CN102549461A - 用于微光刻的照明光学单元 - Google Patents

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Abstract

一种包括反射镜聚光器的照明光学单元，在该照明光学单元工作期间，该反射镜聚光器产生施加到第一分面光学元件的偏振分布，其中存在至少两个施加了具有不同偏振的辐射的第一分面元件，并且第一分面光学元件具有至少一个第一状态，在第一状态中，选择第一分面元件的反射表面的法向矢量，使得在该照明光学单元工作期间，在物场的位置处产生第一预定偏振分布。

Description

用于微光刻的照明光学单元
技术领域
本发明涉及一种用于EUV微光刻的照明光学单元，该照明光学单元包括反射镜聚光器并且包括具有多个第一分面(facet)元件的第一分面光学元件，该照明光学单元用于照明物平面中的物场，其中每个第一分面元件具有反射表面，其法向矢量的方向确定反射表面的空间取向。本发明还涉及一种包括这种类型的照明光学单元的投射曝光设备。
背景技术
从US 6,859,328和从WO 2006/111319A2已知这种类型的投射曝光设备。
在微光刻中，还已知期望用预定偏振分布照明要成像的结构，因此这增加了下游成像期间的对比度。为了这个目的，至今在照明光学元件中已经使用了附加的偏振元件，但是所述元件也吸收部分辐射并且因此减少了照明光学单元的总的传输率(transmission)。
发明内容
本发明的目的是克服这些缺点，并且开发在引言中提及的这种类型的照明光学单元，使得可以以特别简单的方式设置偏振分布。
通过照明光学单元实现根据本发明的目的，其中，在该照明光学单元工作期间，反射镜聚光器产生施加到第一分面光学元件的偏振分布，并且存在至少两个第一分面元件，该至少两个第一分面元件被施加了具有不同偏振的辐射，此外，该第一分面光学元件具有至少一个第一状态，在该第一状态中第一分面元件的反射表面的法向矢量被选择为使得在该照明光学单元工作期间，在物场的位置处产生第一预定偏振分布。
根据本发明已经认识到：通过适当选择第一分面光学元件的分面元件的反射表面的法向矢量，可以使用照明光学单元中的反射镜聚光器产生的偏振分布在要照明的物场的位置处产生偏振分布。这具有以下优点：由于不是必须使用附加的偏振元件，所以该照明光学单元成本效率高且制造简单。
在根据本发明的一个构造中，开发该照明光学单元，使得反射镜聚光器产生的且在照明光学单元工作期间施加到第一分面光学元件的偏振分布不同于物场位置处的预定偏振分布。
这允许物场位置处的偏振分布与携带结构的掩模的结构良好地配合，通过下游的投射光学单元成像该掩模。
在照明光学单元的一个发展形式中，在物场中的至少两个位置处，第一预定偏振分布不同。这使得偏振分布能够更好地适配于携带结构的掩模，在物场的不同位置处，掩模的结构不同。
在照明光学单元的另一形式中，在物场的至少一个位置处，第一预定偏振分布是切向偏振分布。在携带结构的掩模成像到投射光学单元的像面时，切向偏振分布允许特别高的分辨率。
在根据本发明的照明光学单元的另一构造中，在物场的至少一个位置处，入射辐射的角度分布具有双极形式，并且在该位置处的偏振分布使得在每个极中主偏振方向垂直于主双极轴。该主偏振方向被理解为呈现最大强度的偏振方向。双极形式的角度分布具有以下优点：通过这种照明辐射可以以特别高的对比度成像优选方向垂直于主双极方向的结构。因此，在此位置处(其中主偏振方向垂直于主双极轴)，同时的偏振分布允许以高对比度进行特别高分辨率的成像。
根据本发明的目的还通过用于EUV微光刻的照明物平面中的物场的照明光学单元实现，该照明光学单元包括反射镜聚光器并且包括具有多个第一分面元件的第一分面光学元件，其中每个第一分面元件具有反射表面，该反射表面的法向矢量的方向确定该反射表面的空间取向，并且该照明光学单元还包括具有第二分面元件的第二分面光学元件用于将第一分面元件的成像叠加到物场上。为了这个目的，在该照明光学单元工作时，反射镜聚光器产生施加到第一分面光学元件的偏振分布，并且存在至少两个施加了具有不同偏振的辐射的第一分面元件。在这种情况中，第一分面光学元件具有至少一个第一状态，在该第一状态中，选择第一分面元件的反射表面的法向矢量，使得在照明光学单元工作时，第二分面光学元件上产生第一预定偏振分布。
在本发明的一个实施例中，第一预定偏振分布是切向偏振分布，在该切向偏振分布中，辐射在切向的主偏振方向上的比例从第二分面光学元件的中心向外增加。这具有以下优点：辐射在切向的主偏振方向上存在较高比例，尤其是在第二分面元件的朝向相对较远的位置处。由于在布置在物场的位置处的携带结构的掩模的成像期间，通过这种分面元件传送到物场中的辐射对像的产生具有特别大的贡献，所以如果正好在这些分面元件上，辐射在切向的主偏振方向上出现较高的比例，则产生特别好的对比度。
在照明光学单元的一个构造中，至少一部分第一分面元件具有多个位置，其中对于第一分面元件中的该部分中的至少一个第一分面元件，光学表面在第一位置中的法向矢量的方向不同于反射表面在第二位置中的法向矢量的方向。这使得可以在照明光学单元工作时通过改变法向矢量的方向而改变入射辐射在物场的至少一个位置处的角度分布，从而当携带结构的掩模更换时，角度分布可适配新的掩模。
