JP2014530509A - コレクター - Google Patents

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Abstract

マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）のためのコレクター（１５）は、第１のフォーカス（２６）から第２のフォーカス（２７）への放射線（１４）の集束中に反射区画が所定の角度スペクトル内の入射角（ｆ）で入射を受けることができるように具現化かつ配置された複数の反射区画（２４）を含む。【選択図】図２

Description

ドイツ特許出願ＤＥ１０ ２０１１ ０８４ ２６６．７の内容が、引用によって組み込まれている。
本発明は、投影露光装置のためのコレクターに関する。本発明は、更に、放射線源とコレクターとを含む配置に関する。本発明は、更に、投影露光装置のための照明系と、一様に偏光された放射線を発生させる方法とに関する。更に、本発明は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置、微細構造化構成要素を生成する方法、及び微細構造化構成要素に関する。
投影露光装置のためのコレクターは、ＤＥ １０ ２００７ ０４１ ００４ Ａ１及びＥＰ １ ６５０ ７８６ Ａ１から公知である。
ＤＥ １０ ２００７ ０４１ ００４ Ａ１ ＥＰ １ ６５０ ７８６ Ａ１ ＵＳ ６，８５９，５１５ Ｂ２ ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３
本発明の目的は、投影露光装置のためのコレクターを改善することである。
本発明により、この目的は、請求項１に記載のコレクターを使用することによって達成される。
本発明の核心は、放射線を第１のフォーカスから第２のフォーカスの中に反射することができ、コレクターの全ての反射区画上への入射角が所定の角度範囲に収まるようにコレクターを具現化することにある。
本発明により、特にＥＵＶ放射線に対しても、コレクターの反射区画によって反射された放射線の偏光状態は、反射区画上の入射角とも呼ぶ投射角に依存することが認識されている。更に、この依存性は、コレクターによって中間フォーカスに伝達された放射線が、部分的に偏光された放射線を既に含むという効果を有する可能性があることが認識されており、偏光状態は、伝播方向に依存し、従って、特に中間フォーカスでの瞳にわたって変化する。従って、本発明は、コレクターの反射区画を反射区画上の入射角が各場合に所定の入射角付近の最大で１０°の角度範囲に収まるように具現化して配置することを可能にする。角度範囲は、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°を含む。この場合に、入射角は、全ての反射区画に対して少なくとも実質的に同一であり、特に同一である。それによって達成することができることは、コレクターによって反射される全ての光線が均一な偏光状態を有することである。角度範囲は、特に、入射放射線におけるいわゆるＩＰＳ（「好ましい状態の強度」）値が一定である場合に、ＩＰＳ値がこの範囲にわたって一定であるように選択される。この角度範囲は、最大で１０％、好ましくは、最大で５％のＩＰＳ値の変動も包含する。
本発明の一態様により、コレクターは、複数の反射区画を有する少なくとも１つのコレクターシェルを含み、所定の入射角は、各場合に全ての反射区画に対して同一である。コレクターは、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つの反射区画を含むことができる。反射区画は、好ましくは、各場合にコレクターの光軸に関して回転対称であるように具現化される。反射区画は、好ましくは、単純接続方式で具現化される。
入射角のスペクトルは、特にコレクターシェルの全ての反射区画に対して同一である。放射線源からの放射線を中間フォーカスに反射するのに利用可能な全反射面積は、多数の反射区画を使用することによって拡大することができる。それによって全放射線効率が改善される。
好ましくは、所定の入射角は、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角から最大で１０°、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°だけずれる。所定の入射角は、特に正確にブリュースター角とするか又は擬似ブリュースター角とすることができる。この場合に、擬似ブリュースター角は、反射光のうちで投射平面と平行に偏光された部分が最小である角度を表している。
それぞれの反射区画によって反射される放射線は、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角の付近の所定の入射角で最良の方法で偏光される。放射線は、特にｓ偏光され、それによってリソグラフィ結像の改善されたコントラストがもたらされる。
所定の入射角は、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角から特に最大で１０°、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°だけずれ、特に全くずれない。
