CN102515875B - 一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法 - Google Patents

一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法，通过在现有的全抛釉瓷质砖的全抛釉中加入负离子材料成分，全抛釉经过高温烧成后具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污性能好的特点，且具有激发空气中水蒸汽形成负氧离子的功能。所述全抛釉瓷质砖可广泛用于家庭和各种工程装饰，用于浴室效果更为明显。在空气湿度较大的环境中，该负离子全抛釉可以更有效激发水蒸汽形成有益于人体健康的负离子。

Description

一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种全抛釉瓷质砖，尤其涉及的是一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法。 
背景技术
空气负离子的保健作用已被众多研究者所验证，被人们称之为“长寿素”或“空气维生素”。基于使空气电离能产生负离子的原因，目前国内外研究的负离子纤维或纺织品都借助于某种含有微量放射性的稀土类矿石或天然矿物质，采用不同技术添加到纺织材料中，使之具有发生负离子的功效。负离子是一种对人体健康非常有益的远红外辐射材料，空气中负离子的多少，受地理条件特殊性影响而含量不同。公园、郊区田野、海滨、湖泊、瀑布附近和森林中含量较多。因此，当人们进入上述场地的时候，头脑清新，呼吸舒畅和爽快。但是，现有室内设计中，集中采暖以及冷气设备的空调系统，负离子常被驱除，而合成纤维、地毯带有正电荷，也易吸收负离子，钢筋、纤维板都吸收负离子。因此，当人们进入吵杂拥挤的人群，或进入空调房内时，则使人感觉闷热、呼吸不畅等。
随着陶瓷功能技术的发展，人们生活水平的不断提高，人们对居住环境的环保意识越来越强，不仅要求生活环境卫生，而且还要舒适具有保健功能。于是负离子保健材料应运而生，一种新的负离子功能陶瓷材料逐渐被人们所认识，并以此材料制备出各种环保健康的陶瓷新产品。现有的具有负离子功能的陶瓷砖都是陶质内墙砖，吸水率大多大于10%，烧制温度在1060℃~1160℃，容易产生釉面针孔吸污变脏，而且不耐磨，一般只能用于墙面；而瓷质釉面砖烧制温度在1190℃~1220℃，吸水率均控制在0.5%以下，制备具有负离子功能的瓷质釉面砖用于装饰，既可用于墙面，同时可用于地面，优点更加显著。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖及其制造方法，旨在解决目前人们对于负离子环境的需求，而目前市场上并没有一种具有该种功能的高品质的瓷质砖的问题。
本发明的技术方案如下：
一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖，其中，包括依次层叠的坯体、面釉层和可自激发产生负离子的全抛釉层；所述可自激发产生负离子的全抛釉层中添加负离子材料。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖，其中，还包括一层印花层，所述印花层叠加于面釉层表面。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖，其中，所述可自激发产生负离子的全抛釉层，按重量百分比计，主要由以下成分为：
Al2O3 20~25
SiO2 50~55
Na2O 1~3
K2O 1~3
CaO 3~5
Fe2O3 0.2~0.3
Zr（Hf）O2 4~8
MgO 0.2~0.3
Li2O 0.1~0.2
ZnO 2.6~2.8
BaO 4~5
负离子材料 1~5
烧失量 3~5
其中，负离子材料为奇冰石、蛋白石、奇才石、电气石或稀土氧化物中的一种或多种。
一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其包括以下步骤：
步骤01、制得坯体；
步骤02、在坯体的表面采用喷或淋的方式制得面釉层；
步骤04、在施上面釉的坯体表面印刷或淋一层能自激发产生负离子的全抛釉；
步骤05、对制备好负离子全抛釉的坯体进行烧制；
步骤06、将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角得到可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，还包括：
步骤03、在面釉层上使用印花设备印花形成印花层，所述负离子全抛釉印刷或淋在印花层上。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，所述可自激发产生负离子的全抛釉层，按重量百分比计，主要由以下成分为：
Al2O3 20~25
SiO2 50~55
Na2O 1~3
K2O 1~3
CaO 3~5
Fe2O3 0.2~0.3
Zr（Hf）O2 4~8