在这种情况中，第一分面光学元件可具有至少一个第二状态，其中第一状态和第二状态的不同之处在于至少一部分第一分面元件采用不同的位置，其中在第二状态中选择第一分面元件的反射表面的法向矢量，使得在照明光学单元工作时，在物场位置处产生第二预定偏振分布。在这种情况中，第一和第二偏振分布不同。结果，也可使物场位置处的偏振分布适配于改变的掩模。
在本发明的一个实施例中，为了增加偏振度，反射镜聚光器被实施为双聚光器。与一个聚光器相比较，这在第一分面元件上导致较高的偏振度，在一个聚光器的情形中，辐射仅被反射一次。
为了改变偏振分布或者为了增加偏振度，已知在用于EUV微光刻的照明系统中使用偏振元件。例如EP 1 306 665 A2、DE 103 27 963 A1和US2006/0221453A1中公开了这种偏振元件。关于偏振元件的实施例，参考这些文件。
根据本发明，在一个构造中实施照明光学单元，使得在反射镜聚光器和第一分面光学元件之间的光束路径中不布置偏振元件。这具有以下优点：辐射的强度不会因为偏振元件的吸收而减少，并且照明光学单元包含特别少的光学元件，因此照明光学单元的制造成本效率高。
在可替代的设计中，为了改变反射镜聚光器产生的偏振分布的目的，在反射镜聚光器和第一分面光学元件之间的光束路径中布置偏振元件。这使得反射镜聚光器产生的偏振分布能够被进一步地适配，从而能够在物场处更加精确地设置预定偏振分布。
在一个实施例中，在第一分面光学元件和物场之间的光束路径中不布置偏振元件。这具有以下优点：辐射的强度不会因为偏振元件的吸收而减少，并且照明光学单元包含特别少的光学元件，因此照明光学单元的制造成本高效。
在根据本发明的照明光学单元的一个形式中，为了将第一分面元件的成像叠加到物场上，照明光学单元包括具有第二分面元件的第二分面光学元件。这是照明光学单元的已知设计，其使得可以通过具有均匀的角度分布的辐射获得物场的均匀照明。
作为替代，从US 2006/0132747 A1中已知，还可以将照明光学单元实施为镜面反射器的形式。
包括以上所描述的照明光学单元的投射曝光设备具有关于该照明光学单元所说明的优点。
附图说明
参照附图更加详细的解释本发明。
图1示出包括根据本发明的照明光学单元的投射曝光设备的实施例。
图2a示意示出根据图1的照明光学单元的第一分面光学元件的平面视图。
图2b示意示出根据图1的照明光学单元的第二分面光学元件的平面视图。
图3示出对于s-偏振和p-偏振辐射的反射率系数作为入射角度的函数的分布。
图4示意示出例如由于根据图1的反射镜聚光器而出现的第一分面光学元件上的偏振分布。
图5a示意示出在本发明的第一构造中的、第二分面光学元件上的偏振分布。
图5b示意示出在本发明的另一构造中的、第二分面光学元件上的偏振分布。
图6a示意示出在本发明的以双极形式照明第二分面光学元件的构造中、第二分面光学元件上的偏振分布。
图6b示意示出在本发明的另一构造中的第二分面光学元件上的偏振分布，在该构造中第二分面光学元件的照明是双极形式。
图7示出根据图1的第一分面光学元件的单独(individual)分面元件的偏振分布的外形(profile)。
图8通过例子示出第一分面元件到第二分面元件的分配，该分配满足特定的对称考虑。
图9示出双聚光器形式的反射镜聚光器的构造。
具体实施方式
选择了附图标记，使得用一位数字或者两位数字提供图1中所示的对象。其它图中所示的对象具有三位或者更多位的附图标记，最后两位表示对象并且前面的位表示示出对象的图编号。因此，多个图中示出的相同对象的附图标记的最后两位相同。
图1示出根据本发明的投射曝光设备1的构造，该投射曝光设备1包括照明光学单元3。在这种情况中，照明光学单元3包括反射镜聚光器5、具有第一分面元件9的第一反射光学元件7以及具有多个第二分面元件13的第二反射光学元件11。第一望远反射镜15和第二望远反射镜17布置在第二反射光学元件11的下游的光路中，两个反射镜都通过法向(normal)入射工作，即辐射以0°至45°之间的入射角入射到两个反射镜上。布置在下游的是偏转反射镜19，其指引入射到该偏转反射镜19上的辐射到物平面23中的物场21上。偏转反射镜19通过掠(glazing)入射工作，即辐射以45°至90°之间的入射角入射到该反射镜上。携带结构的掩模布置在物场21的位置处，通过投射光学单元25将所述掩模成像到像平面27中。投射光学单元包括六个反射镜29、31、33、35、37和39。投射光学单元的所有六个反射镜具有反射表面，该反射表面沿着关于光轴41旋转对称的表面。
图2a示出第一反射分面光学元件207的平面视图，其包括多个第一分面元件209。
图2b示出具有第二分面元件213的第二分面反射光学元件211的相应平面视图。第一分面元件209的数目可正好等于或者大于或者小于第二分面元件213的数目。