本発明の更に別の態様により、反射区画は、各場合に、所定の入射角で所定の偏光状態を有するＥＵＶ放射線に対して可能な限り最高の反射率を有するように具現化される。反射率は、特に少なくとも４５％、特に少なくとも５５％、特に少なくとも６５％である。所定の偏光状態は、特にｓ偏光である。ＥＵＶ放射線は、特に５ｎｍから３０ｎｍまでの範囲の波長を有する放射線、特に１３ｎｍから１４ｎｍまでの範囲、又は６．５ｎｍから７ｎｍまでの範囲の波長を有する放射線である。
反射区画のそのような実施形態は、特定の入射角に対して最適化された多層系を使用することによって達成することができる。多層系は、特に少なくとも２０枚、特に少なくとも４０枚、特に少なくとも８０枚の層を含むことができる。層に適切な材料は、特にモリブデン、シリコン、及びルテニウムである。
特に簡単な方式で開発することができる実施形態において、反射区画は、各場合に切端円錐の包絡線形状に具現化される。
反射区画は、区画的に平面として具現化することができる。
これらの実施形態において、反射区画の寸法が増大するときに、中間フォーカスの拡幅が発生する。従って、反射区画は、好ましくは、小さく作られる。反射区画は、特に光軸の方向に最大で１０ｃｍ、特に最大で５ｃｍ、特に最大で３ｃｍ、特に最大で１ｃｍの寸法を有する。
１つの有利な実施形態により、反射区画は、各場合に非球面方式に具現化される。非球面は、特に、第１のフォーカスから射出する放射線が、反射区画の全ての点で同一の入射角を有するように選択することができる。
発光効率を改善するために、コレクターは、付加的なコレクターシェルを有することができる。付加的なコレクターシェルは、特に第１のフォーカスの背後、すなわち、第２のフォーカスとは反対の半空間に配置される。付加的なコレクターシェルは、好ましくは、光軸に関して回転対称であるように具現化される。付加的なコレクターシェルは、特に、第１のフォーカスの周囲に球面区画の形状で配置することができる。それによって達成されることは、第１のフォーカスに配置された放射線源から射出した放射線が、付加的なコレクターシェル上に実質的に垂直に入射し、偏光状態の変化を伴わずに第１のフォーカスの方向に反射して戻されることである。
付加的なコレクターシェルは、電磁放射線に対する通過開口部を有することができる。それによって特に第１のフォーカスでプラズマを励起するためのレーザ放射線の通過が可能になる。通過開口部は、特に、付加的なコレクターシェルと２つのフォーカスの接続線との交点の領域内、すなわち、光軸の延長上に配置される。しかし、通過開口部を軸外に配置することも有利である可能性がある。
本発明の更に別の目的は、放射線を集束させるための配置を改善することである。この目的は、請求項９の特徴を使用することによって達成される。本発明の核心は、コレクターの反射区画をこれらの反射区画によって反射される放射線源からの放射線が中間フォーカス内に反射され、中間フォーカスにおいて均一な偏光を有するように具現化して配置することにある。中間フォーカスでの放射線は、特に方向に依存しない偏光状態を有する。言い換えれば、偏光状態は、中間フォーカスでの瞳にわたって一定である。
本発明の更に別の目的は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置のための照明系を改善することである。この目的は、請求項１０の特徴を使用することによって達成される。その利点は、コレクターに対して記載したものに対応する。
放射線源は、特にＥＵＶ放射線源である。ＥＵＶ放射線は、特に第１のフォーカスの領域内で発生される。
本発明の更に別の目的は、均一に偏光された放射線を発生させる方法を改善することである。この目的は、請求項１１の特徴を使用することによって達成される。その利点は、コレクターに対して記載したものに対応する。
本発明の更に別の目的は、本発明による照明系を含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置、この投影露光装置を用いて構成要素を生成する方法、及び本方法によって製造される構成要素を指定することである。これらの目的は、請求項１２に記載の投影露光装置、請求項１３に記載の製造方法、及び請求項１４に記載の構成要素を使用することによって達成される。
投影露光装置は、好ましくは、スキャナとして具現化される。投影露光装置は、次に、結像される物体のためにかつ結像がその上に達成される基板のために、例えばウェーハと、投影露光中に走査方向に変位可能なホルダとを有する。
これらの主題の利点は、上述したものに対応する。
本発明の更に別の利点、詳細、及び明細は、図面を参照して複数の例示的な実施形態の説明から明らかになるであろう。
ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置を通る略子午断面である。 第１の例示的な実施形態によるコレクターを通る略断面図である。 コレクターの有利な実施形態の更に別の態様を解説するための概略断面図である。 更に別の例示的な実施形態によるコレクターの反射区画の非球面実施形態を指定するための概略図である。 コレクターの更に別の実施形態の概略図である。 更に別の例示的な実施形態によるコレクターの構造設計を指定するための図である。 更に別の例示的な実施形態によるコレクターの構造設計を指定するための図である。 更に別の例示的な実施形態によるコレクターの構造設計を指定するための図である。 更に別の例示的な実施形態によるコレクターの構造設計を指定するための図である。
図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置１を子午断面内に略示している。投影露光装置１の照明系２は、放射線源３に加えて、物体平面６の物体視野５の露光のための照明光学ユニット４を有する。この場合に、物体視野５に配置され、レチクルホルダ８（抜粋部分としてしか例示していない）によって保持されるレチクル７が露光される。照明光学ユニット４は、少なくとも０．３３、特に少なくとも０．４５、特に少なくとも０．６という物体側開口数を有する。投影光学ユニット９は、物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するように機能する。レチクル７上の構造が、ウェーハホルダ１３（同じく概略的にしか例示していない）によって保持されて像平面１１の像視野１０の領域に配置されたウェーハ１２の感光層上に結像される。
放射線源３は、５ｎｍと３０ｎｍの間の範囲に放出使用放射線を有するＥＵＶ放射線源である。この放射線源は、プラズマ光源、例えば、ＧＤＰＰ（ガス放電生成プラズマ）光源又はＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源とすることができる。当業者は、そのような放射線源に関する情報を例えばＵＳ ６，８５９，５１５ Ｂ２から求めることができるであろう。放射線源３から射出したＥＵＶ放射線１４は、コレクター１５によって集光される。ＥＵＶ放射線１４は、特に視野ファセットミラー１７上に入射する前に、中間焦点面１６を通過する。視野ファセットミラー１７は、照明光学ユニット４の物体平面６に対して光学的に共役な平面に配置される。
以下では、ＥＵＶ放射線１４を照明光又は結像光とも呼ぶ。
視野ファセットミラー１７の下流において、ＥＵＶ放射線１４は、瞳ファセットミラー１８によって反射される。瞳ファセットミラー１８は、投影光学ユニット９の瞳平面に対して光学的に共役である照明光学ユニット４の瞳平面に配置される。瞳ファセットミラー１８と、ビーム経路の順番に名付けられたミラー２０、２１、及び２２を有する伝達光学ユニット１９の形態にある結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１７は、物体視野５に結像される。伝達光学ユニット１９の最後のミラー２２はかすめ入射ミラーである。瞳ファセットミラー１８と伝達光学ユニット１９は、照明光１４を物体視野５に伝達するための連続光学ユニットを形成する。瞳ファセットミラー１８が、投影光学ユニット９の入射瞳に配置される場合には、伝達光学ユニット１９を省くことができる。
位置関係のより簡単な説明のために、図１には直交ｘｙｚ座標系を示している。図１では、ｘ軸は、作図面と垂直にかつそれに向けて延びている。ｙ軸は、右に向けて延びている。ｚ軸は、下方に延びている。物体平面６と像平面１１は、両方共にｘｙ平面と平行に延びている。
レチクルホルダ８は、投影露光中にレチクル７を物体平面６内でｙ方向と平行な変位方向に変位させることができるように制御方式で変位可能である。ウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２が像平面１１内でｙ方向と平行な変位方向に変位可能であるように相応に制御方式で変位可能である。それによってレチクル７とウェーハ１２は、一方で物体視野５により、他方で像視野１０によって走査することができる。以下では変位方向を走査方向とも呼ぶ。走査方向のレチクル７の変位とウェーハ１２の変位は、好ましくは、互いに同期させて行うことができる。図２を参照して、コレクター１５の第１の例示的な実施形態を以下により詳細に説明する。
コレクター１５は、複数の反射区画２４を有するコレクターシェル２３を含む。反射区画２４は、支持シェル２５として具現化された保持デバイスによって機械的に保持される。
反射区画２４は、各場合に、ＥＵＶ放射線１４が、第１のフォーカス２６から中間フォーカスとも呼ぶ第２のフォーカス２７に反射されるように具現化される。この場合に、反射区画の各々は、各場合に反射区画２４の入射点における面に対する法線２８に対して測定される投射角とも呼ぶ入射角ｆが、所定の入射角ｆ*の付近に最大で１０°の角度範囲を含む角度スペクトル内に収まるように配置される。角度範囲は、好ましくは、所定の入射角ｆ*の付近に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°を含む。所定の入射角ｆ*は、特にブリュースター角又は擬似ブリュースター角である。所定の入射角ｆ*は、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角から特に最大で１０°、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°だけずれる。
