CN102543709B - 用于对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种在双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法，其中，双面处理设备具有滚动装置，所述滚动装置使至少三个承载件转动，且每个承载件仅具有一个开口，半导体晶片分别以可自由移动的方式嵌入所述开口中，使得半导体晶片在工作盘之间以摆线轨迹移动，而且承载件在双面处理设备中的布置以及开口在承载件中的布置满足以下不等式：R/e·sin(π/N*)-r/e-1≤1.2其中，N*表示周角与相邻的承载件间以最大距离嵌入滚动装置中时的角度之比，r表示用于接收半导体晶片的开口的半径，e表示绕着设有开口的承载件的中点的节圆的半径，R表示承载件借助于滚动装置在工作盘之间移动所沿循的节圆的半径。

Description

用于对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法
技术领域
本发明涉及一种在双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法，其中，双面处理设备具有滚动装置，所述滚动装置使至少三个承载件转动，且每个承载件仅具有一个开口，半导体晶片分别以可自由移动的方式嵌入所述开口中，使得半导体晶片在工作盘之间以摆线轨迹移动。
背景技术
电子器件、微电子器件以及微型机电器件需要半导体晶片作为初始材料，所述半导体晶片必须在全局和局部平坦度、单侧平坦度(纳米形貌特征)、粗糙度和清洁度方面满足极其严格的要求。半导体晶片是由半导体材料、例如元素半导体(硅、锗)、化合物半导体(例如，由元素周期表的第三主组的元素例如铝、镓或铟与元素周期表的第五主组的元素例如氮、磷或砷共同构成)或它们之间的化合物构成(例如Si1-xGex，0＜x＜1)。
根据现有技术，半导体晶片通过多个相继的过程步骤制造，所述过程步骤通常可分成以下多组：
(a)制造通常为单晶体的半导体棒；
(b)将棒分切成单个晶片；
(c)机械处理；
(d)化学处理；
(e)化学机械处理；
(f)如果合适，另外制造层结构。
在这种情况下，步骤(c)和(e)情况下的有利方法包括所谓的“自由悬浮过程(FFP)”，其中，半导体晶片的两面在一个工作步骤中同时以材料去除方式被处理，确切地说，以以下这种方式进行：在材料去除过程中前、后侧的作用于半导体晶片上的处理力彼此补偿，使得半导体晶片基本上以“自由悬浮”方式被处理，而没有施加引导装置的约束力。在这种情况下，“基本上”意味着，由于过程的运动学特性，在处理过程中作用于前、后侧的力可至少原理上精确地彼此平衡，且可产生的低的合成残留力将仅由于随机波动或外部干扰变量产生。借助于FFP，由于之前的过程产生的形状缺陷可特别有效地以小的材料去除量去除，且FFP在半导体晶片上几乎不会留下任何处理特征方面的新的形状缺陷。
在现有技术中，优选这种用于制造半导体晶片的工序，其中，涉及到的过程步骤中的至少一个是FFP。在现有技术中，特别优选这种工序，其中，至少一个FFP包括一种方法，在所述方法中，至少两个半导体晶片的两面在两个环形工作盘之间同时以材料去除方式被处理，其中，半导体晶片分别松动地嵌入在外侧被齿啮合的至少一个薄的引导笼(承载件)的至少一个接收开口中，所述薄的引导笼借助于滚动装置和外齿结构在压力下相对于工作盘沿摆线路径被引导，使得它们完全绕着双面处理设备的中点转动(行星运动)。这种运动学特征用于半导体晶片的研磨、磨削或抛光。
US2009/0298396A1和US2009/0298397A1描述了利用行星运动的双面磨削方法，所述方法用于产生非常平坦的表面，即使在具有450mm的直径的半导体晶片的情况下也不具有边缘斜坡。在这种情况下，具有相同直径的多个半导体晶片设置在承载件中，在绕着承载件的中点的刚好一个节圆上，使得节圆面积与半导体晶片面积之比为1.33-2.0。US2009/0298396A1还对该方法中使用的磨粒的尺寸和布置提出了某些要求。相比，US2009/0298397A1公开了一种磨削方法，其中，半导体晶片相同地布置在承载件中，但除了粘合磨料以外，还使用碱性溶液，且半导体晶片的转动速度为5-80圈/分钟。然而，已经发现，满足这些要求还不足以获得平坦表面具有所需的平面平行度的半导体晶片。特别地，在每个承载件仅具有一个大的半导体晶片的布置的情况下，通常获得不了足够的平坦度。在绝大部分的市场上有售的双面处理设备的情况下，例如在具有450mm的直径的半导体晶片的情况下，不能避免类似于此的布置，这是因为相应的承载件不足够大来接收所述尺寸的多个半导体晶片。
半导体晶片在承载件中的其他布置方式以及承载件在双面处理设备中的其他布置方式也是公知的。例如，DE10159848A1指出，在作为例子提及的外驱动环的直径为1970mm、内驱动环的直径为530mm的双面抛光设备中，可嵌入高达5个承载件，所述承载件具有720mm的外齿结构的节圆直径。在每个承载件中，具有用于直径为300mm的三个半导体晶片的空间。然而，通常，所公开的布置方式未被认为与可通过处理获得的平面平行度有关。
发明内容
因此，本发明的提出目的在于，改善利用行星运动的现有的双面处理方法，使得可经济地制造特别是平面平行的半导体晶片，例如即使在诸如450mm的非常大的直径的情况下。
上述目的通过一种在双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法实现，其中，双面处理设备具有滚动装置，所述滚动装置使至少三个承载件转动，且每个承载件仅具有一个开口，半导体晶片分别以可自由移动的方式嵌入所述开口中，使得半导体晶片在工作盘之间以摆线轨迹移动，而且承载件在双面处理设备中的布置以及开口在承载件中的布置满足以下不等式：
