CN102576418A - Rfid标签、标签读写器、数据管理系统及数据管理方法 - Google Patents

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Abstract

本实施方式的RFID标签包括：构成层叠构件的层叠体；相对于该层叠体配设成能与外部进行通信的天线；以及与天线进行电连接的RFID电路。层叠体具有屏蔽放射线的屏蔽构件，以用屏蔽构件覆盖RFID电路的方式将RFID电路配置在该层叠体内。

Description

RFID标签、标签读写器、数据管理系统及数据管理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及以非接触方式互换信息的RFID(RadioFrequency Identification：射频标签)标签、标签读写器、数据管理系统、及数据管理方法。
背景技术
上述RFID标签包括天线、与该天线进行电连接的IC(Integrated Circuit：集成电路)芯片等RFID电路，对于RFID电路，通过天线利用标签读写器来以非接触方式对信息进行写入及读取。在这种情况下，相对于作为主设备的标签读写器而言，RFID标签作为从属设备来构成RFID系统，从而在近年来，以商品的管理、物品的履历的可追踪性等为目的而被导入各领域。
例如，将RFID标签安装于清洗用的衣物，来提供给洗涤工厂的工序管理等。因此，应该采用耐水性、耐溶剂性优异的RFID标签，可以考虑采用具有以下结构的RFID标签：即，将在绝缘基材上安装有IC芯片及天线线圈的IC标签插入物配置在与该插入物分开设置的承载盘的收纳部，利用填充树脂来与承载盘构成一体。
另外，特别出于提高抗化学药品性的目的，提出了以下方案，即，利用上侧玻璃及下侧玻璃夹住天线和IC芯片来构成RFID标签。根据该结构，利用树脂或玻璃板来覆盖天线和IC芯片，从而能将该RFID标签应用到使用有机溶剂等的环境中。
专利文献1：日本专利特开2006-98866号公报
专利文献2：日本专利特开2006-72804号公报
专利文献3：日本专利特开2008-250426号公报
发明内容
另一方面，近年来，提出了以下的要求：即，即使在核电站等遭受放射线辐射的环境下，也能利用RFID标签来进行各种管理，从而力图预防事故的发生。然而，即使是如上述那样环境适用性优异的RFID标签，但在可能会因放射线而发生数据错误的特殊环境下，也不能使用RFID标签。即，对于RFID标签，一方面需要确保利用其天线与外部进行通信，另一方面，必须进行保护以免受放射线所造成的损坏，因而，难以使RFID标签在上述特殊环境下正常地起作用。在现有的文献中，实际上不存在关于上述RFID标签的耐放射线性的启示。
此外，有的RFID标签使用CRC校验码来检测数据错误，基于ECC校验码来校正1比特的错误，以复原正确的数据。然而，若将RFID标签暴露于放射线，则随着该放射线的照射时间的增加，存储部中的数据错误会不断累积。另外，根据辐射量的不同，也可能会在存储部中产生连续多个比特的连续的丛集错误(burst error)，因而，可能会发生不能修正1比特的错误、更不能检测数据错误的情况。由此，未设想在暴露于放射线或宇宙射线那样的特殊环境中使用RFID标签的情况，从而难以在上述特殊环境中使用RFID标签来进行该错误修正那样的处理。
因此，本发明的目的在于提供一种能够在暴露于放射线那样的特殊环境中防止产生数据错误并正常起作用的RFID标签、标签读写器、数据管理系统及数据管理方法。
本实施方式的RFID标签包括：构成层叠结构的层叠体；相对于该层叠体配设成能与外部进行通信的天线；以及与天线进行电连接的RFID电路。层叠体具有屏蔽放射线的屏蔽构件，以用屏蔽构件覆盖RFID电路的方式将RFID电路配置在该层叠体内。
另外，本实施方式的数据管理系统是用于对在主设备与从属设备之间通过无线通信单元来以非接触的方式进行通信的数据进行管理的系统。从属设备包括：非易失性存储单元，该非易失性存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据；以及从属设备侧控制部，该从属设备侧控制部对整个该从属设备进行控制。主设备包括主设备侧控制部，该主设备侧控制部控制通过无线通信单元的数据的读出及写入。采用以下结构：即，利用从属设备侧控制部或主设备侧控制部，基于冗余数据，对从非易失性存储单元中读出的数据进行差错检验处理，在该检验处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理。冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的任意一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据。而且，从属设备侧控制部或主设备侧控制部在差错检测处理中，对于从非易失性存储单元中读出的数据，若构成比特对的两个比特值为0，则判断为比特对中存在差错。
附图说明
图1是示意性表示实施方式1的RFID标签的图，图1(a)是其纵剖侧视图，图1(b)是横剖俯视图。
图2是对屏蔽构件的布线材料附近部分进行扩大表示的纵剖侧视图。
图3是简要表示RFID标签的电学结构和数据管理系统的概要的框图。
图4是将RFID标签应用到核设备的维修管理系统的一个例子的图。
图5是表示中子射线用屏蔽构件的厚度与中子射线的透射率之间的关系的图。
图6是表示γ射线用屏蔽构件的厚度与γ射线的透射率之间的关系的图。
图7是表示中子射线的能量与各材料的吸收截面积之间的关系的图。
图8表示实施方式2，图8(a)是相当于图1(a)的图，图8(b)是将RFID标签安装到施以绝热材料的配管的情况的概要图。
图9表示实施方式3，是相当于图1(a)的图。
图10表示实施方式4，是相当于图1(a)的图。
图11表示实施方式5，是相当于图1的图。
图12表示实施方式6，是相当于图1的图。
图13表示实施方式7，是用于说明RFID标签、标签读写器的种类、及其组合的图。
图14是表示被动型的RFID标签及标签读写器的电学结构、以及数据管理系统的概要的框图。
图15(a)及(b)是表示主动型的RFID标签及标签读写器的存储部的各映射映象(map image)的图。
图16是表示被动型的RFID标签中的存储部的映射映象(map image)的图。
图17(a)及(b)是用于说明主数据及第一差错检验码、及第二差错检验码的图。
图18是表示RFID标签中的存储部的存储器映射的图。
图19是用于说明主数据及第一差错检验码的各自的比特对、和各比特对中的实际的使用地址的例子的图。
图20是用于说明使用奇偶效验码(parity)的差错检验处理和差错校正处理的图。
图21(a)是表示作为比特对进行编码后的数据的图，图21(b)是表示作为比特对进行编码后的主数据及第一差错检验码的一个例子的图。
图22是表示数据从1向0单向发生变化的错误、和代入数据的代入模式的一个例子的图。
图23是表示写入数据的情况下的整个处理流程的流程图。
图24是表示读出数据的情况下的整个处理流程的流程图。
图25是表示对相同地址连续地读出数据的处理的一个例子的流程图。
图26是表示相关数据读取处理的流程的流程图。
图27是表示使用各冗余数据的差错校正处理的流程的流程图。
图28是表示与第一差错检验码相关的差错校正处理的流程的流程图。
图29是表示与多重化相关的差错校正处理的流程的流程图。
图30是表示与奇偶效验码相关的的差错校正处理的流程的流程图。
图31是表示与第一差错检验码及第二差错检验码相关的差错校正处理的流程的流程图。
图32是用于说明基于二重化的数据的差错校正处理的图。
图33表示实施方式8，是用于说明基于三重化的数据的差错校正处理的图。
图34表示实施方式9，是相当于图21(b)的图。
图35表示实施方式10，是相当于图34的图。
图36表示实施方式11，是表示与ID数据相关的差错校正处理的流程的流程图。
图37表示实施方式12，是用于说明各种差错校正程序分别进行差错校正的对象的图。
图38是表示主差错校正程序或副差错校正程序的处理内容的流程图。
图39是表示简单差错校正程序的处理内容的流程图。
图40表示实施方式13，是相当于图17(a)的图。
图41是相当于图40的图。
附图标记
1、1a～1c RFID标签
2 层叠体
3、3′ 天线(无线通信单元)
4、4′ RFID电路(控制电路)
5 第一层叠部
6 第二层叠部
7、7′ γ射线用屏蔽构件
8、8′ 中子射线用屏蔽构件
12 传感器(检测单元)
13 电源
15、72A 非易失性存储单元
16、71A 标签侧控制部(从属设备侧控制部)
17 通信部(无线通信单元)
20、20A、20B 标签读写器(电子设备、存储装置)
20a 天线(无线通信单元)
21 数据管理系统
30、33、35、38、40、45 RFID标签
31、36 孔部
32、34 热传导部(检测单元)
41 IC芯片(RFID电路)
42 基材
46 结合单元
70、70A～70C RFID标签(存储装置)
71C 标签侧控制部
72C 非易失性存储单元
75 天线(无线通信单元)
76 RFID电路
77 通信部(无线通信单元)
82 设备侧控制部(主设备侧控制部)
83 设备侧存储单元(主设备侧存储单元)
84 通信部(无线通信单元)
86 读写电路(控制电路)
具体实施方式
<实施方式1>
接下来，参照图1～图7来说明实施方式1。
如图1示意性示出的那样，RFID标签1包括：构成层叠结构的层叠体2；可与外部进行通信地配设于该层叠体2的天线3；以及电气元器件(电子元器件)，该电气元器件(电子元器件)包含与该天线3进行电连接的RFID电路4。层叠体2包括：第一层叠部5，该第一层叠部5从上侧和下侧夹住RFID电路4，且沿上下方向层叠而成；以及第二层叠部6，该第二层叠部6围住RFID电路4的侧面，且沿与第一层叠方向正交的方向层叠而成，层叠体2整体呈矩形板状。
第一层叠部5及第二层叠部6采用以下结构：即，包括例如作为各自内层的γ射线用屏蔽构件7、作为中间层的中子射线用屏蔽构件8、及作为外层的封装树脂9，并且各屏蔽构件7、8包含用于配设后述布线材料11的布线单元。γ射线用屏蔽构件7使用例如铅作为主要的构成物质，由多层在硅橡胶中含有该铅粉的层7a(参照图2)构成，中子射线用屏蔽构件8使用例如硼化合物作为主要构成物质，由多层在硅橡胶中含有该硼化合物的层8a(参照图2)构成。第一层叠部5是由屏蔽构件7、8的所有层7a、8a所构成的例如26层的多层结构，以屏蔽构件7、8及封装树脂9上下对称地夹住RFID电路4的方式沿上下方向层叠而成。第二层叠部6与第一层叠部5相同，是例如26层的多层结构，呈以下配置形态：即，以屏蔽构件7、8及封装树脂9沿着第一层叠部5的各周边部围绕在RFID电路4的周围的方式，沿前后方向和左右方向进行层叠。利用这些第一层叠部5及第二层叠部6，在层叠体2内形成整个RFID电路4被屏蔽构件7、8所覆盖的中空状屏蔽空间S。
如图2所示，分别在屏蔽构件7、8中以相连的方式形成用于将天线3与RFID电路4进行电连接的布线空间部(布线单元)10。布线空间部10呈连通屏蔽构件7、8的外部与屏蔽空间S的蜿蜒形状，不会损害屏蔽构件7、8的放射线的屏蔽功能。在布线空间部10中设置布线材料11，以形成通孔11a和埋入部11b。由此，可知本实施方式的层叠体2是在屏蔽构件7、8中配设有进行层间连接的通孔11a、或作为导电层的埋入部11b的多层基板。另外，作为屏蔽构件7、8，使用在各层7a、8a的表面作为铜箔而印刷布线有该导电层的印刷基板(布线单元)，从而能获得廉价的结构。
在屏蔽构件7、8的外侧、即图1(a)中封装树脂9的上侧，配置有天线3。尽管省略了具体图示，但是天线3是由例如呈蜿蜒形状(图1(b)中，参照双点划线)的左右一对天线图案构成的。各天线图案通过布线材料11与RFID电路4的端子相连接，天线3接收由后述的标签读写器20所发送的电波，还向标签读写器20发送电波。
本实施方式的RFID标签是能在较广的范围内进行通信的主动型，在屏蔽空间S中设置有未图示的印刷基板，并且，在该印刷基板上，除了安装有RFID电路4以外，还安装有传感器部12、电源(电池)13等各种电气元器件。
图3是与RFID标签1的电学结构一起示出的、数据管理系统21的简要系统结构图。首先，RFID电路4以例如由MPU(Micro Processing Unit：微处理单元)构成的控制部16为主体，还包括与其相连接的存储部15、通信部17、及外部接口(I/F)部18。
外部接口I/F18与用于检测外部环境的传感器部(检测单元)12相连接。作为传感器部12，能够根据RFID标签1的用途来使用例如振动传感器、温度传感器、放射线传感器、及声音传感器等各种检测单元。另外，外部I/F部18与外部检测单元连接部18a相连接，在层叠体2中形成有不同于所述布线空间部10的外部检测单元用的布线空间部(未图示)。即，采用以下结构：在RFID标签1的外部设置有后述的外部检测单元(例如电流传感器、电压传感器、压力传感器、及流量传感器等)，并能够通过外部检测单元用的布线空间部的布线材料和外部检测单元连接部18a，来与外部检测单元的RFID电路4相连接。
存储部(存储单元)15仅由作为非易失性存储器的FRAM(FerroelectricRandom Access Memory(注册商标)：铁电随机存储器)构成，所述FRAM能够存储并改写从通信部17、传感器部12、及外部检测单元等获得的数据。FRAM的耐放射线性优异，且具有作为读出专用存储器的ROM和暂时存储数据的RAM这两种功能。此外，存储部15也能使用MRAM(Magnetic RandomAccess Memory：磁阻随机存取内存)来代替FRAM，或由ROM、RAM、及EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：电可擦可编程只读存储器)构成。控制部16将由传感器部12检测出的外部信息、以及管理所需的各种数据(后述的设备管理编号、设置年月日、检点/交换履历)等写入FRAM，并对其进行存储。
通信部17在通过布线材料11来传送通过天线3所接收的电波中所包含的数据信号时，进行将该数据信号解调成原始数据的处理，从而与天线3共同构成无线通信单元。控制部16根据该数据(来自标签读写器20的命令(指令))的内容，来改写或写入存储部15的存储内容等。另外，控制部16基于来自标签读写器20的指示数据，来控制通信部17，使其发送保存于存储部15中的数据，根据从存储部15读出的数据，在通信部17中调制为规定频带的载波，通过布线材料11从天线3向标签读写器20侧进行发送。
