CN102605323A - 镀膜件及其制备方法 - Google Patents

镀膜件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102605323A
CN102605323A CN2011100273768A CN201110027376A CN102605323A CN 102605323 A CN102605323 A CN 102605323A CN 2011100273768 A CN2011100273768 A CN 2011100273768A CN 201110027376 A CN201110027376 A CN 201110027376A CN 102605323 A CN102605323 A CN 102605323A
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
plated film
thermochromic layer
base material
vanadium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100273768A
Other languages
English (en)
Inventor
张新倍
陈文荣
蒋焕梧
陈正士
黄嘉�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd, Hon Hai Precision Industry Co Ltd filed Critical Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority to CN2011100273768A priority Critical patent/CN102605323A/zh
Priority to TW100105323A priority patent/TW201231699A/zh
Priority to US13/164,262 priority patent/US8609253B2/en
Publication of CN102605323A publication Critical patent/CN102605323A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种镀膜件及其制备方法。该镀膜件包括基材及形成于基材表面的热致变色层，该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层，其中M为钛、铬、铌、钼及钨的两种或以上，R为铑、钯及钌中的至少一种，该热致变色层的变色温度为17～27℃。本发明所述热致变色层通过在二氧化钒中掺杂M和R，从而有效降低了热致变色层的热致变色温度。