図２に図示の実施形態において、所定の入射角ｆ*は、４５°である。それによって反射区画２４の配置は、全て２つのフォーカス２６、２７にそのようなターレスの円上に配置される。
図２に略図示の実施形態において、コレクター１５は、４つの反射区画２４を含む。このコレクター１５は、一般的に少なくとも１つ、特に複数の反射区画２４を含む。反射区画２４の個数は、特に５から１００の範囲、特に１０から７０の範囲、特に２０から５０の範囲に収めることができる。
反射区画２４は、各場合に、２つのフォーカス２６、２７を通って延びる光軸の回りに回転対称であるように具現化される。
反射区画２４は、各場合に、所定の入射角ｆ*でＥＵＶ放射線１４、特にそのｓ偏光部分に対して少なくとも４５％、特に少なくとも５５％、特に少なくとも６５％の反射率を有するように具現化される。
これは、特に、反射区画２４が各々多層系を有するという事実によって達成される。多層系は、特に少なくとも２０枚、特に少なくとも４０枚、特に少なくとも８０枚の層を含む。これらの層に対する材料として、特に、モリブデン、シリコン、及びルテニウムが与えられる。そのような層系の詳細に対しては、ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３を参照されたい。
図２に示す例示的な実施形態において、反射区画２４は、各場合に切端円錐の包絡線の形状に具現化される。
第１のフォーカス２６から見ると、反射区画２４は、少なくとも（π／２）ｓｒ、特に少なくともπｓｒの立体角を捕捉範囲とする。
図３に示す例示的な実施形態において、コレクター１５は、補助的な反射コレクターシェル３１を含む。付加的なコレクターシェル３１は、第１のフォーカス２６の周囲に球面区画の形状で配置される。この付加的なコレクターシェル３１は、特に光軸３０に関して回転対称であるように具現化される。付加的なコレクターシェル３１は、その内側にＥＵＶ反射コーティングを有する。コーティングの詳細に対しては、ここでもまた、ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３を参照されたい。付加的なコレクターシェル３１は、第１のフォーカス２６の背後に配置される。これは、付加的なコレクターシェル３１が、第１のフォーカス２６に関して第２のフォーカス２７とは反対の半空間に配置されることを意味すると理解しなければならない。第１のフォーカス２６から射出する放射線は、好ましくは、付加的なコレクターシェル３１上に垂直に入射する。従って、この放射線は、第１のフォーカス２６の方向に反射して戻される。付加的なコレクターシェル３１により、コレクター１５の放射線の放射効率が更に改善される。
付加的なコレクターシェル３１は、電磁放射線３３に対する通過開口部３２を有する。電磁放射線３３は、特に赤外線範囲の特に１０．６μｍの波長を有する放射線である。通過開口部３２は、他の波長を有する電磁放射線に対して透過性を有することができる。通過開口部３２は、レーザ３４を用いて発生された電磁放射線３３を通過させるように機能する。電磁放射線３３は、第１のフォーカス２６の領域内にプラズマを発生させるように機能する。従って、第１のフォーカス２６は、ＥＵＶ放射線１４を発生させるための放射線源３の場所とも呼ばれる。
通過開口部３２は、光軸３０の領域内、すなわち、２つのフォーカス２６、２７の接続線の延長に配置される。
別の実施形態において、通過開口部３２を光軸３０に対して軸外に配置することを可能にすることができる。この場合に、レーザ３４からのレーザ放射線は、第１のフォーカス２６に光軸３０に対して特に少なくとも１０°、特に少なくとも３０°の角度で案内することができる。それによってレーザ３４からのレーザ放射線が第２のフォーカス２７に光軸３０に直接に沿って進むことが防止される。
１つの有利な発展により、反射区画２４は、非球面方式に具現化された反射面３５を有する。図４で概略的に分るように、反射面３５の非球面性は、ｒ（ｂ）＝ｒ0・ｅtan(f*)・bのようにパラメータ化することができる。この場合に、ｒ0は、所定の伝播方向を有する照明光１４における反射面３５と第１のフォーカス２６との間の距離を表し、ｂは、ラジアンで測定されたこの伝播方向に対する角度を表し、ｆ*は、所定の入射角を表している。ｆ*＝４５°では、パラメータ化は、ｒ（ｂ）＝ｒ0・ｅbのように簡素化される。
放射線源３及びコレクター１５の本発明による配置は、放射線源３から射出してコレクター１５の反射面２４上に入射する非偏光放射線１４が、反射された放射線１４が中間フォーカス２７において均一な偏光を有するように、中間フォーカス２７の中に反射されるという効果を有する。従って、中間フォーカス２７での放射線１４の偏光状態は方向に依存しない。ＥＵＶ放射線１４の偏光状態は、特に中間焦点面１６内の瞳にわたって一定である。