数据管理系统21包括：标签读写器20，该标签读写器20通过天线20a以非接触方式与RFID标签1进行数据通信；个人电脑(信息处理/操作装置)24，该个人电脑24通过通信线路23a(无线通信也可)与该标签读写器20相连接；以及服务器25，该服务器25通过通信线路(通信网络)23与个人电脑24相连接。个人电脑24将该操作输入的指示数据等通过通信线路23a向标签读写器20输出，从标签读写器20向个人电脑24输出与上述RFID标签1相关的数据。
此处，图4示出了将上述数据管理系统21适用于例如热中子反应堆等核设施那样暴露于放射线的设备27的维修管理的一个例子。该设备27中设置有以下对应于各种管理要点的RFID标签1：即，在形成流路的配管27a上配置有温度传感器的RFID标签1a、配置有用于检测该流路的流量的流量传感器的RFID标签1b、以及内置有用于检测设备27的异常声音的声音传感器的RFID标签1c等。作为标签读写器20，使用便携式标签读写器20A或固定式标签读写器20B(参照图4、图13)，通过无线通信或通信线路23a在自身与个人电脑24之间进行通信。个人电脑24配置于例如与设备27隔开配置的操作室，通过通信线路23向服务器25发出指示或接收来自服务器25的响应等，以进行各种数据交换。服务器25的数据库25a中存储有例如设备27的管理编号、设置年月日、每个元器件或设备的检点/交换履历、以及由所述各传感器检测出的数据(传感器信息)等与设备27相关的各种数据，根据来自服务器25的调取指令来获取数据、进行参照，或根据需要写入数据。
在上述数据管理系统21中，使用便携式或固定式标签读写器20A、20B，能从远离设备27的位置从RFID标签1a～1c获得传感器信息等。另外，利用数据库25a综合地管理与RFID标签1c相关的各种消息，能够分析并掌握由个人电脑24获得的信息。然后，例如在基于从RFID标签1的温度传感器获得的温度数据、识别出该温度的上升趋势的情况下，即使该温度数据在正常值的范围内，也通过个人电脑24的画面或声音等来引起系统管理者的注意。另外，与此相同，即使振动、放射线、声音等传感器信息分别在正常数据的范围内，但在示出不同于通常时的数据的趋势的情况下，也利用个人电脑24等通知单元来进行通知等，从而能够在异常情况变明显之前引起注意。因而，能够集中监视设备27、设备的振动、温度、异常声音、及放射线水平等，能够在设备27等中的异常情况变明显之前进行维修，并能够力图确立可追踪性，提高维修管理的效率。
接着，发明者阐明通常暴露于放射线中的RFID标签(不同于上述RFID标签1)中发生数据错误的机理。即，作为发生数据错误的原因，设想有以下各情况：即，放射线入射到IC芯片等RFID电路中存储数据的存储部，其结果是导致发生数据错误(情况1)；放射线入射到除存储部以外的电路部(例如，控制存储部的电路部)，因该电路部的误动作而导致将错误的数据写入存储部等，从而发生数据错误(情况2)；以及放射线入射到电路部而产生异常电压，电路部被部分破坏，从而无法从存储部读出数据(情况3)。
因此，为了能在放射线环境下使用RFID标签1，本实施方式的层叠体2采用以下结构。即，层叠体2采用以下结构：即，RFID电路4的包含存储部15、控制部16、通信部17、及外部I/F部18等的整个电路部都被屏蔽构件7、8所覆盖。此处，中子射线用屏蔽构件8采用在硅橡胶中包含硼化合物(例如碳化硼)的结构，能够容易地将屏蔽构件8形成为所希望的形状，并且即使是如后述那样的薄板形状也能具有良好的中子射线屏蔽效果。对于该屏蔽构件8，作为构成其的物质，除了使用例如硼、硼化合物之外，还能使用包含屏蔽中子射线效果优异的钆、钆化合物、镉、镉化合物等中的至少一种材料的物质，还能用吸附有硼的玻璃纸等构成。另一方面，γ射线用屏蔽构件7具有在硅橡胶中含有铅粉的结构，即使是薄板状也具有优异的γ射线屏蔽性能，并能容易地将屏蔽构件7形成所希望的形状。对于该屏蔽构件7，作为构成其的物质，除了包含例如铅、铅化物之外，只要是包含钨、钨化物等中的至少一种材料的物质即可，也可由铅板、铅箔等构成。
图5及图6是表示各屏蔽构件的厚度与中子射线及γ射线的透射率之间的关系的半对数图(参照ASK公司发布的放射线屏蔽材料的目录)。首先，在图5中，8A-1、8A-2、及8A-3是硅橡胶中的氧化钆含量分别为40％、20％、及10％的屏蔽构件，8B-1及8B-2是硅橡胶中的硼化合物的含有率不同的屏蔽构件，示出了相对于热中子射线的屏蔽效果。可知对于这些屏蔽构件8A-1～8B-2，随着厚度(mm)的增加，热中子射线的透射率呈指数函数衰减，具有优异的中子射线屏蔽性能。
另一方面，图6中，7A及7B是硅橡胶中分别含有钨粉末及铅粉末的屏蔽构件，示出了使用60Co射线源对屏蔽构件7A、7B、混凝土构件进行测定时的屏蔽效果。如该图所示，屏蔽构件7A、7B具有比混凝土构件更优异的γ射线屏蔽性能，其γ射线透射率与上述相同，呈现出对应于其厚度T的增加而呈指数函数衰减的倾向。即，在将入射到屏蔽构件中的γ射线的强度设为I0、将从屏蔽构件射出的γ射线的强度设为I、将屏蔽构件的射线吸收系数设为μ、将屏蔽构件的厚度设为T的情况下，I＝I0×exp(-μT)，因而，γ射线的透射率D可由下式表示。
D＝exp(-μT)
上述热中子射线的透射率D与屏蔽构件8A-1～8B-2的厚度之间的关系也满足上式。然后，包含这些γ射线、中子射线的放射线的透射率根据放射线的能量而变化，因此，优选使用相对于该能量的屏蔽效果较高的材料。
图7是用于说明中子能量与各材料8C、8D、8E的吸收截面积σ(靶恩)之间的关系的示意性的曲线图。在图7中，例如在从包含0.025eV以下的热中子的低能量区域(该图中，左侧的区域)到包含100keV以上的高速中子的高能量区域(该图中，右侧的区域)中，在低能量区域中，材料8C具有吸收截面积的峰值，在高能量区域中，材料8E具有吸收截面积的峰值，在中间能量区域中，材料8D具有吸收截面积的峰值。由此，材料8C～8E分别具有吸收作用优异的能量区域，因此，作为屏蔽构件，并用材料8C～8E，从而能有效地在从热中子到高速中子的较广的能量范围内屏蔽中子。因而，作为构成中子射线用屏蔽构件8的各层8a的材料，使用吸收截面积相对较大、且成为吸收截面积的峰值的中子的能量互不相同的多种材料(例如，硼化合物或其它材料)来构成，从而能在较广的能量范围内有效地屏蔽中子射线。另一方面，例如在将中子的能量范围限定为热中子射线区域的情况下，即使仅由材料8C(例如硼化合物)构成层8a，也能够获得对应于该能量的较高的屏蔽效果。此外，尽管省略详细说明，但是对于γ射线用屏蔽构件7的各层7a，也都使用吸收截面积相对较大、且成为吸收截面积的峰值的γ射线的能量互不相同的多种材料(例如，铅、或其它材料)来构成，从而能在较广的能量范围内有效地屏蔽γ射线。
对于本实施方式的层叠体2中的所述26层的分配，根据构成屏蔽构件7、8的材料的屏蔽特性、及使用RFID标签1的环境(例如热中子反应堆等设备27)的放射线能量或放射线线量来进行分配。更具体而言，对于屏蔽构件7、8的各层7a、8a，根据对应于中子射线或γ射线的能量的各上述材料来构成，并且，对于屏蔽构件7、8的厚度尺寸(即，屏蔽构件7、8的各层7a、8a的层叠数)，根据作为放射线线量的γ射线强度或中子强度来对各材料分别进行设定。由此可以说，对于RFID标签1，能够将每个屏蔽构件7、8的厚度尺寸设定得尽量小，并能获得相对于γ射线或中子射线的、相对较高的屏蔽效果，从图5等可知，还能实现实用级的耐放射线性和小型化。此外，对于放射线，除了γ射线或中子射线以外，还包含α射线、β射线，但α射线、β射线的透射效果相对较弱，能被RFID标签1的层叠体2的表层部所屏蔽。即，在本实施方式中，封装树脂9作为α射线、β射线的屏蔽构件起作用。
如上所述，对于本实施方式的RFID标签1，在层叠体2中，利用屏蔽放射线的屏蔽构件7、8及封装树脂9来覆盖RFID电路4，以将RFID电路4配置于层叠体2内。根据该结构，由于利用屏蔽构件7、8及封装树脂9来覆盖RFID电路4的包含存储部15、控制部16、及通信部17等的整个电路部，因此，即使在暴露于放射线的特殊环境下，也能抑制在RFID标签1中发生数据错误。即，在作为数据错误的发生原因的上述(1)～(3)的所有情况下，能够利用屏蔽构件7、8来屏蔽放射线，从而防止数据错误的发生。由此，RFID标签1具有耐放射线性，另一方面，对层叠体2，能与外部进行通信地配设有天线3，因此，能正常地起到作为以非接触方式来交换数据的RFID标签1的功能。因此，在包含核燃料处理设备的核产业及处理暴露于宇宙射线的元器件等的航空、宇宙产业等中，能够确保RFID标签1的安全性及可靠性，并能够实现设备的维护、高效操作、及确定可追踪性等。
层叠体2包括对γ射线进行屏蔽的γ射线用屏蔽构件7、及对中子射线进行屏蔽的中子射线用屏蔽构件8，因此，能够有效地屏蔽放射线、尤其是其中的透射性较高的γ射线及中子射线。
根据放射线线量，并根据该屏蔽构件7、8的材料的不同，对层叠体2中的屏蔽构件7、8的厚度进行设定，因此，相对于放射线中所包含γ射线、中子射线，选定各屏蔽构件7、8的适当的厚度和材料，从而能够确保所希望的屏蔽性能，能够力图实现屏蔽构件7、8乃至整个RFID标签1的小型化。
根据放射线线量，并根据该屏蔽构件7、8的材料的不同，分别对屏蔽构件7、8的层叠数进行设定。由此，能够对各屏蔽构件7、8分别选定适当的厚度和材料，从而能够通过层叠各层7a、8a这样简单的结构来获得所希望的屏蔽性能，能够力图提高制造效率并降低成本。
利用对应于放射线能量的材料来构成屏蔽构件7、8的各层7a、8a，因此，能够根据RFID标签1的使用环境中的γ射线、中子射线的能量范围来高效地屏蔽放射线。另外，利用对应于放射线的能量的各种材料的屏蔽构件7、8来构成屏蔽构件7、8的各层7a、8a(换言之，以各种对应于放射线的能量的材料来构成各层7a、8a)，从而能够获得廉价、结构简单、且对放射线的屏蔽效果好的优选的屏蔽结构，能形成在实际使用中非常有益的结构。
将天线3设置于屏蔽构件7、8的外侧，因此，能以非接触通信在自身与外部之间进行可靠地通信。这是由于，不同于本实施方式，若以屏蔽构件覆盖天线，则该屏蔽构件可能会妨碍电波透过。层叠体2包括：第一层叠部5，该第一层叠部5从上侧和下侧夹住RFID电路4，且沿上下方向层叠而成；以及第二层叠部6，该第二层叠部6围住RFID电路4的侧面，且沿不同于第一层叠部5的层叠方向的方向层叠而成。因而，能够利用第一层叠部5及第二层叠部6来屏蔽对RFID标签1的、来自所有方向的放射线，能够更有效地抑制所述数据错误的发生。
层叠体2由至少层叠有多层屏蔽构件7、8的多层基板构成，在该多层基板内收纳配置有RFID电路4。在该多层安装结构中，对于层叠体2，能够比较简单地将连接天线3与RFID电路4的布线材料11作为导电层或通孔11a进行配设，从而能够使层叠体2形成廉价的结构。此外，尽管省略了图示，但在屏蔽构件7中使用铅箔等来代替所述层7a的情况下，只要仅在布线材料11的周边部配设绝缘层等绝缘单元即可。
RFID标签1是在所述多层基板中内置有电源且自行发送电波的主动型，因此，与被动型相比，通信距离较长且能够提高通信的稳定性，能够在放射线环境下，更安全且可靠性高地检测出数据。另外，由此，能够在多层基板上配设检测外部环境的传感器部12等检测单元。利用该检测单元，能够无需操作者在现场进行测定就能把握设备的状态和设备的运转状况等。
对于层叠体2，作为构成γ射线用屏蔽构件7的材料，至少含有铅、铅化物、钨、及钨化物中的至少一种，作为构成中子射线用屏蔽构件8的材料，至少含有硼、硼化合物、钆、钆化合物、镉、及镉化合物中的至少一种。由此，能够极大地提高层叠体2的放射线屏蔽能力，能够形成在力图实现具有耐放射线性的RFID标签1的实用化及小型化上较为适合的RFID标签1。此外，屏蔽构件7、8并不限于上述这些构成物质，还能适当地使用能屏蔽放射线的其他构成物质。
另外，尽管省略了图示，但是作为安装RFID标签1到被安装对象的安装单元，能够例如在层叠体2的下侧配设粘接剂层等粘贴单元。
图8～图41表示实施方式2～实施方式13，对与实施方式1相同的部分标注相同的标号等并省略说明，以下仅对不同点进行说明。
<实施方式2>
图8(a)是表示实施方式2的RFID标签30的图，相当于图1(a)。RFID标签30的层叠体2中，在离开RFID电路4的位置设置有孔部(窗部)31，并设置有塞住该孔部31的热传导部32。孔部31在例如第一层叠部5的下部侧(也可在上部侧)形成为连通屏蔽空间S与外部的圆筒状。作为检测单元的热传导部32例如由热传导性比层叠体2的各构件7～9要高的合成树脂材料构成，从层叠体2露出且与作为传感器部12的温度传感器直接接触。在上述结构中，RFID标签30例如以热传导部32与被测定物的表面进行热接触的方式进行粘贴。由此，能够通过热传导部32来正确地检测被测定物的表面温度。
图8(b)是表示将一部分结构不同于实施方式2的RFID标签30的RFID标签33安装到施以绝热材料27b的配管27a的状态下的概要图。对于RFID标签33的热传导部34，以其一端34a通过孔部31与传感器12相接触、另一端34b与被测定物(配管27a)的表面直接接触的方式，形成为从传感器12向外部延伸的形状。作为检测单元的热传导部34被例如由热传导率低于该热传导部34的被覆构件(未图示)所覆盖。因而，如图8(b)所示，能够将RFID标签33配置于绝热材料27b的外周部，将热传导部34的端部34b插通至绝热材料27b内，来与配管27a表面直接接触。由此，在与被测定物的关系中，能将RFID标签33安装到任意的位置，能够更正确地检测出离开该安装位置的被测定物的表面温度。
<实施方式3>
图9是表示实施方式3的RFID标签35的图，相当于图1(a)。RFID标签35的层叠体2省略了封装树脂9，在屏蔽构件7、8中，在离开RFID电路4的位置设置有使传感器部12露出的孔部(窗部)36。形成孔部36，使得在例如第一层叠体5的上部侧连通屏蔽空间S与外部，且使其成为外部侧比屏蔽空间S侧要展开的钵状。RFID标签35的传感器部12由放射线传感器、或使用光学单元的传感器构成。即，在由放射线传感器构成传感器部12的情况下，能够在屏蔽空间S内通过孔部36来检测出放射线的水平。作为使用光学单元的传感器部12，例如在由光学式测距传感器构成的情况下，将光通过孔部36投射至屏蔽空间S内并接收其反射光，从而能够检测出到所述设备27等测距对象物为止的距离。此外，在省略了封装树脂9的层叠体2中，能够以构成外层的屏蔽构件8来屏蔽α射线或β射线。
<实施方式4>
图10是表示实施方式4的RFID标签38的图，相当于图1(a)。RFID标签38的屏蔽空间S中收纳有覆盖RFID电路4′的铸块39a、39b。铸块39a、39b由例如铅构成，由呈平板状的铸块39a、及在下表面侧中央部具有凹状收纳部S′的铸块39b作为二分割型的γ射线用屏蔽构件来构成层叠体2的一部分。RFID电路4′具有与RFID电路4相同的功能，在收纳部S′中安装于未图示的基板。由此，RFID标签38内置有铸块39a、39b，从而能够用比较简单的结构来补充γ射线用屏蔽构件7的屏蔽性能，提高耐放射线性。