Description

镀膜件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及其制备方法，尤其涉及一种具有热致变色性能的镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术
二氧化钒(VO2)是一种过渡金属氧化物，由于其具有良好的热致变色特性，已成为功能材料领域研究的热点。VO2在Tc＝68℃时可发生由低温绝缘体态向高温金属态快速可逆的一级位移型相变。伴随着晶体结构的转变，VO2的光学、电学、磁学等物理性质也发生了较大幅度的变化。当T＞Tc时VO2对红外光具有高透射性，T＜Tc时则对红外光具有高反射性，VO2的这种光学性质随温度可逆改变的现象称为热致变色。
由于VO2的热致变色温度相对较高，目前对VO2的研究主要集中于如何降低VO2的热致变色温度。研究表明，通过掺杂Ti、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta或W等元素可降低VO2的热致变色温度；且目前通过掺杂最低可使VO2的相变温度降低到30℃以下。为满足不同智能温度需求并扩大VO2的应用，还需进一步降低VO2的热致变色温度。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能进一步降低热致变色温度的镀膜件。
另外，还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。
一种镀膜件，包括基材及形成于基材表面的热致变色层，该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层，其中M为钛、铬、铌、钼及钨的两种或以上，R为铑、钯及钌中的至少一种，该热致变色层的变色温度为17～27℃。
一种镀膜件的制备方法，包括如下步骤：
提供基材、真空镀膜机，钒靶材、M靶材及R靶材，所述真空镀膜机包括镀膜室；
在真空镀膜室内放置钒靶材、M靶材及R靶材通过溅射形成热致变色层，该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层，其中M为钛、铬、铌、钼及钨的至少两种，R为铑、钯及钌中的至少两种，该热致变色层的变色温度为17～27℃。
本发明所述热致变色层通过在二氧化钒中掺杂M和R，从而有效降低了热致变色层的热致变色温度。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图；
图2是本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
镀膜件        10
基材          11
热致变色层    13
真空镀膜机    20
镀膜室        21
钒靶材        23
M靶材         24
R靶材         25
具体实施方式
请参阅图1，本发明的镀膜件10包括基材11及形成于基材11表面的热致变色层13，该热致变色层13为M和R掺杂的二氧化钒层，其中，M为钛(titanium，元素符号为Ti)，铌(niobium，元素符号为Nb)，钼(molybdenum，元素符号为Mo)及钨(tungsten，元素符号为W)中的至少两种；R为铑(rhodium，元素符号为Rh)，钯(palladium，元素符号为Pd)及钌(ruthenium，元素符号为Ru)中的至少一种。该M占总原子数的5～10％，R占总原子数的1～4％。该热致变色层13的变色温度为17～27℃，本发明的镀膜件10中掺杂了M和R，掺杂离子取代了氧化钒中氧离子或者钒离子以破坏V4+～V4+的同极结合，从而形成固溶体。随着V4+～V4+的同极结合的减少，氧化钒的半导体相变得不稳定，从而降低了氧化钒金属半导体态的热致变色温度。
请结合参阅图2，本发明的镀膜件10的制备方法主要包括以下步骤：
提供基材11、真空镀膜机20、钒靶材23、M靶材24及R靶材25，其中，该真空镀膜机20设有镀膜室21。
用超声波清洗基材11。
将基材11、钒靶材23、M靶材24及R靶材25安装于镀膜室21内，通入氩气，对基材11进行等离子清洗。
同时使钒靶材23、M靶材24及R靶材25发生溅射，从而在基材11表面形成所述热致变色层13。
其中，该基材11可为不锈钢、铝合金、陶瓷及玻璃中的一种。该等离子清洗为将镀膜室21抽真空至3.0×10-5Torr，用高纯氩气(99.999％)轰击基材11，进行离子清洗，清洗时间3～10分钟。在形成热致变色层13时，所述钒靶材23、M靶材24及R靶材25呈一弧面排列，将基材11放置在上述弧形的焦点上；将基材11温度控制在200～300℃，同时开启钒靶材23、M靶材24及R靶材25及开启氧气阀，将氧气流量调整为80～200sccm；基材11的偏压调控在-100～-300V，射频功率为5～10kW；M靶材24，基材11的偏压调控在-100～-300V，射频功率为5～10kW；R靶材25，基材11的偏压调控在-100～-300V，射频功率为5～10kW；镀膜时间为30～100分钟。
通过上述方式得到的热致变色层13的厚度为400～800nm，晶粒大小为40～60nm，变色温度17～27。
下面通过具体实施例对本发明进行具体说明。
实施例1
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，所述M靶材24为钨靶材及钛靶材，所述R靶材25为钌靶材。
将基材11放入一真空镀膜机20的镀膜室21内，将钒靶材23、钨靶材、钛靶材及钌靶材安装于镀膜室21并弧面排列，该基材11位于所述弧面的焦点上；将该镀膜室21抽真空至3.0×10-5Torr，然后向镀膜室21内通入流量为400sccm(标准状态毫升/分钟)的氩气(纯度为99.999％)，并施加-300V的偏压于基材11，对基材11表面进行氩气等离子体清洗，清洗时间为10min。
同时开启所述钒靶材23、钨靶材、钛靶材及钌靶材，使其发生溅射，沉积热致变色层13。其中，该钒靶材23的功率为5kw，钨靶材的功率为5kw，钛靶材的功率为5kw，钌靶材的功率为5kw，同时通入氧气及氩气，氧气的流量为100sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在100V，镀膜温度为200℃，镀膜时间为45min。
由实施例1制得的热致变色层13中W的原子百分含量为3％，Ti为2％，Ru为1％；热致变色层13的热致变色温度为27℃。
实施例2
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钼靶材及钛靶材，该R靶材25为钯靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、M靶材24及R靶材25，使其发生溅射，其中该钒靶材23的功率为8kw，钼靶材的功率为5kw，钛靶材的功率为8kw，钯靶材功率为6kw，氧气的流量为115sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例2制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为：Mo为2％；Ti为4.2％；Rd为1％，其热致变色温度为23℃。
实施例3
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钛靶材及铌靶材，该R靶材25为钯靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钛靶材、铌靶材及钯靶材，使其发生溅射，其中，钒靶材23的功率为8kw，钛靶材的功率为5kw，铌靶材的功率为8kw，钯靶材功率为7kw，氧气的流量为120sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在100V，镀膜温度为280℃，镀膜时间为45min。
由实施例3制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为：Ti为4％；Nb为3％；Rd为1.5％，其热致变色温度为24℃。
实施例4
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钼靶材及钨靶材，该R靶材25为铑靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的基材11的偏压调控在-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钼靶材、钨靶材及铑靶材，使其发生溅射，其中，钒靶材23的功率为8kw，钼靶材的功率为8kw，钨靶材的功率为8kw，铑靶材功率为6kw，氧气的流量为110sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例4制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Mo为4％；W为3％；Rh为1％，其热致变色温度为22℃。
实施例5