R/e·sin(π/N*)-r/e-1≤1.2
其中，N*表示周角与相邻的承载件间以最大距离嵌入滚动装置中时的角度之比，r表示用于接收半导体晶片的开口的半径，e表示绕着设有开口的承载件的中点的节圆的半径，R表示承载件借助于滚动装置在工作盘之间移动所沿循的节圆的半径。
现有技术中不知半导体晶片在承载件中的布置、承载件在工作盘上的布置与已被处理的半导体晶片的可获得的平面平行度之间的关系。本发明基于以下发现：与材料去除机理(磨削、研磨、抛光)的选择无关以及与方法(研磨方法、颗粒磨削、PPG磨削、双面抛光)的选择无关，半导体晶片在承载件中的布置和承载件在工作盘上的布置的众多种可能组合中仅小的选择范围适合于经济地制造具有适合于特殊要求的应用场合的高的平面平行度的半导体晶片。
附图说明
图1示出了半导体晶片在承载件中的根据本发明的布置以及双面处理设备中的承载件的数目、尺寸和布置的示例；
图2示出了半导体晶片在承载件中的不是根据本发明的布置以及双面处理设备中的承载件的数目、尺寸和布置的比较例；
图3示出了半导体晶片在承载件中的不是根据本发明的布置以及双面处理设备中的承载件的数目、尺寸和布置的另一比较例；
图4示出了半导体晶片在承载件中的根据本发明的布置以及双面处理设备中的承载件的数目、尺寸和布置的另一示例；
图5作为比较例示出了通过不是根据本发明的第一方法处理后的半导体晶片的直径上的厚度轮廓；
图6作为另一比较例示出了通过不是根据本发明的第二方法处理后的半导体晶片的直径上的厚度轮廓；
图7作为一个示例示出了通过根据本发明的方法处理后的半导体晶片的直径上的厚度轮廓；
图8示出了适合于执行根据本发明的方法的设备；以及
图9示出了不同的设备和处理方法下的承载件和半导体晶片的布置的对于本发明来说关键的获得的面积标准化平坦度TTV*与参数x/e的关系曲线。
附图标记和缩写列表
1   用于接收半导体晶片的开口
2   承载件中的用于接收半导体晶片的开口的布置的节圆
3   双面处理设备的中点
4   承载件的中点
5   用于接收半导体晶片的开口的中点
6   承载件中的用于接收半导体晶片的开口的布置绕着承载件的中点的圆形包络线
7   承载件的外齿结构的节圆
8   承载件中点绕着双面处理设备的中点转动的节圆(行星路径)
9   连接两个相邻的承载件的中点的直线
10  环形工作盘的外边缘
11   环形工作盘的内边缘
12   半导体晶片移出工作盘的边缘的区域
13   承载件
14   内驱动环的节圆
15   半导体晶片的凸形厚度轮廓
16   半导体晶片的不规则的凸形厚度轮廓
17   半导体晶片的均匀的厚度轮廓
18   具有处于根据本发明优选范围内的x/e参数和TTV＊的处理配置区
19   具有处于根据本发明优选范围外、但仍处于根据本发明的范围内的x/e参数和TTV＊的处理配置区
20   外驱动环的节圆
21   具有不处于根据本发明的范围内的x/e参数和TTV＊的处理配置区
30   工作间隙
31   上工作盘
32   下工作盘
33   内驱动环
34   用于供给工作剂的孔
35   外驱动环
36   半导体晶片
37   工作间隙宽度的测量装置
39   上工作层
40   下工作层
e    承载件中的用于接收半导体晶片的开口的布置的节圆半径(开口的偏心距)
na   外驱动环的转动速度
ni   内驱动环的转动速度
no   上工作盘的转动速度
nu   下工作盘的转动速度
r＊  半导体晶片的半径
r    承载件中的用于接收半导体晶片的圆形开口的半径
N    双面处理设备中的承载件的数量
N＊  周角与相邻承载件间以最大可能距离嵌入滚动装置中的角度之比
R    承载件中点绕着双面处理设备的中点转动的节距圆半径(行星路径半径)
T    半导体晶片的厚度
TTV  总厚度变化(在整个半导体晶片上的厚度变化范围，min...max)
TTV＊面积标准化TTV，即，相对于300mm半导体晶片的面积的TTV
x  两个相邻承载件的包络线6之间的距离的一半
具体实施方式
对利用行星运动的双面处理的总体描述
图8示出了适合于执行根据本发明的方法的根据现有技术的设备的基本元件。该设备适合于利用行星运动的同时双面研磨、磨削或抛光。该图以透视图示出了用于处理盘形工件例如半导体晶片的双盘机器的基本示意图，这例如公开于DE10007390A1中。图1-4示出了承载件13和位于承载件13内的开口1的布置的俯视图。下面对设备的描述中使用的附图标记以及设备工作方式涉及这五幅图。
这种类型的设备包括上工作盘31、下工作盘32和由内驱动环33和外驱动环35形成的滚动装置，承载件13嵌入所述滚动装置中。这种类型的设备的工作盘是环形的。承载件具有开口1，所述开口1用于接收半导体晶片36。(示出了分别具有三个开口的承载件。作为对比，本发明涉及仅具有一个开口的承载件。)
在处理过程中，工作盘31和32以及驱动环33和35绕着整个设备的中点3同心地以转动速度no、nu、ni和na转动(四路驱动)。这样，承载件一方面绕着中点3在节圆8上转动、另一方面同时绕着它们相应的中点4执行自转。对于半导体晶片的任意点，相对于下工作盘32和上工作盘31具有特征轨迹(运动学特性)，所述轨迹称作摆线。摆线应理解为所有规则的、缩短的或延长的外摆线或内摆线的总称。
根据处理方法的类型(研磨、抛光、磨削)，上工作盘31和下工作盘32可具有工作层39、40。在抛光的情况下，它们是抛光垫，在磨削的情况下，它们为包含粘合磨料的工作层。工作层39和40之间形成的空隙称作工作间隙30，半导体晶片36在处理工程中在所述工作间隙中移动。
至少一个工作盘、例如上工作盘31包含孔34，工作介质、例如冷却润滑剂、抛光剂或研磨剂可通过所述孔34供给到工作间隙30。此外，可具有用于测量工作间隙30的宽度的测量装置37。