此外，也能根据RFID标签38的使用环境、或所要求的屏蔽性能等来适当地改变铸块39a、39b的构成物质或形状。另外，在RFID标签38的层叠体2中，利用封装树脂9覆盖屏蔽构件7、8的孔部36，传感器部12由放射线传感器构成。即，在如实施方式3那样使用光学单元的传感器部12的情况下，需要在层叠体2中，形成不遮挡光的贯通内外的孔部36，或使用具有透光性的封装树脂(未图示)来代替所省略的封装树脂9，但是，在如本实施方式那样使用放射线传感器的情况下，使用仅贯通屏蔽构件7、8的孔部36即可。
<实施方式5>
图11是表示实施方式5的RFID标签40的图，相当于图1。RFID标签40是将以天线3(参照图11(b))从外部接收到的电波为能量源进行动作、以该能量源发出电波的被动型。具体而言，如后文所述那样，RFID标签40的RFID电路包括IC芯片41，该IC芯片41将作为非易失性存储单元的功能和通信功能等进行单片化，RFID标签40的RFID电路不同于上述RFID电路4，省略了外部I/F部18等。这些IC芯片41及天线3安装在例如由PET薄膜所构成的薄膜基材42上，与该薄膜基材42一起构成所谓的插入物43。该插入物43中设置有第一层叠部5，该第一层叠部5从上侧和下侧夹住IC芯片41且沿上下方向层叠而成。第一层叠部5省略了封装树脂9，另一方面，隔着未图示的粘接剂层，被覆盖整个插入物43的上下一对的覆盖构件44所覆盖。对于采用上述结构的RFID标签40，第一层叠部5的屏蔽构件7、8仅覆盖插入物43的IC芯片41部分，从而构成屏蔽放射线的部分屏蔽结构，天线3以从第一层叠部5露出的方式进行配置。由此，RFID标签40能够适用于众所周知的RFID插入物，能够采用比较廉价且简单的结构，并无需内置电源就能进行动作，因此，能适用于例如长期的设备管理。
<实施方式6>
图12是表示实施方式6的RFID标签45的图，相当于图1。RFID标签45的第一层叠部5包括例如内侧的上下两块γ射线用屏蔽构件7′和外侧的上下两块中子射线用屏蔽构件8′，整体构成四层结构。这些屏蔽构件7′、8′分别由呈片材状(薄板状)的一块材料构成，利用分布在7′、8′这两者间的未图示的热熔胶等粘接剂层(结合单元)来进行结合。如图12(b)所示，对于RFID标签45的第二层叠部6，例如形成为矩形框状，由利用所述热熔胶结合成互为同心状的、内外一组的屏蔽构件7′、8′构成。另外，在RFID标签45中，设置有一对结合构件(结合单元)46，该一对结合构件46按照每个第二层叠部6在两端部夹住第一层叠部5来结合成一体，其截面为“U”字形状。此外，作为第一层叠部5及第二层叠部6的结合单元，也能使用所述热熔胶等来代替结合构件46。
RFID标签45与实施方式5相同，都是被动型，在构成外部轮廓的屏蔽构件8′的外侧配置有呈线圈状的天线3′(仅在图12(a)中示出)。另外，RFID标签45的IC芯片41与图11所示的IC芯片41相同，都将RFID电路进行了单片化，因此，为了方便图12的说明，对其进行放大来示意性地示出。由此，本实施方式的RFID电路包括：作为集成电路元件来进行单片化后的形态的IC芯片41；以及将所述存储部15等各种电子元器件安装到印刷基板上的形态的RFID电路4、4′，无论是主动型还是被动型，只要能构成通过与天线进行电连接来实现作为RFID标签的功能的电路部即可。
<实施方式7>
接下来，参照图13～图32来说明实施方式7。
如上所述，各实施方式的RFID标签1、30、33、35、38、40、45构成所谓数据载体或数据记录媒体，能够分类成图13所示的三组。
即，RFID标签可大致分为：主动型的RFID标签70A，该主动型的RFID标签70A内置有电源，将内部的电源用于提供内部电路的动作功率与送回电波的功率；半被动型的RFID标签70B，该半被动型的RFID标签70B仅将内部电源用于提供内部电路的动作功率，而对于送回电波的功率，则将由外部接收到的电波作为能量源来进行动作；以及被动型的RFID标签70C，该被动型的RFID标签70C在内部未内置有电源，将从外部接收到的电波作为能量源来进行动作。然后，RFID标签70A～70C是相对于主设备即所述标签读写器20A、20B的从属设备，内置有从属侧控制部即标签侧控制部、及用于存储数据的非易失性存储单元。
具体而言，上述RFID标签1、30、33等是主动型的RFID标签70A。在RFID标签70A中，作为标签侧控制部的控制部71A相当于所述控制部16(参照图3)，负责对整个RFID标签70A进行控制。另外，作为非易失性存储单元的存储部72A相当于所述存储部15。
如图15(a)所示，存储部72A中设置有程序区域100及数据区域(用户区域)101等多个存储区域，所述程序区域100中存储有包含由控制部71A执行的控制程序的一般程序等，所述数据区域(用户区域)101中存储有所述数据及用于校正该数据的差错的冗余数据(redundant data)。程序区域100中设置有所述一般程序用的存储区域102，除此之外，还设置有后述的主差错校正程序、副差错校正程序、及简单差错校正程序用的存储区域103～105。另外，详细情况如下文所述那样，冗余数据包含与比特对相关的数据、差错检测码、及奇偶校验码等附加数据。
另一方面，上述RFID标签40、45等是被动型的RFID标签70C，不同于主动型的RFID标签70A，省略了电池13、外部I/F部18、及传感器部12等。以下，对不同点进行简单说明，RFID标签70C例如图14所示那样，包括安装在由PET薄膜构成的薄膜基材74上的天线75及RFID电路76。RFID电路76是将控制部71C、存储部72C、通信部77、及基于由天线75所接收到的电波来生成电源电压的电源电压发生部78的功能进行单片化而得的IC芯片，RFID电路76基于由电源电压发生部78所获得的电源电压来进行动作。天线75及通信部77构成无线通信单元。
如图16所示，存储部72C中设置有TID存储区域200、EPC存储区域201、以及数据区域(用户区域)202等多个存储区域，所述TID存储区域200中存储有包含RFID标签70C固有的ID数据的识别数据，所述EPC存储区域201中存储有与RFID标签70C的粘贴对象物相关的电子产品代码(Electronic ProductCode)等，所述数据区域(用户区域)202中存储有从通信部77等获得的各种数据及用于校正该数据的差错的冗余数据。所述ID数据是RFID标签70C本身所具有的ID，以不能被改写的方式存储在TID存储区域200中。
控制部71C是硬件逻辑电路，在与标签读写器20进行通信时，进行以下规定的处理：即，向存储部72C进行写入的处理；以及用于发送存储在存储部72A中的数据的处理等。
此外，上述RFID标签70C的控制部71C也可以用CPU来构成。另外，对于RFID标签70B，内置有电池(参照图13)，另一方面，是将从标签读写器20接收到的电波作为能量源来发送电波的半被动型，省略其详细说明。
所述标签读写器20是作为相对于上述RFID标签70A～70C的主设备而构成的外部电子设备。即，如图14所示，标签读写器20将安装于基板81的设备侧控制部即控制部82作为主体，包括与其连接的存储部83、通信部84、及外部I/F部85。控制部82、存储部83、通信部84、及外部I/F部85相当于读写电路86。读写电路86与所述天线20a进行电连接，通信部84与所述天线20a共同构成无线通信单元。外部I/F部85与所述个人电脑24等上位装载相连接。
标签读写器20的存储部83与RFID标签70A的存储部72A相同(参照图15)，设置有程序区域300及数据区域(用户区域)301等多个存储区域，所述程序区域300中存储有包含由控制部82执行的控制程序的一般程序等，所述数据区域(用户区域)301中存储有数据及用于修正该数据的差错的冗余数据(redundant data)。程序区域300中设置有所述一般程序用的存储区域302，除此之外，还设置有后述的主差错校正程序、副差错校正程序、简单差错校正程序用的存储区域303～305。
而且，作为主设备侧控制部的控制部82基于一般程序存储区域302的控制程序，对通信部84发出通信指令，从而进行发送处理和接收处理，所述发送处理是由通信部84使用发送数据以将调制后的规定频率的电波信号从天线20a进行发送的处理，所述接收处理是基于天线20a所接收到的电波信号来解调原来的数据的处理。
此外，RFID标签70A～70C的存储部72A～72C、及标签读写器20A、20B的存储部83是通过将电荷都保持在浮置栅极(floating gate)来记录数据的类型的存储器。即，作为这样的存储器，如上述实施方式所说明的那样，也可以使用闪存或EEPROM等各种非易失性的半导体存储器，存储部72A～72C、83作为非易失性存储单元而构成。
所述数据管理系统21中，能够使用各种RFID标签70A～70C，如在图4所例示的所述设备27中使用配置有各种存储器的主动型的RFID标签70A(相当于RFID标签1a～1c)，除此之外，还能将被动型的RFID标签70C粘贴到相对于设备27搬入、搬出的物品27c，或粘贴到操作者的头盔27d等。
接着，根据上述各种实施方式的RFID标签，能利用所述层叠体的屏蔽构件获得优选的相对于放射线的屏蔽效果较高的屏蔽结构。本来就设想有以下情况：即，例如根据RFID标签70A～70C在离放射线源较近的地方长时间被使用、或放射线量的多少，即使其具有包括所述层叠体的结构，也会发生数据错误。具体而言，对于注入例如RFID标签70C的存储部72C中的呈矩阵状排列的存储单元的浮置栅极中的电子(电荷)量，会因基于例如γ射线的入射的光电效应等而减少。在这种情况下，在存储单元中，可能会发生例如数据从“1”单向变化为“0”的数据错误，其受损程度可分为以下第一阶段～第三阶段。
(第一阶段)因放射线对所述存储单元的电子的碰撞而发生损伤、可能会进一步因放射线的碰撞而导致数据错误的阶段。
(第二阶段)在存储单元中在由例如8比特构成的字数据中产生1比特的数据错误的阶段。
(第三阶段)存储部72C的损伤程度增大、在所述字数据中产生2比特以上的数据错误的阶段，是产生连续多个比特的数据错误(丛集错误：bursterror)或分散在多处的1比特的数据错误(随机错误：random error)的阶段。
因此，发明者构筑了能够对放射线的照射所引起的所有阶段的错误进行校正的数据管理系统21。此处，对于所述RFID标签70的种类70A～70C与标签读写器20的种类20A、20B的组合(参照图13)，在与通信距离的关系上可分为以下三类：
(a)主动型的带电池的RFID标签70A、与固定型标签读写器20B
(b)半被动型的带电池的RFID标签70B、与便携式或固定型标签读写器20A、20B
(c)被动型的RFID标签70C、与便携式或固定型标签读写器20A、20B
下文将对(c)类的RFID标签70C与便携式标签读写器20A的组合下的错误校正进行说明。此外，将RFID标签70C的控制部71C及存储部72C设为标签侧控制部71C及标签侧存储部72C，将标签读写器20A的控制部82设为RW侧控制部82。
图17(a)及图17(b)是用于说明对存储在标签侧存储部72C中的数据生成的冗余数据的图。所述数据区域202包括主数据区域210及冗余区域220，所述主数据区域210用于存储原有数据即主数据，所述冗余区域220用于存储所述冗余数据。此处，将主数据区域210分为8字节来表示。
此处，冗余区域220中所存储的冗余数据是用于校正主数据区域210中所存储的主数据的差错的差错检测码，包括在每一主数据的地址所生成的横向的第一差错检测码以及在每一相同的比特位置所生成的纵向的第二差错检测码。
作为所述差错检测码，例如使用汉明码，设定为能够检测出2比特的差错。此处，关于汉明码，在将差错校正用比特数设定为m时，其码长用2m-1来表示。因而，例如在m＝4的情况下，对于11比特的主数据，形成置换成15比特的码字(码长)的汉明码。因此，在本实施方式中，在进行后述的差错检测处理时，对所述8比特单位的主数据附加3比特的虚设数据(即，将主数据的上位3比特设为“0”)，作为看上去为11比特的主数据所附带的4比特的差错检测码来进行差错检测处理。此外，也可对上述汉明码附加校验位，以进行2比特差错检测和1比特差错校正。
在图17(a)中，在存储所述主数据的区域210和存储第一差错检测码(第一冗余数据)的区域221中，在该图中，示出了在设纵向坐标值(地址)为x、设横向坐标值(比特位置)为y的情况下的主数据D(x，y)及第一差错检测码E(x，y)。此处，将第一差错检测码E0，1～E0，3及E1，0～E1，3写入同一地址的上位4比特和下位4比特(参照图18的地址200、图19(a))。因而，用3字节来表现两列数据列D0，0～E0，3及D1，0～E1，3。另外，在图17(b)中，在冗余区域220中的、存储有第二差错检测码(第二冗余数据)的区域222中，分别示出了在上述主数据D0，0～D7，7的相同比特位置的每列所生成的第二差错检测码F(x，y)、以及在第一差错检测码E的相同比特位置的每列所生成的第二差错检测码G(x，y)。此外，图17所示的码D(x，y)、F(x，y)、G(x，y)是为了便于说明数据的排列而附加的，实际的数据比特的排列能应用LSB(Least Significant Bit：最下位比特)优先、MSB(Most Significant Bit：最上位比特)优先中的任意一个。
根据构成数据的相互相邻的各比特之间的组合，对该比特附加本实施方式的奇偶校验码。具体而言，例如以奇偶校验码为基础进行奇数奇偶检查，在主数据D0，0所示的值为0、D0，1所示的值为1时，附加值为0的奇偶比特(参照图20(a)、(b))。因而，例如在主数据D0，0～D0，7及第一差错检测码E0，0～E0，3所示的值为“01000110...”时，生成由对应于其相邻值的组合的“0011010...”构成的奇数奇偶校验码P。使用该奇偶校验码P，对主数据D及第一差错检测码E进行差错检测处理及差错校正处理。此外，奇偶校验码P也可以是偶数奇偶校验码。
本实施方式的冗余数据的一种即比特对是作为将数据的各比特所示的1、0的值中的任何一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后所获得的数据，以2比特数据表现1比特数据。具体而言，例如图21(a)所示，作为将主数据D0，0所示的0的值设为10、将主数据D0，1中的1的值设为01的比特对来进行编码。因而，在图21(b)所示的主数据D0，0～D0，7及第一差错检测码E0，0～0，3所示的值为“01000110...”时，生成由“0110010101101001...”构成的数据D0，0F～E0，3R。在这种情况下，主数据D0，0中的原本的数据0的值是比特对中的一个比特0(在图21(a)中以F表示)，另一个比特1(以R表示)是对该0进行反转后的数据。