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，其中该M靶材24为钛靶材及钨靶材，该R靶材25为钌靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钛靶材、钨靶材及钌靶材，使其发生溅射，其中，钒靶材23的功率为8kw，钛靶材的功率为6kw，钨靶材的功率为8kw，钌靶材功率为6kw，氧气的流量为125sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例5制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Ti为2％；W为3.5％；Ru为1.2％，其热致变色温度为23℃。
实施例6
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钼靶材及铌靶材，该R靶材25为钯靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钼靶材、铌靶材及钯靶材，使其发生溅射，其中，该钒靶材23的功率为10kw，钼靶材的功率为6kw，铌靶材的功率为6kw，钨靶材的功率为8kw，钯靶材功率为6kw，氧气的流量为150sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例6制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Mo为2％；Nb为2％；W为2％；Rd为1.2％，其热致变色温度为19℃。
实施例7
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钼靶材及钛靶材，该R靶材25为铌靶材及钌靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钼靶材、钛靶材、铌靶材及钌靶材，使其发生溅射，其中，该钒靶材23的功率为8kw，钼靶材的功率为5kw，钛靶材的功率为8kw，铌靶材的功率为8kw，钯靶材功率为8kw，钌靶材功率为8kw，氧气的流量为160sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例7制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Mo为2％；Ti为5％；Nb为3％；Rd为1.5％；Ru为1.7％，其热致变色温度为17℃。
实施例8
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，其中，该M靶材24为铌靶材及钛靶材，该R靶材25为钯靶材及铑靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、铌靶材、钛靶材，钯靶材及铑靶材，使其发生溅射，其中，该钒靶材23的功率为10kw，铌靶材的功率为8kw，钛靶材的功率为8kw，钯靶材功率为6kw，铑靶材功率为8kw，氧气的流量为150sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为280℃，镀膜时间为45min。
由实施例8制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Nb为4％；Ti为5％；Rd为1％；Rh为2％，其热致变色温度为20℃。
实施例9
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钨靶材及钼靶材，该R靶材25为钯靶材及钌靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钨靶材、钼靶材、钯靶材及钌靶材，使其发生溅射，其中，该钒靶材23的功率为8kw，钼靶材的功率为5kw，钨靶材的功率为8kw，钯靶材功率为6kw，钌靶材功率为6kw，氧气的流量为180sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例9制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Mo为2％；W为4％；Rd为1％；Ru：1％，其热致变色温度为21℃。
实施例10
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机，为深圳南方创新真空技术有限公司生产，型号为SM-1100H。
本实施例所使用的基材11的材质为不锈钢，该M靶材24为钛靶材及铌靶材，该R靶材25为铑靶材及钌靶材。
等离子体清洗：氩气流量为400sccm，基材11的偏压为-300V，等离子体清洗时间为10min。
同时开启上述钒靶材23、钛靶材、铌靶材、铑靶材及钌靶材，使其发生溅射，其中，该钒靶材23的功率为8kw，钛靶材的功率为5kw，铌靶材的功率为8kw，铑靶材功率为8kw，钌靶材功率为8kw，氧气的流量为135sccm，氩气的流量为300sccm，基材11的偏压调控在-100V，镀膜温度为300℃，镀膜时间为45min。
由实施例10制得的镀膜件10中的热致变色层13中掺杂的金属的占总原子数的百分含量为Ti为2％；Nb为5％；Rd为1.5％；Ru为1.5％，其热致变色温度为23.5℃。
另外，本领域技术人员还可在本发明权利要求公开的范围和精神内做其它形式和细节上的各种修改、添加和替换。当然，这些依据本发明精神所做的各种修改、添加和替换等变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种镀膜件，包括基材及形成于基材表面的热致变色层，其特征在于：该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层，其中M为钛、铬、铌、钼及钨的两种或以上，R为铑、钯及钌中的至少一种，该热致变色层的变色温度为17～27℃。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基材为不锈钢、铝合金、玻璃或陶瓷。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述热致变色层中M的占原子总数的比例为5～10％，R占原子总数的比例为1～4％。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述热致变色层的膜层厚度为400～800nm，晶粒大小为40～60nm。
5.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供基材、真空镀膜机，钒靶材、M靶材及R靶材，所述真空镀膜机包括镀膜室；
在真空镀膜室内放置钒靶材、M靶材及R靶材通过溅射形成热致变色层，该热致变色层为M和R掺杂的二氧化钒层，其中M为钛、铬、铌、钼及钨的至少两种，R为铑、钯及钌中的至少两种，该热致变色层的变色温度为17～27℃。
6.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：在形成热致变色层之前还包括用氩气清洗基材的步骤。
7.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成热致变色层的工艺参数为：氧气流量为80～200sccm；将所述钒靶材偏压为-100～-300V，射频功率为5～10kW；所述M靶材偏压调为-100～-300V，射频功率为5～10kW；所述R靶材偏压为-100～-300V，射频功率为5～10kW；镀膜时间为30～100分钟。
8.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述热致变色层的厚度为400～800nm，晶粒大小为40～60nm。
9.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述钒靶材、M靶材及R靶材呈弧形排列，所述基材放置于弧形的轴线上。
10.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述热致变色层中M的占原子总数的比例为5～10％，R占原子总数的比例为1～4％。
CN2011100273768A 2011-01-25 2011-01-25 镀膜件及其制备方法 Pending CN102605323A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100273768A CN102605323A (zh) 2011-01-25 2011-01-25 镀膜件及其制备方法
TW100105323A TW201231699A (en) 2011-01-25 2011-02-18 Coated article and method for making same
US13/164,262 US8609253B2 (en) 2011-01-25 2011-06-20 Coated article and method for making the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100273768A CN102605323A (zh) 2011-01-25 2011-01-25 镀膜件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102605323A true CN102605323A (zh) 2012-07-25

