CN102548921A - 熔块糊或包括熔珠的焊料玻璃化合物及含有其之组件 - Google Patents

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Abstract

本发明某些实施例涉及包含熔珠的熔块或焊料玻璃化合物，和/或包含其之组件，例如像含有其之真空绝缘玻璃(VIG)元件或等离子显示器(PDPs)。在某些实施例中所述熔珠可为任何合适形状(例如，大体为球形，大体为眼形，大体为长方形，大体为正方形等)的、抽空或未抽空空腔的中空玻璃熔珠。熔块材料含有此种熔珠可在某些实施例中改善批量烧结熔块的热性能。此外，含有此种熔珠的熔块材料可代替熔块中较昂贵的材料，以此来降低所述组件的制造成本。

Description

熔块糊或包括熔珠的焊料玻璃化合物及含有其之组件
技术领域
本发明的一些实施例涉及用于应用组件的熔块或焊料玻璃化合物。本发明的一些实施例尤其涉及熔块或包括熔珠的焊料玻璃化合物，和/或包括其之真空绝缘玻璃(VIG)元件或等离子显示器(PDPs)。在某些实施例中，所述熔珠可为任何合适形状的(例如大体为圆球形、大体为眼睛形、大体为长方形、大体为正方形等)带有真空或非真空穴的中空玻璃珠。熔块材料中含有这样的熔珠能在一些情况下提高批量烧结熔块的热性能。此外，熔块材料中含有这种熔珠能代替所述熔块中其他更昂贵的材料，以此来降低所述组件的制造成本。
背景技术
真空绝缘玻璃元件作为现有技术已广为人知。例如，专利号为5664395、5657607和5902652的美国专利文献就对此做了披露，在此列出以做参考。
图1-2示出普通的真空绝缘玻璃元件(真空IG元件或VIG元件)。真空绝缘玻璃元件1包括两个隔开的玻璃基板2和3，该玻璃基板围成抽空的或低压的空间。玻璃片/基板2和3通过焊料玻璃的焊接的外围密封或边密封及支撑柱或隔片5的阵列相互连接。
泵出管8通过焊料玻璃9被严密密封到开口或孔10上，该孔从玻璃板2的内表面贯通到位于板2外表面上的凹位11的底部。泵出管8上连接吸尘器可使基板2和3之间的内腔经过抽吸产生低压区域或低压空间6.抽吸操作完成后，管8被熔化用以真空密封。密封的管8保留在凹位11中。在凹位13中可置有化学吸收剂12.
具有熔合焊料玻璃的外围密封4的普通的真空绝缘玻璃元件是按如下方法制造的。溶液中的玻璃熔块(最终是要形成焊料玻璃边密封4的)最初是沉积在基板2的外边周围。另一个基板3覆盖在基板2的上面以将支撑柱5和所述玻璃熔块/熔液夹在其间。所述包括基板2，3、支撑柱和密封材料的整个组件被加热到大约500℃，在此温度上所述玻璃熔块熔化，浸润所述玻璃板2，3的表面，并最终形成严密的外围密封或边密封4.此大约500℃的温度保持一到八小时。在外围密封/边密封4和所述管8周围密封成型后，所述组件冷却至室温。已知在美国专利5664395的第二栏中有对普通真空绝缘玻璃制造过程温度约为500℃保持1小时的说明。‘395专利的发明者莱曾(Lenzen)、特纳(Turner)和科林斯(Collins)指出：“当前边密封的过程相当缓慢：试件的典型温度是每小时升高200℃，并根据所述焊料玻璃成分的不同在430℃到530℃这一恒定值的区间内保持一个小时。”边密封4成型后，通过所述管抽真空以形成低压空间6.