コレクター１５の別の実施形態を図５に例示している。この実施形態において、反射区画２４は、各場合に接続部分３６によって互いに機械的に接続される。接続部分３６は、反射区画２４の基板のような同じ材料で生成することができる。この場合に、コレクター１５は、特に単体から製造することができ、特にフライスすることができる。接続部分３６は、反射区画２４の基板とは異なる材料で生成することができる。これらの接続部分３６は、反射区画２４に、特に後付けで装着することができる。接続部分３６は、接続方式又は非接続方式に具現化することができる。接続部分３６は、特にコレクター１５の反射区画２４を冷却するための冷却デバイスの配置という更に別の機能を有することができる。
反射区画２４の配置は、上述の例示的な実施形態におけるものに対応する。
この実施形態においても、第１のフォーカス２６の背後に付加的な反射器シェル３１を設けることができる。
本発明の更に別の例示的な実施形態を図６ａから図６ｄを参照して以下に説明する。例示的な実施形態は、これまでに記載した例示的な実施形態に実質的に対応し、ここではその説明を参照する。しかし、この例示的な実施形態において、所定の入射角ｆ*は、正確に４５°であるわけではない。これは、反射区画２４が、２つのフォーカス２６、２７にそのようなターレスの円２９上に配置されないという結果を有する。反射区画２４は、各場合に、２つのフォーカス２６、２７を通る平面とのこれらの反射区画２４の交点が、円弧区画の中点Ｍがこの中点Ｍと２つのフォーカス２６、２７の一方とによって各線が定められる接続線３９と光軸３０の間の角度が９０°−２ｆ*の角度を形成するような垂直二等分線３８上の光軸３０からの距離に位置する円弧区画３７上に位置するように配置される。この場合に、図６ａから図６ｄによって示すように、反射区画２４の位置は、円周角の定理又は外周角の定理を用いて決定される。個々の反射区画２４は、特に、ここでもまた光軸３０に関して回転対称であるように具現化される。
コレクター１５の機能を再度下記で説明する。放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４が、第１のフォーカス２６の領域内で発生されるように配置される。コレクター１５は、第１のフォーカス２６から射出する放射線１４が、各場合に反射区画２４の全ての上に所定の入射角ｆ*付近の所定の角度範囲で入射するように配置される。角度範囲は、特に最大で１０°、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°を含む。所定の入射角ｆ*は、好ましくは、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角である。所定の入射角ｆ*は、ブリュースター角又は擬似ブリュースター角から特に最大で１０°、特に最大で５°、特に最大で３°、特に最大で１°だけずれる。
コレクター１５の反射区画２４は、各場合に、放射線１４が第２のフォーカス２７に反射されるように具現化して配置される。コレクター１５の全ての反射区画２４に対して、放射線源３からのＥＵＶ放射線１４の入射角ｆは、同じ範囲に存在し、特に同一であるので、第２のフォーカス２７に反射されるＥＵＶ放射線１４は均一に偏光される。
上述のコレクター変形のうちの１つを有する投影露光装置１の使用中に、レチクル７と、照明光１４に対して感光性を有するコーティングを担持するウェーハ１２とが与えられる。その後に、投影露光装置１を用いて、レチクル７の少なくとも１つの区画がウェーハ１２上に投影される。レチクル７のウェーハ１２上への投影中に、レチクルホルダ８及び／又はウェーハホルダ１３をそれぞれ物体平面６及び／又は像平面１１と平行な方向に変位させることができる。レチクル７及びウェーハ１２の変位は、好ましくは、互いに同期させて行うことができる。最後に、照明光１４によってウェーハ１２上で露光された感光層が現像される。このようにして、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素、特に半導体チップが生成される。
１４ ＥＵＶ放射線
１５ コレクター
２３ コレクターシェル
２４ 反射区画
２６ 第１のフォーカス

Claims (14)

  1. マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）のためのコレクター（１５）であって、
    ａ．ｉ．少なくとも１つの反射区画（２４）と、
    ｉｉ．第１のフォーカス（２６）と、
    ｉｉｉ．第２のフォーカス（２７）と、
    を有する少なくとも１つのコレクターシェル（２３）、
    を含み、
    ｂ．前記少なくとも１つの反射区画（２４）は、各場合に、
    ｉ．放射線（１４）を前記第１のフォーカス（２６）から前記第２のフォーカス（２７）に反射することができ、
    ｉｉ．全ての反射区画（２４）上への入射角（ｆ）の角度スペクトルが、所定の入射角（ｆ*）の付近に最大で１０°の角度範囲を含む、
    ように具現化され、
    ｃ．前記少なくとも１つのコレクターシェル（２３）は、前記第１のフォーカス（２６）に配置された放射線源（３）から射出した放射線（１４）が、所定の入射角（ｆ*）付近の最大で１０°の角度スペクトル内の入射角（ｆ）で各場合に反射区画（２４）上に入射するように具現化された複数の反射区画（２４）を有し、該所定の入射角（ｆ*）は、全ての反射区画（２４）に対して各場合に同一である、
