CN102498613B - 微波高次谐波处理电路 - Google Patents

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Abstract

微波高次谐波处理电路具有：在1点与串联传输链路(T11)的输出端子并联连接，对于2次以上直到n次(n为任意的整数)的高次谐波分别具有预定的电气长度的不同长度的(n-1)个并联前端开路导体棒(T21～T26)，其中，上述串联传输线路(T11)的输入端子与晶体管的输出端子连接，具有预定的电气长度；通过一个连接点连接串联传输线路和(n-1)个并联前端开路导体棒内的两个并联前端开路导体棒(T25、T26)而构成的第一带状导体(7)；通过一个连接点连接(n-3)个并联前端开路导体棒而构成的第二带状导体(3)；配置在第一带状导体和第二带状导体之间的接地层(5)；以及电气连接第一带状导体的连接部(20)和第二带状导体的连接部(22)的通孔(10)。

Description

微波高次谐波处理电路
技术领域
本发明特别涉及用于微波频带的微波高次谐波处理电路。
背景技术
作为用于提高使用了高输出HEMT(High Electron Mobility Transistor高电子迁移率晶体管)等的晶体管的放大器的功率效率的单元，通常连接向晶体管的输出端反射高次谐波的微波高次谐波处理电路。
发明内容
该微波高次谐波处理电路使晶体管的输出端子中的阻抗对于偶数次高次谐波短路，对于奇数次高次谐波开路，来向晶体管反射高次谐波，由此控制晶体管输出端子的电流以及电压波形。该动作被称为F级动作。在F级动作中，可以排除晶体管的输出的瞬时电流和瞬时电压的重叠，抑制晶体管的电力消耗。由此，能够提高放大器的功率效率。
图1表示现有的微波高次谐波处理电路的例子1的平面图。图2表示等价电路，该等价电路得到图1的微波高次谐波处理电路的设计目标的微波特性。图1所示的微波高次谐波处理电路在单一平面上使用微带线路构成，输入用微波主线路T11、输出用微波主线路T12与一端开路的4个导体棒(stub)T21～T24由单一的连接点70连接。通过使用图1所示的微带线路，能够实现图2所述的等价电路。
此外，作为现有的技术，已知图3所示的F级高效率功率放大器的微波高次谐波处理电路(专利文献1)。该微波高次谐波处理电路具有微波主线路T11、微波主线路T12、多个第一导体棒T2～T7、合成补偿导体棒T*。微波主线路T11、T12的长度是晶体管的输出中的基波的波长λ的1/4的长度，多个第一导体棒T2～T7的长度L是L＝λ/4m。合成补偿导体棒T*的导纳是与多个第一导体棒T2～T7的合成输入导纳大小相等并且相反的符号。
由此，可以通过微波主线路T11使针对基波的输入阻抗为零，通过多个第一导体棒T2～T7使各高次谐波的A点的阻抗为零，所以能够通过合成补偿导体棒T*消除多个第一导体棒T2～T7对于基波的影响。
此外，作为现有的技术，已知使用了图4所示的微波高次谐波处理电路的高效率的放大器(专利文献2)。该放大器具备高次谐波反射用导体棒20A，其与放大用晶体管10A的输出端子连接，在成为基本频率fo的整数倍的多个频率中输入电纳发散。放大器具有基波匹配电路30，其一端与高次谐波反射用导体棒20A并联地连接在放大用晶体管10A的输出端子上，另一端与负载电路连接，使放大用晶体管10A的输出导纳与高次谐波反射用导体棒20A的输入电纳之和与负荷电路的阻抗值进行阻抗匹配。
高次谐波反射用导体棒20A包含一端与放大用晶体管10A的输出端子连接的一个主导体棒T21A、进行导体棒与主导体棒T21A的另一端并联连接的多个支导体棒T22A、T23A。由此，可以通过安装面积小的放大器得到高效、并且宽频带的特性。
此外，作为现有技术，本发明的发明人在欧洲微波会议论文中公开了5.8Ghz频带的F级放大器(非专利文献1)。
现有技术
专利文献
专利文献1：日本特许4143805号公报
专利文献2：日本特开2008-113402号公报
非专利文献1：kuroda等、Proceeding of the 38 th European MicrowaveConference，High-Efficiency GaN-HEMT Class-F Amplifier Operating at 5.7GHz，pp 440-443(2008)
发明内容
发明要解决的课题
