CN102560480B - 隔热材料及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 47
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 102000040350 B family Human genes 0.000 claims 2
- 108091072128 B family Proteins 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 48
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 48
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 46
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 38
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 22
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 20
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 19
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 halogen salt Chemical class 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical class [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 10
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J Tungsten(IV) chloride Inorganic materials Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- AIPOWKNDIGTUAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Cl].[W] Chemical compound [O].[Cl].[W] AIPOWKNDIGTUAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004573 morpholin-4-yl group Chemical group N1(CCOCC1)* 0.000 description 1
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical compound [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BGRYSGVIVVUJHH-UHFFFAOYSA-N prop-2-ynyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCC#C BGRYSGVIVVUJHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YXPHMGGSLJFAPL-UHFFFAOYSA-J tetrabromotungsten Chemical compound Br[W](Br)(Br)Br YXPHMGGSLJFAPL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明提供一种隔热材料的制造方法，包括：提供一含有第VIIIB族金属元素的氧化钨前驱溶液；干燥该氧化钨前驱溶液以形成一干燥的氧化钨前驱物；以及将该干燥的氧化钨前驱物在约100至500℃下以还原气体进行反应，以形成一复合氧化钨。本发明还提供一种隔热材料，包括：一具有碱金族或碱土族金属掺杂的复合氧化钨，如式MXWOY或MXWOYAZ，其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，A为卤素元素；以及一第VIIIB族金属元素。
Description
技术领域
本发明是涉及一种隔热材料及其制造方法，且特别是涉及一种红外光反射薄膜及其制造方法。
背景技术
为了提高玻璃强度，一般需将玻璃置于680℃至710℃的高温中(空气环境)进行强化加工处理。对于隔热玻璃而言，在高温空气下的强化过程中，很容易造成玻璃隔热涂层的性能降低。虽然可在隔热层表面涂一层保护层，以避免隔热层的氧化，但会因此增加工艺复杂性。
为了要避免玻璃高温强化工艺对隔热性能的影响，另一个方法为在玻璃强化处理后再进行隔热层的涂布。然而，玻璃强化后应避免再遭受300℃以上的高温，以避免强化玻璃的应力释放，进而失去强化的效果。