不幸的是，前述在形成边密封4的过程中对所述整个组件所施加的高温和长时间的加热是不利的，特别是在所述真空绝缘玻璃元件中需要使用具有加热应力或回火的玻璃基板2，3时。如图3-4所示，回火玻璃暴露在高温下随着加热时间丧失回火应力。此外，如此高的处理温度是对某些施用于所述一个或两个玻璃基板的低辐射镀膜(low-E coating)不利的。
图3为示出全热回火玻璃板如何暴露在不同的温度在不同的时间段所丧失的最初回火应力的曲线图，其中最初的中心拉应力为每英寸3200MU。图3中的x轴为以小时表示的时间指数(从1到1000小时)，而y轴为指示了在加热暴露后所残留的最初回火应力的百分比。图4为与图3相似的曲线图，不同之处为图4中x轴是表示的从零到一个小时的时间指数(exponentially)。
图3示出七条不同的曲线，每一条以华氏度(℉)表示暴露在不同的温度中。所述不同的曲线为400℉(在图3中横贯顶部的曲线)、500℉、600℉、700℉、800℉、900℉和950℉(图3中最底部的曲线)。900℉相当于约482℃，这个温度落在形成前述图1-2中普通焊料玻璃的外围密封4所使用的温度范围内。因此，将所述900℉的曲线标以参考标号18，以提起对此曲线的注意。如图所示，在此温度(900℉或482℃)下一个小时后仅保留有20％的最初回火应力。这么严重的回火应力的损失(例如：80％的损失)当然是不利的。
与处于900℉一个小时相比，图3-4示出当加热到800℉保持一个小时在热回火片中保留的回火应力会多很多。如此，玻璃片在处于800℉一个小时后所留存的最初回火应力约为70％，这明显的要好于处于900℉相同的时间所留存的不足20％的最初回火应力。
不将整个元件加热太长时间的另一个优点是可以使用低温的支撑柱材料。这可能在一些情况下是需要的，在另一些情况也可能不需要。
即使使用非回火玻璃基板，当对整个真空绝缘玻璃组件施用高温时也会软化玻璃或引入应力，并且部分加热会引入更多的应力。这些应力会增加所述玻璃变形和/或破裂的可能性。
此外，普通真空绝缘玻璃元件的陶瓷或焊料玻璃的边密封容易破裂和/或碎裂，降低了玻璃面板相互单独移动的可能性。已知发生在正常情况下的玻璃面板的移动例如像当两个严密密封的玻璃部件(例如在真空绝缘玻璃元件中)作为窗户、天窗或门的部件安装时，则所述真空绝缘玻璃元件直接暴露在阳光下并且其中一个玻璃面板比其他的面板吸收更多的热量，或者在内侧和外侧之间具有很大的温度差。
基于环境和安全的考虑，虽然通过商业途径可获得“无铅”熔块，但这样的熔块材料比普通的含铅熔块材料要贵很多。确实，本发明的发明者曾指出当前的“无铅”熔块平均比普通的含铅熔块要贵大约二十倍。
因此，在本领域很渴望能廉价地制造和使用熔块或焊料玻璃材料并能提供适于真空绝缘玻璃和/或PDP所需的应力。
发明内容
某些涉及在“无铅”熔块中至少替换一些材料的实施例，虽然材料减少，但对应力无影响。就此而言，某些涉及到熔块或焊料玻璃材料的实施例包括熔珠(例如实心或空心的陶瓷珠)，其优选替换该材料(可含有例如铋)。在此实施例中，所述熔珠也可降低所述熔块的体导热率(bulk conductivity)(例如，整体导热率)。可以选择所述熔珠的大小和形状以能增加“填充率”(fill)，致使得到更大的体积和更小对应力地影响。
本发明的某些实施例涉及包含有熔块粉和若干玻璃或陶瓷珠的熔块熔浆糊。所述熔块熔浆糊大体上是无铅的并且其所具有的粘性可使所述熔块熔浆糊具有可挤压性(extrudable)。
本发明的某些实施例涉及包括至少一个基板和形成在所述至少一个基板上的熔块的组件。所述熔块是通过烧结施用到所述至少一个基板上的熔块熔浆糊而形成的。所述熔块熔浆糊包括熔块粉和若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠。所述熔块熔浆糊大体是无铅的，并且其所具有的粘性可使所述熔块熔浆糊具有可挤压性能。
在某些实施例中，每个所述熔珠可为中空的、内真空的熔珠。在某些实施例中，若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠可包含若干第一熔珠与若干第二熔珠，其中第一熔珠的平均大小要小于第二熔珠的平均大小。