Family

ID=46523079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100273768A Pending CN102605323A (zh) 2011-01-25 2011-01-25 镀膜件及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8609253B2 (zh)
CN (1) CN102605323A (zh)
TW (1) TW201231699A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105240178A (zh) * 2015-10-13 2016-01-13 星弧涂层新材料科技（苏州）股份有限公司 燃油喷射系统用耐磨控制阀及其制备方法
CN107219581A (zh) * 2016-03-21 2017-09-29 张家港康得新光电材料有限公司 智能温控膜与其的应用

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560359A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制备方法
KR101520741B1 (ko) * 2012-06-27 2015-05-15 코닝정밀소재 주식회사 도펀트가 도핑된 써모크로믹 윈도우 및 이의 제조방법
CN104878358B (zh) * 2015-06-12 2017-07-21 电子科技大学 一种高电阻温度系数氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法
KR101906656B1 (ko) * 2015-12-03 2018-10-10 아주대학교산학협력단 단층 스마트 윈도우
WO2018105238A1 (ja) * 2016-12-06 2018-06-14 コニカミノルタ株式会社 二酸化バナジウム含有粒子、サーモクロミックフィルム及び二酸化バナジウム含有粒子の製造方法
US11072855B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Royal Melbourne Institute Of Technology Vanadium oxide films and methods of fabricating the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1807321A (zh) * 2005-12-31 2006-07-26 中国科学院广州能源研究所 随环境温度自动调光的高效节能涂层玻璃及多层装配玻璃体
US20070254159A1 (en) * 2005-08-26 2007-11-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions exhibiting corrosion resistance properties, related coated substrates, and methods
CN101362631A (zh) * 2007-08-10 2009-02-11 北京尚潮新能源科技有限公司 一种防强光强热辐射的复合涂层及其制备方法
WO2010001669A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 独立行政法人産業技術総合研究所 サーモクロミック微粒子、その分散液、その製造方法、ならびに調光性塗料、調光性フィルムおよび調光性インク