虽然复合氧化钨薄膜为已知具IR反射性的隔热材料，但一般形成的温度需大于500℃，无法适用于强化玻璃的隔热涂布后处理所需的低温工艺。
目前市售隔热玻璃商品以单银或双银低辐射玻璃为主，主要利用真空镀膜的方式在玻璃上溅镀包含银、介电层、保护层等材料形成多层膜。由于需使用昂贵的真空溅镀设备与多层制作的方式，使得其生产成本相对高昂，因此其贩售价格也居高不下。上述玻璃另外一个缺点在于银镀膜在空气中并不稳定。因此，银镀膜必须密封在充填惰性气体的双层玻璃内，以保护其银镀膜不被氧化。一旦双层玻璃中的惰性气体泄漏，就会失去隔热效能。而需要更换整片玻璃。
有鉴于此，业界极需一种低成本、高稳定性、工艺温度较低的红外线反射隔热薄膜。
发明内容
本发明的目的在于基本上克服现有技术的缺陷，提供一种成本低、稳定性高、工艺温度较低的隔热材料。
本发明的实施方式提供一种隔热材料的制造方法，包括：提供一含有第VIIIB族金属元素的氧化钨前驱溶液；干燥该氧化钨前驱溶液以形成一干燥的氧化钨前驱物；以及将该干燥的氧化钨前驱物在约100至500℃下以还原气体进行反应，以形成一复合氧化钨。
本发明的实施方式亦提供一种隔热材料，包括：一具有碱金族或碱土族金属掺杂的复合氧化钨，如式(1)所示：
MXWOY 式(1)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，且0＜X≤1，2.2≤Y≤3；以及一第VIIIB族金属元素。
本发明另一实施方式的隔热材料，包括：一具有碱金族或碱土族金属与卤素共掺杂的复合氧化钨，如式(2)所示：
MXWOYAZ式(2)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，A为卤素元素，且0＜X≤1，2.2≤Y+Z≤3，0＜Z≤0.2；以及一第VIIIB族金属元素。
本发明提供的隔热材料通过使用第VIIIB族金属催化剂可降低还原反应的温度，因而可在低工艺温度下形成透明的复合氧化钨薄膜，且仍然可达到隔热材料的高红外光反射能力，故可增加其应用性；且成本较低和稳定性及耐用性较佳。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1为在本发明一实施例中，加入第VIIIB族金属催化剂与未加入第VIIIB族金属催化剂的UV-VIS-IR光谱图；
图2为在本发明一实施例中，改变还原反应的温度对其红外光反射率的影响；
图3为在本发明一实施例中，改变还原反应的时间对其红外光反射率的影响；
图4为在本发明一实施例中，改变还原反应的时间、温度对其红外光反射率的影响；
图5、6为在本发明一实施例中，改变催化剂添加量对其红外光反射率的影响；
图7、8为在本发明一实施例中，改变催化剂种类对其红外光反射率的影响；
图9为在本发明一实施例中，加入第VIIIB族金属催化剂的XRD光谱图；
图10为在本发明一实施例中，未加入第VIIIB族金属催化剂的XRD光谱图；
图11为在本发明一实施例中，低温还原时的最佳红外光反射条件；
图12为在本发明一实施例中，加入卤素盐类对复合氧化钨薄膜的红外光反射率的影响。
具体实施方式
本发明的实施方式是通过导入第VIIIB族过渡金属催化剂来降低复合氧化钨薄膜的生成温度，使红外光反射涂层可以在500℃以下形成。以下将详述本发明较佳实施方式的复合氧化钨薄膜的制造方法。
在一实施方式中，首先将第VIIIB族过渡金属催化剂导入氧化钨前驱物与碱金族或碱土族的金属盐类混合溶液中，形成氧化钨前驱溶液。上述作为催化剂的第VIIIB族金属可以金属、金属氧化物或金属盐类的型式导入至前驱溶液中，例如：Pt、PtO2、H2PtCl6·H2O、H2PtCl6·6H2O、N2O6Pt、PtCl4、C4H6O4Pt、Ni、NiO、Ni2CO3、C4H6O4Ni·4H2O、NiCl2、H8N2NiO8S2·6H2O、NiCl2·6H2O、NiF2、NiBr2、NiCl6·6H2O、Rh、Rh2O3、RhCl3·H2O、N3O9Rh、C4H9O6Rh、Pd、PdO、H2O2Pd、N2O6Pd、PdBr2、C4H6O4Pd、PdCl2、或前述的组合。上述催化剂的添加量可为0.001至1％。
上述氧化钨前驱物可包括偏钨酸铵(ammonium metatungstate)、正钨酸铵(ammonium orthotungstate)、仲钨酸铵(ammonium paratungstate)、碱金族钨酸盐、钨酸、硅化钨、硫化钨、氯氧钨、醇氧钨、六氯化钨、四氯化钨、溴化钨、氟化钨、碳化钨、碳氧化钨、或前述的组合。
上述碱金族或碱土族盐类的通式为MpN，其中M为碱金族或碱土族元素，包括锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、或前述的组合，N为带负价的阴离子或阴离子团，0.5≤p≤12。其中，碱金族或碱土族盐类可包括碱金族或碱土族的碳酸盐、碳酸氢盐、硝酸盐、亚硝酸盐、氢氧化物、卤化盐、硫酸盐、亚硫酸盐、或前述的组合。上述氧化钨前驱物与碱金族或碱土族盐类的摩耳比例可介于约0.05至1，较佳可介于约0.2至0.8。