在研磨过程中，具有磨除作用的自由的硬质物质的浆液(研磨剂、研磨浆液)供给到工作间隙30，且通过这种方式执行从半导体晶片36的材料去除。在这种情况下，工作盘31、32的工作表面不包含磨料。
作为对比，在磨削过程中，工作盘31、32分别包括面向工作间隙30且包含固定地粘合的磨料的工作层39、40。不包含具有磨除作用的物质的冷却润滑剂被供给到工作间隙30。工作层可由包含固定地粘合的磨料的弹性磨垫构成。这称作PPG方法(“行星垫磨削”)。该磨垫在使用期间通过磁力方式、真空或钩-环固定或粘接剂粘合连接到工作盘，且可在使用之后通过剥离动作移除，从而可快速地更换。可选地，工作层39也可由多个刚性磨体(所谓的颗粒)构成。所述磨体被实施为圆柱体、空心圆筒或直立棱柱，且通过它们的端面被粘合、螺纹固定或结合在工作盘的表面中。更换磨损的磨体比更换磨垫要复杂。
在抛光(双面抛光、DSP)过程中，工作层39、40是不具有任何磨除物质的抛光垫。包含磨除物质、优选胶状弥散的碱性硅溶胶的抛光剂(抛光浆液)供给到形成在抛光垫之间的工作间隙30。抛光垫是弹性的，且与PPG方法中的磨垫类似而可借助于剥离动作从工作盘移除，因此，易于更换。
本发明的详细描述
下面，参看附图和示例性实施例更详细地解释本发明。
本发明基于采用不同的双面处理方法(双面抛光、研磨、颗粒磨削和PPG磨削)和相应的设备进行的众多次试验，所述相应的设备在承载件中具有不同数目和布置方式的半导体晶片以及在相应的双面处理设备中具有变化数目、尺寸和布置方式的承载件。本发明基于在此获得的认知：所有方法尽管它们具有不同的材料去除机理(化学、侵蚀、铲削)和使用的设备存在差别，但显然具有共同的基本运动特征和拓扑条件，它们必须要被满足，以有利地实现适合于特殊要求的应用场合的非常平坦的半导体晶片。根据现有技术的所述方法并没有认识到这些关联性或仅考虑这些关联性的孤立的部分方面，从而不足以使具有特别平坦的形状的半导体晶片的经济制造成为可能。
本发明涉及两个参数x和e(参看图1)的比值：x是相邻承载件13中的用于接收半导体晶片的开口1的包络线6之间的距离的一半。在这种情况下，设置在承载件13中的开口1的包络线6应理解为承载件13内的绕着其中点4的圆，该圆构成在承载件13绕着其中点4转动时由开口1扫过的区域的边界。换句话说，包络的圆形线6是刚好仍完全包绕开口1的整个区域的绕着承载件13的中点4的圆形线。e是承载件13上的开口1的偏心距，即，节圆2的半径，开口1的中心绕着相应的承载件13的中心4环绕形成所述节圆2。
本发明特别是基于以下认识：比值x/e必须从非常有限的范围选择，以便获得特别平坦的半导体晶片、以及以便同时能够特别经济地执行所述方法。
对利用转动的承载件的所述一组双面处理方法熟悉的本领域的技术人员试图尽可能经济地执行所述方法，即，该技术人员将确保，在一个机器批次中同时处理的半导体晶片的整个面积占用于处理的环形工作盘上可用区域的最大可能比例。
此时，本发明的基本认识是，在这种情况下，半导体晶片必须不是任意地设置，而是承载件13内的开口1的布置以及相邻承载件13的包络线6之间的距离必须被选择成使比值x/e小于或等于1.2。
如果各相邻的承载件13之间具有一致的距离且所有承载件13上的开口1具有相同的布置，则比值x/e可根据如下公式计算：
x/e＝R/e·sin(π/N)-r/e-1
在这种情况下，R表示承载件中点4借助于由内驱动环33和外驱动环35形成的滚动装置在环形工作盘31、32之间绕着双面处理设备的中点3转动所沿循的节圆8的半径(参看图8)(行星运动)；N表示嵌入双面处理设备中的承载件13的数目；r表示承载件13中的用于接收半导体晶片的开口1的半径；e是开口1的中点5所处的绕着承载件13的中心4的节圆2的半径。根据本发明，每个承载件正好包括一个用于接收半导体晶片的开口1。
承载件13同样可被设置成在节圆8上相邻承载件13的包络线6之间具有不同的距离2x。在这种情况下，相邻承载件的包络线之间的最大距离2x对于本发明来说是重要的，根据以下公式计算
x/e＝R/e·sin(π/N*)-r/e-1
在这种情况下，N*表示周角(2πrad)与相邻承载件相对彼此以最大距离嵌入滚动装置中所对应的角度之比。因此，在这种情况下，π/N*表示两个相邻的承载件13相对彼此以最大距离嵌入滚动装置中所对应的角度的一半。通常，N*不是整数，因为在承载件相对彼此以不同距离非均匀分布的这种情况下，相对彼此以最大距离布置的相邻承载件之间的角度通常不是周角的除数。在所有相邻承载件之间具有相同距离的承载件的均匀分布的情况下，N*＝N。
承载件13在由内、外销轮形成的滚动装置中的布置优选以这种方式实施：每相邻的承载件13的包络线6之间具有尽可能相同的距离。然而，由于数学原因(行星齿轮传动方程)，这仅在外、内销轮上的销的总数可被嵌入的承载件的数目整除而没有余数时才可精确地实现。这对于适合执行根据本发明的方法的所有双面处理设备来说结构上均未实现，或如果是，则通常仅对于特定数目的嵌入承载件是这样。相邻的承载件13的包络线6之间具有尽可能相同的距离的所述优选布置方式在此被定义为这样一种布置：相邻包络线6之间的距离与所有承载件13的相邻包络线6之间的平均距离之差的绝对置的总和最小。
而且，开口1可不同地设置在一种结构形式的不同的承载件13内。在这种情况下，承载件LS1，LS2，...，LSN，i＝1，2，...，N的所有偏心距ei的平均值对于本发明来说是重要的。然而，优选地，所有承载件13具有相同的开口1布置，即，一种结构形式的所有承载件13是相同的。
权利要求1中所述的不等式涵盖讨论的所有特定情况，因此用于限定本发明。
实际中，承载件中的开口的布置方式以及至少三个承载件在环形工作盘上和由内、外销轮和承载件的外齿结构形成的滚动装置中的布置方式可始终容易地发现，使得权利要求1中所述的不等式被满足。