在照明光学单元工作期间，聚光器反射镜5将从光源43出射的辐射反射到第一分面光学元件7的方向上。结果，通过聚光器反射镜5反射的辐射被施加到第一分面光学元件7。光源43可在各种实施例中实施。它可为激光等离子体源(LPP)，其中通过以高能量激光照射小材料液滴(droplet)来产生被很窄地限制的源等离子体。作为替代，可包括放电源，在放电源中通过放电产生源等离子体。在两个情况中，产生发光的源等离子体，该源等离子体射出具体在5nm到20nm波长范围中的辐射。通过反射镜聚光器5聚集所述辐射，并因此将所述辐射施加到第一反射光学元件7。在这种情况中，反射镜聚光器5和第一分面元件9具有以下光学效果：源等离子体的像出现在第二反射分面光学元件11的分面元件13的位置处。为了这个目的，首先根据空间距离来选择反射镜聚光器5和第一分面元件9的焦距。其次，第一分面元件9具有反射表面，其法向矢量的方向在空间上定义反射表面的取向。根据本发明，选择第一分面元件9的反射面的法向矢量(即取向)，使得第一分面元件9反射的辐射入射在具体预定的第二分面元件13上。通过第二分面元件13以及下游的光学单元，第一分面元件9以叠加的方式成像到物平面23中的物场21上，该下游的光学单元包括反射镜15、17和19。被照明的物场21的形状因此对应于第一分面元件9的外部形状，并且是弓形(arcuate)的，使得长边界线基本是围绕投射光学单元25的光轴41的圆弧形状。
针对EUV范围中(即在5nm到20nm的范围中)的反射辐射而设计并且以法向入射工作的反射镜(例如反射镜聚光器5)具有反射镀膜的基底，该镀膜包括多个交替的彼此上下布置的第一和第二层。在这种情况中，第一层包括第一材料，对于5-20nm范围中的波长的辐射，该第一材料的折射率大于第二层包括的第二材料的折射率。第一材料可为例如硅，并且第二材料可为钼或钌。表1表示相应的层序列的示例。在这种情况中，第一行表示最靠近基底的层的厚度，并且最后一行表示最远离基底的层的厚度。在这种情况中，由钌构成的顶端层用于防止氧化。与此关联，图3示出该层序列对于13.5nm波长的辐射的反射率。对于垂直偏振光(s-偏振，以虚线方式示出)和平行偏振光(p-偏振，实线)的强度反射系数被描绘为相应反射镜上入射角度的函数。虽然对于0-5°范围中的较小入射角度，s-偏振光和p-偏振光的反射率基本相同，但对于较大入射角度，s-偏振光明显比p-偏振光反射得好。这个物理效应具有如下结果：在反射过程中，图1中所示的反射镜聚光器5至少部分偏振由光源43产生的非偏振辐射。虽然来自光源43并且入射到反射镜聚光器5上的辐射的入射角度在内聚光器区域45中相对较小，但在外聚光器区域47中的辐射的入射角度通常大于大约25°。结果，由内反射镜聚光器区域45反射的辐射完全未偏振，但是通过外反射镜聚光器区域47反射的辐射的很大部分是s-偏振。在照明光学单元工作期间，反射镜聚光器5因此产生施加到第一分面光学元件7的偏振分布。图1中所示的反射镜聚光器5由于其旋转对称性而在第一分面光学元件7上导致的切向偏振分布在图4中示出。
Figure BDA0000148664300000071
Figure BDA0000148664300000081
Figure BDA0000148664300000091
表1：层序列
图4通过两个相互垂直的双箭头示例地示出了第一分面光学元件407的17个位置处的入射辐射的偏振。在这个情况中，两个双箭头的方向分别预定两个相互垂直的偏振方向的方向，并且两个双箭头的长度比率是入射辐射在各个偏振方向上的强度的比率的定性度量。其可通过偏振度ρ定量表示。在这种情况中，通过以下公式定义辐射的偏振度ρ：
ρ = I P - I S I P + I S
其中IP和IS分别表示p-偏振和s-偏振的辐射。在第一分面光学元件的中心449中，两个双箭头具有相同的长度，即在两个垂直偏振方向上的强度大小相等。因此，基本未偏振的辐射出现在第一分面光学元件的中心449中。相对的，部分偏振的辐射被施加到第一分面光学元件407的位置451上，其中主偏振方向垂直于中心449和入射位置451之间的连接线，该主偏振方向由较长的双箭头表示。由于反射镜聚光器5的旋转对称性，在第一分面光学元件上的每个位置处出现针对主偏振方向的相应关系；这在这种情况中被称为切向偏振分布。具有特定主偏振方向的辐射因此被施加到第一分面光学元件407的每个第一分面元件409，其中可从第一分面元件409在第一分面光学元件407上的位置确定该主偏振方向。在当前的情况中，出现切向偏振分布，其中在主偏振方向(通过较长的双箭头表示，并且垂直于中心449和入射位置451之间的连线)上的辐射比率从中心449开始向外增加。由于此时每个第一分面元件409具有反射表面，该反射表面的法向矢量方向确定反射表面的空间取向，所以每个面元件409在特定方向上反射入射辐射，该特定方向由入射辐射在该分面元件上的方向以及关联的法向矢量的方向决定。通过法向矢量的相应限定，辐射可被指引到第二分面光学元件11的每个第二分面元件上。由于具有不同主偏振方向的辐射被施加到第一分面光学元件409的第一分面元件407，所以通过适当地选择第一分面元件409的反射表面的相关联的法向矢量，可以确定哪个主偏振方向的辐射施加到哪些第二分面元件13。通过选择第一分面元件407的反射表面的法向矢量，因此可建立第二分面光学元件11上的预定偏振分布。