MgO 0.2~0.3
Li2O 0.1~0.2
ZnO 2.6~2.8
BaO 4~5
负离子材料 1~5
烧失量 3~5
其中，负离子材料为奇冰石、蛋白石、奇才石、电气石或稀土氧化物中的一种或多种。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，用于淋的施工方式的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a、将负离子材料称量配料后，加入全抛釉料混合；
步骤b、对加入负离子材料的全抛釉料进行球磨；
步骤c、检测球磨后的全抛釉料的细度；
步骤d、将球磨后的全抛釉料过筛；
步骤e、对过筛后的全抛釉料进行除铁，得到负离子全抛釉；
其中，球磨是以水为介质的，其釉料与水比例关系为1: 0.32~0.37。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，用于印刷的施工方式的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a’、将负离子材料称量配料后，加入印刷粉中混合；
步骤b’、对加入负离子材料的印刷粉进行球磨得到印刷料；
步骤c’、检测球磨后的印刷料的细度；
步骤d’、将球磨后的印刷料过筛；
步骤e’、对过筛后的印刷料进行除铁，得到印刷用的负离子全抛釉，
其中，球磨是以印油为介质的，所述印刷粉与印油的质量比为1~1.3：1.5~1.8。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，所述坯体烧制的温度为1190~1220℃，烧制时间为50~60min。
所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其中，用于淋釉法生产的负离子全抛釉的制备参数为比重1.80~1.90g/ cm3，细度为325目筛余0.2~0.8%；用于印刷方式的负离子全抛釉的制备参数为比重1.63~1.68g/cm3，细度为325目标准筛全通过。
本发明的有益效果：本发明通过在现有的全抛釉瓷质砖的全抛釉中加入负离子材料成分，全抛釉经过高温烧成后具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污性能好的特点，且具有激发空气中的水蒸汽形成负氧离子的功能。所述全抛釉瓷质砖可广泛用于家庭和各种工程装饰，用于浴室效果更为明显。在空气湿度较大的环境中，该负离子全抛釉可以更有效激发水蒸汽形成有益于人体健康的负离子。
附图说明
图1是本发明提供的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的剖面图。
图2是本发明提供的瓷质砖的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。
参见图1，本发明提供的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖具有依次层叠的坯体层1、面釉层2、印花层3和可自激发产生负离子的全抛釉层4，所述坯体层1的厚度为8~10毫米。在生产过程中适应市场的需求也可将印花层3省略。所述坯体层1、面釉层2和印花层3均可采用现有技术中的材料。本发明的全抛釉瓷质砖的主要改进在于所述可自激发产生负离子的全抛釉层4，其是在全抛釉材料中添加了负离子材料，使所述全抛釉瓷质砖与水蒸气接触后可自激发产生负离子，所述负离子材料占全抛釉层4重量的1~5%。所述负离子材料可以为奇冰石（即环状结构硅酸盐）、蛋白石（即特殊组成的活性二氧化硅）、奇才石（特殊组成的硅酸盐）、电气石（三方晶系硅酸盐）或稀土氧化物中的一种或多种。
所述可自激发产生负离子的全抛釉层中的负离子全抛釉可以由以下成分组成，如表3所示：
表1  负离子全抛釉的主要化学成分
成分 比例（%）
Al2O3 20~25
SiO2 50~55
Na2O 1~3
K2O 1~3
CaO 3~5
Fe2O3 0.2~0.3
Zr（Hf）O2 4~8
MgO 0.2~0.3
Li2O 0.1~0.2
ZnO 2.6~2.8
BaO 4~5
负离子材料 1~5
烧失量 3~5
上述成分中还可加入以下成分，如表2所示：
表2  负离子全抛釉中其他化学成分
TiO2 0.05~0.08
PbO 0.02~0.03
MnO ＜0.01
SrO 0.02~0.03
B2O3 ＜0.10
Rb2O 0.02~0.03
所述可自激发产生负离子的全抛釉层中的负离子全抛釉优选为，由以下组分组成：
表3  负离子全抛釉优选化学成分
成分 比例（重量百分比%）
Al2O3 21. 05
SiO2 50.26
Na2O 2.33
K2O 2.54
CaO 4.39
Fe2O3 0.23
Zr（Hf）O2 6.43
MgO 0.21
Li2O 0.16
ZnO 2.71
BaO 4.05
MnO ＜1
B2O3 ＜1
负离子材料 2.1
烧失量 3.38
