CN110835740A - 一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明为一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,该制备方法包括:玻璃基板预处理:制备TiO2膜:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空,采用TiO2靶,工作气体为氧气与氩气的混合气体,沉积后退火;制备含有Cr的Ag膜:使用铬切片嵌入的纯Ag靶,通过真流磁控溅射沉积含有Cr的Ag膜,溅射功率为30W~50 W,溅射气为体氩气;再次制备TiO2膜。采用该制备方法制备的复合Ag薄膜的TiO2/Ag(Cr)/TiO2多层结构具有低电阻,高光学透过率。
Description
技术领域
本发明涉及材料制备领域,特别是涉及一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(TCO)是各种光电子器件所必需的,大量使用在平板显示器,触摸屏,薄膜太阳能电池,有机发光二极管和电致变色器件中的透明电极。由于其优异的光学和电学性质,氧化铟锡(ITO)作为透明电极最广泛地用于各种光电子应用中。然而,ITO在大面积设备上的导电性较差,铟资源稀缺,制造成本高,无法进一步大规模推广。而且,由于氧化铟锡缺乏可塑性,也难以应用于柔性装置中。因此,开发商业上可用的无铟TCO替代品是至关重要的。
纳米厚的无铟电介质-金属-电介质多层结构可以增加电导率,电介质材料可以是宽带隙半导体如ZnO, SnO2, TiO2, WO3, Nb2O5, MoO3。这种多层结构具有比单层TCO薄膜更低的总厚度,具有低的薄层电阻和高通透性。纳米厚的多层系统可以抑制金属中层的反射,在电磁光谱的可见区域显示出更高的通透性。TiO2在可见光区域具有通透性,对玻璃基板具有良好的附着力以及其优异的物理性能,如高介电常数和良好的机械和化学稳定性。许多应用需要电介质-Ag-电介质多层叠层形式的Ag薄膜。然而,Ag膜倾向于以岛状模式生长介电表面,具有大晶粒尺寸和高电阻率的粗糙表面形态低于逾渗阈值(12-20nm),这将严重降低设备性能。
为解决这个问题,现有技术中添加超薄成核或种子层如Ge,Ni,Ta,Cu和Nb以产生连续的Ag薄膜。然而,这些种子层使Ag的表面粗糙度降低,而其润湿性或有效性有限;Ge是低带隙半导体,并且在可见光区域具有强吸收,这对于低损耗光学涂层是不可取的。
发明内容
为解决上述问题,本发明旨在提供一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,所制备的复合Ag薄膜的TiO2 / Ag(Cr)/ TiO2多层结构具有低电阻,高光学透过率。
本发明中一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,该制备方法具体包括:
第一步:玻璃基板预处理:将玻璃基板在无水乙醇中超声处理如果,用去离子水洗涤,并在氮气流下干燥;
第二步:制备TiO2膜:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空,采用 TiO2靶,工作气体为氧气与氩气的混合气体,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火;
第三步:制备含有Cr的Ag膜:使用铬切片嵌入的纯Ag靶,通过真流磁控溅射沉积含有Cr的Ag膜,溅射功率为30W~50 W,溅射气为体氩气;
第四步:制备TiO2膜:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空,采用 TiO2靶,工作气体为氧气与氩气的混合气体,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火。
进一步地,在所述第一步中,清洁溶液为氨,氢氧化物和质量比为1:2:5的去离子水的混合物。
进一步地,在所述第二步及第四步中,TiO2靶直径为5cm,厚度0.6~0.8cm,纯度为99.99%。
进一步地,在所述第二步及第四步中,真空度低于1×10-5Pa,混合气体中氧气与氩气的分压为1:3;混合气体的流速为70 sccm,负偏压为40V;氩气,流速为90sccm,负偏压为30V。
进一步地,在所述第三步中,铬切片的尺寸为5mm×5mm×1mm,所沉积的含有Cr的Ag膜厚度为8~10nm。
进一步地,在所述第三步中,采用快速热退火系统,在300~500℃的真空环境中对薄膜进行3分钟的退火处理;含有Cr的Ag膜在Ag的晶界处随机分布的热力学不可溶的Cr相。
进一步地,晶粒尺寸与退火时间之间的关系如下Dn− Dn 0 = kt,式中,D是平均晶粒直径,D0是初始晶粒直径,n是晶粒生长指数,k是常数,t是退火时间。
本发明与现有技术相比可实现以下有益效果:
本发明采用了一层薄的含有少量Cr的Ag层作为金属层代替纯Ag,少量Cr为晶界偏析元素。采用通过简单的溅射工艺将少量的金属间化合物如Cr掺入Ag薄膜中,将渗透阈值显着降低到<12 nm。薄膜生长期间形成具有细微聚集的光滑表面,该镶嵌结构在高温下热稳定性良好。