因而，如图19(b)所示，作为比特对来进行编码后的4列数据D0，0F～E1，3R中，从上起第一列的数据D0，0F～E0，3F与图19(a)的主数据D0，0～D0，7及第一差错检测码E0，0～E0，3一致[(D0，0F～E0，3F)＝(D0，0～E0，3)]，图19(b)的从上起的第三列的数据D0，0R～E0，3R是第一列的数据D0，0F～E0，3F的反转数据。另外，如图18、图19(b)所示，所述比特对F，R中的一个比特F与另一个比特R在标签侧存储部72C的数据区域202中，存储在互不相同的地址的相同的比特位置。换言之，编码后的数据D0，0F～E0，3F及反转数据D0，0R～E0，3R存储在互不相同的地址，且相对应的各比特所示的值是相互反转的内容。
此处，在图22中，举例示出了主数据D0，0～D0，7中的部分比特值从“1”单向变化为“0”的、发生所述数据错误的状况。即，由于在以因比特对F，R中的任一个比特中含有1而发生所述单向变化为前提的情况下，00这一比特对(图22的阴影部分)为错误模式，因此，能够确定该错误发生的数量及比特对F，R的位置。例如，在各比特对F，R中，通过对一个比特F和另一个比特R进行逻辑和运算，从而能够检测出差错。
不同于上述的编码，也可以作为将数据的各比特所示的0的值表示为01、将1的值表示为10的比特对来进行编码。另外，根据对存储器中存储有数据的状态所进行的定义，也可能存在因透过放射线而发生从“0”变化到“1”的单向变化的情况，但是，只要反转0和1来进行处理即可，因此，在本实施方式中，仅以从“1”变化到“0”的单向变化为前提进行说明。
所述冗余区域220包含用于存储多重数据的多重数据存储区域224(参照图18)。在本实施方式中，对于例如主数据D0，0～D7，7的比特对F，R，通过写入主数据区域210和多重数据存储区域224来进行二重化，对于第一差错检测码E0，0～E7，3的比特对F，R，也通过写入第一差错检测码区域221和多重数据存储区域224来进行二重化。以下，关于多重化后的主数据及第一差错检测码，如D0，0F′～D7，7R′及E0，0F′～E7，3R′那样对该码附加“撇号”(参照图18)。此外，根据需要，也可以对第一差错检测码E、第二差错检测码F，G、奇偶校验码P、以及这些冗余数据E，F，G、P的比特对F，R进行多重化。另外，对于第一差错检测码E、第二差错检测码F，G、奇偶校验码P的生成对象、以及作为比特对F，R进行编码的对象，并不限于本实施方式所记载的内容，还能适当地进行设定，例如设为冗余数据E，F，G、P相互间等。
接着，参照图23～图32说明上述结构的作用。图23是表示使用便携式标签读写器20A来将数据写入RFID标签70C的情况下的处理内容的流程图。
首先，若操作者操作标签读写器20A的操作部(未图示)，则RW侧控制部82基于由该操作部所输入的操作信号，来接收要写入的数据并对其进行处理(步骤A1)。然后，详细情况如后述那样，RW侧控制部82在将该写入用数据发送到RFID标签70C之前，从标签侧存储部72C读出除写入该写入用数据的地址之外的所有地址的数据，以所述冗余数据为基础来检测差错并对其进行校正(步骤A2)。
在步骤A2的读取处理之后，RW侧控制部82对写入用数据即主数据D按照地址生成第一差错检测码E，并进行按照相同比特位置生成第二差错检测码F、G的处理(步骤A3、A4)。接着，RW侧控制部82对构成主数据D及第一差错检测码E的各比特，根据相互相邻的该比特的组合来生成奇偶校验码P(步骤A5)。另外，将主数据D、第一差错检测码E、及奇偶校验码P的各比特所示的1和0的值作为01和10的比特对F，R来进行编码(步骤A6)。而且，主数据D及第一差错检测码E的各比特对F，R在步骤A7中二重化，从而生成主数据D及第一差错检测码E的比特对F′，R′。对由此生成的主数据D及第一差错检测码E的各比特对F，R、二重化的比特对F′，R′、第二差错检测码F，G、及奇偶校验码P进行发送，从而结束写入标签侧存储部72C(步骤A8)、使用标签读写器20A的写入处理。由此，对于RFID标签70C，与主数据D的比特对F一并存储各种冗余数据，因而，能够基于该冗余数据来进行差错检测处理及差错校正处理。
图24是表示在进行上述写入处理时在所述步骤A2中进行的读取处理的内容的流程图。
首先，RW侧控制部82执行关联数据读取处理，该关联数据读取处理是从标签侧存储部72C的除读出所述写入用数据的地址以外的所有地址读出数据(参照步骤B1、图26的步骤C1～C11)。即，在关联数据读取处理中，从标签侧存储部72C读取主数据D及第一差错检测码E的比特对F，R(步骤C1、C2)。接着，在将这些主数据D及第一差错检测码E的比特对F，R进行多重化的情况下(步骤C3：是)，从标签侧存储部72C读取作为多重化数据的主数据D及第一差错检测码E的比特对F′，R′(步骤C4、C5)。另外，在附加奇偶校验码P的情况下(步骤C6：是)，从标签侧存储部72C读取主数据D的奇偶校验码P及第一差错检测码E的奇偶校验码P(步骤C7、C8)。而且，在附加第二差错检测码F，G的情况下(步骤C9：是)，从标签侧存储部72C读取主数据D的第二差错检测码F及第一差错检测码E的第二差错检测码G(步骤C10、C11)。
此外，在RW侧控制部82中，在判断为存储在标签侧存储部72C的冗余区域220中的冗余数据只是与主数据D及第一差错检测码E相关的比特对R的情况下(步骤C3、C6、C9：否)，在步骤C1、C2中读出与主数据D及第一差错检测码E相关的比特对F，R，之后，转移至步骤B2(参照图24)的差错检测处理。另外，在上述步骤B1的读取处理中，RW侧控制部82重复读出数据，直至对相同地址至少连续两次读出相同的数据。具体而言，例如8比特的主数据D0，0～D0，7被连续读出两次(图25的步骤D1、D2)，在第一次与第二次的数据不同的情况下(步骤D3：否)，再次连续读出两次。即，在暴露于放射线的环境中，在从RFID标签70C获得数据的情况下，数据可能在发送数据的RFID标签70C侧或接收数据的标签读写器20A侧因放射线而发生变化。因此，RW侧控制部82重复获取数据直至至少连续两次读出相同的数据，从而能够防止在从标签侧存储部72C读出数据时发生数据变化。另外，即使在后述的差错检测处理中未检测出差错(图24的步骤B3：否)而不进行差错校正处理，也能够在步骤B1(步骤D1～D3)中读出数据时，在读出的同时对各存储单元的电荷进行再充电，即进行刷新。因而，即使在各存储单元中因放射线的碰撞而失去电子，也能修复处于所述第一阶段的损伤。
在步骤B2中，对如上述那样读出的主数据D及第一差错检测码E的各比特对F，R，对一个比特F和另一个比特R进行逻辑和运算。此处，RW侧控制部82在该运算结果为1的情况下判断为比特对F，R中不存在差错(步骤B3：否)，在该运算结果为0的情况下判断为比特对F，R中的某一个比特存在差错(步骤B3：是)，转移至差错校正处理(步骤B4、图27的步骤E1～E10)。
在该差错校正处理中，首先，对每一字节进行与主数据D及第一差错检测码E的比特对F，R相关的校正处理(步骤E1、图28的步骤F1～F5)。具体而言，RW侧控制部82将用于对字节数进行计数的计数器N进行清零(步骤F1)，对于主数据D0，0F～D0，7F，基于与主数据D0，0R～D0，7R的每一比特的逻辑和运算，对成为0的比特对F，R是否有3对以上、或运算结果是否全为1进行判断(步骤F2)。例如图22的阴影部分所示那样，主数据D0，0～D0，7的比特对F，R中，其组合为00的主数据D0，2及D0，5的比特对F，R的运算结果为0。因此，对于与主数据D0，2及D0，5相关的比特对F，R，判断为有差错(步骤F2：否)，进行校正该主数据D0，2及D0，5的差错的处理(步骤F3)。在这种情况下，对于该主数据D0，2、D0，5的各比特对F，R，依次代入数据01或10(将其称为代入数据)，对于代入该代入数据的主数据D0，0F～D0，7F、D0，0R～D0，7R，基于第一差错检测码E0，0F～E0，3F、E0，0R～E0，3R进行差错检测处理。此时，作为对于主数据D0，2、D0，5的比特对F，R的代入数据的代入模式，存在主数据D0，2的比特对F，R中的01和10、以及主数据D0，5的比特对F，R中的01和10共4种(参照图22)。因而，对于1字节内的2比特的数据错误，以所述代入数据和第一差错检测码E为基础，最多进行4次差错检测处理，就不会再检测出差错，从而能校正差错(第一差错校正处理)。
在结束第0字节的差错校正或在所述步骤F2中判断为“是”的情况下，由于尚未结束到第7字节为止的处理(步骤F4：是)，则对所述计数器N加1(步骤F5)，对第1字节的主数据D1，0F～D1，7F，也基于与主数据D1，0R～D1，7R的逻辑和运算的结构，来对成为数据错误的比特对F，R是否为3对以上(或是否有错误)进行判断(步骤F2)。然后，与上述相同，若存在两个或一个比特对F，R的差错，则依次代入代入数据，进行以第一差错检测码E1，0F～E1，3F、E1，0R～E1，3R为基础来校正差错的处理(步骤F3)。由此，重复执行步骤F2～F5，从而对于第1字节之后的主数据D，也对每一字节逐一进行差错检测处理及差错校正处理，结束第7字节的差错校正(步骤F4：否)，从而转移至图27的步骤E2。在步骤E2中，对于从标签侧存储部72C读出的所有数据，若判断为经上述差错修正处理后消除了数据错误(是)，则RW侧控制部82将该无差错的数据写入标签侧存储部72C(返回图24的步骤B5)，结束处理。此外，在上述步骤F1～F5中，对校正主数据D的差错的处理进行了说明，但是对于第一差错检测码E，预先基于其比特对F，R进行差错检测，对相同比特位置的每一列进行基于代入数据和第二差错检测码G的差错校正处理(参照后述的步骤I1～I5)。即，在预先执行第一差错检测码E的差错校正处理之后，执行步骤F1～F5。
另一方面，对于上述主数据D或第一差错检测码E的数据，在1个字节中含有3比特以上的错误(图27的步骤E2：是)，或者对于其他数据，含有错误，在这种情况下，判断数据是否被多重化(步骤E3)。在数据被多重化的情况下(是)，进行与该多重化相关的校正处理(步骤E4，图29的步骤G1～G8)。即，在步骤G1中，对于进行了多重化的主数据D′及第一差错检测码E′，与所述步骤E1(即步骤F1～F5)相同，对每一字节逐一进行差错检测处理和差错校正处理。若RW侧控制部82判断为利用该校正处理对从标签侧存储部72C读出的所有数据都消除了错误(步骤G2：是)，则返回图27的步骤E5。然后，在步骤E5中，也同样作为消除了错误的步骤(是)，将该无差错的数据写入标签侧存储部72C(返回图24的步骤B5)，结束处理。
若RW侧控制部82判断为在图29的步骤G2中未消除错误(否)，则将用于对字节数进行计数的计数器N进行清零(步骤G3)。然后，在步骤G4中，在原来的主数据D与进行了多重化的主数据D′之间，对相对应的比特的每一比特进行逻辑和运算，并在第一差错检测码E与进行了多重化的第一差错检测码E′的逻辑和运算之间，对相对应的比特的每一比特进行逻辑和运算(步骤G4)。例如在图32中，在上侧的主数据D0，0F～D0，7F、与其正下侧的进行了多重化的主数据D0，0F′～D0，7F′之间，对相对应的比特的每一比特进行逻辑和运算。此外，在该图中，为了方便说明，一并示出了主数据D0，0R～D0，7R及D0，0R′～D0，7R′。如该图中的阴影部分所示的那样，即使产生主数据D0，2、D0，6的各比特对F，R与进行了多重化的主数据D0，3、D0，5的各比特对F′，R′成为00的数据错误，但只要在相同比特位置存在正确的数据，就能够获得该比特的逻辑和运算的结果、修复了数据错误后的比特列。
在步骤G4的差错修正处理后，对于主数据D0，0F～D0，7F，RW侧控制部82对每一比特进行与主数据D0，0R～D0，7R的逻辑和运算，判断是否存在3对以上运算结果为0的比特对F，R、或运算结果是否全部为1(步骤G5)。此处，即使所述比特列中含有一两个差错(否)，也能基于所述代入数据和第一差错检测码来进行差错检测处理，直至不再检测出差错，从而能校正差错。
在结束该第0字节的差错校正、或在所述步骤G5中判断为“是”的情况下，由于尚未完成到第7字节为止的处理(步骤G7：是)，因此，对所述计数器N加1(步骤G8)，对于第1字节的主数据D1，0F～D1，7F，在与进行了多重化的主数据D1，0F′～D1，7F′之间，对相对应的比特的每一比特进行逻辑和运算(步骤G4)。然后，对于由该逻辑和运算所获得的比特列，与上述相同，若存在2比特(或1比特)的差错，则依次代入代入数据来进行校正差错的处理(步骤G5、G6)。由此，重复执行步骤G4～G8，从而对于第1字节之后的主数据D，也能对每一字节逐一进行差错检测处理及差错校正处理，结束第7字节的差错校正(步骤G7：否)，从而转移至图27的步骤E5。在步骤E5中，对于从标签侧存储部72C读出的所有数据，若判断为经上述差错修正处理后消除了数据错误(是)，则RW侧控制部82将该无差错的数据写入标签侧存储部72C(返回图24的步骤B5)，结束处理。
在与上述多重化相关的差错校正处理之后，在数据中还含有错误的情况下(步骤E5：否)，判断是否附加了奇偶校验码P(步骤E6)。在附加了奇偶校验码P的情况下(是)，进行与该奇偶校验码P相关的校正处理(步骤E7，图30的步骤H1～H8)。即，RW侧控制部82将用于对比特数进行计数的计数器M进行清零(步骤H1)，对成为校正对象的地址的数据、例如主数据D0，0F～D0，7F校正差错。具体而言，如图20(b)的虚线所围住的那样，对于主数据D0、0F所示的值0，在与相邻的数据D0，1F所示的值1之间的关系上，根据奇数奇偶校验码检查(奇偶校验位P0，0)判断为无差错(步骤H2：否)。在该第0比特之后，要进行第1比特的处理，因而对计数器M加1(步骤H3、H4)，对于主数据D0，1F，也与上述相同地进行奇数奇偶校验码检查(步骤H2)。然后，在重复执行步骤H1～H4的过程中，若基于奇数奇偶校验码检查而判断为主数据D0，6F中存在差错(步骤H2：是，参照图20(b))，则判断作为左数据的D0，6F与左奇偶校验码P0，5中是否存在差错(步骤H5)。若两者D0，6F、P0，5中不存在差错，则基于该校验位P0，5对D0，6F的值进行校正(步骤H6)。关于这点，即使在左数据的D0，6或左奇偶校验码P0，5中的任一个中存在差错的情况下(步骤H5：否)，只要作为右数据的D0，7F和作为右奇偶校验码的P0，6中不存在差错(步骤H7：否)，则能够基于该校验码P0，6来校正D0，6F的值(步骤H8)。由此，结束到第7字节为止的成为校正对象的地址的处理(步骤H3：否)，从而转移至图27的步骤E8。在步骤E8中，对于从标签侧存储部72C读出的所有数据，若判断为经上述差错修正处理后消除了数据错误(是)，则RW侧控制部82将该无差错的数据写入标签侧存储部72C(返回图24的步骤B5)，结束处理。