采用上述配方制得全抛釉，在经过高温烧成后，具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污性能好等特点，且由于添加了负离子材料，还具有激发空气中的水蒸气形成负氧离子的功能。
参见图2，本发明还提供的所述可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法具体包括以下步骤：
步骤01、制得坯体；
步骤02、在坯体的表面采用喷或淋的方式制得面釉层；
步骤03、在面釉层上使用印花设备印花制得印花层；
步骤04、在印花层上印刷或淋一层可自激发产生负离子的全抛釉；
步骤05、对制备好负离子全抛釉的坯体进行烧制；
步骤06、将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角得到能自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖。 
所述制得坯体的具体方法为：调试组合坯体粉料配方，利用压机将调试组合好的坯体粉料压制成各种规格的砖，例如制得600×600mm的规格。其中，压制压力为29.5~30.5Mpa。所述压制成型的坯体需在160~200℃下干燥40~60min。所述坯体材料为普通的坯体材料，其配方的组成范围可以如下表4所示：
表4 坯体配方的化学组成范围
组成 SiO2 Al2O3 Fe2O3 CaO+ MgO K2O+Na2O 烧失量
含量（%） 64～74 16～24 0.5～1.5 0.5～3 4～8 2.5～9
其中，采用喷釉方法的面釉的比重为1.45~1.50g/cm3，细度为325目筛余0.8~1.6%，所述砖施釉量为0.6~0.7cm3托盘，如每600×600mm规格的砖施釉量为54~60g/30×30cm托盘。
步骤03中印花层所用的花釉配方包括以下重量百分含量的原料：印刷粉92~75%，胶辊印油120~150%，色料8~25%。所述印花采用辊筒印花工艺。
所述步骤04中负离子全抛釉的使用量为0.05~0.062g/cm3，即180~220g/600×600mm。步骤05中所述坯体烧制的温度为1190~1220℃，烧制时间为50~60min。其中，所述抛光工艺采用软质表面抛光工艺，其流程为：粗抛—精抛—打蜡。本实施例中通过两台抛光机来实现，所述抛光机中的磨块为绿硅磨块。所述粗抛连续使用100目、120目、160目、200目和400目的不同抛光细度进行；所述精抛连续使用600目、800目、1000目、1200目、1500目、2000目和3000目的不同抛光细度进行。
本发明中的步骤03可以省略，可以在面釉层上直接印刷或淋一层具有激发负离子功能的负离子全抛釉，即可制得不带花纹的全抛釉瓷质砖。
本发明中不同的施工方式下全抛釉的制备方法也不同。其中采用淋釉的方法使用的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a、将负离子材料称量配料后，加入全抛釉料混合；
步骤b、对加入负离子材料的全抛釉料进行球磨；
步骤c、检测球磨后的全抛釉料的细度；
步骤d、将球磨后的全抛釉料过筛；
步骤e、对过筛后的全抛釉料进行除铁，得到负离子全抛釉。
其中，球磨是以水为介质的，其比例关系为釉料：水=100:110~130。
其中采用印刷的方法使用的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a’、将负离子材料称量配料后，加入印刷粉中混合；
步骤b’、对加入负离子材料的印刷粉进行球磨得到印刷料；
步骤c’、检测球磨后的印刷料的细度；
步骤d’、将球磨后的印刷料过筛；
步骤e’、对过筛后的印刷料进行除铁，得到印刷用的负离子全抛釉。
其中，球磨是以印油为介质的，所述印刷粉与印油的质量比为1~1.3：1.5~1.8。
用于淋釉法生产的负离子全抛釉的制备参数为：比重1.80~1.90g/ cm3，细度为325目筛余0.2～0.8%；用于印刷方式的负离子全抛釉的制备参数为：比重1.63~1.68g/cm3，细度为325目标准筛全通过。所述的负离子全抛釉施釉方法为丝网印刷、钟罩式淋釉或喷釉柜喷釉三种。
本发明通过在现有的全抛釉瓷质砖中加入负离子成分，经过高温烧成后具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污性能好的特点，且具有激发空气中的水蒸汽形成负氧离子的功能。
实施例1
所述负离子瓷质釉面砖的生产工艺，其步骤如下：
⑴调试组合坯体配方，制备600×600mm规格的砖；
⑵利用压机将调试组合好的坯体粉料压制成要求规格的砖，压制压力为29.5Mpa；
⑶将压制成型的坯体在160℃下干燥60min；
⑷在干燥后的坯体表面喷面釉，600×600mm规格砖施釉量为54g/30×30cm托盘；
⑸在面釉上使用印花设备印花；
⑹在印花后的坯体表面印一层负离子全抛釉，使用量180g/600×600mm砖；
⑺将施釉后的坯体在温度为1190℃下烧制60min；
⑻将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角即得到负离子全抛釉瓷质砖。