    ことを特徴とするコレクター（１５）。
  2. 前記所定の入射角（ｆ*）は、ブリュースターから最大で１０°だけずれることを特徴とする請求項１に記載のコレクター（１５）。
  3. 前記少なくとも１つの反射区画（２４）は、前記所定の入射角（ｆ*）で、それが、所定の偏光状態を有するＥＵＶ放射線（１４）に対して少なくとも５０％の反射率を有するように具現化されることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載のコレクター（１５）。
  4. 前記少なくとも１つの反射区画（２４）は、各場合に切端円錐の包絡線の形状に具現化されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のコレクター（１５）。
  5. 前記少なくとも１つの反射区画（２４）は、各場合に非球面方式に具現化されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のコレクター（１５）。
  6. 付加的なコレクターシェル（３１）を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のコレクター（１５）。
  7. 前記付加的なコレクターシェル（３１）は、前記第１のフォーカス（２６）の周囲に球面区画の形状に配置されることを特徴とする請求項６に記載のコレクター（１５）。
  8. 前記付加的なコレクターシェル（３１）は、電磁放射線のための通過開口部（３２）を有することを特徴とする請求項６及び請求項７のいずれか１項に記載のコレクター（１５）。
  9. マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）のための配置であって、
    ａ．電磁放射線（１４）を発生させるための放射線源（３）と、
    ｂ．ｉ．少なくとも１つの反射区画（２４）を有する少なくとも１つのコレクターシェル（２３）、
    を有するコレクター（１５）と、
    を含み、
    ｃ．前記少なくとも１つの反射区画（２４）は、前記放射線源（３）から射出してその上に入射する非偏光放射線（１４）が、中間フォーカス（２７）での反射放射線（１４）が均一な偏光を有するように該中間フォーカス（２７）の中に反射されるように具現化される、
    ことを特徴とする配置。
  10. マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）のための照明系（２）であって、
    ａ．放射線（１４）を発生させるための放射線源（３）と、
    ｂ．請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のコレクター（１５）と、
    を含むことを特徴とする照明系（２）。
  11. 均一に偏光された放射線を発生させる方法であって、
    放射線（１４）を発生させるための放射線源（３）を与える段階と、
    前記放射線（１４）を反射する少なくとも１つの区画（２４）を有するコレクターシェル（２３）を有するコレクター（１５）を与える段階と、
    前記放射線（１４）が、前記反射区画（２４）の全ての上に各場合に所定の入射角（ｆ*）の付近の最大で１０°の角度範囲で入射するように前記放射線源（３）を配置する段階と、
    を含み、
    前記少なくとも１つの区画（２４）は、前記放射線（１４）が所定のフォーカス（２７）の中に反射されるように具現化かつ配置される、
    ことを特徴とする方法。
  12. マイクロリソグラフィのための投影露光装置（１）であって、
    ａ．コレクター（１５）によって反射された放射線（１４）を用いて物体視野（５）を照明するための照明光学ユニット（４）を有する請求項１０に記載の照明系（２）と、
    ｂ．前記物体視野（５）を像視野（１０）に投影するための投影光学ユニット（９）と、
    を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
  13. 微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル（７）を与える段階と、
    感光コーティングを有するウェーハ（１２）を与える段階と、
    請求項１０に記載の投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（７）の少なくとも１つの区画を前記ウェーハ（１２）の上に投影する段階と、
    前記ウェーハ（１２）上の前記露光された感光コーティングを現像する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  14. 請求項１３に記載の方法に従って生成された構成要素。
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