在与上述奇偶校验码相关的差错校正处理之后，在数据中还含有错误的情况下(步骤E8：否)，判断是否附加了第二差错检测码F，G(步骤E9)。在附加了第二差错检测码F，G的情况下(是)，进行与该第二差错检测码F，G相关的差错校正处理(步骤E10，图31的步骤I1～I11)。在该差错校正处理中，首先，将用于对比特数进行计数的计数器M进行清零(步骤I1)，对于成为校正对象的数据，对相对比特位置的每一列进行检测差错的处理。具体而言，例如对于主数据D0，0F～D7，0F这一列(参照图17)，与构成比特对的D0，0R～D7，0R的列按照比特进行逻辑和运算，判断是否存在3比特以上的差错、或是否不存在差错(步骤I2)。在任一条件都不满足的情况下，即，若存在2比特或1比特的差错(否)，则将所述代入数据依次代入检测出该差错的主数据D0，0～D7，0的比特对F，R，基于第二差错检测码F0，0F～F3，0F、E0，0R～E3，0R来进行校正差错的处理(步骤I3：第二差错校正处理)。
在结束第0比特的差错校正、或在所述步骤I2中判断为“是”的情况下，由于尚未完成到第11比特为止的处理(步骤I4：是)，因此，对所述计数器M加1(步骤I5)，对于第1比特以后的主数据D，也对相同比特位置的每一列进行基于比特对F，R的差错检测处理(步骤I2)和基于代入数据和第二差错检测码F的差错校正处理(步骤I3)。由此，重复执行步骤I2～I5，在第8比特(实际上是上位的比特)之后，对于第一差错检测码E，对相同比特位置的每一列进行基于比特对F，R的差错检测处理(步骤I2)和基于代入数据和第二差错检测码G的差错校正处理(步骤I3)。
然后，若结束了第11比特的差错校正(步骤I4：否)，则将用于对字节数进行计数的计数器N进行清零(步骤16)，这时，对每个地址进行基于比特对F，R的差错检测处理(步骤I7)、和基于所述代入数据和第一差错检测码E的差错校正处理(步骤I8)。若结束了该第0字节的处理，则由于要进行到第7字节为止的校正处理(步骤I9：是)，因此，对所述计数器N加1(步骤I10)，返回步骤I7。然后，对于第1字节之后的主数据D，也对每个地址进行基于比特对F，R的差错检测处理(步骤I7)、和基于代入数据和第一差错检测码E的差错校正处理(步骤I8)。由此，RW侧控制部82重复执行步骤I7～I10，在完成第7比特的差错校正时(步骤I9：否)，判断是否对所有数据都消除了错误(步骤I11)。此处，若未消除错误，则返回步骤I1(否)，若消除了错误(是)，则将该无差错的数据写入标签侧存储部72C(返回图24的步骤B5)，结束处理。
对于上述一系列的差错校正处理(步骤E1～E10)，特别是在步骤E10(步骤I1～I10)中，由于分别重复执行了该步骤I1～I5中对相同比特位置的每一列的差错校正处理、以及步骤I7～I10中对每个地址的差错校正处理，因此，能够更可靠地消除数据错误。即，假设例如在主数据D0，0～D7，7的各地址或相同比特位置的列中在多处发生3比特以上的丛集错误。即使在这种情况下，也能基于所述比特对来可靠地检测出该错误，对每个地址或相同比特位置的每一列重复执行基于所述代入数据和第一及第二差错检测码E及F，G的差错校正处理，从而若能修复一部分的数据，则能基于该数据来对其他数据进行连锁修复。然后，因发生所谓的连锁修正(訂正なだれ)，因而即使是在标签侧存储部72C中发生了所述丛集错误或随机错误的第三阶段的状态下，也能校正该所有的错误。
如上述说明的那样，在数据管理系统21中，所述冗余数据包含作为将数据的各比特所示的0，1的值中的某一个值设为01、将另一个值设为10的比特对F，R来进行编码的数据，对于RW侧控制部82，在所述差错检测处理中，对于从标签侧存储部72C读出的数据，若构成比特对的双方的比特值为0则判断为该比特对中存在差错。由此，即使在例如因透射性放射线而导致在标签侧存储部72C的存储单元中发生数据从“1”变为“0”的单向变化的数据错误的状况下，若构成比特对F，R的两个比特值为0，则也能利用RW侧控制部82判定为由该比特对所表示的数据中存在差错。因而，能够提供一种数据管理系统21，该数据管理系统21能够基于比特对F，R来可靠且简单地检测出数据错误，即使在暴露于放射线中的特殊环境中也能防止数据错误的发生并正常地发挥作用。
另外，对于RW侧控制部82，即使在发生所述单向变化的数据错误的状况下，也能对构成比特对F，R的两个比特进行逻辑和运算，若该运算结果为1，则判断为所述比特对中不存在差错，若该运算结果为0，则判断为所述比特中存在差错。即，比特对F，R会生成为01或10，若求逻辑和则都为1，但是，若发生数据错误，则会成为00，若求其逻辑则为0。因而，能够利用RW侧控制部82来简单地确定并可靠地检测出存储在标签侧存储部72C中的数据的错误，能够提高其处理速度。
而且，对于所述比特对F，R中的一个比特F和另一个比特R，在标签侧存储部72C中存储在互不相同的地址的相同的比特位置，因此，能进一步提高处理速度。
所述冗余数据包括根据每一1字节的数据所生成的第一差错检测码E、和在所述数据的每一相同比特位置所生成的第二差错检测码F，G中的至少一种差错检测码。因而，RW侧控制部82不仅能够进行基于所述比特对F，R的差错检测，还能够进行基于第一差错检测码E及第二差错检测码F，G的差错检测，能够更可靠地检测出差错，并能够提高差错校正处理的校正概率。
若基于构成所述比特对F，R的两个比特的逻辑和运算来检测出差错，则RW侧控制部82将数据0，1(它们为所述代入数据)代入检测出该差错的比特对F，R，来基于所述差错检测码进行差错检测处理，进行差错校正处理直至不再检测出差错为止。因而，例如在发生数据错误的比特对F，R有2组(设其组数为x)时，相对于该2组的比特对F，R的代入数据的代入模式总共存在4种(即2x)。因而，能够基于该代入数据来可靠地修复数据错误。
若基于构成所述比特对F，R的两个比特的逻辑和运算来检测出差错，则RW侧控制部82执行第一差错校正处理和第二差错校正处理，所述第一差错校正处理对每一检测出差错的地址基于所述代入数据和所述第一差错检测码E来进行差错校正处理，直至不再检测出差错，所述第二差错校正处理对相同比特位置的每一列基于所述代入数据和所述第二差错检测码F，G来进行差错校正处理，直至不再检测出差错。由此，通过反复执行例如第一差错校正处理和第二差错校正处理，从而使得只要修复一部分的数据，就能基于该数据来连锁地修复其他数据。因此，即使是在标签侧存储部72C中发生所述丛集错误或随机错误的第3阶段的状态下，也能提高校正该所有的错误的概率。
RW侧控制部82在将数据写入标签侧存储部72C时，读出除写入该数据的地址以外的所有地址的数据，基于所述冗余数据来进行差错检测处理和差错校正处理(所述步骤B1～B4)。由此，在将数据写入标签侧存储部72C时，能够对该存储部72C的所有地址的数据生成没有差错的数据。另外，即使没有该数据错误，也能通过读出所有数据来对各存储单元的电荷进行再充电，即，能够进行刷新，即使因放射线照射而失去浮置栅极中的电子，也能修复处于所述第一阶段的损伤。
在对所述读出的数据进行差错校正处理的情况下，RW侧控制部82将校正后的数据写入所述非易失性存储单元(所述步骤B5)，因此，在将数据写入标签侧存储部72C时，对于该存储部72C的所有的地址中的数据，能够设置校正差错的机会。
在标签侧存储部72C中，在多个不同的区域中写入相同的数据来使数据多重化，RW侧控制部82在进行了多重化的多个数据的同一比特间，根据假定数据的差错模式来进行逻辑运算，对于根据该运算获得的比特列，基于所述冗余数据来进行差错检测处理，其结果是，若未检测出差错，则判断为该比特列的数据为正确数据。
由此，即使在1字节的数据中的某一比特中发生数据错误，但只要在与进行了多重化的另一数据相对应的比特中存在正确数据，就能基于与该比特的逻辑和运算的结果，来对该比特位置的数据可靠地修复错误。另外，对于所述比特列，能够基于冗余数据来判断不存在差错的情况，能够进一步提高数据管理系统21的可靠性。另外，在因透射性放射线等发生从“0”单向变化为“1”的情况下，进行逻辑积运算以代替所述逻辑和运算，从而与上述相同，能够修复错误。
RW侧控制部82基于所述比特对F，R和差错检测码E、F，G来进行差错检测处理及差错校正处理，若在该校正处理后的数据中存在差错，则在进行了多重化的多个数据间，对每个相对应的比特进行逻辑和运算。由此，除了上述效果之外，还能利用使用多种冗余数据R，E，F，G，F′，R′的重叠的差错校正处理，来进一步提高校正概率。
所述冗余数据包含奇偶效验码P，该奇偶效验码P是相对于构成数据的各比特、对相邻比特的组合所附加的奇偶效验码，RW侧控制部82在差错校正处理中，基于所述相邻比特中不存在差错的比特的数据和奇偶效验码P来校正比特的差错。由此，奇偶效验码P是对应于所述相邻比特的组合而附加的，因此，能够进行不同于基于所述冗余数据R，E，F，G，F′，R′的校正处理的校正处理，能够进一步提高校正概率。
RW侧控制部82在从标签侧存储部72C读出数据的情况下，重复读出数据，直至对同一地址至少连续两次读出相同的数据。例如，在如上所述进行通信时，例如数据可能会因照射到RFID标签70C的天线75的放射线而发生改变，但是重复获取数据直至至少连续两次读出相同的数据，从而能够可靠地防止从标签读写器20A侧读出数据时发生数据改变。
在上述实施方式中，在使用便携式标签读写器20A来写入数据时，进行从读出数据的处理到写入校正数据的处理(步骤B1～B5)，但是也可例如使用固定型标签读写器20B来每隔预先设定的规定时间从标签侧存储部72C读出数据。此处，所述规定时间是根据作为放射线量的放射线强度或其照射期间来设定的，设定为比在该放射线环境下在标签侧存储部72C中因放射线照射等而导致数据破坏所需的时间要短的时间。然后，放射线量与离开放射线源的距离的二次方成反比，因此，在例如在靠近放射线源的位置使用RFID标签70C的情况下，也能基于从所述个人电脑24等上位装置每隔较短时间(例如数分钟)发出指令的情况，利用标签读写器20B的控制部82，来执行步骤B1～B5。
另外，在高温环境下，与放射线环境相同，也可能会发生所述单向变化的数据错误。因而，根据导致数据错误的存储部72A，6c的温度特性等，适当地设定所述规定时间来执行步骤B1～B5，从而能获得与上述相同的效果。
关于这点，主动型的RFID标签70A也相同，对于本身所具有的存储部72A，控制部71A为主体，每隔所述规定时间，或在无其它优先处理时，也能执行步骤B1～B5。即，如上所述，在RFID标签70A的存储部72A中，存储有与标签读写器20的存储部83相同的控制程序或差错校正程序等，并存储有与标签侧存储部72C相同的冗余数据。因此，在RFID标签70A中，利用控制部71A对从存储部72A所读出的数据基于其冗余数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，能够进行差错校正处理。
另外，在主动型的RFID标签70A中，在从标签读写器20通过所述无线通信单元接收写入用数据时，控制部71A基于所接收到的数据来生成所述冗余数据，并与所述数据一起写入存储部72A。然后，在通过所述无线通信单元向标签读写器20发送数据时，也能基于对所发送的数据附加的冗余数据来进行差错检测处理和差错校正处理，从而能发送无差错的数据。即，若是主动型的RFID标签70A，则能进行与上述标签读写器20B相同的处理，因此，对于本身的存储部72A中所存储的数据生成冗余数据，或执行步骤B1～B5等，能够管理数据。
对于RFID标签70A～70C，作为相对于任意便携式或固定型标签读写器20A、20B(外部的电子设备)的从属设备而构成。因此，能够提高上述数据管理系统21下的RFID标签70A～70C的可靠性。
对于标签读写器20A、20B，作为RFID标签70A～70C中任一个的主设备(电子设备)而构成，因此，使用标签读写器20A、20B能够提高上述数据管理系统21的可靠性。
<实施方式8>
图33表示实施方式8，相当于图32。
向多重化数据存储区域224中写入例如与主数据D0，0～D7，7的比特对F′，R′相同的数据F″，R″，从而使主数据D0，0～D7，7三重化(参照图33)。因而，在与所述多重化相关的校正处理的逻辑和运算(图29的步骤G4)中，在原来的主数据D与多重化的主数据D′和D″之间，对每对相对应的比特对进行逻辑和运算。即，如图33的阴影部分所示的那样，对于例如主数据D0，1、D0，2、D0，6，在三重化的三组比特对F，R、F′，R′、F″，R″中，各含有两组生成值为00的数据错误的比特对。即使在这种情况下，但只要在相同比特位置存在一个正确数据，就能基于该比特的逻辑和运算的结果来获得修复了数据错误的比特列。
不同于本实施方式，若对于上述三组比特对F，R、F′，R′、F″，R″的比特对，按照少数服从多数的原则来对每一比特进行差错校正，则对于所述第三阶段的数据错误，差错有可能会超过半数，因而可能会进行错误的校正。与此相对，如本实施方式那样基于逻辑和运算来进行错误校正，从而只要在相同比特位置存在一个正确数据，就能完全修复与该比特相对应的其他两组比特对的数据错误。因而，能进一步提高数据管理系统21的可靠性。另外，多重化并不限于二重化或三重化，也可以含有四重化以上的数据以作为冗余数据。
<实施方式9>
图34表示实施方式9，相当于图21(b)。
如前所述，RW侧控制部82对从标签侧存储部72C读出的主数据D及第一差错检测码E的各比特对F、R，对一个比特F和另一个比特R进行逻辑和运算(所述步骤B2)。然后，在本实施方式中，若在所述步骤S3中判断为比特对F，R中存在差错(是)，则执行以下的步骤来代替所述步骤S4。
即，尽管省略了图示，但是对主数据D的比特对F，R中是否不存在差错、以及是否为差错检测码(例如第一差错检测码E)的比特对F，R的差错进行判断。然后，若主数据D的比特对F，R中存在差错，则转移至所述步骤B4，另一方面，若仅在第一差错检测码E的比特对F，R中发生差错(参照图34)，则基于无差错的主数据D的比特对F，R，来对每个地址重新生成第一差错检测码。由此，能够校正第一差错检测码E的比特对F，R的差错，并将该校正数据写入标签侧存储部72C(转移至所述步骤B5)。
此处，如图34的阴影部分所示的那样，也可能会发生在主数据D的比特对F，R中不存在差错而仅在第一差错检测码E0，0、E0，2的比特对F，R中发生差错的情况。关于这点，如上所述，由于第一差错检测码E也作为比特对F，R而进行了编码(差错检测码用的比特对)，因此，对该比特F，R进行逻辑和运算，从而能够可靠地检测出第一差错检测码E中的差错，能够基于无差错的主数据D的比特对F，R来可靠地进行差错校正处理。此外，也能将第二差错检测码F，G作为比特对F，R来进行编码。