本发明的某些实施例涉及制备真空绝缘玻璃元件的方法。提供第一基板。将熔块熔浆糊施于所述第一基板的周围。提供第二基板，使所述第一基板与第二基板大体平行并且相互隔开，以使所述熔块熔浆糊被施用到所述第二基板的周围。所述熔块熔浆糊被烧结从而产生边密封。形成于所述第一与第二基板中间的空腔至少部分的抽空。所述熔块熔浆糊具有的体积粘度(bulk viscosity)为20,000-100,000cps，其包括熔块粉和若干中空的、内真空的熔珠。所述熔块熔浆糊基本为无铅的。
在某些实施例中，关于具有由缺乏任何熔珠的熔块熔浆糊形成的边密封的真空绝缘玻璃元件，所述真空绝缘玻璃元件在接近其边密封处具有降低了的导热率，并且所述边密封具有适于支撑所述真空绝缘玻璃元件的第一和第二基板的抗压强度(compressive strength)。
此处所描述的实施例、特征、方面和优点可结合形成另外的实施例。
附图说明
这些和其他特征及优点可参照具体实施例的详细描述并结合附图进行更好更全面的理解，附图为：
图1为现有技术中普通真空绝缘玻璃元件的截面视图；
图2为图1中现有技术的真空绝缘元件沿图1中所示的剖切线所剖开的显示底基板、边密封和支撑柱的俯视平面图；
图3为关于时间(小时)对应残留回火应力百分比的曲线图，其示出热回火玻璃板暴露在不同温度下在不同时间段的最初回火应力的损失；
图4为类似于图3的关于时间对应残留回火应力百分比的曲线图，但所述时间在x轴上为更小的时间段；
图5为某些实施例组件部分的截面视图；和
图6为某些实施例其他组件部分的截面视图。
具体实施方式
本发明的某些实施例涉及熔块或焊料玻璃化合物，其包括熔珠和/或组件，该组件例如像包括上述熔块或焊料玻璃化合物的真空绝缘玻璃(VIG)元件或等离子显示器(PDPs)。在某些实施例中，所述熔珠为任何合适形状(例如大体为球形、大体为眼形、大体为长方形、大体为正方形的等等)的带有抽空空腔或未抽空空腔的中空玻璃熔珠。在某些实施例中，可将中空的或实心的熔珠加入未凝固的熔块熔浆中、油墨中或涂料中用于制备等离子显示器(PDPs)、真空绝缘玻璃(VIG)元件或其他组件。在某些实施例中，所述熔珠可为任何合适形状(例如大体为球形、大体为眼形、大体为长方形、大体为正方形的等等)的中空的(有时为抽空的)或实心腔(solid cavities)的中空玻璃熔珠。所述某些实施例中含有所述熔珠的未凝固的熔块熔浆、油墨或涂料可用作所述玻璃表面的涂装材料，以作为边密封等用途来帮助将两个基板粘结在一起(例如玻璃粘结玻璃，金属粘结金属，玻璃粘结金属等)。包含所述熔珠的某些实施例改善了一些工艺特征，例如所述材料的流动性，同时也降低了凝固的熔块、涂料或油墨的导热性能。而且熔块材料中所包含的这种熔珠也替代了熔块中其他更贵的材料，由此在某些实施例中降低了制造所述组件的成本。
在某些实施例中适用的熔珠可从商业途径获得。例如，3M公司就有一系列商标名称为“玻璃泡”(Glass Bubbles)的中空微玻璃球。所述中空微玻璃球具有高的强度密度比，由此其具有轻质且强度高的特性。总体上，所述某些实施例中的熔珠所具有的密度为从0.1到1.0g/cc，优选为大于0.2g/cc，同时等静压强度(isostatic crush strength)为50-50,000psi，优选为大于约500psi。商业途径可获得的落入此范围的3M产品例如包括玻璃泡A16/500，A20/1000，D32/4500，H20/1000，H50/10000EPX，K1，K11，K15，K20，K25，K37，K46，S15，S22，S32，S35，S38，S38HS，S38XHS，S60及S60HS。在某些实施例中，所述熔珠可进行表面处理或涂覆偶联剂(coupling agents)、如表面活性剂之类的粘度改变剂(viscosity altering agents)、如染料、颜料及类似物等的外观改变剂。当然，对于VIG元件的适用，最好是不使用上述添加剂，因为表面的有机物在排放有机气体时会产生麻烦。
在某些实施例中，熔珠在所述熔浆中所选择的比率为2.5-90％，更优选为5-75％，仍更优选为5-60％。为了调整和改善熔浆的流动性和流变学特性(rheology)，或调整和改善最终产品的物理性能、热性能和/或其他性能，熔珠在某些实施例中可能有不同的尺寸和/或体积。在某些实施例中，在相同的熔浆中可含有不同大小和/或不同体积的熔珠。所述混有不同大小和/或不同体积熔珠的某些实施例可具有一些优点，例如能提供更大的体积或额外的“填充”，由此有助于所述烧结的熔块保持高强度。在某些实施例中，可提供混有超过两种不同大小的熔珠的熔块。在某些实施例中，可提供在所给定的区域范围内具有预定百分比体积的任意大小熔珠的熔块，例如网屏(mesh screen)。