图5a示出第二分面光学元件511上的预定偏振分布的第一例子。在这种情况中，通过相互垂直的双箭头，类似于图4地示出了第二分面光学元件的不同位置处的主偏振方向。虽然基本未偏振的辐射施加到布置在中心553处的第二分面元件513，但部分偏振的辐射被指引到布置在外区域中的分面元件513上。在这种情况中，第一分面元件的反射表面的法向矢量如下取向：第二分面光学元件上出现切向偏振分布，在该分布的情况中，辐射在切向指引的主偏振方向上的比率从中心553向外增加。
可替代的，图5b示出第二分面光学元件501上的径向偏振分布，在这种分布的情况中，在第二分面光学元件511上的每个位置处的主偏振方向指向公共中心553的方向上。
虽然在图5a和5b中辐射施加到所有第二分面元件513，但图6a和6b示出两个示例实施例，其中辐射仅施加到一些第二分面元件613。在图5a、5b、6a和6b中，未施加辐射的分面元件613通过没有阴影线的圆表示。在图6a和6b中以双极的形式布置施加了辐射的第二分面元件655。在这种情况中，在图6a中水平取向该双极，并且在图6b中垂直取向该双极。在这种情况中，第二分面光学元件611上的偏振分布使得辐射的主偏振方向基本垂直于主双极轴。具体的，在根据图6a和6b的实施例中，辐射没有施加到所有第二分面元件613，对于施加了辐射的每个第二分面元件655，可找到施加了具有期望的主偏振方向的辐射的合适的第一分面元件409。对于这些第一分面元件409，则以适当的方式选择反射表面的法向矢量，使得辐射被指引到所分配的第二分面元件。通过合适地选择法向矢量，可以指引另一第一分面元件，例如使得它们将辐射指引到光阑，即该辐射不贡献物场的照明。
在本发明的第一构造中，第一分面元件是静态的，因而在第二分面光学元件上预定固定的偏振分布。在本发明的另一构造中，第一分面元件设置有驱动器，从而所分配的反射表面的法向矢量的方向可变化，因此，在操作期间，其可在根据图5a、5b、6a和6b的第二分面光学元件511/611上的偏振分布之间转变。
以上关于图4-6已经给出了根据本发明如何可获得第二分面光学元件511/611上的预定偏振分布的说明。根据图1的照明光学单元的结构具有以下结果：在物场的每个位置处出现预定的偏振分布，其中第二分面光学元件布置在照明光学单元的瞳平面中。物场位置处的偏振分布被理解为函数
Figure BDA0000148664300000111
其指定入射辐射的偏振方向和偏振度作为两个入射角度α和β的函数。由于第二分面光学元件511/611布置在照明光学单元3的瞳平面中，所以第二分面光学元件511/611的位置上的偏振分布简单地对应于函数
Figure BDA0000148664300000112
这是因为物场中的以角度α和β入射的辐射从瞳平面中的具体位置(x，y)发出。
在之前的考虑中，假定第一分面光学元件7的每个分面元件上的偏振分布在第一分面元件的位置上不变化。但是，因为由壳形聚光器(collector shell)5在第一分面光学元件上产生的偏振分布从第一分面光学元件的中心到边缘均匀地变化，所以在第一分面光学元件的单独分面元件上也不可避免地出现偏振分布的微小变化。这显示在图7中。图7示出根据图4的具有偏振分布的第一分面光学元件，该偏振分布例如由根据图1的壳形聚光器5产生。而且，图7放大地示出了两个特定分面元件757和759。由于第一分面光学元件711上的分面元件757和759的布置，在这两个分面元件757和759上，大致沿着分面元件757和759的长方向上出现入射辐射的偏振的改变。因此，在分面元件757上，偏振度沿着长方向从左到右下降，而在面元件759上，偏振度沿着分面元件上的长方向从左到右增加。第一分面元件709上的偏振的变化具有以下效果：物场中的偏振分布
Figure BDA0000148664300000113
还取决于物场中的位置。物场中的偏振分布因此实际上是函数
Figure BDA0000148664300000114
其中x和y表示物场中的位置。具体地，在参考图6a和6b描述的实施例中，其中因为至少部分辐射被屏蔽掉，所以不是所有第一分面元件对物场的照明都有贡献，通过适当选择对物场的照明有贡献的分面，在物场中可获得偏振分布随着位置(x，y)的预定外形。当考虑除了第一分面元件757之外所有第一分面元件都被屏蔽掉的情况时，这变得特别清楚。在这个特殊的情况中，物场中偏振分布的位置依赖性精确地对应于第一分面元件757上偏振分布的位置依赖性。