所述面釉的比重为1.50 g/cm3,细度为325目筛余1%。
所述的花釉配方包括以下重量百分含量的原料：8009印刷粉92~75%，胶辊印油120~150%，色料8~25%。
其中，本实施例中采用典型坯体配方化学成分，如表5所示。其中，泥浆料及粉料工艺参数如下：
浆料：细度2.5±0.4％（250目），水份32.5～33.5%，比重1.70±0.05g/cm3；
粉料：水分6.3～7.0％，颗粒级配：20目以上≤1.5％，20～40目30～60％，20～60目72～88％，100目以下≤6％，陈腐时间36～50h。
表5 典型坯体配方化学成分（%）
SiO2 Al 2 O 3 Na 2 O K 2 O CaO TiO 2 Fe 2 O 3 MgO 烧失量 总量
68.96 17.70 2.62 2.73 0.41 0.23 0.98 1.13 4.80 99.65
本实施例中所采用的面釉配方成分如表6所示。其中采用喷釉方法的釉料工艺参数如下：面釉细度325目筛余1%，比重1.5g/ cm3，辊筒花釉流速18～22s（涂5）。
表6 面釉化学成分
成分名称 比例(%)
Al 2 O 3 20.48
SiO 2 65.13
Na 2 O 1.18
K 2 O 1.5
CaO 1.39
TiO 2 0.11
Fe 2 O 3 0.2
Zr（Hf）O 2 2.8
MgO 0.28
Li 2 O 0.32
PbO 0.02
ZnO 1.3
MnO 0.02
SrO 0.01
Cr 2 O 3 ＜0.01
B 2 O 3 ＜0.1
Cs 2 O 0.1
Rb 2 O 0.14
烧失量 4.58
合计 99.56
所述负离子全抛釉化学成分如表7所示，其制备参数：比重1.85g/cm3，325目筛余0.5%。
表7 负离子全抛釉化学成分
成分 比例（%）
Al 2 O 3 21.05
SiO 2 50.26
Na 2 O 2.33
K 2 O 2.54
CaO 4.39
TiO 2 0.07
Fe 2 O 3 0.23
Zr（Hf）O 2 6.43
MgO 0.21
Li 2 O 0.16
PbO 0.02
ZnO 2.71
MnO ＜0.01
SrO 0.02
B 2 O 3 ＜0.10
BaO 4.05
Rb 2 O 0.03
电气石 1.35
奇才石 0.77
烧失量 3.38
采用本实施例制得的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的负离子发生量为500-800个/ cm3。
实施例2
所述负离子瓷质釉面砖的生产工艺，其步骤如下：
⑴调试组合坯体配方，制备600×600mm规格的砖；
⑵利用压机将调试组合好的坯体粉料压制成要求规格的砖，压制压力为30.5Mpa；
⑶将压制成型的坯体在200℃下干燥40min；
⑷在干燥后的坯体表面喷面釉，600×600mm规格砖施釉量为60g/30×30cm托盘；
⑸在坯体表面淋一层负离子全抛釉，使用量220g/600×600mm砖；
⑹将施釉后的坯体在温度为1220℃下烧制50min；
⑺将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角即得到负离子全抛釉瓷质釉面砖。
所述面釉的比重为1.48 g/cm3，细度为325目筛余1.3%。
其中，所采用坯体材料和面釉材料与实施例1相同所采用的负离子全抛釉，其组成如表8所示，由以下组分组成：
表8 负离子全抛釉化学成分
成分 比例（%）
Al2O3 20
SiO2 51.3
Na2O 1
K2O 2
CaO 5
Fe2O3 0.2
Zr（Hf）O2 7
MgO 0.3
Li2O 0.1
ZnO 2.6
BaO 4.5
稀土氧化物 3
烧失量 3
采用本实施例制得的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的负离子发生量为800-1000个/ cm3。
实施例3
所述负离子瓷质釉面砖的生产工艺，其步骤如下：
⑴调试组合坯体配方，制备600×600mm规格的砖；
⑵利用压机将调试组合好的坯体粉料压制成要求规格的砖，压制压力为30Mpa；
⑶将压制成型的坯体在180℃下干燥50min；
⑷在干燥后的坯体表面喷面釉，600×600mm规格砖施釉量为57g/30×30cm托盘；
⑸在面釉上使用印花设备印花；
⑹在印花后的坯体表面印一层负离子全抛釉，使用量200g/600×600mm砖；
⑺将施釉后的坯体在温度为1200℃下烧制55min；
⑻将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角即得到负离子全抛釉瓷质釉面砖。
所述面釉的比重为1.48 g/cm3，细度为325目筛余1.4%。
其中，所采用坯体材料和面釉材料与实施例1相同所采用的负离子全抛釉，其组成如表9所示，由以下组分组成：
表9 负离子全抛釉化学成分
成分 比例（%）
Al2O3 22
SiO2 50
Na2O 2
K2O 3
CaO 3
TiO2 0.07
Fe2O3 0.25
Zr（Hf）O2 6
MgO 0.2