一旦混合物熔化，某些实施例中的所述熔珠最好不要用来确定烧结熔块的高度，但是某些实施例中的熔珠可用作填充材料来获得更好的热传导或更低的导电率，下面将更详细的给出说明。另外，某些实施例中的熔珠可用来降低对一些有毒、有害或不利熔块材料的需求(例如：铅)，和/或用来降低对昂贵熔块材料(例如：铋基材料)的需求等。例如，某些实施例中的熔珠可替代至少一些在某些无铅熔块中含有的铋基材料。因此，某些实施例中的熔块或焊料玻璃材料可包含例如像Bi2O3-Bi2O3这样的铋基材料和若干相似的或不同大小的熔珠。
所述熔珠加入所述混合物就分散其中。可在此使用不打破或压破熔珠的普通混合设备，例如以此来将所述熔珠均匀分散在混合物中。可使用不同的不使所述熔珠被压破的技术来泵出或挤压出所述熔浆混合物。在这方面，例如可使用振动板(diaphragm)、蠕动方式(peristaltic)和/或其他泵出形式。由此设计方法所产生的流变可改善批量熔浆的流动性能。控制某些实施例中熔珠的大小、形状和数量可用来获得与普通熔块熔浆糊相似或相同的粘性。然而如果所述熔珠为小尺寸和低表面积，这一般就不是一个问题。虽然不同实施例中所产生的不同熔块熔浆糊具有不同的粘度范围，但粘度范围在2,000-500,000cps之间一般是优选的，粘度范围更优选为20,000-250,000cps或20,000-200,000.有时所述的粘度范围可达到40,000-80,000cps，这就接近普通的熔块熔浆糊的粘度范围。
所施用的熔浆可通过加热、抽吸的方式或这两种方式的组合来干燥。接触所述两个连在一起的基板的熔浆在合适的温度被烧结，在此温度下所述熔珠应未达到软化点。例如，当所述熔珠为玻璃球，加热温度低于Tg。所述烧结的熔块或焊料玻璃则具有所述熔块和所述球体特性(bulk properties)的结合。使用抽空的中空熔珠的一个优点就是节约成本，特别是在使用较贵重的熔块时，节约更加明显。另一个优点是基于熔珠添加量所造成的导热率的降低，例如接近所述熔块。
在像VIG元件或PDPs这样的组件中，所述具有熔珠的熔块或焊料玻璃化合物在某些实施例中可改善热传导率。即传导率的降低是有利的(例如，对于VIG元件)，通过所述熔块或焊料玻璃所述另外的中空化合物降低了所述热传导率。对热传导的阻滞反过来改善了所述元件的总U值(U-value)。已知所述U值(或U因子(U-factor))一般与总的热传导系数(heat transfer coefficient)有关并且通过测量所通过的热传导来表示构建元件传热的性能，例如，在标准条件下在构建元件的给定区域测量。通常的标准是：24℃的温度梯度、50％的湿度、无风，一般认为越小的U值比更大的U值更有利。例如，在VIG元件中降低热传导率是有利的，如果在批量熔浆混合物中60％体积抽空的中空玻璃球所计算的热传导率为K＝0.085W/mK，则所述烧结熔块所计算出的体热传导率会改善约55％。因此，周边熔块(或边密封)热传导率的降低会改善安装在窗户或门的产品上的VIG元件的总体性能。总体上对某些实施例的VIG元件的适用来说，热传导率降低约5％是有利的，但如上所述，传导率降低55％有时甚至更多也是可能的。
图5为某些实施例中组件的部分截面视图。图5示出可用于VIG元件类型的第一和第二玻璃基板15，所述第一和第二基板15夹着包含若干熔珠19和熔块材料的熔块17a，该熔块材料可为“无铅”的。图5中所示的熔块17a中的熔珠19基本上大小和形状相一致。相比于熔块中不包含任何熔珠19的实施例所述含有批量熔块17a的组件具有较低的传导率。
图6为某些实施例另一组件的部分截面视图。图6中的实施例示出了玻璃基板15和金属基板21。例如在PDP组件中可设置为将所述金属基板21接近于面板的边。与图5中的实施例相类似，图6中实施例的所述玻璃基板15和所述金属基板21夹着包含有若干熔珠19a与19b和熔块材料的熔块17b。该熔块材料也可为“无铅”的。但与图5中的实施例所不同的是，图6中的实施例包含不同大小和/或不同形状的熔珠。即图6中的实施例包含更大的熔珠19a和更小的熔珠19b。以相同和/或类似方式包含不同大小和/或不同形状的熔珠可增强烧结熔块的强度，因为由于不同大小的熔珠增加了填充容积。