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030920A (en) * 1997-12-24 2000-02-29 Saudi Basic Industries Corporation Catalysts for producing acetic acid from ethane oxidation, processes of making same and method of using same
US8586371B2 (en) * 2010-02-24 2013-11-19 Exelis Inc. Optical sensors including surface modified phase-change materials for detection of chemical, biological and explosive compounds
CN102560359A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070254159A1 (en) * 2005-08-26 2007-11-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions exhibiting corrosion resistance properties, related coated substrates, and methods
CN1807321A (zh) * 2005-12-31 2006-07-26 中国科学院广州能源研究所 随环境温度自动调光的高效节能涂层玻璃及多层装配玻璃体
CN101362631A (zh) * 2007-08-10 2009-02-11 北京尚潮新能源科技有限公司 一种防强光强热辐射的复合涂层及其制备方法
WO2010001669A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 独立行政法人産業技術総合研究所 サーモクロミック微粒子、その分散液、その製造方法、ならびに調光性塗料、調光性フィルムおよび調光性インク

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IKUYA TAKAHASHI, ET AL.: "Thermochromic Properties of Double-Doped VO2 Thin Films Prepared by a Wet Coating Method Using Polyvanadate-Based Sols Containing W and Mo or W and Ti", 《JPN. J. APPL. PHYS.》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105240178A (zh) * 2015-10-13 2016-01-13 星弧涂层新材料科技（苏州）股份有限公司 燃油喷射系统用耐磨控制阀及其制备方法
CN107219581A (zh) * 2016-03-21 2017-09-29 张家港康得新光电材料有限公司 智能温控膜与其的应用

Also Published As

Publication number Publication date
US8609253B2 (en) 2013-12-17
US20120188628A1 (en) 2012-07-26
TW201231699A (en) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102605323A (zh) 镀膜件及其制备方法
EP2791384B1 (en) An improved solar selective coating having high thermal stability and a process for the preparation thereof
CN101636796B (zh) 导电体的制造方法
CN101978431B (zh) 导电体及其制造方法
TWI359755B (zh)
JP2009263709A (ja) 酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットと、それを用いて得られる酸化亜鉛薄膜を有する表示素子及び太陽電池
TW201144457A (en) Transparent conductive film
CN102560359A (zh) 镀膜件及其制备方法
US9704610B2 (en) Manganese tin oxide based transparent conducting oxide and transparent conductive film and method for fabricating transparent conductive film using the same
CN105431392A (zh) 用于低辐射涂层的钛镍铌合金阻挡层
CN105951051A (zh) 一种倾斜溅射工艺制备渐变折射率减反射膜的方法
Kim Influence of CuSn thickness on the work function and optoelectrical properties of ZnO/CuSn/ZnO multilayer films
CN104532190A (zh) 一种Zr-Cu金属玻璃薄膜的制备方法
JP2008297500A (ja) サーモクロミック体その製造方法
JP2001121641A (ja) 透明導電積層体
Seo et al. Preparation of transparent metal films, titanium-doped zinc-oxide films (TiO2) 2 (ZnO) 98 on PEN by using a RF-magnetron sputtering method
KR102164629B1 (ko) 복합체 투명 전극
JP2007311040A (ja) 結晶性ｉｔｏ薄膜の成膜方法、結晶性ｉｔｏ薄膜及びフィルム、並びに抵抗膜式タッチパネル
WO2022249591A1 (ja) スパッタリングターゲットとセシウムタングステン酸化物膜の成膜方法
CN110835740A (zh) 一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法
KR20150005316A (ko) 스퍼터 타겟 및 그 제조방법
CN102345092A (zh) 涂层、具有该涂层的被覆件及该被覆件的制备方法
JP5506275B2 (ja) 熱線遮蔽フィルム
Šícha et al. Surface morphology of magnetron sputtered TiO2 films
JP2007187993A (ja) エレクトロクロミック素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120725