图8示出根据本发明的照明光学单元的另一构造。该视图示出具有多个第一分面元件809的第一分面光学元件807的放大区域以及具有多个第二分面元件813的第二分面光学元件811。而且，对于四个第一分面元件861和863，连接箭头用于指示它们向其施加辐射的第二分面元件813。在这种分配的情况下，中心彼此紧密靠近的第一分面元件861和863被取向为使得：第一分面元件861和863施加辐射到关于第二分面光学元件811的中心853中心对称的第二分面元件。由于中心紧密相邻的第一分面元件861和863的强度分布和偏振分布基本相同，所以这种分配是有利的。因此，第一分面元件到中心对称布置的第二分面元件813的这种成对的分配不可避免地在第二分面光学元件811上导致中心对称的强度分布和偏振分布。对于很多应用，这是强度分布和/或偏振分布的优选变型。另外，第一分面光学元件上的强度分布和/或偏振分布的微小扰动不会对第二分面光学元件811上的分布的中心对称产生很大的影响。这归功于以下事实：即使在第一分面光学元件807上有扰动的强度和/或偏振分布的情况中，通常仍然确保基本相同的强度分布和/或偏振分布被施加到中心彼此非常紧密相邻的第一分面元件。
图9示出了根据本发明的反射镜聚光器的发展。在这种情况中，反射镜聚光器905实施为具有第一反射表面965和第二反射表面967的双聚光器，第一反射表面965和第二反射表面967都关于公共的光轴969旋转对称。通过第一表面965聚集来自光源的辐射，并且将该辐射指引到第二反射表面967上。在这种情况中，反射表面965和967都以法向入射工作。因此，在表面965和967两者的反射过程中发生辐射的偏振，在这种情况中该偏振变得相互加强。这是由于以下事实：第一反射表面965处的每个光线的反射平面与第二反射表面967处的同一光线的反射平面重合。反射平面被理解为入射光线和反射光线构成的平面。因此，对于，在第一反射过程中被s-偏振的辐射在第二反射光学表面处的第二反射中同样被s-偏振。这同样适用于p-偏振辐射。在两个反射中，s-偏振辐射反射得更好，如参照图3所说明的。因此，通过第二反射以有目标的方式增加了偏振度。根据本发明，这种反射镜聚光器可以特别好地应用于以上所描述的照明光学单元中，以便施加更高偏振的辐射到第一分面光学元件。

Claims (16)

1.一种用于EUV微光刻的照明光学单元(3)，所述照明光学单元(3)包括反射镜聚光器(5，905)和第一分面光学元件(7，207，407，707，807)，所述第一分面光学元件具有用于照明物平面(23)中的物场(21)的多个第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)，
其中每个第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)具有反射表面，所述反射表面的法向矢量的方向确定所述反射表面的空间取向，其特征在于：
所述反射镜聚光器(5，905)产生偏振分布，在所述照明光学单元(3)工作期间，所述偏振分布被施加到所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)，并且存在至少两个被施加了具有不同偏振的辐射的第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)，
其中所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)具有至少一个第一状态，在所述第一状态中，选择所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)的反射表面的法向矢量，使得在所述照明光学单元(3)的工作期间，所述物场(21)的位置处产生第一预定偏振分布。
2.如权利要求1所述的照明光学单元，其特征在于：
所述反射镜聚光器(5，905)产生的并且在所述照明光学单元(3)工作期间施加到所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)的偏振分布不同于所述物场(21)的位置处的所述预定偏振分布。
3.如权利要求1或2所述的照明光学单元，其特征在于：在所述物场(21)的至少两个位置处，所述第一预定偏振分布不同。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：在所述物场(21)的至少一个位置处，所述第一预定偏振分布是切向偏振分布。
5.如权利要求1-4中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：在所述物场(21)的至少一个位置处，入射辐射的角度分布具有双极形式，并且在此位置处的偏振分布使得在每个极处主偏振方向垂直于主双极轴。
6.如权利要求1-5中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：
为了所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)的成像叠加到所述物场上，所述照明光学单元(3)包括具有第二分面元件(13，213，513，613，655，813)的第二分面光学元件(11，211，511，611，811)。