虽然在图5和图6中描述了有关玻璃基板和金属基板，但根据本发明的不同实施例仍可使用任何合适的基板。图5与图6中所示的熔珠为中空的，且在某些实施例中为真空的空腔。在其他的实施例中，所述熔珠可为实心的。
在某些实施例中，虽然熔块材料的厚度根据在不同实施例中的适用不同而有所变化，但所述熔块材料可仅为约2-20mm厚，某些实施例中的熔珠在直径或宽度上的尺寸范围可从20-200微米。即使所述熔珠的大小可能不总是完全一样，但某些所述实施例中具有基本一致大小的熔珠，例如，由于制造工艺的原因，可导致熔珠大小的不一致。在某些实施例中，如果绝大多数熔珠相互间的偏差在1-3的标准内，则可以说所述熔珠的大小基本一致。
可以理解在某些实施例中所述含有熔珠(bead)的熔块材料可用于支撑柱，该种支撑柱具有足够的机械抗压强度。例如此种材料可采用将其挤出成长条，然后将其切断成支撑柱从而成型的制作方式。在另一个例子中，也可预成型支撑住，然后应用到所述玻璃，最后烧结。所述支撑柱可做成具有所需的颜色特征。虽然所述支撑柱的在外观着色或低能见度方面的要求不是很重要，但例如，其他一些实施例可包含透明的熔块材料和透明的玻璃泡。总的来说，对于某些实施例中所适用的VIG元件，一般是将熔块材料施用到基板，然后熔化，接着将在基板间形成的空腔抽空。
在某些实施例中，所述熔块的高度或基板之间的厚度可大体上等于所述支撑柱的高度。例如，所述熔块的高度或厚度的偏差优选不大于+/-15％，更优选不大于+/-10％，又更优选不大于+/-5％。普通方法中使所述焊料玻璃流动，然后烧结的操作会在边缘玻璃处产生会造成静应力的弯曲，可以理解上述增加了的高度一致性标志着在消除静应力上的改善。
在某些实施例中，所述包含熔珠的熔块熔浆糊可以预定的形状挤出成型。所述熔块熔浆糊一旦被挤压出就被烧结或加热，从而成型为施用到所述第一和/或第二基板边上的刚硬的部件。所述刚硬部件可被再次烧结或再加热以制成所述的VIG元件。
可以理解的是包含一定量铅的熔块仍可被认为“无铅”。例如，包含几PPM铅的熔块仍被说成是“无铅”的。总的来说，“无铅”熔块是任何含铅量低于有毒标准的熔块。
此处的“外围”密封和“边”密封不意味着所述密封就绝对位于所述元件的外围或边上，但意味着所述密封至少部分的位于所述元件至少一个基板的边上或其附近(例如，约两英寸之内)。同样的，此处所用的“边”不限于玻璃基板的绝对的边，而是可包括所述基板绝对边的区域或其附近(例如，约两英寸之内)。再者，也可以理解此处所用的“VIG组件”是指在包括例如两个被隔开的平行基板的所述VIG的边被密封和所述凹位被抽空前的中间产品。还有，此处的部件被称为在一个或多于一个所述基板“之上”或“被支撑”也不意味着所述部件就必须直接的接触所述基板。也就是说，所述词“之上”包括了直接接触和间接接触的之上，所以即使是有其他材料(例如，涂装和/或薄膜)位于所述部件与所述基板之间也可认为所述部件在基板“之上”。
可以理解此处所描述的实施例可用于各种不同的VIG组件和/或其他元件或部件。例如，所述基板可为玻璃基板、热加强基板、回火基板等。
此处所说的“热处理”是指将物品加热到足够高的温度以使所述玻璃能够被热回火、弯曲和/或热加强。例如这包括将物品加热到至少约580℃或600℃的温度保持充足的时间以使其回火和/或热加强，所述加热到的温度更优选为至少为约600℃，有时为625℃。在一些实例中，所述的热处理(HT)可能要持续最少约4分钟或5分钟。
值得注意的是在某些实施例中所述玻璃基板进行热处理使其要么被热加强，要么被热回火(例如，在至少为约580℃，更优选在至少为约600℃，并且经常在至少为约620℃或640℃)。
某些实施例提供了局部加热(localized heating)和/或红外加热(IRheating)所述熔块的方法，如在申请序列号为12/000,663和12/000,791的专利文献中就有披露，每篇文献的全部内容在此可作为参考。这可为在某些实施例中将所述熔块设计为能吸收红外线的提供帮助，例如将红外线的波长限制在800-2000nm的范围内(或者任何此范围内的次级范围内)。例如可通过添加能吸收这些波长的添加剂来实现上述目标。这些添加剂可在不同阶段添加，例如在调制批次配方时和在熔化到所述玻璃熔块时以粉末的形式将其添加到基本熔块粉中等等。在本例中所述熔块优选被加热到熔化，这同时对混合物中的熔珠即使有影响也是很小的影响。