但是，在图1所示的微波高次谐波处理电路中，连接点70臃肿，并且相邻的导体棒T21～T24之间的角度小于90度，由于电流而产生的磁场与相邻的导体棒耦合，共振频率变化。此外，因为存在导体棒接近的场所，所以电气耦合引起的寄生电容也变大。
在F级放大负载电路中，需要使用多个并联前端开路导体棒，从晶体管看负载侧的阻抗通过偶数高次谐波短路，通过奇数高次谐波开路。但是，在专利文献1的电路中，因为无法避免由于上述理由而存在寄生电路元件，所以作为极限只能用于基波为2GHz左右，5次谐波为10GHz左右的电路。
此外，在专利文献2的并联前端开路导体棒的安装中，因为没有对多层化的层间进行电气屏蔽，所以存在多个基板间的电耦合。此外，即使在同一基板内因为没有确保线路元件的正交性，所以存在磁耦合。因此，无法飞越地增大电路动作频率。
当前，在考虑预见了各种应用的5.8GHz频带的F级放大器的情况下，针对作为7次谐波的40.6GHz的频率，需要精度良好地进行处理，但是由于上述的理由无法实现理想的F级放大器。因此，在5.8GHz频带的F级放大器中，如非专利文献1记载的那样，到3次谐波为止的处理是界限，放大器的负载功率利用系数也只有68％左右。因此，与需要的微波频带中的85％以上的功率利用系数具有大的差距。
本发明的课题在于提供一种能够大幅提高功率利用系数的微波高次谐波处理电路。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明具有：输入端子与晶体管的输出端子连接，具有预定的电气长度的串联传输线路；在1点与所述串联传输线路的输出端子并联连接，对于2次以上n次(n为任意的整数)为止的高次谐波分别具有预定的电气长度的不同长度的(n-1)个并联前端开路导体棒；在一个连接点连接所述串联传输线路和所述(n-1)个并联前端开路导体棒内的两个并联前端开路导体棒而构成的第一传输线路层；在一个连接点连接除去所述两个并联前端开路导体棒以外的所述(n-3)个并联前端开路导体棒而构成的第二传输线路层；配置在所述第一传输线路层和所述第二传输线路层之间的接地层；以及电气连接所述第一传输链路层中的连接点和所述第二传输线路层中的连接点的通孔。
根据本发明，在一个连接点电气连接多个不同长度的并联前端开路导体棒，将与连接点连接的电路元件划分为第一传输线路层和第二传输线路层这样的多个层，在第一传输线路层和第二传输线路层之间存在接地层，所以各层被电气屏蔽，第一传输线路层和第二传输线路层不会耦合。
由此，可以连接理想的多个并联前端开路导体棒，在微波频带中的超高效率的F级功率放大器等中得到显著的效果。
附图说明
图1是表示现有的微波高次谐波处理电路的例1的平面图。
图2表示图1的微波高次谐波处理电路的目标的等价电路。
图3是表示现有的微波高次谐波处理电路的例2的电路结构图。
图4是表示现有的微波高次谐波处理电路的例3的平面图以及截面图。
图5是本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的俯视结构图。
图6表示本发明实施例1的微波高次谐波处理电路内的第一带状导体。
图7表示本发明实施例1的微波高次谐波处理电路内的第二带状导体。
图8表示本发明实施例1的微波高次谐波处理电路内的第二接地层。
图9是本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的A-A’间的截面图。
图10表示本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的目标的等价电路。
图11表示反映了本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的第一带状导体和第二带状导体构成的多层结构的等价电路。
图12表示本发明实施例2的微波高次谐波处理电路的等价电路。
图13表示本发明实施例3的微波高次谐波处理电路内的第一带状导体。
图14表示本发明实施例3的微波高次谐波处理电路内的第二带状导体。
图15表示反映了本发明实施例3的微波高次谐波处理电路的第一带状导体和第二带状导体构成的多层结构的等价电路。
图16(a)是本发明实施例4的微波高次谐波处理电路的俯视图，图16(b)是微波高次谐波处理电路的截面图。
图17(a)是本发明实施例5的微波高次谐波处理电路的俯视图，图17(b)是微波高次谐波处理电路的截面图。