在一实施例中，可将氧化钨前驱物及碱金族或碱土族盐类加入去离子水中混合均匀，然后以有机碱、或无机碱将混合溶液调整至碱性，其pH値可大于7，较佳可介于约9至12，之后再加入第VIIIB族过渡金属催化剂(亦可先加催化剂再调整pH値)，便得到氧化钨前驱溶液。所使用的有机碱可包括有机胺类如二甲胺、三甲胺、哌啶(Piperidine)、吗啉(Morpholino)、三乙基胺、吡啶等；无机碱可包括氨水、碱金属及碱土金属的氢氧化物类、碳酸盐类、碳酸氢盐类等等，例如碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡等。
在本发明另一实施方式中，亦可形成含有卤素共掺杂的隔热材料。此时，在上述氧化钨前驱溶液的制备步骤中，可进一步添加卤素盐类。而后再将其涂布在基板上，烘干后形成薄膜。卤素盐类的添加量，可介于0.1至20mol％，较佳可介于1至15mol％。
上述卤素盐类的通式为PAq，其中A为卤素元素，包括氟、氯、溴或碘，P为带正价的阳离子或阳离子团，1≤q≤12。卤素盐类可包括卤化铵、有机铵盐、卤化碳、卤化氢、卤化钨、卤化苯、卤化芳香族、卤化烷、或前述的组合。
接着，将氧化钨前驱溶液涂布于基板上，此处的涂布方法可为各种湿式涂布，包括旋转涂布(spin coating)、铸模(casting)、棒状涂布(bar coating)、刮刀涂布(blade coating)、滚筒涂布(roller coating)、线棒涂布(wire bar coating)或浸渍涂布(dip coating)等。所使用的基板可包括玻璃基板、透明树脂基板、或前述的组合。在本发明一实施方式中，玻璃基板为强化玻璃。在本发明另一实施方式中，透明树脂基板可包括聚酯、聚酰亚胺树脂、压克力树脂、环氧树脂、硅酮树脂(silicone resin)、苯氧基树脂(phenoxy resin)、聚氨酯树脂(urethaneresin)、尿素树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS resin)、聚乙烯醇缩丁醛树脂(PVB resin)、聚醚树脂、含氟树脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰胺、淀粉、纤维素、前述的共聚物或前述的混合物等。
将完成涂布的基板置于烘箱中烘干，其温度可介于约25至200℃，时间约0.5至30min。所形成的薄膜可为焦绿石型结构(pyrochlore structure)，此时所形成的薄膜尚不具有红外光反射的效能。
干燥后的薄膜在还原气体中进行还原反应时，其温度可介于约100℃至约500℃，较佳可介于约250℃至约500℃。还原气体例如为氢气，其氢气含量约1至100％(vol)。还原时间可约10至480分钟，较佳约20至240分钟。还原后的薄膜的结构由焦绿石型结构(pyrochlore structure)转变为六角形结构(hexagonal structure)，所制得的薄膜可具有红外光反射的效能，且为透明薄膜。一般而言，进行还原反应的温度越高，还原反应所需的时间越短；反之，若要降低反应温度，则需延长反应的时间。故可依据基板特性，或其它工艺需求，调整还原反应的温度及时间，以整合在现有强化玻璃或其它透明基板的工艺。
由于传统复合氧化钨的生成温度需大于500℃，故无法适用于强化玻璃的隔热涂布后处理所需的低温工艺。然而，本发明实施方式藉由导入第VIIIB族过渡金属催化剂(例如铂)来降低复合氧化钨薄膜的生成温度，使氧化钨薄膜可以在约300℃以下生成，故增加此隔热材料的应用性，特别是可应用于强化玻璃上。
依据本发明实施例所形成的隔热材料，因工艺步骤中添加了第VIIIB族过渡金属催化剂，且生成隔热膜后亦未将其去除，因此所形成的复合氧化钨薄膜中，会具有一定量的第VIIIB族过渡金属催化剂，其含量通常可约0.001至1wt％，例如约0.1至0.6wt％。此隔热膜的光穿透率可约20至85％。
在本发明另一实施方式中，省略氧化钨前驱溶液涂布于基板上的步骤，而直接将其置入烘箱中烘干，再于还原气体中还原，还原反应温度可介于约100℃至约500℃，较佳可介于约250℃至约500℃，而制得含第VIIIB族过渡金属催化剂的复合氧化钨粉体。上述粉体经研磨分散于溶剂或树脂等介质中形成纳米分散体，最后可涂布于玻璃或高分子透明基材上形成透明隔热薄膜。
本发明一实施方式所形成含第VIIIB族金属元素的隔热材料，包括具有碱金族或碱土族金属掺杂的复合氧化钨，如式(1)所示：
MXWOY 式(1)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，且0＜X≤1，2.2≤Y≤3。此外，此隔热材料中的第VIIIB族金属元素的含量为该复合氧化钨含量约0.001至约1wt％，较佳介于约0.1至约0.6wt％。其对于大于780nm的红外光有良好的反射效果，特别在约1400至2600nm下反射率可达约50至约70％，较佳可大于约70％。
此外，在本发明另一实施方式中，上述隔热材料，可包括具有卤素共掺杂的复合氧化钨，如式(2)所示：