根据本发明，本发明是，x/e≤1.2。因此，从一种给定布置出发，在所述给定布置中，在测量之后，例如，参数x/e初始证明太大，首先，相同类型的其他承载件可嵌入滚动装置中，确切地讲，优选地嵌入尽可能多的承载件，在其中仍具有彼此尽可能小的距离的空间，特别优选地，使得它们彼此之间具有尽可能相同的距离。由于该措施，相邻承载件的开口布置的包络线之间的确定距离2x被最小化，因此x/e被降低。如果这样仍不能得到满足，则初始使用的承载件可被更换为这些承载件，在所述这些承载件中，每个承载件中的开口较接近承载件的外齿结构的齿根圆。这样，承载件中的开口的布置的临界偏心距e被增大，从而x/e被减低。也优选使用这两种措施的组合。
对本发明来说重要的参数x/e小于或等于0.55的布置方式已被证明特别适合于制造具有特别均匀的厚度的半导体晶片。这是因为已经发现，可通过给定布置形式获得的半导体晶片的平坦度-例如通过整个半导体晶片上的全局平坦度描述的平坦度(TTV，总厚度偏差；半导体晶片的最大厚度与最小厚度之差)-和在一个道次内的厚度波动往往较低，如果x/e达到了特别小的值。在这种情况下，x/e≤0.55的特别优选的极限值如下产生：
在半导体晶片的制造中，研磨、PPG或颗粒磨削通常之后进行的是化学机械抛光、优选同时双面抛光(DSP)。在抛光过程中，仅可获得非常低的材料去除速率。因此，抛光是非常耗时和昂贵的，且尽力应对最低可能的材料去除量。然而，经验表明，在DSP的情况下，最小去除量也是必须的，所述最小去除量由设备和过程所要求的最小延迟时间产生，以获得热平衡。这是各道次之间获得可控和均匀结果的唯一途径。抛光在制造半导体晶片的过程中通常是成形过程的最后的重要步骤，因此，必须在如此处理的半导体晶片的所获得的平坦度和厚度一致性方面满足特别严格的要求。经验表明，具有良好的和恒定的结果的DSP最小去除量为近似10μm。执行稳定的DSP过程的前提条件是在抛光之前半导体晶片已经具有非常好的平坦度且一个机器批次的所有半导体晶片的初始厚度具有非常窄的分布。实际中，已经发现，DSP去除量必须为一个DSP批次的半导体晶片的初始厚度的整个波动幅度的近似10倍，以使在DSP道次之后获得的平坦度和厚度一致性仅由执行的DSP过程的性能决定，而不由之前的产品性能决定，其中，所述初始厚度的整个波动幅度即为最厚半导体晶片的最大厚度减去最薄半导体晶片的最小厚度。因此，在一个批次的平均值左右的初始厚度分布为±1μm的情况下，需要近似20μm的DSP最小去除量。这是经验值；实际所需的去除值取决于抛光垫的类型、压力、运动学特性以及施加的抛光剂的性能。
最后，20-30μm是最有利的DSP去除值，不是仅由于所述的经济原因。在利用DSP的较高的材料去除量的情况下，即在较长抛光持续时间的情况下，因此在较长的抛光剂的作用时间的情况下，包含在抛光剂中的痕量金属不可避免地传到半导体晶片并污染半导体晶片。因此，总体上，对平坦度和厚度波动具有刚好仍可接受的极限值，以便能够在质量、制程良率(process yield)和经济效率方面以高的速率执行半导体晶片的整个处理。对于具有300mm的直径的PPG-或颗粒磨削的半导体晶片，所述极限值为近似TTV＝1μm。对于更大的半导体晶片，仍可接受的TTV值允许大于所述半导体晶片的面积与300mm半导体晶片的面积的比值；对于较小的半导体晶片，所述值必须较小而与所述面积比相等。已经发现，x/e≤1.2、特别优选的x/e≤0.55的值特别适合于该目的。面积标准化TTV值，即相对于300mm半导体晶片的面积的TTV值，在此以TTV*表示。
承载件设有外齿结构，所述外齿结构啮合双面处理设备的内、外驱动环。由于驱动环的齿或销必须具有足够的硬度、从而必须具有足够的强度以便能够传递用于移动承载件的力，因此，承载件的相应的外齿结构也具有相应的最小允许的齿廓深度。承载件中的用于接收半导体晶片的开口也不能在不会不利地影响承载件的机械稳定性的情况下任意地接近外齿结构的齿根圆设置。因此，x不能为任意小。实际中，小于0.05的x/e的值事实上不能被实现。因此，0.05≤x/e≤0.55的参数x/e是特别优选的。
研磨和双面抛光是借助于三个物体的相互作用从半导体晶片去除材料的方法：在研磨的情况下，所述三个物体为(1)研磨板，(2)研磨剂，(3)半导体晶片，在双面抛光的情况下，所述三个物体是(1)抛光垫，(2)抛光剂，(3)半导体晶片。为了获得材料去除，研磨剂或抛光剂总需要从它所供送到的工作间隙传递到半导体晶片的边缘上，且尽可能均匀地分布在半导体晶片的区域上，以获得均匀的材料去除，在研磨的情况下，所述半导体晶片的区域为半导体晶片与研磨盘之间的相互作用区，或在双面抛光的情况下，为半导体晶片与抛光垫之间的相互作用区。为此，半导体晶片必须尽可能均匀地和根据权利要求1(优选根据权利要求2)的描述它们的布置的参数关系分布在可用于处理的工作盘的环形区域上。
在研磨、PPG和颗粒磨削过程中，工作表面经受磨损。因此，如果在处理过程中半导体晶片所扫过的区域位于环形工作表面的区域内，则经过一段时间之后，工作层(PPG，颗粒磨削)的槽形厚度轮廓或工作盘(研磨)的槽形厚度轮廓会在径向上形成，从而被处理的半导体晶片愈加获得不利的凸起形状。为了应对这种问题，半导体晶片以这种方式设置在承载件中：在承载件的自转过程中，它们的边缘区域的一部分一时延伸超过环形工作表面的内、外边缘。由于工作盘的转动和承载件绕着设备的中点的转动，因此，在这种情况下，在合适地选择转动速度的情况下，该所谓的“工件移出部”12(图1、3和4)扫过工作表面的整个边缘，使得所述工作表面更均匀地磨损。这需要承载件中的用于接收半导体晶片的开口偏心地设置，或工作表面具有比半导体晶片的直径小的环宽度。
在DSP的情况下，工件移出不是必须的，因为抛光垫不会经受严重改变其形状的磨损。