图18是考虑了在晶体管输出部寄生的寄生电容和因寄生电感而产生的寄生量，将微波主线路T11的电气长度设计得短于基波的1/4λ时的说明图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的微波高次谐波处理电路的实施例进行详细的说明。本发明在需要在一个连接点电气连接多个不同长度的并联前端开路导体棒的微波频带平面电路中，采用将与连接点连接的电路元件分为多个平面电路来构成，使各层被电气屏蔽以使各个平面电路不会耦合的多层带状线路结构。
此外，本发明以同一层内的线路的角度相互为90度的方式配置线路来消除磁耦合，并且通过通孔将划分在多个平面电路中的连接点电气连接。
实施例1
图5是本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的俯视结构图。如图5的俯视结构图以及图9的截面图所示，在电介质材料2上配置矩形的第一接地层1，在电介质材料2和电介质材料4之间配置了十字状的第二带状导体(第二传输线路层)3。
在电介质材料4下表面配置矩形的第二接地层5，在第二接地层5的下表面配置了电介质材料6。在电介质材料6和电介质材料8之间配置了十字状的第一带状导体(第一传输线路层)7。在电介质材料8的下表面配置了矩形的第三接地层9。
通过在第二带状导体3上配置的第一接地层1，形成了第二带状线路层。在配置在第一带状导体7的下部的第三接地层9上形成了第一带状线路层。
第一接地层1、第二接地层5、第三接地层9由导体形成。电介质材料2、4、6、8由特氟龙(注册商标)、玻璃纤维环氧树脂(glass epoxy)、陶瓷等构成。
如图6所示，第一带状导体7由微波主线路T11、微波主线路T12、与微波主线路T11、T12正交的两个并联前端开路导体棒T25、T26构成。微波主线路T11、T12和两个并联前端开路导体棒T25、T26由一个连接部20连接，在连接部20的中心形成了由金属构成的通孔10。
如图7所示，第二带状导体3由相互正交的四个并联前端开路导体棒T21、T22、T23、T24构成。四个并联前端开路导体棒T21、T22、T23、T24由一个连接部22连接，在连接部22的中心形成了通孔10。
使孔上下相互匹配地通过通孔10以最短的方式把并联前端开路导体棒T25、T26向由第一带状导体7构成的微波主线路T11、T12的安装位置(连接部20)和由第二带状导体3构成的4个并联前端开路导体棒T21～T24的导体棒点(连接部22)电气连接。
此外，如图8所示，在第二接地层5上设置了比通孔10的直径大的孔24，以使第一以及第二带状导体3、7与第二接地层5不会经由通孔10电气接触。此外，三个接地层1、5、9通过设置在接地层1、5、9的四角的通孔11～16而连接，作为接地层而被电气一体化。
图10表示本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的目标的等价电路。图10所示的微波高次谐波处理电路具有：输入端子与HEMT等高输出的晶体管Q1的输出端子连接的具有基波的1/4波长的电气长度的微波主线路(串联传输线路)T11；与未图示的负荷的匹配部连接的微波主线路T12(在此不限于1/4波长)；在1点与微波主线路T11的输出端子并联连接，对于2次以上n次(n为任意的整数)为止的高次谐波(在实施例1中n为7)分别具有1/4波长的电气长度的不同长度的(n-1＝6)个并联前端开路导体棒T21～T26。
即，并联前端开路导体棒T21对于2次谐波具有1/4波长的电气长度，并联前端开路导体棒T22对于3次谐波具有1/4波长的电气长度，并联前端开路导体棒T23对于4次谐波具有1/4波长的电气长度，并联前端开路导体棒T24对于5次谐波具有1/4波长的电气长度，并联前端开路导体棒T25对于6次谐波具有1/4波长的电气长度，并联前端开路导体棒T26对于7次谐波具有1/4波长的电气长度。并联前端开路导体棒T21～T26等价地具有1/4波长的电气长度即可。
图11表示反映了本发明实施例1的微波高次谐波处理电路的第一带状导体7和第二导体3构成的多层结构的等价电路。图11所示的结构对应于图5以及图9所示的结构。
在图11中，6个并联前端开路导体棒T21～T26内的处理最高次谐波的最短的并联前端开路导体棒T26被设置在具有微波主线路T11的第一带状导体7上，最短地与微波主线路T11的输出端子连接。处理最低次的谐波的最长的并联前端开路导体棒T21被设置在第二带状导体3上，经由通孔10与微波主线路T11的输出端子连接。