MXWOYAZ式(2)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，A为卤素元素，且0＜X≤1，2.2≤Y+Z≤3，0＜Z≤0.2。此时，该第VIII族金属元素的含量为该复合氧化钨含量的约0.001至约1wt％，较佳为约0.1至约0.6wt％。
上述隔热材料可为薄膜型式或粉体型式。
本发明提供一种可利用低温工艺形成的隔热材料及其制造方法。传统利用真空镀膜所形成的隔热玻璃商品，必须形成多层膜，工艺成本高。本发明所提供的隔热材料仅为单层涂布，故工艺较容易，成本较低，且不需防止镀膜氧化的惰性气体，故稳定性及耐用性较佳。
另外，相较于未使用第VIIIB族金属催化剂所形成的复合氧化钨薄膜，使用第VIIIB族金属催化剂可降低还原反应的温度。传统复合氧化钨薄膜需在500℃以上进行还原反应，故无法应用于强化玻璃。然而，本发明可在500℃下，甚至300℃下形成透明的复合氧化钨薄膜，且仍然可达到隔热材料的高红外光反射能力，故可增加其应用性。利用本发明所形成的复合氧化钨薄膜对大于780nm的红外光有良好的反射效果，特别在1400至2600nm下反射率可达约50至约70％，较佳可大于约70％。
【比较例1】
将5克偏钨酸铵(ammonium metatungstate)与1.1克碳酸铯(Cesiumcarbonate)加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，以形成氧化钨前驱溶液(未添加第VIIIB族金属催化剂)。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布(dipping coating)涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，再以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在400℃下反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。测定其UV-VIS-IR光谱(如图1所示)。
所使用UV-VIS-IR光谱为SHIMADZU(UV-3600)，其操作条件为波长范围240-2600nm，扫描间距：5nm。
【实施例1】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在400℃下反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。测定其UV-VIS-IR光谱(如图1所示)。
图1比较加入第VIIIB族金属催化剂所形成复合氧化钨薄膜与未加入催化剂的薄膜(比较例1)的穿透及红外光反射情形。由图中可明显的看出，加入第VIIIB族铂金属催化剂后，所形成薄膜的反射率远高于未加入催化剂的薄膜的反射率。亦即，本发明所加入的第VIIIB族金属可有效的改善复合氧化钨薄膜的反射率，且具有优良的可见光穿透性。
【实施例2】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在260℃、300℃、400℃、500℃下反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。测定其UV-VIS-IR光谱(如图2所示)。
图2显示加入第VIIIB族金属催化剂后，在不同还原反应温度下，所形成的复合氧化钨薄膜的反射率。如图2所示，在加入第VIIIB族金属催化剂后，还原反应的温度不论为260℃、300℃、400℃、500℃，所形成的薄膜仍可保有反射红外光的能力。
【实施例3】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在300℃下改变反应时间。其反射率对反应时间显示如图3。如图3所示，在300℃下反应60分钟，其红外光反射率即可达到约70％。亦即，加入第VIIIB族金属催化剂可有效降低还原反应所需温度，故增加其应用性。
【实施例4】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在260℃、300℃、400℃、500℃下，反应时间为240或60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。测定其UV-VIS-IR光谱(如图4所示)。
图4显示还原反应的时间与温度对反射率的影响。在低温时，反应时间较长可提高薄膜的红外光反射率。当反应温度较高时，则可以较短的反应时间即达到较佳的红外光反射率。亦即，可依照应用上的需要，来调整适当的反应时间及反应温度。
【实施例5】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在400℃下，反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。利用紫外光试验箱(QUV)照射所形成的复合氧化钨薄膜，经过150、600、1000、2000小时之后，以UV-VIS-IR光谱测试其穿透及反射性质。可发现本发明所形成的复合氧化钨薄膜在紫外光试验箱(QUV)连续照射后，仍维持优良的穿透/反射性质。