7.一种用于EUV微光刻的照明光学单元(3)，所述照明光学单元(3)包括反射镜聚光器(5，905)以及第一分面光学元件(7，207，407，707，807)，所述第一分面光学元件具有用于照明物平面(23)中的物场(21)的多个第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)，其中每个第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)具有反射表面，所述反射表面的法向矢量的方向确定所述反射表面的空间取向，并且所述照明光学单元(3)还包括具有第二分面元件的第二分面光学元件(11，211，511，611，811)，所述第二分面元件用于将所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)的成像叠加到所述物场(21)上，其特征在于：
所述聚光器反射镜(5，905)产生偏振分布，在所述照明光学单元(3)工作期间，所述偏振分布被施加到所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)，并且存在至少两个被施加了具有不同偏振的辐射的第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)，
其中所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)具有至少一个第一状态，在所述第一状态中，选择所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)的反射表面的法向矢量，使得在所述照明光学单元(3)工作期间，在所述第二分面光学元件(11，211，511，611，811)上产生第一预定偏振分布。
8.如权利要求7所述的照明光学单元，其特征在于所述第一预定偏振分布是切向偏振分布。
9.如权利要求8所述的照明光学单元，其特征在于所述辐射在切向的主偏振方向上的比例从所述第二分面光学元件(553)的中心向外增加。
10.如权利要求1-9中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：
至少一部分所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)具有多个位置，其中对于所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)中的所述部分中的至少一个第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)，所述光学表面在第一位置处的法向矢量的方向不同于所述反射表面在第二位置处的法向矢量的方向。
11.如权利要求10所述的照明光学单元，其特征在于：
所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)具有至少一个第二状态，其中所述第一和第二状态的不同之处在于：至少一部分所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)采用不同位置，
其中在第二状态中选择所述第一分面元件(9，209，409，709，809，861，863)的反射表面的法向矢量，使得在所述照明光学单元工作期间产生第二预定偏振分布，所述第二预定偏振分布不同于所述第一偏振分布。
12.如权利要求1-11中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：为了提高偏振度，所述反射镜聚光器(5，905)实施为双聚光器(905)。
13.如权利要求1-12中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：在所述反射镜聚光器(5，905)和第一分面光学元件(7，207，407，707，807)之间的光束路径中不布置偏振元件。
14.如权利要求1-13中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：
为了改变所述反射镜聚光器(5，905)产生的偏振分布，在所述反射镜聚光器(5，905)和所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)之间的光束路径中布置偏振元件。
15.如权利要求1-14中的任一项所述的照明光学单元，其特征在于：在所述第一分面光学元件(7，207，407，707，807)和所述物场(21)之间的光束路径中不布置偏振元件。
16.一种投射曝光设备(1)，包括根据权利要求1-15中的任一所述的照明光学单元(3)。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104854510A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统