如此，根据实施例1的微波高次谐波处理电路，通过一个连接点电气连接多个不同长度的并联前端开路导体棒T21～T26，将与连接点连接的电路元件分层地划分为第一带状导体7和第二带状导体3，在第一带状导体7和第二带状导体3之间存在第二接地层5，所以第一带状导体7和第二带状导体3被完全地电气屏蔽，第一带状导体7和第二带状导体3不会耦合。
此外，通过通孔10电气连接第一带状导体7的连接部20和第二带状导体3的连接部22，所以能够抑制由于连接部20、22的物理面积的增大而产生的寄生成分和由于电路元件接近配置而引起的元件彼此的磁耦合以及电气耦合。
由此，可以连接理想的多个并联前端开路导体棒，在微波频带或毫米波频带的超高效的F级功率放大器等中得到显著的效果。
此外以相互成为90度的方式配置了第一带状导体7的微波主线路T11、微波主线路T12、并联前端开路导体棒T25以及并联前端开路导体棒T26，并且以相互成为90度的方式配置了第二带状导体3的四个并联前端开路导体棒T21、T22、T23、T24，所以能够消除磁耦合。
此外，因为处理谐波的导体棒的长度短，最高次的并联前端开路导体棒T26被设置在第一带状导体7上，最低次的并联前端开路导体棒T21被设置在第二带状导体3上，所以能够在更高次的谐波中，在安装时大幅降低相位误差的影响。
此外，在现有的微波高次谐波处理电路中，在频率为5.8GHz中，界限是处理到3次谐波为止的信号。
与此相对，在实施例1的微波高次谐波处理电路中，设n为7，设置不同长度的6个并联前端开路导体棒T21～T26，通过偶数次谐波使从晶体管的输出端子预见负载侧的电感短路，通过奇数次谐波使其开路，由此能够处理直到7次谐波为止的信号，使功率利用系数接近理想状态的100％。即，能够大幅提高功率利用系数。
特备是近年来，在微波电力输电等中被关注的5.8GHz频带中，7次谐波也成为40.6GHz，在该频带的F级放大器的设计中需要设计贯穿微波至毫米波的高精度电路，本发明的效果大。通过在GaN HEMT等微波晶体管中采用本发明的微波高次谐波处理电路，即使在5.8GHz频带中也能够达成85％以上的功率利用系数。
实施例2
图12表示本发明实施例2的微波高次谐波处理电路的等价电路。在图12所示的实施例2的微波高次谐波处理电路中，配置在第二带状导体3A上的各个并联前端开路导体棒T21’、T22’、T23’、T24’考虑通孔10的电气长度，较短地设定各自的导体棒长度。
即，各个并联前端开路导体棒T21’、T22’、T23’、T24’被设定为对通孔10的电气长度进行修正后的导体棒长度，所以能够在1点以更高的精度电气连接多个导体棒。
实施例3
图13表示本发明的实施例3的微波高次谐波处理电路内的第一带状导体。图13所示的实施例3的第一带状导体7a通过一个连接部20a连接微波主线路T11、T12以及随着离开连接部20a扩展为扇形的扇形导体棒构成的并联前端开路导体棒T24a、T25a，在连接部20a的中心形成了由金属形成的通孔10。
如图14所示，第二带状导体3a由随着离开连接部22a扩展为扇形的扇形导体棒构成的三个并联前端开路导体棒T21a、T22a、T23a构成。三个并联前端开路导体棒T21a、T22a、T23a通过一个连接部22a连接，在连接部22a的中心形成了通孔10。
以相互成为90度的方式配置三个并联前端开路导体棒T21a、T22a、T23a，所以能够消除磁耦合。
使孔上下相互匹配地通过通孔10以最短的方式把并联前端开路导体棒T25a、T26a向由第一带状导体7a构成的微波主线路T11、T12的安装位置(连接部20a)和由第二带状导体3a构成的三个并联前端开路导体棒T21a～T24a的导体棒点(连接部22a)电气连接。
图15表示反映了本发明的实施例3的微波高次谐波处理电路的由第一带状导体7a和第二带状导体3a形成的多层结构的等价电路。
如此，根据实施例3的微波高次谐波处理电路，能够得到实施例1的微波高次谐波处理电路的效果，并且，使并联前端开路导体棒T21a～T25a的形状为蝴蝶结(扇形导体棒)，随着离开导体棒的安装位置(连接部20a、22a)扩大导体棒的宽度，所以能够进一步缩小导体棒的安装位置的电气的不确定性。
此外，将导体棒的个数设置为3个，以使在与微波主线路T11、T12不同的层上构成的并联前端开路导体棒T21a～T23a的电流集中的导体棒的边沿彼此的角度保持直角。