故本发明的隔热材料不易氧化，而没有传统的隔热玻璃商品的缺点。传统隔热玻璃必须将银镀膜密封在充填惰性气体的双层玻璃内，以保护其银镀膜不被氧化。一旦双层玻璃中的惰性气体泄漏，整个玻璃就会失去隔热效能。然而，本发明不仅不需要多层膜的工艺，且不需防止镀膜氧化的惰性气体，故稳定性及耐用性较佳。
【实施例6】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再分别加入0.1、0.4、0.8wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在400℃下，反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。以UV-VIS-IR光谱测试其穿透及反射性质。如图5、6所示，本实施例仅需少量催化剂，即可达到此反应的催化效果。
【实施例7】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再分别加入0.4wt％第VIIIB族金属催化剂H2PtCl6·H2O、NiCl6.6H2O、RhCl3.H2O或PdCl2，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在400℃下，反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。以UV-VIS-IR光谱测试其穿透及反射性质。图第7、8所示，加入不同的第VIIIB族金属催化剂，皆可提高复合氧化钨薄膜的反射率。
【实施例8】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在260℃、300℃、400℃、500℃下，反应20分钟，以形成复合氧化钨薄膜。
另外以未加入铂金属盐类H2PtCl6所形成氧化钨前驱溶液作为对照组。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在400℃、500℃下，反应20分钟，以形成作为对照的复合氧化钨薄膜。
以X光粉晶绕射(XRD)光谱决定其结构。如图9、10所示，本实施例所形成的复合氧化钨薄膜，经300℃反应20分钟后，即可转换为六方晶系结构。然而，在未加入第VIIIB族金属催化剂的情况下，即使升温至400℃、500℃，复合氧化钨薄膜仍无法转换为红外光反射性佳的六方晶系结构。
【实施例9】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在260℃、300℃、400℃、500℃下，经过不同的反应时间(260与300℃为240分钟，400与500℃为60分钟)，形成复合氧化钨薄膜。
图11为在各温度下，可达最佳红外光反射效能所需的时间的X光粉晶绕射图。如图11所示，在低温时需要较长的反应时间，在高温时所需反应时间则较短。
相较于传统复合氧化钨薄膜需在500℃以上进行还原反应，本发明可针对需要对还原反应的温度及时间进行调整，而仍然可达到隔热材料的高红外光反射能力，故可增加其应用性。
【实施例10】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯并分别加入1、3、5、10mol％的卤素盐类NH4Cl至40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，加入0.4wt％铂金属催化剂H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液。将氧化钨前驱溶液以浸泡涂布涂布于玻璃基材上，并置于120℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)在400℃下，反应60分钟，以形成复合氧化钨薄膜。以UV-VIS-IR光谱测试其穿透及反射性质。
图12显示加入卤素盐类对红外光反射率的影响。如图12所示，改变卤素盐类的添加量，仍可维持所形成的复合氧化钨薄膜的红外光反射率。
【实施例11】
将所形成复合氧化钨薄膜以化学分析电子仪(Electron Spectroscopy forChemical Analysis，ESCA)进行薄膜表面元素分析，其型号为(VG ScientificMicrolab 310F)，侦测深度为50以内，此设备将侦测复合氧化钨薄膜中的铂元素的含量。经由ESCA分析出的结果如下：钨(W，21.22mol％)、氧(O，63.48mol％)、铯(Cs，10.75mol％)、铂(Pt，4.55mol％)，根据上述元素分析的结果指出复合氧化钨薄膜中确实含有铂金属催化剂。
【实施例12】
将5克偏钨酸铵与1.1克碳酸铯加入40ml去离子水中混合均匀。再以NH4OH水溶液调整pH值至12，再加入0.4wt％的铂金属盐类H2PtCl6·H2O，以形成氧化钨前驱溶液，后将前驱溶液置于130℃烘箱干燥。最后，以10％(vol)氢/氩(H2/Ar)分别在400℃下反应60分钟，以形成复合氧化钨粉体。