然而，在环宽度小于半导体晶片的直径的工作表面的边缘上，通过同心地设置在承载件中的半导体晶片的恒定的工件移出被证明单独是不够的。另外还需要半导体晶片偏心布置在承载件中，以获得高的平坦度和厚度一致性。
由于以下原因，这被证明是似乎合理的：在研磨过程中和在DSP过程中，半导体晶片的偏心“泵运动”显然分别支持研磨剂和抛光剂从半导体晶片的边缘向中心传送，从而能够实现均匀的材料去除。(偏心地设置在承载件中的半导体晶片在由滚动装置驱动的承载件的自转作用下与离心泵的叶轮类似地执行回转运动，从而向周围流体-抛光剂、研磨剂或冷却润滑剂-施加动能。)在PPG或颗粒磨削的情况下，该泵运动相应地使得冷却润滑剂在半导体和工作层表面上更均匀地分布，从而抑制工作间隙的加热和变形。而且，在承载件绕着设备的中心在工作间隙中转动的过程中，以不足的偏心距设置在承载件中的半导体晶片消耗或转移用于实际上在相同的轨迹上转动的随后的承载件的半导体晶片的研磨剂或抛光剂或冷却润滑剂。这导致相同的处理道次中的不同的承载件的半导体晶片具有不同的处理结果。
由于行星齿轮传动运动的特征(摆线轨迹)，因此，工作间隙中的上述损耗各向异性地发生，这是因为抛光剂或研磨剂或冷却润滑剂仅在一些位置处经由上工作盘31中的各个供给部34(图8)被供给，且由于缺乏承载件中的半导体晶片布置的偏心距而不会足够均匀地分布在工作间隙中。
而且，半导体晶片在承载件的接收开口中的有利的自由运动受到不足的偏心距抑制。这是因为，由于对称的原因，在半导体晶片的同心设置的情况下，在工作间隙中的运动过程中作用于半导体晶片的力彼此抵消，使得没有在接收开口中驱动自转的合成力矩作用于半导体晶片上。(同心地设置在承载件中的半导体晶片的任意点的轨迹始终是闭合的圆。)半导体晶片在它们的接收开口中的自转的缺乏导致非旋转对称的厚度轮廓，即“楔形”半导体晶片。
如果这种方式的不是根据本发明的布置方式另外被实施而使在半导体晶片之间或它们在相邻承载件中的布置的包络线之间出现宽的空隙，则以这种方式操作的处理变得特别不经济，因为昂贵的抛光剂或研磨剂会从工作间隙经由宽的空隙流走而还没有利用，且可用的工作表面未充分覆盖有半导体晶片(处理道次的小的批量大小；低的产量)。尽管抛光剂或研磨剂可部分再次使用和在部分丢弃的使用过的抛光剂/研磨剂和按比例计量的新的抛光剂/研磨剂的平衡中多次传送到工作间隙且该过程可适于一定限度内的未使用的研磨剂/抛光剂的比例，但由于风化(抛光剂)或结块(研磨剂)还总会产生相当大的损失，且在过滤和分离研磨或抛光浆液方面需要付出大的努力，同时要接受以这种方式处理的半导体晶片的较差的表面质量。
此外，研磨板、主要是抛光垫在具有消耗完的研磨或抛光剂的区域比在具有过量的研磨或抛光剂的区域被加热到更大的程度，这是因为在前者中，新供给的研磨/抛光剂的冷却作用不存在。特别地，抛光垫在抛光过程中被特别快速地加热，所述抛光垫由发泡成型的塑料或纺织或毡制塑料纤维构成，因此非常差地传导热。这样，它会局部膨胀。在不是根据本发明的布置形式的情况下，膨胀在工作盘的工作表面上不均匀地发生，且由于在半导体晶片的轨迹上非均匀的压力条件，会产生非均匀的材料去除。在抛光过程中，材料转换另外由于抛光机理的化学成分而具有与温度有关的分布。因此，半导体晶片非均匀地扫过的抛光垫的局部波动温度导致特别不均匀的材料去除，且还导致波动非常大的表面缺陷(初始蚀刻，增大的基本粗糙度(“抛光霾”))。
相比，在借助于垫或颗粒进行磨削的过程中，材料去除借助于两个物体的相互作用实施，所述两个物体为(1)粘合在磨料涂层中的磨粒(垫或颗粒)，(2)半导体晶片。如在研磨或双面抛光中出现的不均匀的质量转移问题在此被消除，这是因为磨粒固定地粘合到工作层中，且借助于有利的行星运动被均匀地引导到待处理的半导体晶片的每个表面位置。因此，在使用粘合磨粒的磨削过程中，决定获得的是均匀厚度还是非均匀厚度的半导体晶片的另外的过程占优势。
与在研磨板或抛光垫与半导体晶片之间的接触区中借助于松动的抛光或研磨粒的滚动缓慢地和以低的材料去除速率执行材料去除的抛光或研磨相比，由于工作层与半导体晶片的相对运动而使磨粒运动产生直接的力传递，因此，在使用粘合磨粒进行的磨削的情况下的材料去除与抛光或研磨的情况相比以明显更高的材料去除速率进行。
相对于一个机器批次的所有半导体晶片的厚度的降低，在抛光的情况下，达到0.5-1μm/min的典型的去除速率，在研磨的情况下根据研磨磨粒材料和尺寸通常达到3-5μm/min，在磨削的情况下达到20-40μm/min。因此，在磨削的情况下，每单位时间出现特别大的磨液量，确切地说均匀地在半导体晶片的整个区域上。它必须被引导走，以使磨垫未被堵塞和保持均匀的切削能力，因此，由于积聚的磨液而不同的滑动摩擦引起的局部过热得以避免。在此，半导体晶片在具有相关的回转或泵运动的承载件中布置的足够大的偏心距显然促进出现的磨液的快速去除。而且，回转运动确保冷却润滑剂的均匀供给，因此有助于半导体晶片的整个表面的充分和均匀的冷却。
特别是在磨削(两个物体的相互作用)的情况下，但类似地也在研磨或抛光的情况下，半导体晶片可在具有积聚的冷却润滑剂(或研磨或抛光剂)的位置处“漂浮”，从而不再与工作层产生材料去除接合。这使得在轨迹上产生非均匀的材料去除，从而损害半导体晶片的平坦度和引起厚度波动。通过增大相邻的承载件之间、从而半导体晶片之间的距离，例如通过从处理设备中去除一个或多个承载件并将其余承载件尽可能均匀地分布在如此获得的空间上，则局部积聚的工作剂或未充分去除的磨削、研磨或抛光浆液的问题未得到解决，这是因为经由大的空隙，工作介质仅简单地排放走而未被使用，从而不与半导体晶片接触。这实际上加强了工作间隙的非均匀的温度。而且，类似于此的工序是不经济的(每机器批次具有较少的半导体晶片；浪费工作介质)。