实施例4
图16(a)是本发明实施例4的微波高次谐波处理电路的俯视结构图，图16(b)是微波高次谐波处理电路的截面图。图16所示的实施例4的微波高次谐波处理电路的特征为删除了图9所示的实施例1的微波高次谐波处理电路的第一接地层1和电介质材料2，仅使最上层的第二带状导体3成为开路型的微带线路。
最上层的第二带状导体3因为在其下部具有第二接地层5，所以不会存在与在微波主线路T11、T12上作为带状线路构成的并联前端开路导体棒T25、T26的电气耦合以及磁耦合。因此，能够降低微波高次谐波处理电路的成本。
实施例5
图17(a)是本发明的实施例5的微波高次谐波处理电路的俯视结构图，图17(b)是微波高次谐波处理电路的截面图。图17所示的实施例5的微波高次谐波处理电路的特征为删除了图16所示的实施例4的微波高次谐波处理电路的第三接地层9和电介质材料8，通过第一带状导体7和最上层的第二带状导体3构成了微带线路。
最上层的第二带状导体3因为在其下部具有第二接地层5，所以不会存在与在微波主线路T11、T12上作为带状线路构成的并联前端开路导体棒T25、T26的电气耦合以及磁耦合。因此，能够进一步降低微波高次谐波处理电路的成本。
本发明不限于上述实施例1至实施例4的微波高次谐波处理电路。在实施例1、3、4的微波高次谐波处理电路中，设n＝7，处理从基波至7次谐波的信号，在实施例2的微波高次谐波处理电路中，设n＝6，处理从基波至6次谐波的信号，但是本发明还同样适用于n为8以上的情况的谐波处理。
例如，在n为8以上时，还可以在图9所示的第一接地层1的上侧隔着电介质材料地配置第三带状导体(第三传输线路层)，并且，在第三带状导体的上侧隔着电介质材料和接地层地配置第四带状导体(第四传输线路层)。
此时，通过一个连接点连接(n-3)个并联前端开路导体棒内的4个并联前端开路导体棒来构成第二带状导体3，在第三带状导体和第四带状导体上以每个最大配置4个的方式配置剩余的(n-7)个并联前端开路导体棒。
然后，配置在第三带状导体和第四带状导体上的并联前端开路导体棒通过一个连接点连接，经由各通孔与第二带状导体3用通孔10连接即可。
此外，在各第三带状导体、第三带状导体中，以相互成为90度的方式配置相邻的并联前端开路导体棒，由此可以消除磁耦合。如此，本发明还可以用于n为8以上的情形。
在上述各实施例中说明使微波主线路(串联传输线路)T11的电气长度为基波的1/4λ。但是，在实际的设计中，因为在作为开关元件的晶体管Q1的输出部存在寄生电容和寄生电感，所以考虑该寄生量有时能够将微波主线路T11的电气长度设计得短于基波的1/4λ。因此，将微波主线路T11的电气长度等价地即实际地设计为基波的1/4λ。
通过以下的式子表示的长度来决定该等价的电气长度1/4λ的缩短允许长Δλ。例如，考虑根据寄生量，将微波主线路T11的电气长度缩短1/4λ的20％左右。
如图18(a)所示，当在晶体管Q1的输出部存在寄生电容Cp和寄生电感Lp时，为了对其进行补偿，通过如下那样近似于传输线路来求出使微波主线路T11短于1/4λ的缩短长度。
如图18(b)所示，当求出图18(a)的虚线部的F矩阵时成为以下那样。
(式1)
V 1 I 1 = 1 jwL P jwC P 1 - w 2 L P C p V 2 I 2 · · ( 1 )
然后，使用以下的F矩阵和影像参数的关系求出该电路的传递常数θ。
(式2)
F = A B C D = Z 01 Z 02 cosh θ Z 01 Z 02 sinh θ 1 Z 01 Z 02 sinh θ Z 02 Z 01 cosh θ · · ( 2 )
通过将式(2)代入到式(1)中然后进行整理，cosh θ如下那样。
(式3)
cosh θ = 1 - w 2 L P C P · · ( 3 )
如果切断频率
f c = 1 2 π L P C P
比要处理的最高次的谐波充分高，则上式的右边成为实数，所以当设θ＝α+jβ时，成为(在最高次的频率高于切断频率时，无法得到处理到该次数的负荷电路)下式4。
(式4)
α＝0， cos β = 1 - w 2 L P C P · · ( 4 )
在把图18(a)的由虚线包围的寄生成分看作是传输线路时，代入该电气长度w0＝2πf0(其中，f0为基波的频率)成为
β = arccos 1 - w 0 2 L P C P ( rad ) .