CN107272345A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011084266A1 (de) * 2011-10-11 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102012206148A1 (de) * 2012-04-16 2013-10-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zur Justage eines optischen Systems
DE102012208521A1 (de) 2012-05-22 2013-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem
DE102013218132A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013223935A1 (de) * 2013-11-22 2015-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie
CN105940349B (zh) * 2014-01-27 2020-01-17 Asml荷兰有限公司 辐射源
DE102021210492A1 (de) * 2021-09-21 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Beleuchtungseinrichtung, sowie Verfahren zum Betreiben einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102021210491A1 (de) * 2021-09-21 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponentengruppe, insbesondere zum Einsatz in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1306665A2 (en) * 2001-10-26 2003-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus
JP2006128321A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US20070058244A1 (en) * 2003-08-27 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Oblique mirror-type normal-incidence collector system for light sources, particularly euv plasma discharge sources
US20070195305A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2009100856A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
US20090213345A1 (en) * 2005-05-03 2009-08-27 Hans-Juergen Mann Microlithography exposure apparatus using polarized light and microlithography projection system having concave primary and secondary mirrors

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859328B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
JP2003057801A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Sony Corp マスクデータの補正方法、その装置、およびフォトマスク製造方法
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US6700644B2 (en) * 2002-06-05 2004-03-02 Euv Llc Condenser for photolithography system
DE10317667A1 (de) 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
JP4356695B2 (ja) * 2003-05-09 2009-11-04 株式会社ニコン 照明光学系、投影露光装置、マイクロデバイスの製造方法