半导体晶片在承载件中的偏心布置会在承载件的滚动过程(自转和绕着设备中点的转动)中引起载荷的绝对值和方向以及摩擦力在其区域上的分布的变化，半导体晶片在沿着其轨迹的运动中以所述方向挤压在所述接收开口的壁上。这样，半导体晶片的自转在承载件中的接收开口内被驱动进行，毕竟在所述开口中，它仅是松散地设置。半导体晶片的该自转相对于承载件绕着设备中心的纯行星转动产生了附加的第三自由度，其中，所述纯行星转动仅具有两个自由度。工件运动的该另外的自由度使得半导体晶片经受特别各向同性的处理，从而一个道次配置的所有半导体晶片均具有特别好的平坦度和好的厚度一致性。不具有偏心距则会抑制半导体晶片在承载件中的自转，并产生非旋转对称的半导体晶片，例如它们的厚度轮廓为楔形。
上工作盘相对于下工作盘的位置完全由三个点确定。(三个点完全确定一个平面的位置)。在分别具有精确同心地布置在承载件中的半导体晶片的三个承载件的情况下，上工作盘相对于下工作盘的位置、从而工作盘之间的工作间隙实际上被精确地确定。从而，上工作盘相对于下工作盘的初始倾斜位置会在处理过程中由于上工作盘相对于下工作盘的不可抑制的摆动而导致具有不相同的厚度的楔形半导体晶片，所述倾斜位置例如由具有不同的初始厚度的半导体晶片引起。
然而，如果半导体晶片另外执行偏心运动，由于在承载件内的偏心布置，确定上工作盘的位置的半导体晶片的支承点在处理过程中相应地总被移位，且摆动不再出现或得到大大地抑制，使得一个道次批次的半导体晶片的形状和厚度被迅速地相配，且在一个道次的所有半导体晶片上获得良好的平坦度和厚度一致性。因此，如果半导体晶片足够偏心地布置，则即使在总共三个承载件中刚好总共三个半导体晶片的情况下-一个处理道次中最低可能的批量-也可获得良好的平坦度和厚度一致性。
特别有利地，另外增大半导体晶片的数目，即选择尽可能多的承载件而使相邻承载件中的半导体晶片相应地彼此尽可能地接近(小距离2x)。这样，上工作盘相对于下工作盘的位置在几何学上是超定的(多于三个支承点)，这会产生具有均匀厚度的特别平坦的半导体晶片。(具有形状或厚度偏差的半导体晶片可不再移动通过已经由三个点确定的工作间隙，而不会必然地以材料去除方式被向着平面平行形状处理。)
因此，仅对于处于优选范围x/e≤1.2内的距离2x与偏心距e的特定比值，才会获得良好的处理结果，且这对于其中每个承载件具有用于接收半导体晶片的一个开口的利用行星运动的所有双面处理方法也均如此，与材料去除的特殊的作用机理无关。特别是对于具有300mm以上的直径的大的半导体晶片也如此。半导体晶片特别是可具有400mm或更大的直径。在硅晶片的情况下，450mm的直径对于实际应用将会变得日益重要。
同时处理一组半导体晶片的两面的方法对于甚至更大的半导体晶片也是可能有利的。应用能力仅受结构限制制约，例如当所需的工作盘直径必须明显大于2.5m以便仍能够设置至少三个足够大尺寸的承载件来在上其上接收相应的半导体晶片时。对于非常大的半导体晶片，特别是每个承载件仅具有正好一个半导体晶片的布置方式将变得重要。(例如，具有三个承载件且每个承载件具有三个450mm的半导体晶片的双面处理设备的一种假定的最小结构具有至少2355mm的直径。例如，具有五个承载件且每个承载件具有三个450mm的半导体晶片的一种运动学方面优选的设计将使工作盘具有至少2955mm的直径。合适的承载件将不再足够稳定来与直径为300mm的三个半导体晶片的结构相比以非破坏性的方式施加增大225％的摩擦力。)相比，每个承载件仅承载一个半导体晶片的设备确定地适用于直径高达600mm的半导体晶片。
例子和比较例
例子1
根据本发明的相互关系将首先参看图1更详细地进行说明。图1示出了根据本发明的一种布置方式的一个例子。在该示出的例子中，五个(N＝5)承载件13在环形工作盘上绕着双面处理设备的中点3设置成使承载件的相应的中点4位于具有半径R的节圆8上。在每个承载件13中，正好一个具有450mm的直径的半导体晶片嵌入具有半径r的接收开口1中。
在这种情况下，开口1的中点5设置在节圆2上，所述节圆2绕着承载件的中点4具有半径e。在这种情况下，开口1的半径r稍微大于半导体晶片的半径r*，使得半导体晶片可保持自由运动，且可自由地在开口1内转动或通过其圆周在开口1的壁上滚动。半导体晶片在开口1内的精确定位和其在处理过程中的运动由于松动的嵌入而是未知的。然而，关于本发明，在处理过程中半导体晶片在开口中的精确位置并不重要；因此，出于清楚考虑，半导体晶片未在图1中示出。
由于承载件13绕着其中点4转动，因此，开口1扫过由相对于中点4同心地设置的圆形包络线6限界的区域。在这种情况下，借助于结构的约束，包络线6始终完全位于每个承载件13的外齿结构的节圆7内，承载件借助于所述外齿结构在由内、外销轮形成的滚动装置中滚动，从而绕着双面处理设备的中心3在行星路径上转动。根据本发明，每个承载件13分别包括刚好一个开口1。相邻承载件13的包络线6彼此间隔2x的距离。
对于图1所示的例子，使用来自彼特沃尔特斯公司的(伦茨堡，德国)的型号为“AC-2000”的双面处理设备，且在该设备上执行根据PPG方法的处理。设备具有1970mm的外销轮的节圆直径20和530mm的内销轮的节圆直径14。相应地，承载件它们的外齿结构具有720mm的节圆直径7，因此，承载件13的中点4所处于的节圆8的半径为R＝625mm。承载件13此时根据本发明设计成使用于接收半径的半导体晶片13的半径为r＝225.5mm的开口1的中点5相对于承载件的中点4以绝对值e＝111.5mm偏心地设置。从而半导体晶片具有0.5mm的径向游隙，或在开口内具有1mm的直径游隙。环形工作层40的尺寸被调整成使：在所选的偏心距的情况下，具有半导体晶片的开口1使它们的高达10mm的部分区域一时地延伸超过内边缘11和外边缘10(移出部12)。