因此，微波主线路T11的长度在基波中可以设为
(式5)
( 1 4 - arccos 1 - w 0 2 L P C P 2 π ) λ · · ( 5 )
即可。
在此，表示了寄生成分为Cp、Lp的简单的例子，关于比这更复杂的情况也同样可以求出。
此外，说明了在图8所示的三个接地层1、5、9通过设置在接地层1、5、9的四个角的通孔11～16连接的例子，但通孔的个数不限于这4个，能够在得到电气接地的状态下能够进行增减。
产业上的应用
本发明的微波高次谐波处理电路能够用于微波频带的F级放大器。
符号说明
1第一接地层
2、4、6、8电介质材料
3第二带状导体
5第二接地层
7第一带状导体
9第三接地层
10～16通孔
20、22连接部
T11、T12微波主线路
T21～T26并联前端开路导体棒
Q1开关元件

Claims (9)

1.一种微波高次谐波处理电路，其特征在于，具有：
输入端子与晶体管的输出端子连接，具有预定的电气长度的串联传输线路；
在连接部与所述串联传输线路的输出端子并联连接，对于2次以上n次（n为大于2的任意的整数）为止的高次谐波分别具有预定的电气长度的不同长度的（n-1）个并联前端开路导体棒；
在第一连接点连接所述串联传输线路和（n-1）个所述并联前端开路导体棒内的两个并联前端开路导体棒而构成的第一传输线路层；
在第二连接点连接除去所述两个并联前端开路导体棒以外的（n-3）个所述并联前端开路导体棒而构成的第二传输线路层；
配置在所述第一传输线路层和所述第二传输线路层之间的接地层；以及
电气连接所述第一传输线路层中的第一连接点和所述第二传输线路层中的第二连接点的通孔，
所述连接部由所述第一连接点、所述第二连接点和所述通孔形成。
2.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
所述串联传输线路是等价地具有基波的1/4波长的电气长度的串联传输线路。
3.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
所述第二传输线路层由4个以下的并联前端开路导体棒构成，相邻的并联前端开路导体棒之间的角度为90度。
4.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
最高次的并联前端开路导体棒被设置在所述第一传输线路层上，最低次的并联前端开路导体棒被设置在所述第二传输线路层上。
5.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
所述并联前端开路导体棒由随着离开所述第一连接点和所述第二连接点分别扩展为扇形的扇形导体棒构成。
6.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
通过在所述第二传输线路层上部配置的上部接地层形成第二带状线路层。
7.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
在所述第一传输线路层下部配置的下部接地层上形成第一带状线路层。
8.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
配置在所述第二传输线路层的各个并联前端开路导体棒具有对所述通孔具有的微小电气长度进行修正后的导体棒长度。
9.根据权利要求1所述的微波高次谐波处理电路，其特征在于，
还设置有第三传输线路层和第四传输线路层，
所述第二传输线路层通过在所述第二连接点连接（n-3）个所述并联前端开路导体棒内的4个并联前端开路导体棒而构成，在所述第三传输线路层和所述第四传输线路层上以每个最大配置4个的方式配置剩余的（n-7）个并联前端开路导体棒。
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