Cr在高温下的溶解度高,在Ag晶界处Cr偏析,可有效地限制Ag膜沉积期间的团聚和晶粒生长。在制备过程中,通过改变金属层的厚度来调节光学和电学性质,实现了高透射率和良好的导电性。
TiO2 / Ag(Cr)/ TiO2多层结构具有低电阻,高光学透过率。在薄的TiO 2薄膜之间嵌入Ag(Cr)金属薄膜增加了多层叠层的总透射率,抑制可见区域中金属层的反射,并且由于表面等离子共振和金属层的厚度减小,透明度提高。沉积的TAT薄膜在550nm处具有94.2%的高可见光透射率和8.66×10-5Ωcm的低电阻率。薄膜成本低,对玻璃基板沉积后热处理,热稳定性提高,可广泛应用于高温度领域中。
附图说明
图1a为退火处理后的Ag膜;
图1b为退火处理后的Ag(Cr)膜;
图2a为6nm厚度Ag(Cr)的薄膜的微观结构;
图2b为10nm厚度Ag(Cr)的薄膜的微观结构;
图3为不同厚度的复合Ag薄膜的表面粗糙度;
图4为不同厚度的复合Ag薄膜的透射光谱。
具体实施方式
结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
第一步:玻璃基板预处理:将玻璃基板在无水乙醇中超声处理15分钟,用去离子水洗涤,浸泡在清洁溶液中30~45分钟,并在氮气流下干燥
清洁溶液为氨,氢氧化物和质量比为1:2:5的去离子水的混合物。
第二步:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空使其达到低于1×10-5Pa的压力,对将质量流量计,直流电源,及射频电源进行预热,TiO2靶上沉积TiO2薄膜,纯度为99.99%,工作气体为氧气与氩气的混合气体,分压为1:3,流速为70sccm,负偏压为40V,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火。
若功率较小时,由于样品太薄,薄膜成分是 TiO2的锐铁矿型,XRD 衍射峰无法被观察到。当溅射功率增大到120W~140 W ,薄膜成分是 TiO2的锐铁矿型,(101)及(102)两个晶面的衍射峰都增大,薄膜较平整。
第三步:使用铬切片嵌入的纯Ag靶,通过真流磁控溅射沉积Ag(Cr)膜,溅射功率为30W~50 W,溅射气为体氩气,流速为90sccm,负偏压为30V;
铬切片的尺寸为5mm×5mm×1mm,所沉积的 Ag(Cr)膜厚度为8~10nm,在氧化物层上形成良好的粘附性和连续层。
第四步:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空使其达到低于1×10-5Pa的压力,对将质量流量计,直流电源,及射频电源进行预热,TiO2靶上沉积TiO2薄膜,纯度为99.99%,工作气体为氧气与氩气的混合气体,分压为1:3,流速为70sccm,负偏压为40V,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火。
在所述第二步及第四步中,TiO2靶直径为5cm,厚度0.6~0.8cm。
在所述第二步至第四步中,气体流量可通过气体流量控制器进行控制。
在抽真空前先确定限流阀处在打开的位置以及循环水工作情况。检查完毕,可打开机械泵和前级阀,当前级真空抽至预设值时,关闭前级阀,打开旁路阀对真空腔进行预抽,待真空腔内压强降至预设值以下时,关闭旁路阀,打开前级阀和主阀,启动分子泵,待分子泵频率达到 400Hz 时,手动开启电离,查看真空腔内的真空度。
质量流量计预热半小时,直流电源预热5min,射频电源预热10min。
镀膜具体步骤为(1)将基片烘烤加温至所需温度,达到预设温度后关闭基片烘烤;(2)关闭限流阀,打开送气阀,将质量流量计开关搬至阀控位,对真空腔充入工作气体,调节质量流量计,使压强在 0.1~1Pa之间;(3)启动射频电源,调节功率至所需功率,让靶材预溅射 10min左右以除去靶材表面的杂质,同时通入反应气体;(4)调节基片台转速使基片台以一定速率匀速旋转,打开基片挡板进行镀膜。
采用快速热退火(RTA)系统,在300~500℃的真空环境中对薄膜进行3分钟的退火处理。在Ag的晶界处随机分布的热力学不可溶的Cr相,由于表面面积有限, Ag(Cr)膜中具有稳定的微观结构。在Ag(Cr)膜中,晶粒尺寸与退火时间之间的关系如下:
Dn− Dn 0 = kt
其中D是平均晶粒直径,D0是初始晶粒直径,n是晶粒生长指数,k是常数,t是退火时间。晶粒生长常数以指数方式依赖于温度并与晶界迁移率成比例:
其中T是温度,kb是玻尔兹曼常数,Q是质量传递机制的活化能。本申请中的Ag(Cr)膜具有1.18eV的活化能,而高活化能表明Ag(Cr)薄膜中的表面和晶界扩散是有限的。
为了研究解热退火时的团聚和晶粒生长情况,将Ag和Ag(Cr)膜在400℃下退火1小时,相应的表面微观结构如图1所示。如图1a所示,为退火处理后的Ag膜,可看出Ag膜表面为不连续的大颗粒,在热处理时有显着的晶粒生长,在Ag薄膜中容易发生凝聚。在Ag薄膜中,相对较低的活化能不仅是表面扩散的原因,也是簇迁移的原因。如图1b所示,为退火处理后的Ag(Cr)膜。Ag(Cr)薄膜具有限制性附聚和分离的Ag晶体,移动边界将由相邻的Cr重新定位,使得Cr原子充当抵抗Ag晶界迁移的拉力的拖曳力,使Ag(Cr)薄膜仍保持其连续性。边界掺杂剂浓度(Xb)如下式:
其中,X0是基质中的掺杂剂部分,T是温度,kb是玻尔兹曼常数,∆Gb是偏析趋势的测量,通常为正数,随着掺杂剂和基质之间的原子尺寸差异而增加。
本实施例中, Cr的浓度为3%~5%,该浓度适于抑制晶界迁移,Cr偏析有效地阻止Ag晶粒生长和附聚。
如图2为不同厚度Ag(Cr)(6nm)的薄膜的微观结构。如图2a为较低6nm厚度Ag(Cr)的薄膜的微观结构,其表面显示出轻微的凝聚。如图2b为较低10nm厚度Ag(Cr)的薄膜的微观结构,薄膜显示出光滑和致密的微观结构。在无定形TiO2表面上生长的Ag膜遵循Volmer-Weber模型的岛生长机制,低于其临界厚度。
如图3所示,为不同厚度的复合Ag薄膜的表面粗糙度,由图中可看出6nm厚的复合Ag薄膜具有高表面粗糙度,8nm厚度复合Ag薄膜,表面粗糙度已经大大减少了;随着薄膜厚度的增加,表面粗糙度逐渐降低。复合Ag薄膜的表面粗糙度与中间层的金属/金属氧化物的起伏界面相关,当金属层太薄时,该粗糙表面大。随着Ag(Cr)中间层厚度的增加,薄膜表面光滑表面,均方根粗糙度从1.9到0.9nm减小。氧化物/金属/氧化物的表面粗糙度在多层系统的光学性质具有重要作用,光滑的薄膜会提高复合Ag薄膜的透明度。
如图4所示为不同Ag(Cr)厚度的复合Ag薄膜的透射光谱。从透射光谱可看出,在550nm的可见光区域中,膜的透射率相当高。较薄6-10nm 厚度的Ag(Cr)的复合Ag薄膜显示出在约550nm波长下的最大透射率,Ag(Cr)中间层厚度从6到10nm增加,透射率逐渐增加。而较厚12和15nm的Ag(Cr)中间层透射率较低,在此之后,Ag(Cr)厚度的进一步增加使透射率的降低,并且透射率曲线朝向透射光谱的较高波长侧偏移。10nm厚度的复合Ag薄膜为可见光透射率最高,检测为94.2%。
本发明的实施方式不限于此,按照本发明的上述内容,利用本领域的普通技术知识和惯用手段,在不脱离本发明上述基本技术思想前提下,本发明还可以做出其它多种形式的修改、替换或变更,均落在本发明权利保护范围之内。
Claims (8)
1.一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:该制备方法包括:
第一步:玻璃基板预处理:将玻璃基板在无水乙醇中超声处理如果,用去离子水洗涤,并在氮气流下干燥;
第二步:制备TiO2膜:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空,采用 TiO2靶,工作气体为氧气与氩气的混合气体,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火;
第三步:制备含有Cr的Ag膜:使用铬切片嵌入的纯Ag靶,通过真流磁控溅射沉积含有Cr的Ag膜,溅射功率为30W~50 W,溅射气为体氩气;
第四步:制备TiO2膜:采用溅射功率为120W~140 W的射频磁控溅射法,沉积室抽真空,采用 TiO2靶,工作气体为氧气与氩气的混合气体,沉积时间为2小时;沉积后在300~500℃下退火。
2.根据权利要求1所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:在所述第一步中,清洁溶液为氨,氢氧化物和质量比为1:2:5的去离子水的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:在所述第二步及第四步中,TiO2靶直径为5cm,厚度0.6~0.8cm,纯度为99.99%。
4.根据权利要求1所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:在所述第二步及第四步中,真空度低于1×10-5Pa,混合气体中氧气与氩气的分压为1:3;混合气体的流速为70 sccm,负偏压为40V;氩气,流速为90sccm,负偏压为30V。
5.根据权利要求1所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:在所述第三步中,铬切片的尺寸为5mm×5mm×1mm,所沉积的含有Cr的Ag膜厚度为8~10nm。
6.根据权利要求1所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:在所述第三步中,采用快速热退火系统,在300~500℃的真空环境中对薄膜进行3分钟的退火处理;含有Cr的Ag膜在Ag的晶界处随机分布的热力学不可溶的Cr相。
7.根据权利要求6所述的一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法,其特征在于:晶粒尺寸与退火时间之间的关系如下Dn − Dn0 = kt,式中,D是平均晶粒直径,D0是初始晶粒直径,n是晶粒生长指数,k是常数,t是退火时间。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200225 |
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