虽然本发明已以数个较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (6)
1.一种隔热材料，包括：
一具有碱金或碱土族金属掺杂的复合氧化钨，如式(1)所示：
MXWOY 式(1)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，且0<X≤1，2.2≤Y≤3；以及
一第ⅧB族金属元素，择自下列群组之一：铂、镍、铑、钯。
2.如权利要求1所述的隔热材料，其中该隔热材料为一薄膜。
3.如权利要求1所述的隔热材料，其中该隔热材料为一粉体。
4.一种隔热材料，包括：
一具有碱金或碱土族金属与卤素共掺杂的复合氧化钨，如式(2)所示：
MXWOYAZ 式(2)，
其中，M为至少一种碱金族或碱土族元素，W为钨，O为氧，A为卤素元素，且0<X≤1，2.2≤Y+Z≤3，0<Z≤0.2，其中该卤素元素为氯；以及
一第ⅧB族金属元素，择自下列群组之一：铂、镍、铑、钯。
5.如权利要求4所述的隔热材料，其中该隔热材料为一薄膜。
6.如权利要求4所述的隔热材料，其中该隔热材料为一粉体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW099142537 | 2010-12-07 | ||
| TW99142537 | 2010-12-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102560480A CN102560480A (zh) | 2012-07-11 |
| CN102560480B true CN102560480B (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=46407040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110031657.0A Active CN102560480B (zh) | 2010-12-07 | 2011-01-25 | 隔热材料及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102560480B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI458629B (zh) * | 2012-12-17 | 2014-11-01 | Ind Tech Res Inst | 紅外線反射性多層結構及其製法 |
| TWI640479B (zh) * | 2014-02-07 | 2018-11-11 | 加美嘉華光電材料股份有限公司 | 複合氧化鎢奈米粒子之製造方法 |
| TWI523919B (zh) * | 2014-12-04 | 2016-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 具有防霧與隔熱功能之塗料組成物、其製法及薄膜 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1745149A (zh) * | 2003-10-20 | 2006-03-08 | 住友金属矿山株式会社 | 红外线遮蔽材料微粒分散体、红外线遮蔽体、红外线遮蔽材料微粒的制法及红外线遮蔽材料微粒 |
| JP2008214596A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ポリカーカーボネート樹脂組成物及びそれを用いた熱線遮蔽成形体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327559A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH09127559A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Teiji Haniyu | 太陽光可変調光断熱材料 |
-
2011
- 2011-01-25 CN CN201110031657.0A patent/CN102560480B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1745149A (zh) * | 2003-10-20 | 2006-03-08 | 住友金属矿山株式会社 | 红外线遮蔽材料微粒分散体、红外线遮蔽体、红外线遮蔽材料微粒的制法及红外线遮蔽材料微粒 |
| JP2008214596A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ポリカーカーボネート樹脂組成物及びそれを用いた熱線遮蔽成形体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102560480A (zh) | 2012-07-11 |
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