<实施方式10>
图35表示实施方式10，相当于图34。
对于实施方式7的差错校正处理，说明了以下例子：即，在例如图28所示的流程图(步骤F1～F5)中，将主数据D作为该校正的对象，对每一比特基于代入数据来校正差错。关于这一点，如图35所示，可能会有在主数据D0，3的比特对F，R和第一差错检测码E0，2的比特对F，R中分别发生差错的情况。即使在这种情况下，但只要比特对F，R的差错在两个以内，就能够将代入数据依次代入该主数据D0，3及第一差错检测码E0，2各自的比特对F，R，来基于第一差错检测码E0，0F～E0，3R进行差错检测处理，并进行差错校正，直至不再检测出差错为止。即，在差错校正处理中，对于成为该校正的对象的范围(地址或比特位置)，能够根据数据的差错模式等来进行适当的设定。
<实施方式11>
图36表示实施方式11，是表示使用便携式标签读写器20A来从RFID标签70C获得所述ID数据时的处理内容的流程图。
标签读写器20A能进行对存在于其通信区域中的多个RFID标签70C进行识别的同时读取处理。在实施方式11中，举例说明同时读取分别粘贴在所述设备27中搬入、搬出的多个物品27c上的RFID标签70C。另外，对于ID数据，如前所述以不能被改写的方式存储在所述TID存储区域200(参照图16)中，另一方面，ID数据的冗余数据存储在所述冗余区域220的专用区域(ID数据用的冗余区域)中。该ID数据用的冗余数据包含在将ID数据的各比特所示的1，0的值中的任何一个值设为01、将另一个值设为10来进行编码后的比特对中的另一个比特R(即，图18中，以[ID]DR来表示的反转数据DR)。另外，冗余数据包含用于校正例如ID数据的反转数据DR的差错的第一差错检测码(图18中，以[ID]ER表示)。然后，在同时读取多个RFID标签70C时，RW侧控制部82从各RFID标签70C中的标签侧存储部72C的TID存储区域200分别读出ID数据(步骤J1)。此外，尽管接下来着重说明一个RFID标签70C，但是实际上对各RFID标签70C都分别执行步骤J1～J6。
RW侧控制部82在所述步骤J1之后，从标签侧存储部72C的所述冗余区域读出ID数据的反转数据DR和第一差错检测码ER(步骤J2)，对于ID数据和反转数据DR，对每个相对应的比特进行逻辑和运算。然后，对于该运算结果，在各比特中都不包含1的情况下(步骤J3：是)，进行与反转数据DR相关的校正处理(步骤J4)。在这种情况下，对判断为存在差错的比特对R依次代入0或1(代入数据)，对于代入了该代入数据的反转数据DR，基于第一差错检测码ER进行差错检测处理。由此，进行差错校正处理直至不再基于代入数据和第一差错检测码ER而检测出差错，从而能够对到2比特为止的差错获得正确的反转数据DR。将该差错校正处理后的反转数据DR写入标签侧存储部72C(步骤J5)，对于使反转数据DR反转后获得的数据，在标签读写器20A中将其用作原来的ID数据，并基于该ID数据来开始各种处理(步骤J6)。
对于在步骤J3中所检测出的错误，可能是从TID存储区域200中读出的ID数据中存在差错，也有可能是在从冗余数据区域读出的其反转数据DR侧中存在差错。在前者的情况下，用户不能改写TID存储区域200，因此，在步骤J4中进行与反转数据DR相关的校正处理。然后，无论差错存在于前者的数据中还是后者的数据中，不使用从TID存储区域200中读出的ID数据作为ID数据，而使用将反转数据DR进行反转后获得的数据作为ID数据。
如上所述，RW侧控制部82对于从标签侧存储部72C读出的ID数据，基于其冗余数据DR、ER进行差错检测处理，因而，对于ID数据，也能获得与实施方式7相同的效果。另外，ID数据与RFID标签70C中的其它数据(例如产品代码等识别消息)相关联，因此，通过基于冗余数据DR、ER进行差错校正处理，从而能够使差错校正处理后的ID数据与其他数据相对应，能够无障碍地实施各种处理。此外，ID数据的冗余数据不限于比特对R或第一差错检测码ER，还能基于上述各种冗余数据来进行差错检测处理及差错校正处理。
另外，与实施方式11相同，对于以下的实施方式12之后的实施方式，也能基于各种冗余数据来进行差错检测处理及差错校正，因此，对于基于所述冗余数据的差错检测处理及差错校正处理，省略冗余数据的标号等，并省略其详细说明。
<实施方式12>
图37～图39表示实施方式12。图37示出了图15(a)所示的RFID标签70A中的存储部72A的映射图中所示出的三种差错校正程序、即主差错校正程序、副差错校正程序、及简单差错校正程序分别进行差错校正的对象。主差错校正程序进行差错校正的对象是数据区域101、以及除自身以外的一般程序区域102、副差错校正程序区域104、及简单差错校正程序区域105，副差错校正程序区域进行差错校正的对象仅为主差错校正程序区域103。
主、副差错校正程序是内容完全相同的程序，在起动时的初始设定中，进行将一个程序定为主差错校正程序而将另一个程序定为副差错校正程序来进行动作的指定，从而决定进行差错校正的区域(地址的范围)。主、副差错校正程序对程序区域102～105的各程序执行与上述各实施方式中对数据区域101的数据所执行的差错检测、差错校正相同的处理。
另外，简单差错校正程序进行差错校正的对象是主差错校正程序区域103及副差错校正程序区域104。在执行主差错校正程序或副差错校正程序的结果为在执行中检测出本身的程序中存在差错的情况下，起动简单差错校正程序，从而通过将不存在差错的校正程序的对应的地址中的内容复制到存在差错的那个校正程序中检测出差错的地址中，来进行修复。各程序在例如多任务OS(操作系统)上进行动作，该多任务OS进行任务切换，从而切换各程序的执行状态。
接着，参照图38及图39说明实施方式12的作用。图38是表示主差错校正程序或副差错校正程序的处理内容的流程图。若利用任务切换来指定主差错校正程序或副差错校正程序中的任一差错校正程序并进行起动(步骤K1)，则根据主差错校正程序或副差错校正程序来分别获得成为校正对象的地址区域(步骤K2)。此处，一并读出设为校正对象的各程序区域102～105或数据区域101、和相对应的冗余数据的区域。然后，在校正对象为数据区域101的情况下(步骤K3：否)，进行差错校正处理(步骤K7)。此处，若没检测出差错(步骤K8，否)，则返回步骤K2。
另一方面，若在步骤K3中校正对象为程序区域101～105中的任一个(是)，且不是其本身的程序区域(步骤K4：否)，则进行校正，因此，对是否是需要使动作停止的程序进行判断(步骤K5)。即，在主差错校正程序进行动作的情况下，对是否是一般程序或副差错校正程序进行判断，在副差错校正程序进行动作的情况下，对是否为主差错校正程序进行判断。若为上述这些程序(是)，则停止起动该程序(步骤K6)。此外，对于步骤K5、K6的处理，在例如多个CPU等的结构中，在可能并行执行多个程序的情况下，是必要的处理，在单个CPU中执行任务切换的情况下，不是必要的处理。
然后，基于执行步骤K7的结果，若检测出差错(步骤K8：是)，则判断校正对象是否是主差错校正程序或副差错校正程序(步骤K9)，若校正对象是数据区域101(否)，则基于冗余数据进行差错校正处理(步骤K15)。另一方面，在校正对象为主差错校正程序或副差错校正程序的情况下(是)，则判断是否能基于冗余数据进行通常的校正处理(步骤K10)，若判断为可能(是)，则转移至步骤K15。此外，对各程序准备的冗余数据与数据区域10的数据相同，是比特对、奇偶校验码、多重化数据、及差错检测码等，也能以与数据区域101的数据相同的方式来执行差错检测及差错校正。
在步骤K10中，若判断为不能对主差错校正程序或副差错校正程序进行通常的校正处理(否)，则对于自身程序，基于冗余数据进行差错检测处理(步骤K11)。然后，若不存在差错(步骤K12：否)，则将与自身程序相对应的地址中的内容写入在步骤K8中所检测的对象程序的差错检测地址中，以进行复制(步骤K13)。另一方面，若存在差错(是)，则起动简单差错校正程序(步骤K14)。
图39是表示简单差错校正程序的处理内容的流程图。首先，若对主差错校正程序检测出发生了差错的地址(步骤L1)，则检测与该地址相对应的副差错校正程序的地址中的内容(步骤L2)。此外，对于步骤L1中的地址检测，在例如由步骤K12检测出差错的情况下，主差错校正程序或副差错校正程序也可将该地址值写入规定的区域来进行存储，由简单差错校正程序对该区域进行读取。另外，对于主差错校正程序，简单差错校正程序也可基于冗余数据来重新进行差错检测。
接着，在步骤L3中，若副差错校正程序的相对应的地址中的内容不存在差错(否)，则将该地址的内容复制到主差错校正程序的发生差错的地址中，以修复主差错校正程序(步骤L4)。对于之后的步骤L5～L8，是在步骤K12中检测出副差错校正程序侧存在差错的情况下、利用相对应的主差错校正程序的地址中的内容来修复副差错校正程序的处理。在步骤L3，L7中，在副差错校正程序、主差错校正程序中存在差错的情况下(是)，不能修复对方一侧的程序，因此，结束处理。
此处，在RFID标签70A被配置在暴露于放射能或宇宙射线等辐射环境或高温环境下的情况下，对于配置于存储部72A的存储区域102～105的各程序，也会以与配置在数据区域101中的数据发生差错的概率相等的概率发生差错。此处，在实施方式12中，如上所述，主差错校正程序、副差错校正程序、简单差错校正程序进行动作，因此，尝试在一般程序中发生差错的情况下进行校正、修复。即，若在一般程序、副差错校正程序、及简单差错校正程序中发生差错，则利用主差错校正程序对该差错进行校正，若在主差错校正程序中发生差错，则利用副差错校正程序对该差错进行校正。
而且，在主差错校正程序、副差错校正程序中的一个差错校正程序中发生了不能用冗余数据来进行校正的差错、且在另一个差错校正程序中也发生了差错的情况下，起动简单差错校正程序，若能够利用另一个差错校正程序的未发生差错的部分进行修复，则将该部分复制到一个差错校正程序一侧来尝试进行修复。主差错校正程序、副差错校正程序是内容相同的程序，两者在相当于相同的程序步骤的地址中同时发生差错的概率极低。因而，能利用这些作用来进行三重差错校正。
此处，对于作为程序来执行的目标代码是比特对F，R的单侧、即与将0设为01、将1设为10的原程序相同的值的那一侧。
由此，根据实施方式12，在RFID标签70A中的存储部72A中，配置有一般程序、以及主差错校正程序、副差错校正程序、及简单差错校正程序，在数据区域101中，配置有用于对上述各程序进行差错校正的冗余数据。然后，主差错校正程序对一般程序、副差错校正程序、及简单差错校正程序中发生的差错进行校正，副差错校正程序对主差错校正程序中发生的差错进行校正，在主差错校正程序、副差错校正程序中的一个差错校正程序中发生不能用冗余数据来进行校正的差错、且另一方差错校正程序中也发生差错的情况下，利用简单差错校正程序来将主差错校正程序、副差错校正程序中未发生差错的部分复制到另一个差错校正程序，以进行修复。因而，即使RFID标签70A被配置在暴露于放射能或宇宙射线等辐射环境下或高温环境下，也能以极高的概率校正一般程序中发生的差错。
此外，对于上述差错检测、差错校正处理，在标签读写器20A中，对于图15(b)所示的存储部83的程序区域303～305也配置有同样的主差错校正程序、副差错校正程序、简单差错校正程序，因此，也能对程序区域302～305及数据区域301进行相同的处理。
<实施方式13>
图40及图41表示实施方式13。图40是相当于图17(a)的图，这里，示出主数据区域210、以及用以代替第一差错检测码(第一冗余数据)区域221的第三冗余数据区域223，并对使用不同于第一差错检测码E、第二差错检测码F，G的第三差错检测码数据的情况进行说明。图40及图41所示的各比特的图示模式(加阴影等)表示相同模式的比特属于相同的比特列的情况。
例如在图40中，每增加1个地址，就使比特位置逐一偏移1比特来获得比特，从而构成组合了8比特的比特列，对于该8比特数据，附加4比特的差错检测码(第三差错检测码)。例如，数据D0，0、D1，1、D2，2、～D7，7属于同一比特列，对于该比特列，同样地，每增加1个地址，就使比特位置偏移1比特来进行排列，从而生成冗余数据E0，0、E1，1、E2，2、E3，3。另外，对于从第2比特数据D0，1开始的比特列，末尾的比特为第1比特的数据D，0，对于从第3比特的数据D0，2开始的比特列，第7比特为第1比特的数据D6，0，末尾的比特为第2比特的数据D7，1。
在图41中，每增加2个地址，就使比特位置逐一偏移1比特来获得比特，从而构成组合了8比特的比特列。例如，数据D0，0、D2，1、D6，3、D0，4、D2，5、D4，6、D6，7属于同一比特列，对于该比特列，同样地，每增加2个地址，就使比特位置逐一偏移1比特来进行排列，从而生成冗余数据E0，0、E2，1、E4，2、E6，3。即，虽说“每次增加地址”，但其范围也由1个字数据的比特数所限制，从获得最初的比特的地址起不会超过“+7”，将超过“+7”的量返回减去“8”后的地址。
对于构成用于附加第三差错检测码的比特列的模式，并不限于图40，图41所示的模式。也能是例如每增加1个地址、就使比特位置逐一偏移2比特或逐一偏移3比特而获得的比特。
另外，在图40、图41中，为了方便说明，将第三冗余数据区域223置换为图17(a)所示的第一冗余数据区域221来进行表示，但是，实际上第三冗余数据区域223与第一冗余数据区域221是互不相同的数据区域且独立存在，因此，第三差错检测码能与第一差错检测码、第二差错检测码一并使用以用于检测差错。然后，对于第三冗余数据223，无需与相对应的比特列采用相同的排列，也可以例如与第一差错检测码采用相同的排列。
如上所述，根据实施方式13，对于每增加一个地址就使比特位置逐一偏移1比特以上而构成的比特列，附加第三差错检测码。由此，在数据区域210中，对于通常的数据排列，即使发生差错连续的丛集差错，也能对上述比特列减少发生差错的比特数。因而，若基于第三差错检测码来进行差错检测，以校正差错，则能够提高能校正更多差错的可能性。
本发明并不仅限于上述所记载的并记载于附图的实施方式，对于上述数据管理方法，还能适用于包括由控制部进行数据的读取及写入的非易失性存储单元的各种存储装置。
上述实施方式的标签读写器20采用对从标签侧存储部72C读出的数据进行差错检测处理和差错校正处理的结构，但是，也能对其自身的存储部83所涉及的数据进行差错检测处理和差错校正处理。即，对于标签读写器20，也设想作为内置存储部83的设备侧存储单元会用于所述数据错误频繁发生的环境，因此，使其存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据。然后，作为冗余数据使用与上述实施方式相同的比特对等，来进行差错检测处理和差错校正处理，从而对于标签读写器20，也能够防止数据错误的发生并使其正常起作用。