当前对本发明的描述所用的实施例应该认为是最实际并且最优选的实施例，可以理解为本发明并不局限于所公开的实施例，恰恰相反，在所附权利要求的范围及精神之内，本发明的范围还应包括各种不同的修改及等同的设置。

Claims (21)

1.一种熔块熔浆糊，包括：
熔块粉；和
若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠，
其中，所述熔块熔浆糊是基本无铅的，且其具有能使所述熔块熔浆糊具有可挤压性的粘性。
2.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中每个所述熔珠均为中空的。
3.根据权利要求2所述的熔块熔浆糊，其中每个所述熔珠均具有抽空的空腔。
4.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠中的熔珠基本上为大小一致。
5.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠中的熔珠一般为大小不同。
6.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中每个所述熔珠均基本上为球形。
7.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中每个所述熔珠均基本上为眼型。
8.根据权利要求1所述的熔块熔浆糊，其中所述熔块粉为铋基材料。
9.一种组件，包括：
至少一个基板；和
形成于所述至少一个基板之上的熔块，所述熔块是通过烧结施用于所述至少一个基板上的熔块熔浆糊而形成的，所述熔块熔浆糊包含：
熔块粉；和
若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠，
其中，所述熔块熔浆糊是基本无铅的，且其所具有的粘性能使所述熔块熔浆糊具有可挤压性。
10.根据权利要求9所述的组件，其中每个所述熔珠均为中空的、抽空空腔的熔珠。
11.根据权利要求10所述的组件，其中所述熔珠基本上大小一致。
12.根据权利要求10所述的组件，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠包括若干第一熔珠和若干第二熔珠，所述第一熔珠在大小上一般小于所述第二熔珠。
13.根据权利要求10所述的组件，其中每个所述熔珠均基本上为球形。
14.根据权利要求9所述的组件，进一步包括第一基板与第二基板，其中，所提供的所述熔块作为所述第一基板与第二基板之间的边密封。
15.根据权利要求14所述的组件，其中所述组件为真空绝缘玻璃(VIG)元件。
16.根据权利要求9所述的组件，其中所述熔块被夹在至少一个基板与金属层之间。
17.根据权利要求16所述的组件，其中所述组件为等离子显示器(PDP)。
18.一种制备真空绝缘玻璃(VIG)元件的方法，该方法包括：
提供第一基板；
将熔块熔浆糊施用到所述第一基板的周边；
提供第二基板，使所述第一基板与第二基板大体平行且相互隔开，从而使得所述熔块熔浆糊被提供到所述第二基板的周边；
烧结所述熔块熔浆糊以产生边密封；和
在所述第一基板与第二基板之间形成至少部分抽空的空腔，
其中，所述熔块熔浆糊具有的体积粘度为20,000-100,000cps，并包括：
熔块粉，和
若干中空的、内真空的熔珠，且
其中所述熔块熔浆糊基本为无铅的。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述若干熔珠包括若干第一熔珠及若干第二熔珠，所述第一熔珠在大小上一般小于所述第二熔珠。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述VIG元件在接近其边密封处相对于由缺乏任何熔珠的熔块熔浆糊形成的边密封的VIG元件具有降低的导热率，并且其中所述的边密封具有适于支撑所述VIG元件的第一基板和第二基板的抗压强度。
21.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
挤出含有预定形状熔珠的熔块熔浆糊；
烧结或加热所述被挤出并被施用到所述第一基板和/或第二基板边上的熔块熔浆糊以形成刚硬的部件；和
烧结或加热所述刚硬的部件以制备所述VIG元件。
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