承载件中的开口的偏心距e已被选择成尽可能大，即使得仍残留刚好足够的材料(硬质钢)以使承载件在该区域不会向外拱弯，所述区域规律地进入“移出部”，因此不被引导，且在垂直方向上不被工作层支撑。在R＝625mm、N＝5、r＝225.5mm和e＝111.5mm的情况下，这使得x＝30.366mm，x/e＝0.272。因此，x/e位于0.05≤x/e≤0.55的特别优选的范围内。
图1中示出的例子中的PPG磨垫包含金刚石作为磨料，所述磨料的粒度为2-6μm(5％和95％的累积粒度浓度的值)。由于工作盘与半导体晶片在压力和添加有水的情况下相对运动，因此，磨料以几何形状不确定的切削边缘实施材料的铲削去除。
用于图1所示的例子的设备具有用于上工作盘的目标变形的装置，使得在处理过程中半导体晶片在其中移动的工作层之间的工作间隙可在机械(压力升高)和热交变负载(铲削工作、摩擦工作和驱动损失)下保持平行。上工作盘的变形借助于两个设置在上工作盘中的传感器发生于闭合控制环中，所述传感器在处理过程中非接触地连续测量工作盘的两个表面之间的距离(在图8的示意性设备图示中以附图标记37表示)。
图7示出了根据例子1处理的半导体晶片的以微米(μm)表示的直径方向上的厚度轮廓T(r*)。厚度轮廓通过电容测量方法确定，在所述电容测量方法中，彼此相对设置的两个测量探头在半导体晶片的前、后侧映描八个半径(在两个相邻半径之间为45°)。面向半导体的表面的测量探头以及位于它们之间的少量的空气形成相应的电容器。相应的少量空气(介电质)的厚度通过测量电容被确定。它产生半导体晶片的相应侧的高度轮廓的直接测量结果，因为测量探头相对彼此以固定距离固定在环抱半导体晶片的共同的夹子上。在借助于已知厚度的半导体晶片的测量校准测量探头距离之后，这些高度值之差产生半导体晶片的绝对厚度。
测量设备测量八个半径，每个半径间隔开45°，且得出四个直径的厚度轮廓。图7示出了由这四个直径测量值计算的平均厚度轮廓。图7示出了利用图1所示的布置处理的半导体晶片的厚度是极其均匀的(曲线17)。如此获得的厚度轮廓的“阶跃”结构反映使用的450mm的原型测量仪器的测量精度。通过根据本发明的方法处理的半导体晶片的平坦度接近该分辨率限度。
比较例1
图2作为比较例示出了不是根据本发明的一种布置方式。使用与例子1中(图1)相同的设备。磨垫和冷却润滑剂类型和流体(水)是相同的。上工作盘作用于下工作盘上的压力与一个批次中的半导体晶片的数目成比例地降低，以便获得相同的材料去除速率(在处理过程中，相当的机械和热交变负载)。工作间隙的距离在处理过程中借助于测量和调节装置始终保持恒定，如例子1中所述，以便获得最优的平坦度和使每个半导体晶片的个体平均厚度相对于一个处理道次的所有半导体晶片的厚度的平均值产生最小的波动。
唯一区别是，在比较例1中仅嵌入三个承载件，而不是像对例子1中那样嵌入五个承载件(最大可能数目)，确切地讲，相邻承载件13的包络线6之间具有相同的距离2x，即相对彼此以120°间隔开。
特征参数R＝625mm，r＝225.5mm(具有r*＝225mm的半导体晶片，即450mm的直径)和e＝111.5mm，这确定了相对于例子1在比较例1中保持未变的布置形式；然而，此时，N＝3(与例子1的N＝5不同)。在x＝204.266mm的情况下，如所期望地，这在相邻承载件之间的用于接收半导体晶片的开口1的布置的包络线6之间产生非常大的半距离。在x/e＝1.832的情况下，根据本发明至关重要的参数不位于根据本发明的范围内。
具有这种大的距离的布置形式在各处理道次中产生完全不同的半导体晶片，从而例如是一种具有图6所示的厚度轮廓的半导体晶片。(厚度轮廓由结合图7解释的测量方法以相同的方式确定)。图6示出了具有凸起的不规则形状的半导体晶片的厚度轮廓。由于半导体晶片在承载件中的偏心位置，因此，半导体晶片的充分的自转显然仍发生于接收开口中，使得厚度轮廓不是非对称楔形的，而是仍具有轻微的旋转对称性。(最大厚度区域位于半导体晶片的中心处。)然而，测量方法在针对不同方位角记录的测量轨迹上的平均处理具有以下作用：获得的一维厚度轮廓始终看起来基本旋转对称，但在整个半导体晶片上实际的二维厚度轮廓不是这种情况。
例子1(图1)和比较例1(图2)证明，对于图1和图2来说相同的半导体晶片在承载件中的偏心布置方式单独并不足以获得良好的处理结果。
比较例2
图3示出了不是根据本发明的布置方式的另一比较例，其中，开口1完全同心地设置在承载件中。图示出了总共六个(N＝6)450mm半导体晶片(r*＝225mm)在总共六个承载件中的布置，其中，它们的外齿结构的节圆直径为482.85mm。该例子通过使用来自彼特沃尔特斯公司的型号为AC1500P3的处理设备获得，其中，用于承载件中点绕着设备中点3的转动的节圆8的R＝507.75mm。该处理过程作为PPG使用与例子1和比较例1中相同的工作层和冷却润滑剂(水)执行。由于承载件的小的尺寸，450mm的半导体晶片仅可几乎完全同心地布置。如同其他例子和所示的比较例以及如现有技术的惯例，承载件中的用于接收半导体晶片的开口被加衬有塑料(“嵌入件”)。塑料防止半导体晶片与承载件的材料直接接触，从而，防止由于与承载件材料的硬质钢的直接接触而损坏半导体晶片和被痕量金属(Fe，Ni，Cu)污染。衬里借助于注射成型方法添加。由于在注射成型过程中高压力引起钢体的弹性变形以及由于在冷却过程中导入的塑料的收缩，衬里通常具有小的圆度偏差和偏心距。在图2所示的情况下，这接近e＝0.5mm。
这使得用于接收半导体晶片的开口1的布置方式的包络线6之间的距离为2x，其中，x＝28.363mm，x/e＝427不位于根据本发明的范围内。
尽管比较例2中的包络线之间的距离甚至小于根据本发明的例子1中的距离，但获得的半导体晶片在平坦度和厚度波动方面具有非常差的处理结果。因此，可用的工作表面被半导体晶片占据的最大可能占用率(由于经济原因显而易见)同样不能独自地足以获得良好的处理结果。