DE10327963A1 (de) 2003-06-19 2005-01-05 Carl Zeiss Jena Gmbh Polarisationsstrahlteiler
DE10344010A1 (de) 2003-09-15 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Wabenkondensor und Beleuchtungssystem damit
JP2006196715A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Nikon Corp 光束変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006216917A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
US7982854B2 (en) 2005-04-20 2011-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system
JP2007027226A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 反射光学系、照明光学装置及び露光装置
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JPWO2007138805A1 (ja) * 2006-05-25 2009-10-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2008149178A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric illumination system for microlithography tool
DE102008009600A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102008002749A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1306665A2 (en) * 2001-10-26 2003-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus
US20070058244A1 (en) * 2003-08-27 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Oblique mirror-type normal-incidence collector system for light sources, particularly euv plasma discharge sources
JP2006128321A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US20090213345A1 (en) * 2005-05-03 2009-08-27 Hans-Juergen Mann Microlithography exposure apparatus using polarized light and microlithography projection system having concave primary and secondary mirrors
US20070195305A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2009100856A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104854510A (zh) * 2012-12-14 2015-08-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统
CN104854510B (zh) * 2012-12-14 2017-07-18 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统
US9720327B2 (en) 2012-12-14 2017-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
CN107272345A (zh) * 2016-04-05 2017-10-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
CN107272345B (zh) * 2016-04-05 2019-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元

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