Li2O 0.16
PbO 0.02
ZnO 2.71
MnO ＜0.01
SrO 0.02
B2O3 ＜0.10
BaO 4
Rb2O 0.03
电气石 1.5
奇冰石 0. 5
蛋白石 1.5
烧失量 3.5
采用本实施例制得的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的负离子发生量为1000~1500个/ cm3。
本发明通过在现有的全抛釉瓷质砖的全抛釉中加入负离子材料成分，全抛釉经过高温烧成后具有高透明、高光泽、高耐磨、气孔率低、防污性能好的特点，且具有激发空气中的水蒸汽形成负氧离子的功能。所述全抛釉瓷质砖可广泛用于家庭和各种工程装饰，用于浴室效果更为明显。在空气湿度较大的环境中，该负离子全抛釉可以更有效激发水蒸汽形成有益于人体健康的负离子。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖，其特征在于，包括依次层叠的坯体、面釉层和可自激发产生负离子的全抛釉层；所述可自激发产生负离子的全抛釉层中添加负离子材料；
所述可自激发产生负离子的全抛釉层，按重量百分比计，主要由以下成分为：
Al2O3 20~25 SiO2 50~55 Na2O 1~3 K2O 1~3 CaO 3~5 Fe2O3 0.2~0.3 Zr（Hf）O2 4~8 MgO 0.2~0.3 Li2O 0.1~0.2 ZnO 2.6~2.8 BaO 4~5 负离子材料 1~5 烧失量 3~5
其中，负离子材料为奇冰石、蛋白石、奇才石、电气石或稀土氧化物中的一种或多种。
2. 根据权利要求1所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖，其特征在于，还包括一层印花层，所述印花层叠加于面釉层表面。
3. 一种可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其包括以下步骤：
步骤01、制得坯体；
步骤02、在坯体的表面采用喷或淋的方式制得面釉层；
步骤04、在施上面釉的坯体表面印刷或淋一层能自激发产生负离子的全抛釉；
步骤05、对制备好负离子全抛釉的坯体进行烧制；
步骤06、将烧成后的坯体进行抛光、磨边、倒角得到可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖；
所述可自激发产生负离子的全抛釉层，按重量百分比计，主要由以下成分为：
Al2O3 20~25 SiO2 50~55 Na2O 1~3 K2O 1~3 CaO 3~5 Fe2O3 0.2~0.3 Zr（Hf）O2 4~8 MgO 0.2~0.3 Li2O 0.1~0.2 ZnO 2.6~2.8 BaO 4~5 负离子材料 1~5 烧失量 3~5
其中，负离子材料为奇冰石、蛋白石、奇才石、电气石或稀土氧化物中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其特征在于，还包括：
步骤03、在面釉层上使用印花设备印花形成印花层，所述负离子全抛釉印刷或淋在印花层上。
5.根据权利要求3或4所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其特征在于，用于淋的施工方式的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a、将负离子材料称量配料后，加入全抛釉料混合；
步骤b、对加入负离子材料的全抛釉料进行球磨；
步骤c、检测球磨后的全抛釉料的细度；
步骤d、将球磨后的全抛釉料过筛；
步骤e、对过筛后的全抛釉料进行除铁，得到负离子全抛釉；
其中，球磨是以水为介质的，其釉料与水比例关系为1:0.32~0.37。
6.根据权利要求3或4所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其特征在于，用于印刷的施工方式的负离子全抛釉的制备方法为：
步骤a’、将负离子材料称量配料后，加入印刷粉中混合；
步骤b’、对加入负离子材料的印刷粉进行球磨得到印刷料；
步骤c’、检测球磨后的印刷料的细度；
步骤d’、将球磨后的印刷料过筛；
步骤e’、对过筛后的印刷料进行除铁，得到印刷用的负离子全抛釉，
其中，球磨是以印油为介质的，所述印刷粉与印油的质量比为1~1.3：1.5~1.8。
7.根据权利要求3或4所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其特征在于，所述坯体烧制的温度为1190~1220℃，烧制时间为50~60min。
8.根据权利要求3或4所述的可自激发产生负离子的全抛釉瓷质砖的制造方法，其特征在于，用于淋釉法生产的负离子全抛釉的制备参数为比重1.80~1.90g/ cm3，细度为325目筛余0.2～0.8%；用于印刷方式的负离子全抛釉的制备参数为比重1.63~1.68g/cm3，细度为325目标准筛全通过。
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