖所述基底上无需形成金属硅化物层的区域且暴露出所述栅极、源极和漏极；

在所述源极、漏极和栅极上形成金属硅化物层。

14.如权利要求13所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，形成金属硅化物层后，还包括：

形成层间介质层，覆盖所述侧墙、栅极、金属硅化物层和自对准金属硅化物块；

在所述层间介质层中形成接触插栓，所述接触插栓与所述源极、漏极和栅极上的金属硅化物层接触。

15.一种全氧化硅侧墙，位于基底上，且位于基底上的栅极结构的周围，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和基底之间的栅介质层，其特征在于，包括：第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙为单层结构或叠层结构，所述第一侧墙位于所述栅极结构和第二侧墙之间，所述第二侧墙对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性大于所述第一侧墙的最外层材料对所述溶液的耐腐蚀性；所述第一侧墙、第二侧墙的材料均为氧化硅，所述第二侧墙的材料为热氧化非晶硅而形成的氧化硅，所述热氧化的温度范围为600℃至1100℃，非晶硅的厚度为50埃到500埃之间。

16.如权利要求15所述的侧墙，其特征在于，所述清洗工艺为离子注入形成源极、漏极之后去除光刻胶层的清洗工艺、形成自对准金属硅化物块工艺中的清洗工艺、或形成金属硅化物工艺中沉积金属之前的清洗工艺。

17.如权利要求16所述的侧墙，其特征在于，所述清洗工艺中使用的溶液为氢氟酸或硫酸。

18.如权利要求16所述的侧墙，其特征在于，所述清洗工艺为形成自对准金属硅化物块工艺中的湿法刻蚀工艺，所述溶液为所述湿法刻蚀中使用的刻蚀液。

19.如权利要求18所述的侧墙，其特征在于，所述刻蚀液为氢氟酸溶液。