另外，在存储部83中，对于用于校正所述主差错校正程序、副差错校正程序、及用于校正这些差错校正程序的差错的冗余数据等，能由用于使标签读写器20本身正常起作用的数据构成。由此，与RFID标签70C相同，也能提高标签读写器20的可靠性。
此处，例如在接通便携式标签读写器20A的电源时，控制部82采用以下结构：即，对于从存储部83读出的数据中的至少由该控制部82执行的控制程序，基于该冗余数据进行差错检测处理。由此，即使在存储部83中发生数据错误，也能在执行控制程序之前，优先检测出该程序的差错，来进行校正，从而能够正常地起动。
另外，在接通主动型RFID标签70A的电源时，控制部71A采用以下结构：即，对于从自身的存储部72A读出的数据中的至少由该控制部71A执行的控制程序，基于该冗余数据进行差错检测处理。由此，在RFID标签70A中，与上述相同，也能在执行控制程序之前，优先检测出该程序的差错，来进行校正，从而能够正常地起动。
例如除了所述RFID标签70C之外，还包括其他RFID标签70C，将比特对F，R中的一个比特F写入一个RFID标签70C的标签侧存储部72C，将另一个比特R写入另一个RFID标签70C的标签侧存储部72C。然后，RW侧控制部82从两个标签侧存储部72C、72C读出数据，从而基于比特对F，R进行差错检测处理。由此，在一个标签存储部72C中存储原来的数据，将对该数据进行反转后获得的反转数据存储在另一个标签侧存储部72C中，因此，能使用一对RFID标签70C来获得与实施方式7相同的效果。
根据RFID标签70的种类70A～70C和标签读写器20的种类20A、20B的各种组合(参照图13)，RFID标签70A侧构成主体，或标签读写器20A、20B侧构成主体，执行上述各种处理，从而能提供一种能对RFID标签70和标签读写器20这两者都提高可靠性的数据管理方法。
另外，除了所述汉明码之外，也能使用扩展Golay码来进行差错检测处理，或进行差错校正处理。具体而言，例如对于12比特的主数据，将错误校正用比特数设为12来形成置换为24比特的码字的扩展Golay码。在这种情况下，能够进行适当的设定，使得具有7比特差错检测功能、或4比特差错检测功能及3比特差错校正功能等。由此，相比汉明码，需要更多的存储空间，但是能提高差错检测功能或差错校正功能。
在所述读取处理中，也能省略上述步骤D1～D3的处理。
在实施方式1～实施方式9中，所述层叠体的结构能根据各实施方式的RFID标签使用的放射线的水平等来进行改变。在这种情况下，作为屏蔽构件，也可以为箔状、板状、块状，作为层叠体2，也能不分为第一层叠部5和第二层叠部6，而是构成例如层叠结构来收容整个RFID电路4的袋状的收纳体。作为构成该收纳体的材料，使用不妨碍屏蔽放射线效果的所述热塑性树脂那样的软质材料，或使用具有作为介质的性质的材料等，还能将该收纳体应用于现有的RFID标签。另外，在上述层叠体2或收纳体等层叠结构中，设有软磁性层等，从而能构成为金属应对标签。即，在将RFID标签直接设置于金属制的物品的情况下，可能会受到该金属的影响而导致通信距离降低或不进行动作，但是通过在例如层叠体2中形成软磁性层或相对应金属制物品的间隔层等，从而能够确保充分的通信距离。
在所述中子被屏蔽构件吸收时，考虑存在瞬时放出γ射线的情况，不仅在中子射线用屏蔽构件的内侧配置γ射线用屏蔽构件，还在其外侧配置γ射线用屏蔽构件等，还可以改变层叠结构或层叠数、尺寸等。另外，对于本实施方式的RFID标签，能相对于构成上述各种层叠结构的层叠体采用主动型或被动型的结构，并不限于上述实施方式中的层叠体2与主动型及被动型的组合。对于实施方式2及实施方式3的孔部31及36，也可以根据传感器部12的种类等来改变孔部31，36的形状、位置、大小等，使得不损害屏蔽构件7，8对放射线的屏蔽功能。
另外，如实施方式2及实施方式3那样，对于直接或间接粘贴到发热体的RFID标签，也能采用使用热电偶作为电源来替代电池13以进行供电的结构。即，对RFID标签设置功率转换电路，该功率转换电路将由热电偶产生的起电力转换用于对RFID标签进行供电的功率，以提供给RFID标签，将热电偶的一个连接点配置于该供电侧，将另一个连接点配置于外部的发热体(例如，图8(b)的配管27a等发热体)。然后，通过将RFID标签配置在例如所述绝热材料27b的外周部，从而能够利用发热体与RFID标签之间的温度差(热电偶的塞贝克效应)进行供电。
对于各RFID标签70A～70C中的任一个RFID标签，都能适用实施方式1～实施方式9中的任一个实施方式的层叠体。另外，对于标签读写器20A、20B中的任一个标签读写器，也都能适用实施方式1～实施方式9中的任一个实施方式的层叠体。即，相对于例如标签读写器20的基板81，以覆盖读写电路86的方式设置第一层叠部5的屏蔽构件7，8。在这种情况下，设置天线20a，使其不被第一层叠部5所覆盖，而能与外部进行通信。即，对于读写电路86，与实施方式1～实施方式9的RFID电路相同，也以被所述屏蔽构件所覆盖的方式配置在所述层叠体内，从而能获得相对于放射线的较好的屏蔽效果。
另外，本发明的多个实施方式一般能适用于电子设备或存储装置，该电子设备或存储装置包括：像RFID电路4或读写电路86这样的控制电路；以及与该控制电路进行电连接的天线。即，在电子设备或存储装置中，对于所述控制电路，将其以被屏蔽构件所覆盖的方式配置到层叠体内。然后，电子设备或存储装置只要包括非易失性存储单元和控制部即可，所述非易失性存储单元内置于所述控制电路，存储有数据及用于与程序一起对该数据等的差错进行校正的所述冗余数据，所述控制部内置于所述控制电路，控制对所述非易失性存储单元进行的数据读取及写入。因而，作为电子设备或存储装置，不限于具有主设备与从属设备的关系的RFID标签及标签读写器，在个人电脑及其他通信设备等中，同时具有由所述层叠体所产生的对放射线的较高的屏蔽功能、以及基于所述冗余数据的差错校正功能，从而能极力抑制数据错误的发生。此外，在电子设备及存储装置中，只要具有由所述层叠体所产生的屏蔽功能和所述差错校正功能中的任意一种功能，就能在放射线环境下抑制数据错误的发生。
作为所述层叠体，还能含有用于屏蔽质子射线的质子射线用屏蔽构件。在这种情况下，质子射线用屏蔽构件能使用例如钨等材料，以采用与上述屏蔽构件一起构成层叠构件的结构。根据该质子射线用屏蔽构件，特别能对宇宙射线即由范艾伦辐射带”(Van Allen Belt)所捕捉的质子射线进行屏蔽。因而，能够适用于航空、宇宙产业等中的各种电子设备或存储装置，对宇宙射线也能获得较高的屏蔽效果。
上述实施方式及其变形均包含在发明的范围和要旨中，同样，包含在专利权利要求所记载的发明及其等同范围内。

Claims (52)

1.一种RFID标签，包括：
构成层叠结构的层叠体；
相对于所述层叠体配设成可与外部进行通信的天线；以及
与所述天线进行电连接的RFID电路，其特征在于，
所述层叠体具有屏蔽放射线的屏蔽构件，以用所述屏蔽构件覆盖所述RFID电路的方式将所述RFID电路配置在该层叠体内。
2.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，
所述层叠体包括：作为所述屏蔽构件来屏蔽γ射线的γ射线用屏蔽构件；以及屏蔽中子射线的中子射线用屏蔽构件。
3.如权利要求2所述的RFID标签，其特征在于，
根据放射线线量，并根据所述屏蔽构件的材料的不同，来设定所述层叠体中的所述屏蔽构件的厚度。
4.如权利要求1至3的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
将所述天线设置于所述屏蔽构件的外侧。
5.如权利要求1至4的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述层叠体包括：
第一层叠部，该第一层叠部从上侧与下侧夹住所述RFID电路，并沿上下方向层叠而成；以及
第二层叠部，该第二层叠部围住所述RFID电路的侧面，且沿不同于第一层叠部的层叠方向的方向层叠而成。
6.如权利要求1至5的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述层叠体的各屏蔽构件为片材状，利用对这些片材状的屏蔽构件进行结合的结合单元来将其构成一体。
7.如权利要求1至6的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述层叠体至少构成为由所述屏蔽构件进行多层层叠而形成的多层基板，在该多层基板内收纳配置有所述RFID电路。
8.如权利要求7所述的RFID标签，其特征在于，
根据放射线线量，并根据所述屏蔽构件的材料的不同，来设定所述多层基板中的所述屏蔽构件的层叠数。
9.如权利要求7或8所述的RFID标签，其特征在于，
使用与放射线的能量相对应的材料来构成所述层叠体中的所述屏蔽构件的各层。
10.如权利要求7至9的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述RFID标签是在所述多层基板中内置有电源的主动型。
11.如权利要求10所述的RFID标签，其特征在于，
在所述多层基板上配置对外部环境进行检测的检测单元。
12.如权利要求11所述的RFID标签，其特征在于，
所述检测单元由放射线传感器或使用光学单元的传感器构成，配置在所述多层基板内，
在所述多层基板中的离开所述RFID电路的位置上配置有使所述检测单元露出的孔部。
13.如权利要求11所述的RFID标签，其特征在于，
所述检测单元包括：热传导部，该热传导部的热传导率高于所述屏蔽构件；以及温度传感器，该温度传感器配置于所述多层基板内，与所述热传导部相接触并检测该热传导部的温度，
设置所述热传导部，使其从所述多层基板露出或从所述温度传感器向外部延伸。
14.如权利要求1至9的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述RFID标签是将从外部通过所述天线接收到的电波作为能量源来进行动作的被动型。
15.如权利要求1至9的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
所述RFID标签包括插入物，该插入物在基材上具有所述天线和所述RFID电路，
配设所述层叠体，使得用所述基材覆盖所述RFID电路的至少一面。
16.如权利要求2至15的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
在所述层叠体中，作为构成所述γ射线用屏蔽构件的材料，包含铅、铅化合物、钨、及钨化合物中的至少一种。
17.如权利要求2至16的任一项所述的RFID标签，其特征在于，
在所述层叠体中，作为构成所述中子射线用屏蔽构件的材料，包含硼、硼化合物、钆、钆化合物、镉、镉化合物中的至少一种。
18.一种数据管理系统，
用于管理在主设备和从属设备之间通过无线通信单元来以非接触的方式进行通信的数据，其特征在于，
所述从属设备包括：非易失性存储单元，该非易失性存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据；以及从属设备侧控制部，该从属设备侧控制部对整个该从属设备进行控制，
所述主设备包括主设备侧控制部，该主设备侧控制部控制通过所述无线通信单元的数据的读出及写入，
利用所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部，基于所述冗余数据，对从所述非易失性存储单元中读出的数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的任意一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在所述差错检测处理中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值为0，则判断为所述比特对中存在差错。
19.如权利要求18所述的数据管理系统，其特征在于，
所述比特对中的一个比特和另一个比特存储在所述非易失性存储单元中的互不相同的地址中的相同的比特位置。
20.如权利要求18或19所述的数据管理系统，其特征在于，
所述冗余数据包括对每个数据所生成的第一差错检测码、和对所述数据的每个相同比特位置所生成的第二差错检测码中的至少一种差错检测码，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部具有能够执行基于所述比特对的差错检测处理、和基于所述差错检测码的差错检测处理的结构。
21.如权利要求20所述的数据管理系统，其特征在于，
若所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部基于构成所述比特对的两个的比特的逻辑和运算检测出差错，则对该检测出差错的所述比特对代入数据0，1(将它们称为代入数据)，基于所述差错检测码来进行差错检测处理，并进行差错校正处理直至不再检测出差错。
22.如权利要求21所述的数据管理系统，其特征在于，
若所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部基于构成所述比特对的两个比特的逻辑和运算而检测出差错，则执行以下处理：
第一差错校正处理，该第一差错校正处理对检测出差错的每个地址基于所述代入数据和所述第一差错检测码来进行差错校正处理，直至不再检测出差错；以及
第二差错校正处理，该第二差错校正处理对相同比特位置的每一列基于所述代入数据和所述第二差错检测码来进行差错校正处理，直至不再检测出差错。
23.如权利要求20至22的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述差错检测码包含第三差错检测码，该第三差错检测码是对以下比特列生成的，所述比特列是将地址以一个地址以上的一定模式进行偏移并将比特位置以1比特以上的一定模式进行偏移而形成的。
24.如权利要求20至23的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述冗余数据包括作为将所述差错检测码的各比特所示的0，1的值中的任意一个值设为01、将另一个值设为10的差错检测码用的比特对来进行编码后的数据，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部基于对构成所述差错检测码用的比特对的两个比特进行的逻辑和运算，在判断为所述差错检测码中存在差错的情况下，基于附加有该差错检测码的原来的数据来生成新的差错检测码。