在所解释的例子和比较例中所具体获得的平坦度以及在此使用的方法、设备和半导体晶片的布置参数概括列于表1中。表1列出了PPG、研磨和DSP下的用于根据本发明和不是根据本发明处理的半导体晶片的参数x/e、获得的平坦度(TTV)以及使用的设备的特征参数。表1另外还列出了多个在此使用的另外的布置方式、设备和方法获得的平坦度，在此对它们不再进行进一步的具体解释。
例子2
最后，例子2与比较例2对比，在相同的处理设备上使用根据本发明的布置(N＝6，R＝507.75)。该布置示于图4中。滚动装置再次最大密度地被六个承载件占据。为了与比较例2(图3)相比在根据本发明的例子2(图4)中在小的承载件中偏心地布置半导体晶片，使用较小的半导体晶片(r*＝150mm，即具有300mm的直径的半导体晶片)且嵌入r＝150.5mm的开口1中。在这种情况下，开口1的偏心距e以这种方式(e＝72.5mm)选择，使得每两个相邻的承载件的包络线6之间均具有几乎相同的距离2x(在例子2中，x＝30.875，在比较例2中，x＝28.363)。例如，x/e＝0.426处于优选的范围内。
根据例子2以与比较例2相同的方式经PPG处理的半导体晶片产生概括列于表1中的结果(TTV＝0.9μm)。
因此，例子2和比较例2表明，稠密的占据率(在相邻承载件13的开口1的布置的包络线6之间具有小的距离2x)是必须的，但独自又不足以获得良好的处理结果。(像比较例1中那样在具有过大的距离2x的情况下，选择任何偏心距e均不能获得良好的处理结果。)
进一步的例子和比较例
表1还包含通过研磨处理获得的例子和比较例。对于借助于研磨根据本发明处理的半导体晶片，获得了具有非常平坦的厚度轮廓的平坦和厚度均匀的半导体晶片，它们与通过PPG处理的半导体晶片的图7所示的例子1类似。在不是根据本发明执行的研磨方法(x/e＞1.2)的情况下，例如获得了具有如图5所示的厚度轮廓的半导体晶片。以与借助于PPG未根据本发明处理的半导体晶片的情况(图6)中的方式类似的方式，图5示出了具有凸形厚度轮廓的半导体晶片。最厚位置也位于半导体晶片的中心，但不是根据本发明研磨的半导体晶片的凸形形状从半导体晶片的中心到边缘具有更均匀和明显旋转对称的厚度降低。
表1中概括列出的结果图示于图9中。实心圆(●)涉及PPG方法，空心圆(○)涉及研磨方法，空心方框(□)涉及DSP方法。对于为此使用的各种半导体晶片直径，为了能够比较以根据本发明和不是根据本发明的参数x/e执行的各种例子和比较例的TTV，在整个半导体晶片表面上分别实际确定的TTV值被转换为根据300mm的直径和相同的平坦度的半导体晶片推算产生的值。因此，450mm半导体晶片的TTV值被除以2.25，以获得比较值TTV*＝TTV/2.25，这考虑了450mm半导体晶片的测量区域，与300mm半导体晶片的测量区域相比，450mm半导体晶片的测量区域为300mm半导体晶片的测量区域的2.25倍。
图9示出了TTV*≤1μm下的根据本发明的范围的x/e与TTV*＞1μm下的不是根据本发明的范围的x/e明显分开。TTV*＜1μm下的参数x/e在此特别优选用于DSP和PPG。对于通过研磨处理的半导体晶片，特别优选的TTV*值被允许稍大于1μm(18)。研磨产生这样的表面，所述表面由于脆性冲蚀材料去除机理而明显较深地损坏半导体晶片的近表面层(表面下损坏)，所述近表面层的损坏的去除使得需要在研磨与抛光之间嵌入另外的材料去除步骤，例如侵蚀或使用随后以材料去除方式处理两面的单面精细磨削设备进行的精细磨削或以增大的材料去除量抛光。由于无论怎样研磨的半导体晶片因此均需要的该附加的处理，稍微较差的相对平坦度TTV*仍是可接受的。

Claims (6)

1.一种在双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法，其中，双面处理设备具有滚动装置，所述滚动装置使至少三个承载件转动，且每个承载件仅具有一个开口，半导体晶片分别以可自由移动的方式嵌入所述开口中，使得半导体晶片在工作盘之间以摆线轨迹移动，而且承载件在双面处理设备中的布置以及开口在承载件中的布置满足以下不等式：
R/e·sin(π/N*)–r/e–1≤1.2
其中，N*表示周角与相邻的承载件间以最大距离嵌入滚动装置中时的角度之比，r表示用于接收半导体晶片的开口的半径，e表示绕着设有开口的承载件的中点的节圆的半径，R表示承载件借助于滚动装置在工作盘之间移动所沿循的节圆的半径。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，承载件在双面处理设备中的布置以及开口在承载件中的布置满足以下不等式：
0.05≤R/e·sin(π/N*)–r/e–1≤0.55。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，半导体晶片具有400mm以上的直径。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所有承载件的开口具有相同的尺寸，且以相同的方式设置在承载件上。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在每个承载件上均限定出绕着承载件的中点的圆形包络线，所述圆形包络线正好完全包围用于接收半导体晶片的开口，且承载件设置在滚动装置中而使相邻的承载件的圆形包络线之间的距离相对于相邻圆形包络线之间的平均距离的偏差的绝对值的总和最小。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所有相邻的承载件的圆形包络线之间的距离相同。
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