25.如权利要求1至7的任一项所述的权利要求18至24的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在将数据写入所述非易失性存储单元时，读出除写入该数据的地址以外的所有地址的数据，基于所述冗余数据来进行差错检测处理和差错校正处理。
26.如权利要求25所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在对所述读出数据进行差错校正处理的情况下，将校正后的数据写入所述非易失性存储单元。
27.如权利要求18至26的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述非易失性存储单元中在多个不同区域中写入相同数据来对数据进行多重化，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在进行多重化后的多个数据间对相应的每个比特根据假定的数据的差错模式来进行逻辑运算，对于基于该运算而获得的比特列，基于所述冗余数据来进行差错检测处理，若差错检测处理的结果为未检测出差错，则判断为该比特列的数据为正确的数据。
28.如权利要求27所述的数据管理系统，其特征在于，
所述冗余数据包括对数据的每个地址所生成的第一差错检测码、和对每个相同比特位置所生成的第二差错检测码中的至少一种差错检测码，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部基于所述比特对和所述差错检测码来进行差错检测处理及差错校正处理，若在该校正处理后的数据中存在差错，则在进行多重化后的多个数据间对每个相对应的比特进行逻辑和运算。
29.如权利要求18至28的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述冗余数据含有奇偶校验码，该奇偶校验码是相对于构成数据的各比特，对应于相互相邻的该比特的组合而附加的，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在所述差错校正处理中，基于所述相互相邻的比特中的不存在差错的比特的数据和所述奇偶校验码，来校正比特的差错。
30.如权利要求18至29的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述非易失性存储单元中存储有所述从属设备固有的ID数据、以及该ID数据的冗余数据，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部对从所述非易失性存储单元读出的ID数据基于其冗余数据来进行差错检测处理。
31.如权利要求30所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在对于所述ID数据检测出差错的情况下，基于所述冗余数据进行差错校正处理。
32.如权利要求18至31的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部在从所述非易失性存储单元读出数据的情况下，反复读出数据，直至对相同地址至少连续两次读出相同的数据。
33.如权利要求18至32的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部或所述主设备侧控制部每隔预先设定的规定时间从所述非易失性存储单元中读出数据。
34.如权利要求33所述的数据管理系统，其特征在于，
将所述规定时间设定为比在放射线环境或高温环境等特殊环境下、在所述非易失性存储单元中因放射线照射或温度特性等而导致数据破坏的时间要短的时间。
35.如权利要求18至34的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备内置有用于其自身进行动作的电源，
所述从属设备侧控制部在每隔预先设定的规定时间、或在无其他优先处理时，进行从所述非易失性存储单元中读出数据的处理。
36.如权利要求35所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部在从所述主设备通过所述无线通信单元接收到写入用数据时，基于该接收到的数据来生成冗余数据，并将其与所述数据一起写入到所述非易失性存储单元，在通过所述无线通信单元向所述主设备发送数据时，基于附加于该所发送的数据的冗余数据来进行差错检测处理和差错校正处理，从而发送无差错的数据。
37.如权利要求35或36所述的数据管理系统，其特征在于，
所述非易失性存储单元中存储有：
由所述从属设备侧控制部执行的用于使所述从属设备起作用的控制程序、及用于校正该控制程序的差错的冗余数据；以及
主校正程序、副校正程序、及对这些校正程序的差错进行校正的冗余数据，
所述主校正程序及所述副校正程序是互相相同的程序，
所述主校正程序将除自身以外的程序及数据设为进行差错检测处理及差错校正处理的对象，所述副校正程序将包含所述主校正程序的数据设为进行差错检测处理及差错校正处理的对象。
38.如权利要求37所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部在所述主校正程序和所述副校正程序中的一个校正程序中检测出差错的情况下，在判断为不能基于冗余数据进行差错校正处理、且在另一个校正程序中不存在差错时，向一个校正程序的检测出差错的地址写入另一个校正程序的相对应的地址的内容，从而校正差错。
39.如权利要求37或38所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备侧控制部在所述主校正程序和所述副校正程序中的一个校正程序中检测出差错的情况下，在判断为不能基于冗余数据进行差错校正处理、且在另一个校正程序中也存在差错时，基于简单差错校正程序来在校正程序相互之间校正差错，所述简单差错校正程序在另一个校正程序的相对应的地址的内容不存在差错时，将该地址的内容复制到一个校正程序的检测出差错的地址。
40.如权利要求37至39的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
在接通所述从属设备的电源时，所述从属设备侧控制部对从所述非易失性存储单元中读出的数据中的至少由该从属设备侧控制部所执行的控制程序基于其冗余数据来进行差错检测处理。
41.如权利要求18至40的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述数据管理系统除所述从属设备之外，还具有其他从属设备，
将所述比特对中的一个比特写入一个从属设备的非易失性存储单元，将另一个比特写入另一个从属设备的非易失性存储单元，
所述主设备侧控制部从两个所述非易失性存储单元中读出数据，从而基于所述比特对来进行差错检测处理。
42.如权利要求18至41的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述主设备包括用于存储数据的非易失性的主设备侧存储单元，
在所述主设备侧存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述主设备侧控制部对从所述主设备侧存储单元读出的数据进行差错检测处理，该差错检测处理在构成所述比特对的两个比特的值都为0时，判断为所述比特对中存在差错。
43.如权利要求42所述的数据管理系统，其特征在于，
所述主设备侧存储单元中存储有：
由所述主设备侧控制部执行的控制程序、及用于校正该控制程序的差错的冗余数据；以及
主校正程序、副校正程序、及对这些校正程序的差错进行校正的冗余数据，
所述主校正程序及所述副校正程序是互相相同的程序，
所述主校正程序将除自身以外的程序及数据设为进行差错检测处理及差错校正处理的对象，所述副校正程序将所述主校正程序设为进行差错检测处理及差错校正处理的对象。
44.如权利要求42或43所述的数据管理系统，其特征在于，
在接通所述主设备的电源时，所述主设备侧控制部对从所述主设备侧存储单元中读出的数据中的至少由该主设备侧控制部所执行的控制程序基于其冗余数据来进行差错检测处理。
45.如权利要求18至44的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述从属设备是RFID标签。
46.如权利要求18至45的任一项所述的数据管理系统，其特征在于，
所述主设备是标签读写器。
47.一种RFID标签，
所述RFID标签包括天线，该天线用于在自身与外部的电子设备间以非接触的方式进行来对数据进行通信，其特征在于，
所述RFID标签包括：非易失性存储单元，该非易失性存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据；以及控制部，该控制部对整个该RFID标签进行控制，
所述RFID标签采用以下结构：即，利用所述控制部，基于所述冗余数据，对从所述非易失性存储单元中读出的数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述控制部在所述差错检测处理中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值为0，则判断为所述比特对中存在差错。
48.一种标签读写器，
所述标签读写器包括天线，该天线用于在自身与RFID标签之间以非接触的方式来对数据进行通信，所述RFID标签具有存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据的非易失性存储单元，其特征在于，
所述标签读写器包括控制部，该控制部控制通过所述天线对所述非易失性存储单元进行的数据的读取及写入，
所述标签读写器采用以下结构：即，利用所述控制部，基于所述冗余数据，对从所述非易失性存储单元中读出的数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述控制部在所述差错检测处理中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个值为0，则判断为所述比特对中存在差错。
49.一种数据管理方法，
用于管理由控制部进行数据的读取及写入的非易失性存储单元中的数据，其特征在于，
在所述非易失性存储单元中存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述数据管理方法包括以下步骤：利用所述控制部、对从所述非易失性存储单元中读出的数据基于所述冗余数据进行差错检测处理的步骤；以及
在该差错检测处理中检测出差错的情况下、利用所述控制部进行差错校正处理的步骤，
所述控制部在进行所述差错检测处理的步骤中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值为0，则判断为所述比特对中存在差错。
50.一种RFID标签，
所述RFID标签包括天线，该天线用于在自身与外部的电子设备间以非接触的方式来对数据进行通信，其特征在于，包括：
构成层叠结构的层叠体；
相对于所述层叠体配设成可与外部进行通信的所述天线；
与所述天线进行电连接的RFID电路；
内置于所述RFID电路、存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据的非易失性存储单元；以及
内置于所述RFID电路、对整个该RFID进行控制的控制部，所述层叠体具有对放射线进行屏蔽的屏蔽构件，以用所述屏蔽构件覆盖所述RFID电路的方式将所述RFID电路配置在该层叠体内，
所述RFID标签采用以下结构：即，利用所述控制部，基于所述冗余数据，对从所述非易失性存储单元中读出的数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述控制部在所述差错检测处理中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值为0，则判断为所述比特对中存在差错。
51.一种标签读写器，
所述标签读写器包括天线，该天线用于在自身与RFID间以非接触的方式来对数据进行通信，其特征在于，包括：
构成层叠结构的层叠体；
相对于所述层叠体配设成可与外部进行通信的所述天线；
与所述天线进行电连接的读写电路；
内置于所述读写电路、存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据的非易失性存储单元；以及
内置于所述读写电路、控制相对于所述非易失性存储单元的数据的读取及写入的控制部，所述层叠体具有对放射线进行屏蔽的屏蔽构件，以用所述屏蔽构件覆盖所述读写电路的方式来将所述读写电路配置到该层叠体内，
所述标签读写器采用以下结构：即，利用所述控制部，基于所述冗余数据，对从所述非易失性存储单元中读出的数据进行差错检测处理，在该检测处理中检测出差错的情况下，进行差错校正处理，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述控制部在所述差错检测处理中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值都为0，则判断为所述比特对中存在差错。
52.一种数据管理方法，该数据管理方法用于管理存储装置中的非易失性存储单元的数据，所述存储装置包括：
构成层叠结构的层叠体；
相对于所述层叠体配设成可与外部进行通信的所述天线；
与所述天线进行电连接的控制电路；
内置于所述控制电路、存储有数据及用于校正该数据的差错的冗余数据的所述非易失性存储单元；以及
内置于所述控制电路、控制相对于所述非易失性存储单元的数据的读取及写入的控制部，所述层叠体具有对放射线进行屏蔽的屏蔽构件，以用所述屏蔽构件覆盖所述控制电路的方式来将所述控制电路配置到该层叠体内，从而形成所述存储装置，所述数据管理方法的特征在于，
所述冗余数据包括作为将数据的各比特所示的0，1的值中的一个值设为01、将另一个值设为10的比特对来进行编码后的数据，
所述数据管理方法包括以下步骤：利用所述控制部、对从所述非易失性存储单元中读出的数据基于所述冗余数据来进行差错检测处理；以及
在该差错检测处理中检测出差错的情况下、利用所述控制部进行差错校正处理的步骤，
所述控制部在进行所述差错检测处理的步骤中，对于从所述非易失性存储单元中读出的数据，若构成所述比特对的两个比特值都为0，则判断为所述比特对中存在差错。
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